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Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet.钢材机械性能介绍
1.屈服点（σs）
钢材或试样在拉伸时，当应力超过弹性极限，即使应力不再增加，而钢材或试样仍继续发生明显的塑性变形，称此现象为屈服，而产生屈服现象时的最小应力值即为屈服点。
设Ps为屈服点s处的外力，Fo为试样断面积，则屈服点σs =Ps/Fo(MPa)，MPa称为兆帕等于N（牛顿）/mm2，（MPa=106Pa，Pa：帕斯卡=N/m2）
2.屈服强度（σ0.2）
有的金属材料的屈服点极不明显，在测量上有困难，因此为了衡量材料的屈服特性，规定产生永久残余塑性变形等于一定值（一般为原长度的0.2%）时的应力，称为条件屈服强度或简称屈服强度σ0.2 。
3.抗拉强度（σb）
材料在拉伸过程中，从开始到发生断裂时所达到的最大应力值。它表示钢材抵抗断裂的能力大小。与抗拉强度相应的还有抗压强度、抗弯强度等。
设Pb为材料被拉断前达到的最大拉力，Fo为试样截面面积，则抗拉强度σb= Pb/Fo （MPa）。
4.伸长率（δs）
材料在拉断后，其塑性伸长的长度与原试样长度的百分比叫伸长率或延伸率。
5.屈强比（σs/σb）
钢材的屈服点（屈服强度）与抗拉强度的比值，称为屈强比。屈强比越大，结构零件的可靠性越高，一般碳素钢屈强比为0.6-0.65，低合金结构钢为0.65-0.75合金结构钢为0.84-0.86。
6.硬度
硬度表示材料抵抗硬物体压入其表面的能力。它是金属材料的重要性能指标之一。一般硬度越高，耐磨性越好。常用的硬度指标有布氏硬度、洛氏硬度和维氏硬度。
⑴布氏硬度（HB）
以一定的载荷（一般3000kg）把一定大小（直径一般为10mm）的淬硬钢球压入材料表面，保持一段时间，去载后，负荷与其压痕面积之比值，即为布氏硬度值（HB），单位为公斤力/mm2 (N/mm2)。
⑵洛氏硬度（HR）
当HB>450或者试样过小时，不能采用布氏硬度试验而改用洛氏硬度计量。它是用一个顶角120°的金刚石圆锥体或直径为1.59、3.18mm的钢球，在一定载荷下压入被测材料表面，由压痕的深度求出材料的硬度。根据试验材料硬度的不同，分三种不同的标度来表示：
HRA：是采用60kg载荷和钻石锥压入器求得的硬度，用于硬度极高的材料（如硬质合金等）。
HRB：是采用100kg载荷和直径1.58mm淬硬的钢球，求得的硬度，用于硬度较低的材料（如退火钢、铸铁等）。
HRC：是采用150kg载荷和钻石锥压入器求得的硬度，用于硬度很高的材料（如淬火钢等）。
⑶维氏硬度（HV）
以120kg以内的载荷和顶角为136°的金刚石方形锥压入器压入材料表面，用材料压痕凹坑的表面积除以载荷值，即为维氏硬度值（HV）
钢材商品知识（一）----钢的分类
第一节 钢的分类
一、黑色金属和有色金属
1、黑色金属
是指铁和铁的合金。如钢、生铁、铁合金、铸铁等。钢和生铁都是以铁为基础，以碳为主要添加元素的合金，统称为铁碳合金。
生铁是指把铁矿石放到高炉中冶炼而成的产品，主要用来炼钢和制造铸件。
把铸造生铁放在熔铁炉中熔炼，即得到铸铁（液状,含碳量大于2.11%的铁碳合金），把液状铸铁浇铸成铸件，这种铸铁叫铸铁件。
铁合金是由铁与硅、锰、铬、钛等元素组成的合金，铁合金是炼钢的原料之一，在炼钢时做钢的脱氧剂和合金元素添加剂用。
含碳量低于2.11%的铁碳合金称为钢，把炼钢用生铁放到炼钢炉内按一定工艺熔炼，即得到钢。钢的产品有钢锭、连铸坯和直接铸成各种钢铸件等。通常所讲的钢，一般是指轧制成各种钢材的钢。
2、有色金属
又 称非铁金属，指除黑色金属外的金属和合金，如铜、锡、铅、锌、铝以及黄铜、青铜、铝合金和轴承合金等。另外在工业上还采用铬、镍、锰、 钼、钴、钒、钨、钛等，这些金属主要用作合金附加物，以改善金属的性能，其中钨、钛、钼等多用以生产刀具用的硬质合金。以上这些有色金属都称为工业用金 属，此外还有贵重金属：铂、金、银等和稀有金属，包括放射性的铀、镭等。
二、钢的分类
钢的主要元素除铁、碳外，还有硅、锰、硫、磷等。钢的分类方法多种多样，其主要方法有如下七种：
1、按品质分类
(1) 普通钢（P≤0.045%，S≤0.050%）
(2) 优质钢（P、S均≤0.035%）
(3) 高级优质钢（P≤0.035%，S≤0.030%）
2、按化学成份分类
(1) 碳素钢：
a.低碳钢（C≤0.25%）；b.中碳钢（C≤0.25～0.60%）；c.高碳钢（C≤0.60%）。
(2) 合金钢：
a.低合金钢（合金元素总含量≤5%）；b.中合金钢（合金元素总含量＞5～10%）；c.高合金钢（合金元素总含量＞10%）。
3、按成形方法分类：
(1) 锻钢；(2) 铸钢；(3) 热轧钢；(4) 冷拉钢。
4、按金相组织分类
(1) 退火状态的：a.亚共析钢（铁素体+珠光体）；b.共析钢（珠光体）；c.过共析钢（珠光体+渗碳体）；d.莱氏体钢（珠光体+渗碳体）。
(2) 正火状态的：a.珠光体钢；b.贝氏体钢；c.马氏体钢；d.奥氏体钢。
(3) 无相变或部分发生相变的
5、按用途分类
(1) 建筑及工程用钢：a.普通碳素结构钢；b.低合金结构钢；c.钢筋钢。
(2) 结构钢
a.机械制造用钢：(a)调质结构钢；(b)表面硬化结构钢：包括渗碳钢、渗氨钢、表面淬火用钢；(c)易切结构钢；(d)冷塑性成形用钢：包括冷冲压用钢、冷镦用钢。
b.弹簧钢
c.轴承钢
(3) 工具钢：a.碳素工具钢；b.合金工具钢；c.高速工具钢。
(4) 特殊性能钢：a.不锈耐酸钢；b.耐热钢：包括抗氧化钢、热强钢、气阀钢；c.电热合金钢；d.耐磨钢；e.低温用钢；f.电工用钢。
(5) 专业用钢——如桥梁用钢、船舶用钢、锅炉用钢、压力容器用钢、农机用钢等。
6、综合分类
(1)普通钢
a.碳素结构钢：(a) Q195；(b) Q215(A、B)；(c) Q235(A、B、C)；(d) Q255(A、B)；(e) Q275。
b.低合金结构钢
c.特定用途的普通结构钢
(2)优质钢（包括高级优质钢）
a.结构钢：(a)优质碳素结构钢；(b)合金结构钢；(c)弹簧钢；(d)易切钢；(e)轴承钢；(f)特定用途优质结构钢。
b.工具钢：(a)碳素工具钢；(b)合金工具钢；(c)高速工具钢。
c.特殊性能钢：(a)不锈耐酸钢；(b)耐热钢；(c)电热合金钢；(d)电工用钢；(e)高锰耐磨钢。
7、按冶炼方法分类
(1) 按炉种分
a.转炉钢：(a)酸性转炉钢；(b)碱性转炉钢。或 (a)底吹转炉钢；(b)侧吹转炉钢；(c)顶吹转炉钢。
b. 电炉钢：(a)电弧炉钢；(b)电渣炉钢；(c)感应炉钢；(d)真空自耗炉钢；(e)电子束炉钢。
(2)按脱氧程度和浇注制度分
a.沸腾钢；b.半镇静钢；c.镇静钢；d.特殊镇静钢。
第二节 我国钢号表示方法
一、我国钢号表示方法概述
钢的牌号简称钢号，是对每一种具体钢产品所取的名称，是人们了解钢的一种共同语言。我国的钢号表示方法，根据国家标准《钢铁产品牌号表示方法》（GB/T221—2000）中规定，并于2000年11月1日开始实施。
产品牌号的表示，一般采用采用汉语拼音字母、化学元素符号和阿拉伯数字相结合的方法表示。即：
①钢号中化学元素采用国际化学符号表示，例如Si,Mn,Cr……等。混合稀土元素用“RE”（或“Xt”）表示。
②产品名称、用途、冶炼和浇注方法等，一般采用汉语拼音的缩写字母表示，
③钢中主要化学元素含量（%）采用阿拉伯数字表示。
采用汉语拼音字母表示产品名称、用途、特性和工艺方法时，一般从代表产品名称的汉 语拼音中选取第一个字母。当和另一个产品所选用的字母重复时，可改用第二个字母或第三个字母，或同时选取两个汉字中的第一个拼音字母。
暂时没有可采用的汉字及汉语拼音的，采用符号为英文字母。
二、我国钢号表示方法的分类说明
1、碳素结构钢和低合金高强度结构牌号表示方法
以上用钢通常分为通用钢和专用钢两大类。牌号表示方法，由钢的屈服点或屈服强度的汉语拼音字母、屈服点或屈服强度数值，钢的质量等级等部分组成，还有的钢加脱氧程度，实际是4个部分组成。
①通用结构钢采用代表屈服点的拼音字母“Q”。屈服点数值(单位为MPa)和表1中规定的质量等级（A、B、C、D、E）、脱氧方法（F、b、Z、TZ）等符号，按顺序组成牌号。例如：碳素结构钢牌号表示为：Q235AF，Q235BZ；低合金高强度结构钢牌号表示为：Q345C，Q345D。
Q235BZ表示屈服点值≥235MPa、质量等级为B级的镇静碳素结构钢。
Q235和Q345这两个牌号是工程用钢最典型,生产和使用量最大,用途最广泛的牌号。这两牌号几乎世界各国都有。
碳素结构钢的牌号组成中，镇静钢符号“Z”和特殊镇静钢符号“TZ”可以省略，例如：质 量等级分别为C级和D级的Q235钢，其牌号表示应为Q235CZ和Q235DTZ，但可以省略为Q235C和 Q235D。
低合金高强度结构钢有镇静钢和特殊镇静钢，但牌号尾部不加写表示脱氧方法的符号。
②专用结构钢一般采用代表钢屈服点的符号“Q”、屈服点数值和表1中规定的代表产品用途 的符号等表示，例如：压力容器用钢牌号表示为“Q345R”；耐候钢其牌号表示为Q340NH；Q295HP焊接气瓶用钢牌号；Q390g锅炉用钢牌号；Q420q桥梁用钢牌号。
③根据需要，通用低合金高强度结构钢的牌号也可以采用两位阿拉伯数字(表示平均含碳量，以万分之几计)和化学元素符号，按顺序表示；专用低合金高强度结构钢的牌号，也可以采用两位阿拉伯数字(表示平均含碳量，以万分之几计)和化学元素符号，以及表1中规定代表产品用途的符号，按顺序表示。
2、优质碳素结构钢和优质碳素弹簧钢牌号表示方法
优质碳素结构钢采用两位阿拉伯数字(以万分之几计表示平均含碳量)或阿拉伯数字和元素符号、表1中规定的符号组合成牌号。
①沸腾钢和半镇静钢，在牌号尾部分别加符号“F”和“b”。例如：平均含碳量为0.08%的沸腾钢，其牌号表示为“08F”；平均含碳量为0.10%的半镇静钢，其牌号表示为“10b”。
②镇静钢(S、P分别≤0.035%)一般不标符号。例如：平均含碳量为0.45%的镇静钢，其牌号表示为“45”。
③较高含锰量的优质碳素结构钢，在表示平均含碳量的阿拉伯数字后加锰元素符号。例如： 平均含碳量为0.50%，含锰量为0.70%～1.00%的钢，其牌号表示为“50Mn”。
④高级优质碳素结构钢(S、P分别≤0.030%)，在牌号后加符号“A”。例如：平均含碳量为0.45%的高级优质碳素结构钢，其牌号表示为“45A”。
⑤特级优质碳素结构钢(S≤0.020%、P≤0.025%)，在牌号后加符号“E”。例如：平均含碳量为0.45%的特级优质碳素结构钢，其牌号表示为“45E”。
优质碳素弹簧钢牌号的表示方法与优质碳素结构钢牌号表示方法相同(65、70、85、65Mn钢 在GB/T1222和GB/T 699两个标准中同时分别存在)。
3、合金结构钢和合金弹簧钢牌号表示方法
①合金结构钢牌号采用阿拉伯数字和标准的化学元素符号表示。
用两位阿拉伯数字表示平均含碳量(以万分之几计)，放在牌号头部。
合金元素含量表示方法为：平均含量小于1.50%时，牌号中仅标明元素，一般不标明含量； 平均合金含量为1.50%～2.49%、2.50%～3.49%、3.50%～4.49%、4.50%～5.49%、……时，在合金元素后相应写成2、3、4、5……。
例如：碳、铬、锰、硅的平均含量分别为0.30%、0.95%、0.85%、1.05%的合金结构钢，当S、P含量分别≤0.035%时，其牌号表示为“30CrMnSi”。
高级优质合金结构钢(S、P含量分别≤0.025%)，在牌号尾部加符号“A”表示。例如：“30CrMnSiA”。
特级优质合金结构钢(S≤0.015%、P≤0.025%)，在牌号尾部加符号“E”，例如：“30CrM nSiE”。
专用合金结构钢牌号尚应在牌号头部(或尾部)加表1中规定代表产品用途的符号。例如，铆螺专用的30CrMnSi钢，钢号表示为ML30CrMnSi。
②合金弹簧钢牌号的表示方法与合金结构钢相同。
例如：碳、硅、锰的平均含量分别为0.60%、1.75%、0.75%的弹簧钢，其牌号表示为“60Si2Mn”。高级优质弹簧钢，在牌号尾部加符号“A”，其牌号表示为“60Si2MnA”。
4、易切削钢牌号表示方法
易切削钢采用标准化学元素符号、表1规定的符号和阿拉伯数字表示。阿拉伯数字表示平均含碳量(以万分之几计)。
①加硫易切削钢和加硫、磷易切削钢，在符号“Y”和阿拉伯数字后不加易切削元素符号。
例如：平均含碳量为0.15%的易切削钢，其牌号表示为“Y15”。
②较高含锰量的加硫或加硫、磷易切削钢在符号“Y”和阿拉伯数字后加锰元素符号。例如 ：平均含碳量为0.40%，含锰量为1.20%～1.55%的易切削钢，其牌号表示为“Y40Mn”。
③含钙、铅等易切削元素的易切削钢，在符号“Y”和阿拉伯数字后加易切削元素符号。例 如：“Y15Pb”、“Y45Ca”。
5、非调质机械结构钢牌号表示方法
非调质机械结构钢，在牌号头部分别加符号“YF”和“F”表示易切削非调质机械结构钢和热锻用非调质机械结构钢，牌号表示方法的其他内容与合金结构钢相同。例如：“YF35V”、“F45V”。
6、工具钢牌号表示方法
工具钢分为碳素工具钢、合金工具钢和高速工具钢三类。
①碳素工具钢采用标准化学元素符号、表1规定的符号和阿拉伯数字表示。阿拉伯数字表示 平均含碳量(以千分之几计)。
a.普通含锰量碳素工具钢，在工具钢符号“T”后为阿拉伯数字。例如：平均含碳量为0.80%的碳素工具钢，其牌号表示为“T8”。
b.较高含锰量的碳素工具钢，在工具钢符号“T”和阿拉伯数字后加锰元素符号。例如：“ T8Mn”。
c.高级优质碳素工具钢，在牌号尾部加“A”。例如：“T8MnA”。
②合金工具钢和高速工具钢
合金工具钢、高速工具钢牌号表示方法与合金结构钢牌号表示方法相同。采用标准规定的合 金元素符号和阿拉伯数字表示，但一般不标明平均含碳量数字，例如：平均含碳量为1.60% ，含铬、钼，钒含量分别为11.75%、0.50%、0.22%的合金工具钢，其牌号表示为“Cr12MoV”；平均含碳量为0.85%，含钨、钼、铬、钒含量分别为6.00%、5.00%、4.00%、2.00%的高速工具钢，其牌号表示为“W6Mo5Cr4V2”。
若平均含碳量小于1.00%时，可采用一位阿拉伯数字表示含碳量(以千分之几计)。例如：平 均含碳量为0.80%，含锰量为0.95%，含硅量为0.45%的合金工具钢，其牌号表示为“8MnSi”。
低铬(平均含铬量＜1.00%)合金工具钢，在含铬量(以千分之几计)前加数字“0”。例如：平均含铬量为0.60%的合金工具钢，其牌号表示为“Cr06”。
7、塑料模具钢牌号表示方法
塑料模具钢牌号除在头部加符号“SM”外，其余表示方法与优质碳素结构钢和合金工具钢牌 号表示方法相同。例如：平均含碳量为0.45%的碳素塑料模具钢，其牌号表示为“SM45”；平均含碳量为0.34%，含铬量为1.70%，含钼量为0.42%的合金塑料模具钢，其牌号表示为“SM3Cr2Mo”。
8、轴承钢牌号表示方法
轴承钢分为高碳铬轴承钢、渗碳轴承钢、高碳铬不锈轴承钢和高温轴承钢等四大类。
①高碳铬轴承钢，在牌号头部加符号“G”，但不标明含碳量。铬含量以千分之几计，其他 合金元素按合金结构钢的合金含量表示。例如：平均含铬量为1.50%的轴承钢，其牌号表示为“GCr15”。
②渗碳轴承钢，采用合金结构钢的牌号表示方法，另在牌号头部加符号“G”。例如：“G20 CrNiMo”。
高级优质渗碳轴承钢，在牌号尾部加“A”。例如：“G20CrNiMoA”。
③高碳铬不锈轴承钢和高温轴承钢，采用不锈钢和耐热钢的牌号表示方法，牌号头部不加符 号“G”。例如：高碳铬不锈轴承钢“9Cr18”和高温轴承钢“10Cr14Mo”。
9、不锈钢和耐热钢的牌号表示方法
不锈钢和耐热钢牌号采用标准规定的合金元素符号和阿拉伯数字表示，为切削不锈钢、易切削耐热钢在牌号头部加“Y”。
一般用一位阿拉伯数字表示平均含碳量(以千分之几计)；当平均含碳量≥1.00%时，用两位 阿拉伯数字表示；当含碳量上限＜0.10%时，以“0”表示含碳量；当含碳量上限≤0.03%，＞0.01%时(超低碳)，以“03”表示含碳量；当含碳量上限(≤0.01%时极低碳)，以“01”表示含碳量。含碳量没有规定下限时，采用阿拉伯数字表示含碳量的上限数字。
合金元素含量表示方法同合金结构钢。例如：平均含碳量为0.20%，含铬量为13%的不锈钢，其牌号表示为“2Cr13”；含碳量上限为0.08%，平均含铬量为18%，含镍量为9%的铬镍不锈钢，其牌号表示为“0Cr18Ni9”；含碳量上限为0.12%，平均含铬量为17%的加硫易切削铬不锈钢，其牌号表示为“Y1Cr17”；平均含碳量为1.10%，含铬量为17%的高碳铬不锈钢，其牌号表示为“11Cr7”；含碳量上限为0.03%，平均含铬量为19%，含镍量为10%的超低碳不锈钢，其牌号表示为“03Cr19Ni10”；含碳量上限为0.01%，平均含铬量为19%，含镍量为11%的极低碳不锈钢，其牌号表示为“01Cr19Ni11”。
国内现行不锈耐热钢标准是参照JIS标准修订的,但不锈耐热钢牌号表示方法与日本等国个标准不同。我们是用合金元素和平均含C量表示,日本是用表示用途的字母和阿拉伯数字表示。例如不锈钢牌号SUS202、SUS316、SUS430, S-steel(钢),U-use(用途),S-stainless(不锈钢)。例如耐热钢牌号,SUH309、SUH330、SUH660、H-Heatresistins。牌号中不同数字表示各种不同类型的不锈耐热钢。日本表示不锈耐热钢各类不同产品,是在牌号后加上相应的字母,例如不锈钢棒SUS-B,热轧不锈钢板SUS-HP;耐热钢棒SUHB,耐热钢板SUHP。英、美等西方国家,不锈耐热钢牌号表示方法与日本基本一致,主要是用阿拉伯数字表示,而且表示的数字是相同的,即牌号是相同的。因为日本的不锈耐热钢是采用美国的。
10、焊接用钢牌号表示方法
焊接用钢包括焊接用碳素钢、焊接用合金钢和焊接用不锈钢等，其牌号表示方法是在各类焊 接用钢牌号头部加符号“H”。例如：“H08”、“H08Mn2Si”、“H1Cr18Ni9”。
高级优质焊接用钢，在牌号尾部加符号“A”。例如：“H08A”、“08Mn2SiA”。
11、电工用硅钢
钢号由数字、字母和数字组成。
无取向和取向硅钢的字母符号分别为”W”和”Q”
厚度放在前头，字母符号放在中间，铁损数值放在后头，例如30Q113。取向硅钢中，高磁感的字母符号”G”与”Q”放在一起，例如30QG113
字母之后的数字表示铁损值（W/kg）的100倍。
字母“G”者，表示在高频率下检验的；未加“G”者，表示在频率为50周波下检验的。
30Q113表示电工用冷轧取向硅钢产品在50赫频率时的最大单位重量铁损值为1.13W/kg。
冷轧硅钢表示方法与日本标准(JISC2552-86)一致，只是字母符号不同，例如取向硅钢牌号27Q140,与之相对应的JIS牌号为27G140，30QG110与之相应的JIS牌号为30P110（G：表示普通材料，P：表示高取向性）。无取向硅钢牌号35W250，与之相应的JIS牌号为35A250。

04/24是個十分熱鬧的日子，
因為大家等待已久的Windows XP Service Pack 3正體中文版
與Ubuntu 8.04（Hardy Heron）正式版皆在差不多時間出現。
前幾天（4/21）就看到Windows XP SP3英文版與簡中版已經在MSDN上流出，那是第一波的發佈，根據先前的消息，
繁中版是放在第二波發佈，
以為要在5/5才能看到，
不過筆者今天白天在網 路上亂逛，
竟然「不小心」抓到流出的SP3 RTM繁中版，
筆者試著安裝過後，確認版號為5512，與
第一波的版號相同，
而且其中也有KB936929的檔名，應該不是地雷。
或許是筆者運氣好的關係，在更新過程中相當順利，像是國外有人安裝遇到金鑰認證的問題，筆者並沒有遇到，只是先前安裝的UXTheme Multi-Patcher，在更新完畢後竟然失效，只好改為原本的佈景主題，如果想要嘗鮮的朋友，文末連結有好料，請自己低調看著辦。
另外Ubuntu 8.04正式版也在今天釋出，前三小時官方伺服器根本一整個塞爆，後來透過朋友提供台灣當地的載點，方可順利下載中，文末也有載點，大家就好好享用吧。
Windows XP SP3疑似RTM 繁中版鼻涕下載
Ubuntu 8.04載點鼻涕下載
官方下載一
官方下載二
官方下載三
[資料來源]

這招手法個人覺得頗為高竿，
個人認為廠商應該多多考慮這種手法才是。
如此就可以繼手滑之後，成為下一波主流手法。
這種手法好處是，看不出來廠商是不是故意的。
以目前來看，感覺無意或是不得己的機會較高。
畢竟你說未上市產品文件圖片，
可以讓負責網頁上稿的人隨便上，
我也不太能相信。如果真的是不小心上的話，
搞不好內部懲處會很嚴重，
像記過、革職一類的。不過每隔一段時間，
都有「文件不小心流出」這種事情，
那想必是沒有什麼內部懲處一類的了。
但驅動或韌體，有時候為了方便，
把新產品相關做進去，
再加上新產品上市時程也近了，
一起放上網頁是很有可能的。
更何況，
有誰會想到這部分會有新品的資訊呢（就是有人這麼厲害Orz）。
而這種東西也不可能是不小心流出來的，
都是有一定的必要，才會弄出來。
不過這種方法的缺點是較不容易發覺，
所以個人相信目前採用這種方法被發現的，
應該都是無心插柳居多，
不然就是賭使用者可能不見得會發現，
再不然就是有沒有被發現，其實一點都不重要。
第二個缺點就是，也要剛好有驅動或是韌體可以更新或放置才行。
一般說來，新品還沒上市，是不可能會有韌體上的更新。
那這樣的話，就要放驅動了。
不過很少廠商沒事會先放驅動，
絕大部分的情形，都是產品先上市再說。
等上市一段時間後，再放相關的驅動。
最經典的例子，應該要算是Dell的2408WFP了。
在當時，24吋LCD低價化風潮已經愈來愈明顯了，
而Dell自己也有事出低價的24吋LCD，
而此時的2407WFP又已停產。
那時很讓人擔心，
到底2407的後續機到底會不會出現（不過此時3008已經確定有了，還有展示）。
結果沒想到在技術支援的頁面，
赫然出現2408WFP驅動選項，
也就肯定了Dell還會出較高階的24吋LCD產品，
2408WFP。也讓要求LCD水準的玩家鬆了一口氣。
而最近流傳的Nikon D3X，大概是最匪夷所思的謠言了。
因為韌體是真，但結果卻無法推斷為真，
只能就現今的旁敲側擊，來評斷可能為真。
因為在D3 V1.10版韌體中，
可以看到有些奇怪的解析度，
裡面居然有6048x4032 這種24.4 M，
超過D3原來解析度的資料。
再加上Sony也有相近規格的感光元件要用在A900上，
自然就開始有了各種推測。
不過，這比在很久之前，聽到Nikon要出全幅機的謠言，
還看到各式各樣的圖片，要來得有趣得多了。
僅一段韌體的文字，
不需要任何的假想圖
（其實也不用假想圖，如果有D3X的話，機身與D3是一樣的），
就可以讓人猜測許久了。
[資料來源]

哼哼~
各位看到這心動了嗎?
全身鍍滿24k純金（連鍵盤都逃不過...）
連大蘋果也是鑲上滿滿、小漸層青玉石（sapphires）
的 MacBook Air 也在不久前現身，
據說連外接的 SuperDrive 也難以倖免的金光閃閃。
或許有人說俗氣~
但版大就是俗人的啦~挖哈哈哈~
對版大來說它就像美女一樣吸引人呀~
買一台放家裡觀賞也好，
但礙於現實，
版大還是把它放心中吧~
下面還有其它角度和翻開後的樣子，
如果它防磨程度夠的話相信一定是很好的作品。
[資料來源]

Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet.一、砂轮材质：
1、材质种类：A 、WA、SA、PA、GC、C、38A、DA、19A
2、材质选择：
A ——棕刚玉磨料，色泽为棕褐色，硬度高，韧性大。适应于磨抗张强度较高的金属，如碳素钢、合金钢、可锻铸铁、硬青铜等。
WA—白刚玉磨料，色泽为白色，硬度高于棕刚玉，磨粒易破碎，棱角锋利，切削性能好，磨削热量小。适合于磨淬火钢、合金钢、高速钢、高碳钢、薄壁零件等。
SA——单晶刚玉磨料，色泽为淡黄色，与A、WA材磨料比较，硬度高、韧性大，呈单颗粒球状晶体，抗破碎性较强。适合于磨不透钢、高钒高速钢等韧性大、硬度高的材料及易变形烧伤的工件。
PA——铬刚玉磨料，色泽为玫瑰色或紫红色，切削刃锋利，棱角保持性好，耐用度较高。适用于磨刀具、量具、仪表、螺纹等工件表面粗糙度值要求低的工件。
GC——绿碳化硅磨料，色泽为绿色，硬度高、性脆、磨料锋利、具有一定导热性。适合于磨铸铁、黄铜、铅、锌及橡胶、皮革、塑料、木材、矿石等。
C——黑碳化硅磨料，色泽为灰黑色，硬度高、脆性较大、磨粒锋利、导热性好。适合于磨硬质合金、光学玻璃、陶瓷等硬脆材料。
二、砂轮粒度： ←粗……20#、24#、30#、……180#、220#、240#、…… 细 →
三、砂轮硬度： ←软 E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R、S、T 硬→
四、砂轮标示： 例砂轮标示为：WA46L5V351A350×40×127其中各字母代号、数据各代表意义如下：WA→砂轮采用的磨料材质 35→砂轮使用线速度为35M/S 46→砂轮的粒度 1A→砂轮的形状 L→砂轮硬度 350→砂轮直径尺寸 5→砂轮组织号 40→砂轮厚度尺寸 V→砂轮为陶瓷制法砂轮子 127→砂轮内孔尺寸 1）单晶刚玉磨料 单晶刚玉磨料是Al203以物理刚玉的单晶形态自熔体中析出，经化学处理而得到的绝大多数磨粒为单晶体的磨料。它具有较高的韧性和硬度，切削能力强。用来加工工具钢、不锈钢、高钒钢等韧性大、硬度高的耐磨材料，比其它材料优秀。 主要技术性能指标： --冶炼设备技术参数：1100KVA电弧炉，电极园：D=900MM； --平均晶粒尺寸：0.5MM --成品率：大于92%； --化学成份：TiO2(0.27%)，SiO2(0.1%)，Fe2O3(0.16%)，Al2O3≥94%。 （2）高品级棕刚玉煅烧磨料 该产品具有化学成份高粒度形状好、清洁度高、堆积密度高等特点。广泛应用于飞机、汽车、轮船、机械制造等行业。主要技术性能指标处于国内领先地位。 （3）显像管专用金刚石砂轮 该产品是在国内著名超硬材料专家指导下自行研制开发成功，与传统产品相比，附着力强、磨削率高、寿命长（150000小时/片）；与进口产品相比，有过之而无不及，主要应用于显象管的研磨与抛光，现已投入批量生产。 （4）金属纳米材料 该产品已通过国家冶金部钢铁研究院测试中心检测。能广泛应用于电子信息技术、机电一体化技术、生物工程技术、能源、新材料及国防科技等领域，技术水平处于国内领先地位，并达到国外同类产品先进技术水平。其主要技术性能指标为： --粒度：用BET比表面积测定法换算的金属纳米粉平均粒度数量级≤100nm； --纯度：元素含量与原材料基本一致99.99%（氧除外）； --电弧额定功率：单级10kw，双级20kw，三级30kw； --运行方式：连续运行≥8小时； --产率：Ni、Cu≥100克/时； --适合于各类金属纳米材料的提取。 （5）黑刚玉磨料 黑刚玉是一种物理刚玉，具有提高结晶率、成品率、品级等特点，广泛应用于特种金属加工抛光、打磨领域。技 主要技术性能指标如下： --冶炼设备技术参数：电弧功率：1100KVA，电极园D=900MM --工艺参数：V=102，I=9000A，冶炼时间H=12小时 --平均晶粒尺寸：0.5MM --成品率：>92% --化学成分：TiO2(2-3%)，SiO2(4-8%)，CaO+MgO(<4%)> （6）半脆刚玉 半脆刚玉的硬度高于棕刚玉，韧性介于棕刚玉和白刚玉之间，加工的砂粒锐角突出、锋利，自锐性好。主要用于钛合金、不锈钢等加工硬化明显的合金类。加工效率、加工质量远优于其它普通磨料。技术指标如下： --色泽：浅红色 --结晶尺寸：≥1毫米 晶体纯净，无明显碳化物杂质。 --化学成分：Al2O3 % ：≥97.3 TiO2% ：＝1.6±0.2 SiO2 % ：≤0.45 Fe2O3%：≤0.10 CaO % ：≤0.05 Na2O%：≤0.30

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砂輪種類與規格

Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet.1 引言 现 代便携式电子产品对微电子封装提出了更高的要求，其对更轻、更薄、更小、高可靠性、低功耗的不断追求推动微电子封装朝着密度更高的三维封装方式发 展，芯片叠层封装（stacked die package）是一种得到广泛应用的三维封装技术，叠层封装不但提高了封装密度，降低了封装成本，同时也减小了芯片之间的互连导线长度，从而提高了器件 的运行速度，而且通过叠层封装还可以实现器件的多功能化，初级的3D芯片叠层封装就是把多个芯片在垂直方向上累叠起来，利用传统的引线封装结构，然后再进 行封装。由于这种结构的特殊性，芯片和基板之间，芯片和芯片之间的互连是叠层封装的关键，现在普遍是以引线键合方式实现叠层封装的互连，其方式主要有2 种：一种是金字塔型的叠层封装，使用大小不同的芯片，上层的芯片的面积要小于下层，这样下层芯片表面就有足够的面积和空间可以用来进行引线键合；另一种是 使用大小相同的芯片，通过在上下层芯片之间加入一层芯片（spacer）以便于下层芯片的引线键合，垫片是一块面积比上下层芯片小的普通硅片，使用这两种 结构都可以制造出多层芯片的叠层封装。为避免对现有工艺进行大的改动，叠层封装一般通过减薄芯片的厚度来保证总的封装厚度不变，但是芯片厚度的减少会造成 芯片刚度减少，易于变形，在热处理过程中芯片内应力集中点甚至会造成芯片的破坏，此外，由于塑封料厚度的减小，阻止水汽侵入芯片和塑封料界面的能力减弱， 水汽的侵入会促使裂纹的产生和扩展。本文就LQFP系列3D封装在实际生产过程中所遇到的问题及解决方案进行了详细的阐述。 2 超薄圆片减薄、划片 传 统的MOS集成电路一般都是表面型器件，功耗小，无需考虑散热问题，所以对芯片厚度要求不高，芯片厚度主要由塑封体厚度而定，除了QFP、SOP 等扁平封装因受塑封体厚度限制，芯片厚度一般为300μm左右，其余芯片厚度一般为400μm左右，然而3D封装芯片厚度一般为200μm以下，这就必须 考虑减薄后圆片的翘曲以及划片崩裂等问题。 2.1 薄圆片减薄后圆片翘曲成因及对策 2.1.1 翘曲原因 实 践证明，减薄后，圆片翘曲主要是由机械切削造成的损伤层引起，这是因为，硅材料片是单晶硅片，硅原子按金刚石结构周期排列，而背面减薄就是通过机 械切削的方式对圆片背面进行切削，切削必然会在圆片背面形成一定厚度的损伤层，损伤层的厚度与砂轮金刚砂直径成正比，背面损伤层的存在，破坏了圆片内部单 晶硅的晶格排列，使圆片的内部存在较大的应力，当圆片很薄时，使圆片自身抗拒上述应力的能力就很弱，体现在外部，就是圆片翘曲，圆片翘曲与粗糙度、砂轮金 刚砂直径及圆片直径成正比，另外，圆片厚度越大，圆片自身抗拒内部应力的能力越强。
,D b0S9M ~ i0SimWer个人空间 e;[6~ R$C3s
2.1.2 3D封装减薄技术和传统封装减薄技术的差别 机械切削是常规的背面减薄技术，一般分为两阶段：即前段粗磨和后段细磨两部分，由于细磨后圆片比较光滑，并且细磨砂轮金刚砂直径一般在20μm以下，细磨时容易产生较高的热量，所以，细磨切削量都较小，一般小于40μm，图1为减薄示意图。 在 传统的MOS集成电路封装中，由于圆片厚度较厚，一般无须考虑背面减薄造成的背面损伤，粗磨一般选用金刚砂颗粒直径大于40μm，粗磨形成的损伤 层大约为20μm左右，粗糙度约为1.5μm，细磨一般选用金刚砂颗粒直径小于20μm的砂轮，其损伤层大约为5μm左右，粗糙度约为0.5μm，由于后 段细磨砂轮较粗，因此在圆片内部存在较大的应力，利用此工艺加工的Φ150mm（6英寸）圆片，如果完工厚度是400μm，翘曲度可达200μm左右，但 是由于传统的MOS集成电路圆片较厚，一般还不会影响后序工序加工，也不会影响电路性能。 然而3D封装中芯片厚度一般在200μm以下， 如果还采用上述减薄工艺，如果完工厚度是200μm，Φ200mm（8英寸）圆片翘曲度可达 1500μm以上，由于其脆性较强，在交接转运过程中易受振动或外力的损伤，影响成品率，并且因背面加工的粗糙度偏高，这样的高低不平纹路，造成应力集 中，使后续工艺划片，装片时产生隐含的裂纹，其结果影响产品的可靠性。为适应3D封装芯片加工，后段细磨改用直径更小的金刚砂颗粒使其粗糙度小于 0.2μm，造成的背面损伤层小于2μm左右，虽然采用此工艺可以去除粗磨阶段形成的大部分损伤层，减小表面的粗糙度，达到较好的镜面效果，但细磨自身也 会造成一定的损伤，造成圆片翘曲。利用此工艺加工的Φ200mm（英寸）圆片，如果完工厚度是200μm，翘曲度达到180μm左右。 图2分别是使用不同砂轮减薄后，200倍显微镜下圆片的背面情况，可看出金刚砂颗粒较大的砂轮加工的圆片背面有较大的损伤，粗糙度随颗粒直径的增长依次增大，而使用金刚砂颗粒小于6μm砂轮粗糙度明显小，基本达到了镜面效果。 图3、4是Φ200mm圆片分别用不同砂轮减薄到200μm，圆片的翘曲情况对比。
2.1.3 对策 从圆片翘曲的成因上看，减少机械切削造成的损伤层是减少减薄后圆片翘曲的关键，所谓3D封装中的减薄技术有别于过去的减薄技术，就在于砂轮的选择，即选择合适的砂轮，最大限度地减少机械切削造成的损伤层，降低翘曲度。 2.2 薄圆片划片崩裂的成因及对策 3D薄圆片划片主要问题是崩裂问题，如图5所示，如果崩裂严重，会造成芯片缺角，芯片直接报废；如果崩裂较轻微，裂纹没有碰及铝线，该缺陷不易被发现，但是会影响封装后IC的可靠性，相比两种情况，后者的后果更为严重。 2.2.1 崩裂成因 划片刀刃口是金刚砂颗粒粘合而成，呈锯齿状，金刚砂的暴露量越大，划片刀就越锋利，在划片过程中，划片刀刃口的金刚砂颗粒不断的被磨损、剥落和更新，以保证刃口锋利，得到较好的切割效果，如图6所示，划槽边缘较光滑。 如 果被磨损金刚砂颗粒没有及时更新，导致划片刀变钝，切割温度过高，即所谓划片刀过载，会产生正反面崩片，由于切割时圆片正面所受压力小于反面，且 正面直接被水冲洗冷却效果好，所以崩片一般背面较正面更严重，崩片表现在正面，一般就是划槽毛刺较大，如图7所示，崩片表现在反面，即背崩现象，如图8所 示，如果圆片较厚，背崩一般不会影响正面有效电路区，如果圆片较薄，背崩就可能延伸到圆片正面，发生崩裂，如图9所示。

2.2.2 崩裂对策 从 上面分析可知，崩裂的这些原因是划片刀过载，那么如果能很好的解决划片时划片刀过载问题，就能有效的控制崩裂问题。在切割厚度230μm以上的圆 片时，由于划片刀的自修正，即金刚砂颗粒不断被磨损、剥落和更新，崩片问题能及时修正，除非划片槽内金属、测试图新过多，则需要更换特殊划片刀，这里不多 介绍，然而，在切割厚度230μm以下的圆片时，由于圆片很薄，并且很脆，背崩就可能延伸到圆片正面，发生崩裂，所以在加工3D薄圆片时，必须解决崩裂问 题。 （1） 单刀切割工艺 由于选用的是低强度结合剂和低金刚砂密度的划片刀，所以划 片过程中金刚砂颗粒很容易剥落和更新，以保证刃口锋利，另外，金刚砂颗粒较细，所以正面切 割槽毛刺较小，但当划片槽内金属、测试图形过多，或圆片背面复杂，例如经过刻蚀等，利用此工艺，背面切割槽边会有较多细微崩口。 （2） 双刀STEP切割工艺 就是用两种不同的划片刀，进行开槽切割。即先用一把刀在圆片表面开一定深度的槽，再用另一把刀切穿圆片，如图10所示。 开槽划片刀选用金刚砂颗粒较小、中等强度结合剂和中等金刚砂密度，由于较小的颗粒容易在切割时从刀片上剥落，保持刀片的锋利，并且切割较浅，冷却效果好，所以不会发生过载现象，作用是去除划片槽内的金属、测试图形等。 由于划片槽内的金属、测试图形等已被去除，划片槽只剩单晶硅，所以切穿划片刀使用标准的划片刀即可。SimWer个人空间 j l b D I%} L I
{ U Z"]7b P2c0当Φ200mm 甚至Φ300mm圆片上划槽向150μm以下发展时，上述工艺就无法满足工艺要求，更先进的减薄划片工艺，背面减薄后，去除残留缺陷、释放应力的先进和后 处理技术是必须的，目前背面减薄后额外的后处理技术一般有3种：化学机械抛光、干刻蚀和化学湿刻蚀；同时更加先进的划片工艺也逐渐发展起来，例如采用水刀 激光（喷水波导激光束法）划片技术，就可以避免产生上述的损伤，同时有效地去除所有的熔化残渣，并且可以使切口的边缘迅速冷却，边缘的热损伤区几乎可以忽 略不计。 大尺寸薄芯片是下一代超大规模集成电路的必经之路。目前国际上Φ300mm、厚度100μm的圆片已量产；且已具备Φ300mm、厚度50μm的圆片的加 工能力；有的已向20μm发展。因此一些传统封装工艺已无法满足日新月异的发展，必须进行创新，只有通过开发新工艺、新的封装形式，才能跟上超大规模集成 电路的发展步伐。 3 薄裸芯片贴装 3D产品是有两个以上芯片封装在一个LQFP系列的塑封体内，它是将第一个芯片装在引线框的底座上，然后第二个芯片装在第一个芯片的上面；在内引线连接时有芯片到芯片的引线连接，也有芯片到内引线的连接（图11），因此对装片提出了较高的要求。 根据3D产品的特点，我们制定了下面的工艺方向： 3.1 确定芯片的厚度和划片膜的选用 一 般情况下，对于直插式的DIP封装，其塑封体比较厚，大概在4mm左右，因此封在塑封体内的芯片厚度为400μm，表面贴装的SOP/QFP/等 封装，其塑封体的厚度一般为2mm左右，因此封在塑封体内的芯片厚度为300μm，对于LQFP系列封装，其塑封体的厚度更薄，为1.4mm左右，如果是 普通单芯片封装，其芯片的厚度应该为300μm就可以了，但3D的LQFP64由于是双芯片叠层装片，考虑到引线框的小岛平面到塑封体顶部的距离只有 0.81mm，金丝顶部到塑封体顶部要有100μm的空间，因此我们将每种芯片的厚度定位小于200μm。 在芯片厚度小于200μm情况下，由于芯片尺寸较大，因此芯片的强度就降低，它能承受的外力比较小，为减少装片时芯片的所受到的力，必须选用粘接力较小的划片膜。 3.2 提高装片位置的精度 LQFP 系列的3D产品，键合的引线比较多，而且有芯片上的键合点到另一个芯片上的键合的金丝连线，要保证键合的质量，就比较必须提高装片的精度， 为提高装片的精度，我们从装片的过程来考虑：（1）在吸芯片的位置，用单根顶针顶芯片使芯片容易倾斜，而影响装片的精度，因此我们采用多顶针，将多跟顶针 的高度调整在同一高度，使所有顶针的端部形成一个平面，这样装片就可以提高装片的精度；（2）在装芯片的位置，原来是用滴胶方式装片，这样不能保证芯片的 平整度，改用写胶的方式，它可以保证芯片和胶的接触过程中，芯片在胶上尽量少位移，从而确保装片位置的精度。 3.3 芯片粘接材料的选择 第 一层芯片直接和引线框小岛接触，采用普通的工艺即可，用导电胶来粘接，但对于第二层芯片的背面要和第一层芯片的正面接触，如果采用导电胶的话，会 在两芯片间形成一个大的寄生电容，该电容的介质层厚度为第一层芯片表面的钝化层厚度，由于该厚度较小，所以寄生电容较大，为此，第二层芯片和第一层的粘接 材料，我们采用绝缘胶，并且将厚度控制在30－40μm，这样就增大了寄生电容介质层的厚度，从而降低了寄生电容，另一方面，两层芯片之间如果用导电胶粘 接的话，在第一层芯片表面钝化层有缺陷时就会形成电通路而使电路报废，所以从这一点来说，第一层和第二层芯片的粘接用绝缘胶最好。 3.4 胶层厚度和固化条件 封装组件材料属性列表见表1。 LQFP 系列的3D封装，里面的两个IC芯片，面积较大又比较薄，这样它的抗应力能力就较小，大家知道Cu引线框的膨胀系数为（160－180）× 10－7/℃，Si芯片的膨胀系数为26×10－7/℃，膨胀系数差异造成在温度快速变化时，芯片发生弯曲，因为产生较大的应力，而作为粘接材料的胶既起 到粘接作用，又可以在Cu引线框和Si芯片之间起到缓冲热膨胀应力的作用，要想降低应力，必须从两方面来考虑，一是控制胶层的厚度，薄的胶层对改善由于膨 胀系数差异而产生的应力不太明显，厚的胶层可以很好解决这方面的问题，最后我们将导电胶和绝缘层和厚度控制在30±5μm；二是装片胶的固化条件选择对应 力，固化的温度太高不利于应力的消除，因此固化条件采用三段时间固化：升温→主固化→降温，其在主固化段采用降低温度延长时间方法。SimWer个人空间 Q I P K3D |7]
x j6M4i-C m d c"y#M03.5 无损伤装片 由 于芯片较薄，在封装过程中，受到机械应力和热应力的作用，这要求装片时芯片的背面不能受到损伤，也就是芯片上被顶针顶过后不能在芯片上有机械缺 陷：凹坑、裂纹。因为这些凹坑和裂纹在封装过程中，受到外力的作用延伸和扩大，到达有源层，最终导致产品失效，要做到无损伤装片首先选用粘力较低的划片 膜，这样可以在顶芯片时用较小的力，第二是选用较粗的顶针，较粗的顶针的接触面积大，单位面积的力较小，这样在顶芯片时就不会损伤芯片背面，有了这两条措 施即可很好地解决芯片背面的损伤问题。
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G2y } ` Z P W _ d,p04 低弧度金线及立体键合 叠层封装在Wire Bond最关键的技术是Z方向的立体键合技术，包括超低弧度金线键合技术和芯片与芯片件的金线键合技术，除此以外劈刀选型、工艺参数方面的设置也是比较重要的。 4.1超低弧度金线键合技术 高 度限制及叠层技术构形增加的复杂性对在叠层芯片应用中的金线键合技术提出了一些特殊的挑战，当芯片厚度增加时，不同线环形层之间的间隙相应减少， 需要降低较低层的引线键合弧高，以避免不同的环形层之间的线短路。环形顶层也需要保持低位，以便消除在塑封后金线露出塑封体的现象，器件最大的弧高，不应 高于保持环形层之间最佳缝隙的芯片厚度。因此，如果芯片厚度为150μm，最佳的弧高应为150μm或低于150μm。 低弧度金线键合技 术的要求，已推动了反向键合技术的使用的不断增长，标准的正向键合工艺过程，首先把劈刀置于芯片上，以芯片键合区为第一焊点，引脚 为第二焊点的顺序键合。而反向键合工艺则先把劈刀置于芯片键合区上，先打一个金球以后，再以引脚为第一焊点，芯片键合区为第二焊点的顺序键合，并把第二焊 点打到金球上。 目 前几种应用中，多采用标准的键合工艺，因为标准的键合工艺速度比反向的更快，并能够得到更细的间距。但是标准的键合工艺受到弧高方面的约束。而且 金球上方过度的反拉可造成颈部裂纹，这些裂纹导致了可靠性问题。使用25μm金丝获得的标准键合工艺的最小弧高大约为125μm。而在采用了最佳化的工艺 过程，使用较好的键合设备后，反向键合工艺能够获得低于75μm的弧高。 除了较低的弧高之外，反向键合在引脚的第二焊点处还形成了较大的 间隙。在棱锥体叠层芯片构形中，把较小的芯片置于较大的芯片顶部，顶部的芯片弧形到 底部芯片边缘，需要有足够的间隙，这通常需要做一个平台模式的弧形，在接近第二焊点的弧形中，要求一个比较大的角度，因为弧形的支座点是第一焊点，因此这 比做接近于第一焊点的弯曲要困难得多，当弯曲角增大时，弧度受到更大的倾斜和断裂威胁。当底部芯片比顶部芯片大很多并且第二焊点引线非常接近芯片边缘时， 会使此问题变得恶化，可以使用反向键合来解决这一问题，因为反向键合提供了急弯角和较高的弯曲高度，传统的正向键合技术的又一替代技术是最新研究的叠合式 正向键合法。叠合式正向法为叠层芯片封装提供了一种超低弧度、正向键合技术，这种技术除了提供比传统的正向键合低的弧高和较少的颈部损坏之外，与反向球焊 相比，降低了敏感芯片上的键合区损伤，还提供了较高的产量，由于在第一焊点的低变形，叠合式正向法也提供了比反向球焊更细间距的能力，在此应外中可以得到 低于75μm的弧高，表2提供了3种所描述的弧形类型的比较状况。 4.2 芯片与芯片间的金线键合技术 由 于芯片键合区与引脚是两完全不同的材料，而在叠层芯片中不可避免地会有两芯片键合区之间的连接，这时就不是传统的键合模式可以完成了。因为键合模 式及参数设置与材料有很大的关系，以铜的Leadframe为例，第二焊点打在上面时它的参数与打在芯片键合区的铝层上有很大的不同，打在 Leadframe上时功率和压力参数的设置是比较大的，而如果使用相同的参数打在芯片铝层上，不只会出现打不上的情况，而且会对铝层下的芯片本身造成严 重的伤害，因此打在芯片铝层上的参数要小得多。
U"J w q7?5o'}0 另 外，由于芯片铝层上键合的特殊性，这就需要在铝层表面一定要有金球的情况才可以正常完成键合，而普通模式在键合时只在打第一焊点时会形成金球，在 打第二焊点时由于没有事先烧球，所以不会形成金球，只会在第二焊点形成一个月牙状的痕迹，这样不只会影响两焊点间连接的可靠性，还会在打第二焊点时对芯片 形成比较大的损伤，因此在进行芯片与芯片间的连接时就必须使用Bump球模式，这种模式的方法与上面提到的反向键合的方法差不多，即先在第二焊点打一个金 球，然后再以正常键合模式把金线从第一焊点连接到第二焊点，这时的第二焊点上由于有了金球，因此在打第二焊点的参数设置上会比正常键合模式要小得多，这就 是有效地保证了打第二焊点时对铝层下的芯片本身不会有太大的影响。
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X;Z {$z$X1H05 LQFP－3D技术的MSL MSL 是Moisture Sensitivity Level（潮湿敏感度等级），是考核在特定的温湿度条件下电路存在一定时间后，其塑封体抗吸收水分的能力，根据条件的不同可以分成多个等级，主要靠在不 同条件存放后进行Reflow，并度电路进行扫描察看分层情况来判断等级，见表3。 为什么3D封装中的MSL考核有别与传统单芯片封装的MSL考核？首先需要了解MSL考核与封装中的哪些因素有关，与MSL有关的因素大体可以分为3大类：工艺、材料、产品结构。 5.1 封装材料对MSL的影响 在封装中影响MSL的材料主要有引线框、装片胶、塑封料及芯片（表面处理）。 5.1.1 引线框 引线框内引脚的密集程度直接影响电路的MSL考核，引线脚越多越密，树脂与内引线的接触面就越多，产生分层的可能就越大，同时内引脚越密，上下塑封体树脂的连接也就越少，可靠性相对较差。 所以对于多引脚、密间距的引线框一般只能使用高流动性，高粘结性的塑封料，来提高与引线框的结合力达到高可靠性的目的。 引线框的表面粗糙度也是影响MSL的一个因素，内引脚边缘的毛刺突出直接导致与树脂之间的粘结不充分，导致内引脚边缘的分层。 5.1.2 装片胶 装片胶为了有很好的滴胶性能一般都加入稀释剂，而稀释剂在高温时容易挥发，这就容易在芯片和小岛之间的胶层产生空洞和间隙，所以可选用稀释剂含量少的装片胶来应对MSL的考核。 5.1.3 塑封料 在封装中影响MSL最大的材料就是塑封料，在该行业中塑封料太多的选择，其中高粘结性，低吸水率的树脂可以很好地提高MSL的可靠性。 用 环氧塑料封装的电路是非气密性封装，电路暴露在空气中会吸收水分，塑封体吸湿或塑封料含水量过多时，当他们暴露在典型的回流焊和波峰焊温度中时， 会产生裂纹，产生的气压超过塑封体强度还会使之破裂，高温和温度突变是产生开裂的主要因素，如图14，特别是像LQFP64的薄型电路，塑封体外壳与芯片 的距离只有不到0.5mm左右，外壳的抗爆能力已经很弱。 潮 气可通过包封体或沿引线框架已塑封料界面渗透到塑封体内，加速塑封器件的脱层，当塑封料与此线框间粘附良好时，潮气进入塑封体的主要途径是通过包 封材料，然而，由于组装过程不良因素，如键合高温氧化、应力消除不充分或过大的切筋力使引线框架翘曲等使粘附性能降低，在封装的外表面产生剥离和微裂纹， 水气就可沿此路侵入电路内部。 在界面处，潮气使环氧树脂水解，降低截面化学结合力，然而，由于塑封料的不同对潮气反应各异。例如，低应力的环氧树脂化合物由于加入了硅铜调节剂以减小应力，它对潮气的变化比普通的塑封料更敏感，低的玻璃化温度会促进潮气吸附。 为获得良好粘附，严格清洗表面是必需的，氧化的表面，如铜合金引线框架暴露在高温环境中，通常会产生剥离，氮气可以避免氧化，在高温处理过程中和储存中应使用氮气保护。 低亲和力的表面涂层，如局部镀银表面，也影响了界面粘附力，通常管芯键合区镀银用来控制偏压和防止引线氧化。但是，镀银层和塑封料之间的粘附性太差，所以在管芯附近区域内会形成一定的间隙，高粘结性树脂能改善这种情况。 塑封料中脱模剂和助粘剂能加速塑封电路剥离层产生，因此必需精确调整其含量，脱模剂有助于从模腔中取出产品，但存在一定的界面剥离风险，另一方面，助焊剂保证了良好的界面粘附性能，但也使脱模更困难，所以这两种调节剂在塑封料中的含量很大的影响塑封料的性能。 5.2 封装工艺对MSL的影响 5.2.1 装片MSL的考虑 LQFP 系列的3D封装，里面有两个IC芯片，封装后价值较高，因此就要求产品有较高的可靠性，对于扁平表面贴装产品，采用回流焊，温度较高，约在 260℃，这就要求封装后塑封树脂和芯片表面以及引线框的表面紧密接触，没有空隙，否则在做回流焊时，空隙处的空气会急剧膨胀，从而损坏产品，装片工序要 提高MSL的水平，从两个方面里考虑：一是选用挥发剂少的导电胶和绝缘胶，如胶的发挥剂占质量分数小于3％的比较理想，这样可以最小程度减少挥发剂在表面 的附着，使塑封树脂和表面紧密接触。二是减少装片后引线框在后固化时的氧化，因为氧化层影响树脂和表面的结合力，最终我们选用无氧气固化。 装片的点胶方式有单孔滴胶、多孔滴胶、单孔画胶，单孔滴胶适用于小芯片，大芯片就需要用到后两种滴胶方式，不同的滴胶方式的目的都是为了装片胶能有效好的覆盖率，避免在装片过程中产生空洞和间隙（见图15）。 5.2.2 封装工艺 一般来说，在塑封过程中的开裂主要有以下几种原因造成： （1）作业过程中处理不当粘模造成开裂。有塑封体上下分开和引脚处裂痕两种。粘模主要是由于固化成型时间太短，塑封体未完全固化而打开模具，形成开裂；而且塑封料中脱模成份少的话也会粘模：注意模具表面或没有充分润模可也是粘模块的一个原因。 （2）由于工艺条件设置不当影响塑料成型，伴随着麻点一起出现裂缝。这种裂缝可以调节固化温度来解决。 （3）由于3D产品内部芯片结构不同，树脂在模具型腔里的流动发生变化，很容易产生内部气孔，所以选用流动性好，黏度低的树脂就非常重要，同时也可以适当提高模具温度，使树脂能顺利充满型腔。 （4） 来料的引线框由于通过装片后固化和键合加热表面会有一定程度的氧化，过度的氧化会直接影响树脂与引线框的结合力，所以装片键合高温的地方最好 能通上氮气，尽量避免引线框的氧化，纯金属与树脂的粘结效果也不是很好，适当的氧化也能提高树脂与引线框的结合力，适当的氧化层在1nm左右。 （5）为了提高树脂和引线框的粘结力，塑封时可以适当增加注射压力，增加固化时间：塑封料的保管也要严格按照厂家要求，过期和失效的树脂对MSL考核的影响也很大。 5.3 产品结构对MSL的影响 从产品结构来说，薄型和小型的电路更容易被水分浸入到核心，其MSL考核很难达到要求，特别是LQFP－3D的电路，其最高层的芯片与塑封体上表面已经很进，水分很容易就到达芯片。 为 了获得最高可靠性和低的焊接热损伤，所有塑封电路都希望有低的潮气扩散率既较高的MSL等级。在室温下，环氧模塑料长期暴露在相对湿度为100％ 的环境中吸附水分后质量增加大约0.5％，饱和潮气吸收率通常由通过将已知质量的干燥塑封体暴露在给定的相对温度和湿度中一段时间后增加后的质量来确定。 饱和潮气部件的吸收率类似于通过在高温下进行干燥处理来确定。 潮气塑封电路的开裂现象可通过控制潮气含量和通过合理的包装和处理程序而避免。 塑封电路中潮气含量定义为： 潮气含量＝（吸湿后质量－干燥时质量）/干燥时质量 LQFP系列封装在高温烘烤后的吸湿曲线作为温度和相对湿度的函数如图16，该图表明温度是潮气吸附率的决定参数，饱和吸湿率极限是由温度和相对湿度共同决定的，相对湿度对元件稳定的潮气含量起决定作用。
| X @ u z H f0 LQFP系列封装潮气通过塑料的途径较短，这导致在塑封料和金属框架界面处较高的吸湿量，所以为保证产品可靠性，提高MSL等级，在生产时需要注意塑封料和金属表面间的粘结和互锁，塑封料的抗湿能力及塑封料的膨胀系数，产品保存环境的干燥等诸多因素。 塑 封体在一定的温度下容易开裂，这与塑封体的膨胀系数也有很大关系，Cu引线框架的膨胀系数在（160－180）×10－7/℃，而塑封料在玻璃化 后的膨胀系数在（400－700）×10－7/℃，所以在高温情况下这两种物质膨胀产生的应力也是导致开裂的原因，选用树脂时其膨胀系数也是需要考虑的。 为了进一步提高产品的抗湿能力，加强塑封料与金属框架的互锁能力，防止潮气从塑封体与金属结合处入侵，我们可以在金属框架的引脚处增加凹槽，如图17。 这样不仅增加了塑封料与金属框架的结合程度，也能有效地防止潮气入侵。 在塑封料的使用过程中，也要注意防湿。固化前的塑封料更容易吸收水分，在固化成型后的塑封体中会形成气泡，所以塑封生产要在干燥的环境中。 在产品的运输过程中应尽量避免暴露在潮湿的环境中，放入干燥剂或真空包装能得到一定的保证。 6 结束语 随着大量民用电子产品的小型化，将MCU或DSP芯片与存储器芯片置于同一封装内，确保产品更小巧轻盈，成本更低。随着技术的进步及成本的降低，相信多芯片封装产品应用将更为广泛，并涉及到各个领域，覆盖尖端科技产品和应用广泛的消费类产品。http://hi.baidu.com/unionwin/blog/item/c7519b03d805f48dd43f7c95.html

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LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

1、 晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关， 但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完 成数层电路及元件加工与制作。

2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但 也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗 单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片 基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连 接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那 些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。

4、测试工序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速 度、耐压度等。经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对 性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即 可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。

LED芯片的制造工艺流程：

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD 介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称 MOCVD），1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、 化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、 绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片 后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片 （以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。

1、 主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、 晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、 最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒， 芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同，确保芯片排列整齐和质量 合格。这样就制成LED芯片（目前市场上统称方片）。

在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片或毛片等。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片（但是大圆片里也有好东西，如方片）。

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Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet.氮 化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中，MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片 制造的普及，钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出，但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上，MOCVD 沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。
　　MOCVD沉积氮化钛应用和工艺概述