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金型材料の選び方と熱処理について  東京都立産業技術研究所 新技術セミナーテキストより  内田聡氏 著
現在、JIS規格の鉄鋼材料では、機械構造用炭素鋼・合金鋼、特殊用途鋼、クラッド鋼、鋳鍛造品、電気材料といった分類がなされている。

のうち、素材としての大きな分類は機械構造用炭素鋼・合金鋼と特殊用途鋼になる。さらに機械構造用炭素鋼・合金鋼は、機械構造用炭素鋼から添加される合金
成分によってニッケルクロム鋼、ニッケルモリブデン鋼、などの分類がなされている。また、特殊用途鋼は、用途によってステンレス鋼、工具鋼、中空鋼、ばね
鋼、快削鋼、軸受鋼に分類され、さらにそれらが細分化されている。

れらのうち、合金元素のもっとも少ないのが、機械構造用炭素鋼鋼材と炭素工具鋼鋼材である。これらの鋼材の成分は、鉄(Fe)と炭素(C)を基本とし、珪
素(Si)、マンガン(Mn)、リン(P)、硫黄(S)の含有量が規定されている。また、JIS規格の備考欄を見ると、これらの鋼材ではクロム(Cr)、
ニッケル(Ni)、銅(Cu)は不純物として扱われ、含有量の制限がある。しかし、一般に鋼種を成分から判断するときには、C、Si、Mn、P、Sの含有
量だけを分析対象とみることがあり、Cr、Ni、Cuの混入を見逃してトラブルになることがあるので注意が必要である。
機械構造用炭素鋼
は、炭素含有量が0.08%~0.61%、炭素工具鋼は
0.55%~1.5%である。Si、Mn、P、S、の含有量の違いはあるが、これらの鋼材をFe-C系状態図に重ねると、図1のようになる。これらの鋼材
は、Fe-C系状態図の左片隅のごく一部であるが、この範囲に機械構造用炭素鋼は20鋼種、炭素工具鋼は9鋼種規定されている。このように、炭素含有量の
わずかな違いでも、鋼の特性は大きく変化するのである。

れらの鋼材の焼入温度は、一般にA3線およびA1線上の30~50℃程度が目安とされている。炭素含有量の低い機械構造用炭素鋼ではA3線の上、炭素工具
鋼で共折点(0.77%C)以上(SK80~140)の鋼種では、A1線の上の温度まで加熱することが必要である。機械構造用鋼の焼入れ温度が
870℃~830℃(S35C~S55C)であるのに対して、工具鋼の焼入れ温度が790℃~780℃(SK80~140)と低めに設定されていることか
らもわかる。
鋼の結晶構造は、室温では体心立方晶(bcc)でα-Feと呼ばれているものが、高温に加熱されると、面心立方晶(fcc)
のγ-Feに変化する。これを同素変態という。γ-Feは、さらに加熱されるとδ-Fe相が現れる。α-
Feでは、固溶できる炭素の量が最大で0.02%(状態図のP点)であるのに対して、γ-Feでは2.14%(状態図のE点)である。このようなα-Fe
とγ-Feでは、炭素の固溶量が大きく異なる。
焼入れは、一旦、素地中にたくさんの炭素を取り込んで、その状態を維持させることが目的
である。加熱してγーFeの状態であれば、α-Feよりも多くの炭素を素地に取り込むことが出来る。したがって、焼入れ温度は確実にγ-Feに変態する温
度まで加熱することが必要である。焼入れ温度が「A3線およびA1線の上30~50℃程度」とされているのはそのためである。
焼入れ温度
まで加熱しても、そのまま温度を下げてしまっては、素地から炭素が析出して、α-Feと鉄の炭化物のセメンタイト(Fe3C)に分離してしまう。そこで、
高温で炭素を充分固溶している状態をなるべく変えず室温まで持ってくるために急冷するのが、「焼入れ」という操作である。
金型としては一
般に合金工具鋼が用いられ、使用条件によっては、高速度工具鋼や高炭素クロム軸受鋼なども用いられる。炭素含有量は、冷間金型用に一部2%前後のものもあ
るが、おおよそ構造用鋼や工具鋼と同程度である。金型用鋼では、クロム(Cr)をはじめ、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、バナジウム(V)など
の元素が添加されており、焼入れ性や耐熱性、耐衝撃性、耐磨耗性などが改善されている。
合金成分で様々な特性が改善されているが、焼入れ
のメカニズムや、金属組織は複雑なものとなっている。たとえば、合金成分が作る炭化物とその働きは、炭素鋼に比べて複雑で、焼入れや焼き戻しの熱処理操作
にも最新の注意が必要である。炭素鋼の場合、焼入れ温度は状態図のA3線とA1線の上30℃程度と示したが、合金元素が添加されている材料では、それとは
別に、それぞれの鋼種ごとに焼入れ温度が規定されている。これは合金元素によって生成している炭化物の種類が異なり、加熱によって炭化物が分解しやすいも
の、しにくいものがあり、また、出来るだけ固溶させた方がいい場合と完全に固溶させずに残す場合があったりするためである。表2に金型用鋼に生成する炭化
物の種類と性質を示す。合金元素の種類や量によって、生成する炭化物が異なる。また、金型の用途によっても炭化物の働きが異なる。たとえば、耐摩耗性が要
求される時は、より硬い炭化物を含んでいるものを選択することが必要であり、また、この一次炭化物を完全に固溶させず、残留させておくことが必要である。
以下に炭化物の特徴を示す。
Fe3Cはセメンタイトと呼ばれ、鋼における基本的な炭化物である。合金元素が添加されている場合は、Feが、Cr、W、Moなどに置換されるため、M3Cと示される。
表2 金型用鋼の炭化物
海文堂出版 : 金型の熱処理と表面硬化技術より
炭化物の型
硬さ(HV)
金型用鋼の炭化物
主な鋼種
種類
硬さ(HV)
M3C
1150~1760
Fe3C
1150~1340
SK105、SKS21
M23C6
1000~1800
(Cr,Fe)23C6
1000~1520
SKS2、SUS420J2
M7C3
1800~2800
(Cr,Fe)7C3
1820
SKD11、SKD1
M2C
1800~3000
Mo2C
1800~2200
SKH51、SKH55
W2C
3000
SKH2、SKH3
M6C
1600~2300
FeMo2C
1670
SKH51、SKH55
MC
2250~3200
VC(V4C3)
2500~2800
SKH51、SKH57
WC
2400~2740
(超鋼)
TiC
3200
M23C6は、Crが添加されている鋼種に含まれる炭化物で、焼入れなどの熱処理で容易に固溶し、高温で焼き戻された場合にのみ析出する。
M7C3
は、高Crの材料にあり、他の炭化物に比べて粗大で、焼入れ温度に加熱しても固溶しにくく、残留しやすいが、耐磨耗性に貢献している。SKD11などに見
られる大きい炭化物で、圧延方向や鍛伸方向に整列しやすいため、焼入れ、焼き戻し語の寸法変化や、衝撃値において方向性が現れる。
M2CはWやMoの炭化物で、焼き戻しの後にのみ析出する。高速度工具鋼の二次硬化に寄与している。遷移炭化物なので、焼き戻し温度が高くなるとM6Cに変化する。
M6Cは、MoやWを含む鋼種に存在する。高速度工具鋼では熱処理条件に関係なく多量に存在し、耐摩耗性に寄与している。また、焼入れでも固溶しにくい炭化物である。
MCは、Vを含む鋼種にVC~V4C3で存在する。焼入れしても固溶せず、耐摩耗性に貢献する。Wを含む鋼種では、高温で焼きなましをすると、WCが析出し、焼入れ性が著しく劣化する。他の炭化物に比べて硬さが著しく高い。

は、焼入れのままでは脆くて割れやすいため、通常は焼き戻しを施して使用する。焼き戻しは、適度な析出または変態を進行させて安定組織にすると共に内部ひ
ずみを低減させて所定の性質や状態にすることである。焼き戻しによって、過剰に固溶されていた炭素が炭化物として析出し、また変態せずに残留していたオー
ステナイトがマルテンサイトに変態する。
高速度工具鋼などの高合金鋼では、550℃程度の焼き戻しで、硬さの上昇が見られる。MoやW、
Vなどの合金元素を含む鋼は、500℃~600℃で焼き戻しをするとMo2C、W2C、
VCなどの炭化物を析出して硬さが上昇する2次硬化現象を示す。図2はSKD11とSKH51の焼き戻し温度と硬さの関係を示したものである。2次硬化に
より析出するM2C型炭化物は遷移炭化物のため、焼き戻し温度が高いとM6C型炭化物に変化してしまう。そのため、2次硬化を示す温度よりさらに高温で焼
き戻した場合は硬さが低下している。2次硬化における硬さは、焼入れ温度の影響も受ける。図2のSKD11、SKH51、いずれの場合も焼入れ温度の高い
方が2次硬化を示す温度よりもさらに高温で焼き戻し場合は硬さが低下している。2次硬化による硬さは、焼入れ温度の影響も受ける。図2のSKD11、
SKH51、いずれの場合も焼入れ温度の高いほうが2次硬化による硬さも高くなっている。2次硬化による硬さの上昇は、焼入れ硬さよりも高くなることが多
い。使用中に昇温をともなうような金型では、2次硬化現象の利用が有効である。
高速度工具鋼で2次硬化現象を利用する場合は、残留オーステナイトの分解と、2次炭化物の析出を充分に行わせるため、550℃の焼き戻しを2~3回繰り返すことが行われている。
*参考文献
日本規格協会 JISハンドブック鉄鋼Ⅰ、2003
仁平宣弘、金型の熱処理と表面処理、1986、海文堂出版
(社)日本熱処理技術協会、日本金属熱処理工業会、熱処理技術入門、2005、大河出版
 
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有固、液、气三种状态,这三种状态又称为水的三相。从水的三相图上可以看出,在一定温度和压力条件下,水的存在状态可以发生改变,称为相变。日常生活中,
我们将0℃称为水的冰点,低于这一温度,水将由液态变成固态,称为结冰;高于这一温度,水将由固态变成液态,称为熔化。同样,将100℃称为水的沸点,低
于这一温度,水将由气态变成液态,称为凝结;高于这一温度,水将由液态变成气态,称为气化。但是,需要特别指出的是,以上事实沸点都将随之改变。
 
 在高原上,人们经常会遇到食物煮不熟的情况,这是因为高原上气压低于1个标准大气压,水不到100℃就沸腾了。此时,为煮熟食物,就需要使用高压锅,使
锅内压力增大,水的沸点就会随之上升到100℃。此外,水从固态变化到气态,也不一定要经过液态的阶段。在低于4.5毫米汞柱的极低压力下,水会在固态和
气态间直接转换,不经过液态水的阶段。当然,这种极低的压力在日常生活中是见不到的。
  在地表绝大部分地区,温度和压力都会使水主要以液态的形式存在。正因为这一特性,水才能够滋润万物,海洋才能成为生命的摇篮。
 
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機械部
組  長
李志
一、前
「冷
凍真空乾燥技術」( Freeze drying or Lyophilization
)目前廣泛應用於農業(花卉之真空冷卻,蔬菜之真空冷卻)、食品工業(真空包裝,生肉之真空冷凍,魚肉之真空冷凍,速食品之真空乾燥)、醫療工業(賀爾蒙
凍結乾燥,抗生素冷凍乾燥,血液製劑冷凍乾燥,檢查用藥劑冷凍乾燥,維他命劑冷凍乾燥,血清冷凍乾燥)、紡織工業(礦纖維溶液之脫水乾燥)、土木建築業
(真空水泥施工法之脫水乾燥,木材之脫水乾燥)、化學工業(細末化學劑之脫水乾燥)
動物標本剝製、珍貴浸水書籍文件及泡水的考古木質之復原等。由於冷凍真空乾燥對於提高一些化學、物理、生物性不穩定的藥物製劑的穩定性是一種非常有效的方
法,有些藥品的水溶液不太安定,加熱又容易破壞藥品結構,以此方式所生產的藥品既可顧及藥效、安全性,並可增長其保存年限。
冷凍真空乾
燥是一種連續性的製程,在此製程中產品或物料內的水份先被凍結至一適當低溫後,再於一高度真空的腔體中,在低溫度、低壓力之環境條件下,產品或物料內的水
份將直接由固體(冰)不經液體狀態而變為氣體後再被排除。上述過程是由三個分開、單獨進行但卻有相互關連之程序所組成,分別為:1.凍結過程。2.昇華
(SUBLIMATION)或初級乾燥過程。3.脫附(DESORPTION)或二級乾燥過程。其優點為:(1)在常溫或低溫下進行保鮮或乾燥,(2)維
持被處理物品的品質及樣式,(3)避免質變,(4)速度快,(5)可選擇性的去除被處理物的成份。
另外在中藥製造之應用為,傳統的中藥
製造在晾曬、風乾以及飲片泡製加工過程中,植物蛋白、微生物、揮發油等有效成分會受到破壞,目前在中國山西中醫學院以「冷凍真空乾燥技術」保護中藥材藥學
品質的研究成果中,顯示將一般傳統中醫習用之鮮品藥材在數分鐘內溫度降至-18℃以下,再利用低溫真空使冰晶昇華的乾燥方法,可大幅保留藥材原有的天然品
質。經實驗對比研究結果證實,經快速冷凍乾燥保鮮的中藥,其有效成分不僅明顯高於傳統飲片,而且遠高於《藥典》(Pharmacopeial)規定的標
準。足見「冷凍真空乾燥技術」於製藥及生物科技產業之應用上對生產優質藥品及生物產品具有極為重要的技術突破與貢獻。
二、冷凍真空乾燥原理
在探討冷凍真空乾燥原理之前,吾人應先瞭解物料中的水份、溶液的共晶溫度 (Eutectic temperature)與共晶點之形成及水的相態圖。
(一)物料中的水份
物料中所含的水分,主要可分為游離水又稱自由水(free water)、結合水(bound water)。
游離水:係附著於物料中,用離心、過濾法或一般乾燥溫度即可容易除去的水份,游離水可被微生物利用,是造成乾燥物料腐敗的因素之一。
結合水:是在物料中以氫鍵結合在物料的成分如蛋白質或碳水化合物上的水分,因其與物料緊密結合,所以很難以一般方法和操作加以分離,亦不被微生物利用。
1.平衡水分與游離水分
(1)含水率:固體中含有水分量的表示法分為
a.濕量基準:以全重量表示的水分比率。
水分百分率(moisture percent)=物料水分含量/物料樣品重量×100%
b.乾量基準:以完全乾燥物重量表示的水分比率。
含水率(moisture content)=物料水分含量/乾燥樣品重量
濕量基準的水分百分率以Ww表示,乾量基準的含水率以Wd表示時,兩者關係如下:
Wd=Ww/1-Ww
(2)平衡水分:固形物在一定溫度、濕度的空氣中放置長時間後,水分含量會達到平衡值。只要空氣的溫度和濕度不改變,其水分含量也不會變化,此時的含水率,稱為平衡含水率。
平衡含水率為( We -Wo )/Wo =平衡水分的固形總重量-完全乾燥時的重量/完全乾燥時的重量。
(3)游離水分:乾燥時所去除的水分,稱為游離水
游離含水率則可用( W -We )/Wo =物料重-平衡水分的固形物總重量/完全乾燥時的重量。
(二)溶液的共晶溫度 (Eutectic temperature)
溶液是由某種溶質(solute)與溶劑(solvent)混合而成,溶質為具有可溶性的某種固體物質,溶液為對固體具有良好溶解性質的液體,溶質溶解於溶劑中份量的多寡稱為溶液之溶解度(或濃度)以%表示。圖一為溶液的濃度與凝固點之關係圖或稱相平衡圖(Phase equilibrium diagram),圖中可分為五個區來分析,A代表溶劑,B代表溶質。
(1)區為溶液完全以液態存在之條件。
(2)區因溶液之溶解度太小,部分液態及有部份溶劑因溶質之不足而形成固態之狀態,故為一液固態混合物。
(3)區因溶液之溶解度太大,部份液態及部份過量溶質沈殿為固態之狀態,故亦為一液固態混合物。
(4)區因溶液之溫度太低,且低於溶液能以液態形成之溫度,故完全凝固為固態,為部份溶劑與溶液之固態混合物。
(5)區因溶液之溫度太低,且低於溶液能以液態形成之溫度,故完全凝固為固態,為部份溶質溶液之固態混合物。
這五區之共同交會點即溶液所能達到之最低凍結溫度,故此點稱為共晶溫度(Eutectic Temperature),由此狀態下之溶液稱為共晶溶液(Eutectic Mixture or Eutectic Solution)。
(三)水的相態圖
水的三相圖在初級乾燥過程扮演一極關鍵的角色,圖二為水之相態圖,此圖顯示水的固態區、液態區及氣態區。此圖主要探討水的溫度與壓力兩個主要內涵變數的相互影響,在此以Gibb phase rule,如下列公式來解說:
f = C – P + 2……………………………………(1)
上式中f:代表自由度(degree of freedom)或內涵變數的數目(壓力、溫度、濃度),意即系統內可改變內涵變數項目而不會改變到相態。
C:代表構成系統成份的數目,若單探討水的相態則C=1。
P:代表可形成的相態數目。
2:為一常數(代表溫度、壓力兩個變數)。

B點為三相共存點,故P=3而自由度f則為0,此刻無論溫度或壓力變化都會改變相態數目,所以當f=0時,圖中之溫度應維持在0℃,而水蒸氣壓力應同時維
持在4.58Torr。而在點G水係以氣態(P=1)呈現,因此f=2,即使同時改變溫度或壓力,水均仍維持在氣態。若改變G點之壓力至0.1Torr,
而溫度維持不變,則點G移至點V。此時在點V之f=1,為使點V仍維持二個相態呈現(P=2),則壓力與溫度均應同時改變並沿著BF曲線移動。

實際的冷凍真空乾燥過程,假設吾人已將藥品配方冷凍至-40℃,且在一大氣壓下,雖然壓力為一大氣壓,但在此條件下冰的表面水蒸氣壓力約為
100mTorr,若溫度仍維持在-40℃,而將壓力降至100mTorr以下,由水的三相圖可知狀態點已落在氣態區,會產生冰直接轉變為水蒸氣的昇華現
象。
三、冷凍真空乾燥製程說明
冷凍真空乾燥製程應用在製藥與生物科技最重要的是它是一種穩定過程(Stabilized process),其目的為延緩與化學反應或生物活動有關的運動時鐘Kinetic Clock
運動時鐘是一種物質進行變化的速率,例如鐵在生鏽是在進行一種緩慢的改變,而火藥的燃燒是在進行一種快速的改變。冷凍真空乾燥其目的是用來延緩藥品的運動
時鐘。例如:藥品配方若存放在冰箱冷藏溫度範圍約4~8℃,可保持藥品的效能至多為原來的90%且期間為兩週。兩週後藥效會逐漸降低,最後恐必須被丟棄。
此意謂藥品必須製造好以後運送貯存(全程維持在4~8℃),病人領藥後遵照醫生指示必須在兩週內服用完畢,如果製藥公司運送太多的藥品可能會有因藥效過期
被丟棄而蒙受損失,相反的若製藥公司未能及時運送足夠的藥品,病人可能面臨無藥可用之困境。採用冷凍真空乾燥技術後,由原先在4~8℃的溫度環境下可保持
藥效兩週,現可延長藥效至120週,甚至108週之久,且製藥公司在藥品進入市場之前,有足夠時間檢驗藥品之功效。此外,藥品無須冷藏在4~8℃溫度下,
病人拿到藥後不必擔心藥效很快的就過期,而藥品丟棄的機會亦大為減少。故以冷凍真空乾燥處理之藥品,不僅有其技術上的需要,亦反應商業上的需求。
如前所述冷凍真空乾燥製程是由下列三個分開、單獨進行但卻有相互關連之程序所組成:
1.凍結過程
2.昇華(SUBLIMATION)或初級乾燥過程
3.脫附(DESORPTION)或二級乾燥過程
圖三為冷凍真空乾燥基本流程圖,各製程階段之詳細說明如后:
(一)凍結過程(Freezing process)
凍結過程是當藥品完成配方並進行無菌過濾後,再充填於容器內進入冷凍真空乾燥處理的第一步驟,其主要功能有下列三點:
1.使水份形成冰晶將溶質(solute)與溶劑(solvent)分離。
2.提供一個條件使水的流動性(mobility)在冰晶格(matrix)(如圖四)間質區(interstitial region)趨近於零。倘水的流動性仍在於冰晶的間質區,則不能視為溶液已完全凍結。
3.
生均質的冰晶格,可使藥餅有足夠的開孔率,以利在乾燥過程中水蒸氣溢出時有一最小的流動阻力。為達到上述功能,製程電腦將計算出下列藥品配方的熱力特性,
諸如:結晶程度(degree of crystallization),陷縮(Collapse)溫度或共晶溫度及所需之過冷度(degree of
subcooling)。
藥品配方凍結後不能產生變化,亦即藥效仍應維持不變,而為使藥品凍結,置放藥瓶之棚板溫度應遠低於藥品共晶溫度(一般約低攝氏10~20度),視藥瓶容積及藥劑充填量而定,並維持溫度在低溫環境下一段時間,以確保藥品完全凍結。

不經上述凍結過程而直接先抽真空,當腔體內壓力降到某一定程度時,溶於液體藥液中的氣體會迅速逸出而引起類似「沸騰」的現象。藥品在「沸騰」中凍結部分可
能冒出瓶外,造成藥液損失,同時也會因部分液體「沸騰」造成藥品表面凹凸不平,因此,共晶點是保證藥品正常乾燥的最高安全溫度,藥品溫度只能比它低而不能
超過它。
一般凍結的方法有兩種,一種為速凍法,以採取每分鐘降溫10~15℃,形成之晶體粒子較小,在顯微鏡下可見其大小。另一種為慢
凍法,以每分鐘降溫1
℃,形成之晶粒較大且肉眼可見,粗晶在昇華後留下較大的空隙,水蒸氣逸出較容易可以提高乾燥效率;而細晶在昇華後留下的間隙較小,使下層冰晶昇華受阻。速
凍的成品粒子細膩、外觀均勻、表面積大、具多孔性、臨用時溶解速度快,對於生物藥品速凍引起之蛋白質變性機率也較小,但藥品相對的也容易吸潮。實務上目前
有些製程凍結的操作方法中有兩種:一是將待凍結品與乾燥腔體同時降溫;二是先將乾燥腔體降溫到-40℃左右,再將待凍結品放入(此法介於慢凍與速凍引之
間,常被採用以兼顧冷凍乾燥效率與產品的品質)。預凍時間的長短,一般要求約2~3小時,也有長達8小時之久。因凍結過程處於靜止狀態,若無環境監控系統
常常會發生過冷現象,致使藥品溫度雖然已達到共晶點,但溶質卻不結晶。為了克服這種現象,凍結溫度應低於共晶點以下一個溫差範圍並維持一段時間,以待藥品
完全凍結。也可以採用往復凍結法,來避免過冷現象,例如某共晶點為
-25℃的藥品,可先慢速預凍至-50℃左右,然後使藥品溫度回升至共晶點附近(如-27℃)並維持20~30分鐘,最後再降溫至-40℃,經過這樣處理
不僅可以改變晶體結構,且可提高冷凍乾燥率。
(二)昇華(SUBLIMATION)或初級乾燥過程

過預凍而完全凝結成固態冰的藥品,需要以下三個條件才能昇華:(1)在一定溫度下必須使其冰的飽和蒸氣壓要大於環境的水蒸氣分壓時才可開始昇華,為此應當
保持環境的高度真空,(2)冷凝器的溫度要更低於固態冰的藥品溫度,才能使昇華出來的水蒸氣冷凝成冰霜而產生捕獲水蒸氣的作用,(3)為了維持冰的昇華並
控制在適當的速率,熱量的供給亦必須適時適量。若能將以上三個條件控制得宜,相信昇華乾燥過程必能順利完成。
由上述知腔體真空度與昇華
的速率有相當重要的關聯,已知氣體分子的平均自由徑(λ)與壓力成反比,在常壓下由於其λ值很小,昇華後的水蒸氣分子很容易與其他氣體分子碰撞,故昇華速
度慢。但隨著壓力降低至0.1Torr以下,平均自由路徑將增大約105倍,使昇華速度顯著加快,故真空乾燥腔體必須維持昇華所需的真空度。1公克水蒸氣在常壓下容積為1.25公升,而在0.1 Torr時膨脹為10,000公升,以普通的真空幫浦在單位時間內欲抽除如此大量的體積是不可能的。而在冷凝器之真空冷凝腔體將昇華的水蒸氣結成冰霜,實際上就是捕獲水蒸氣的機構。藥品溫度與冷凝器的溫度一般為-25℃和-60℃,在該溫度下水的飽和蒸氣壓分別為0.476和0.0081 Torr,因而在真空乾燥腔體真空冷凝腔體之間便產生一個相當大的壓力差,它將促使藥品昇華出來的水蒸氣以一定流速流向凝結器而凍結成冰霜(如圖三內水蒸氣流向之標示)。
藥品允許的最高溫度受共晶點所限,而冷凝器的最低溫度又受制於機械性能,最有效的措施是適度加大冷凝器的冷凝面積與制冷能力,增加冷凝器在單位時間內捕集水蒸氣的容量,進而保證藥品溫度在共晶點以下,並加快昇華速度。
冰的昇華熱約為672cal/g,如果昇華過程中不供給熱量,那麼藥品只有降低內能來補償昇華熱,直到藥品溫度平衡後,昇華過程也停止了。為了保持昇華側與冷凝側之溫度差,視製程需要不斷的對藥品提供足夠的熱量是必需的。

品於乾燥過程中之升溫可分兩個階段,於第一升溫階段(即大量昇華階段),藥品溫度要低於共晶點一個範圍,因此對升溫應加以控制。若藥品已部分乾燥,但其溫
度卻超過了共晶點,則固態的藥品將有部分融化成液體,並將已乾燥的部分藥品迅速溶解,最後濃縮成一薄膜,不僅外觀不良且臨用時溶解速度很差。若超過共晶點
是發生在大量昇華過程後期,則由於融化的液體量較少,因而被大部分已乾燥的多孔性固體藥品吸收,使藥品的凍結物有缺損也影響溶解速度。所以當大量冰的昇華
過程結束時,用肉眼已看不見藥品中冰晶存在了,此時90%以上的游離水分已經除去,為了確保整批藥品大量昇華完畢,仍需保持一段時間,再於二級乾燥過程進
行第二階段升溫乾燥。
()脫附(DESORPTION)或二級乾燥過程

二階段升溫乾燥是除盡藥品中殘餘的水分。殘餘的水分其中包括了化合物結晶水、固體表面與毛細管吸附的水等。因受種種力的束縛其乾燥速度明顯下降,此時提高
藥品溫度於其共晶點以上,藥品也不會發生融化,而且可以促進殘餘水分氣化,但提高的溫度不能超越藥品極限溫度,否則藥品的穩定性、活性會因高溫而下降。此
階段棚板的溫度控制在30℃左右,此時藥品漸漸升溫,直到藥品溫度與棚板設定溫度相同(或相差1℃以內)表示乾燥終點已到。此時藥品就可取出並迅速封口。
圖五為冷凍乾燥過程進行時之溫度、壓力變化曲線。
圖六冷凍真空乾燥腔體之外觀。
圖七冷凍真空乾燥腔體之內部透視。
四、冷凍真空乾燥技術之相關課題
(一)冷凍真空乾燥過程水蒸氣生成量的計算
在冷凍真空乾燥之初級乾燥過程常提起兩個問題:
1.為何花這麼長的時間將腔體壓力降至這麼低(例如50mTorr )?
2.在初級乾燥過程若兩個相同棚板溫度的冷凍乾燥器,為何兩者的壓力及乾燥速率仍有不同?
要瞭解水蒸氣生成量的意義,有必要具備下列基本真空技術知識,諸如:
‧平均自由徑(λ):氣體分子間每兩次相繼碰撞間所走的平均距離謂之。平均自由徑隨溫度而增加,隨壓力降低而增加,並與分子直徑成反比。
C 單位時間內之平均移動距離 n2:單位時間內平均碰撞次數
‧氣體流動:分子流、過渡流或黏滯流之定義。

蒸氣生成量(Vapor throughput)
(Q(t))定義為在一特定壓力下(P)每單位時間氣體自其腔體(A)流向另一腔體(B)的流量。假設兩腔體以一管線連接且腔體A的壓力大於腔體B(約
50m Torr)在管路內流動之氣體流量Q(v),以修正過Poiseulle equation可表示如下:
上式中:
Lg:為連接腔體管路之直線長度
r:管路之內徑
S:氣體流徑上各項設備之阻抗
M.F.P:氣體之平均自由徑
T:氣體溫度(在冰表面)
M:氣體之分子重量
Pdc:在乾燥腔體內之壓力
Pcc:在冷凝器腔體內之壓力
傳送一氣體流量自腔體A至腔體B所需之時間可表示如下:
t = PV/Q(v) (min.)……………… 公式(2)
上式中PV代表假設為理想氣體之水蒸氣質量。以1000g的水,PV在0℃(273K)之值為9.455×108(m Torr‧Liters),則在腔體壓力Pdc下自腔體A至腔體B之水蒸氣生成量可以下式表示:
  Q(t)=m(gas)/t(min) (grams/min)……. 公式(3)
綜合公式(1)、(2)、(3),並假設主要氣體成份為水蒸氣及S為0.1,則在不同的乾燥腔壓(Pdc)下,1kg的水自腔體A流向腔體B所需的時間,水蒸氣生成量與冷凍系統冷凝水蒸氣所需的馬力數,詳如1所示:
上表顯示系統的水蒸氣生成量不僅與腔體A及腔體B之壓差有關,且與Pa(大氣壓力)值亦有關,而且在腔體A的水蒸氣壓力降低時,Q(t)亦減少並增加水蒸氣傳送所需時間或降低乾燥速率。
上表亦可得知在相同棚板溫度下,Pdc與Pcc之相差如果愈大則Q(t)亦愈大(與管路阻抗值S成正比),若水蒸氣生成量大於冷凍系統冷凝水蒸氣的容量,則Pcc反會上升而減少水蒸氣生成量。
(二)共晶點及其測定方法

溶液的凍結過程,是當溫度降到一定程度時,溶液中開始析出的冰晶,隨著溫度繼續下降析出的冰晶也愈來愈多,此時溶液濃度也因冰晶的析出而愈來愈濃,直至溶
質也開始結晶析出,此時的狀態是冰,溶質同時結晶並與溶液成三相平衡。根據相律,此時的自由度為零,只有溶液全部凍結後,溫度才會繼續下降,達到冰,溶質
同時結晶與溶液成之相平衡的溫度稱為共晶點。多成分的相平衡要比單一成分複雜許多,但其最低共晶點仍然是反映所有溶質與溶劑共同結晶的特定溫度。若在凍結
與昇華過程中,藥品的溫度高過了最低共晶點,則部分或全部溶質將處於液相中,原預期冰晶體的昇華現象被液體的濃縮蒸發現象所取代,致乾燥後的藥品將發生萎
縮。一些活性物質由於長時間處於高濃度電解質中也容易變性。所以最低共晶點是獲得冷凍乾燥最佳效果的臨界溫度。
共晶點溫度的測定是根據
相變化時產生電阻或電導顯著變化的原理,通過測定電阻變化而定的。因為溶液全部凍結凝固時帶電粒子停止移動,其電阻最大電導最小,當有少量液體存在時電阻
將變小,而電導就會顯著增加,實際測定時由於溫度下降容易產生過冷狀態而與真正的共晶點可能混淆。故可由升溫時的電阻或電導變化來測定共晶點,即完全凍結
的溶液(電阻值無窮大),當升溫時固相開始熔化,測定此電阻值突然下降的溫度即為共晶點。
(三)冷凍真空乾燥製程之電腦模型(Computer modeling)
近年來由於電腦軟硬體技術的發展,使製程電腦化在冷凍真空乾燥製程中扮演日益重要的角色,諸如調製配方程式化、製程模擬、各種參數的監視、控制與製程計算等,對提高製程效率、藥品藥效與品質及能源節約,均有極大的貢獻。以下就製程中各階段電腦所能提供的功能說明如后:
1.凍結過程

確保藥品完全凍結,電腦程式至少應輸入並計算下列配方之熱力特性:結晶度(Degree of
crystallization)、陷縮或共晶溫度(Collapse or Eutectic Temperature)、過冷度(Degree of
Sub-cooling)。
2.初級乾燥過程
為確保藥品之冰晶結構在初級乾燥過程中仍保持完全凍結狀態,電腦需輸入下列資料:
(1)配方之陷縮或共晶溫度。
(2)藥品溫度以供計算陷縮溫度之頻率分佈狀況,而依據頻率分佈狀況,各藥瓶間之陷縮溫度亦不同。
(3)視藥品批次的大小(藥瓶數量或劑量),電腦在計算最理想之藥品溫度時,應考量藥品溫度是否會超過其陷縮溫度之可能性。
(4)
邊界層條件:所謂邊界層係指介於腔體壁面與最上層棚板表面間之區域,在此區域內熱傳流體幾成靜止狀態,結果是在初級乾燥過程由流體向棚板表面進行熱傳時於
邊界層產生溫度梯度,此溫度梯度視加入昇華過程之熱量、流體之黏滯係數、熱傳導率及通過棚板之流體流量而定,亦與棚板之數量、構造、材質及流體循環泵之循
環容量有關。因此,為建立電腦模型,上述資料均需輸入程式中。
(5)藥瓶之熱傳係數、冰的昇華熱及整批藥瓶之熱傳係數頻率分佈狀況等,以供計算並確定乾燥速率及所需延長之乾燥時間。
3.二級乾燥過程
電腦需輸入藥品之活性成份之資料,例如:如果活性成份係蛋白質,則過度乾燥會導致蛋白質組織的改變,而造成最終藥品藥效的流失。因此,電腦不僅須計算最終藥品溫度,也要分析藥品表面水蒸氣分壓及整個二級乾燥過程所需時間。
(四)真空計在冷凍真空乾燥過程之應用

了正確的量得藥品溫度是否已低到吾人所預定的溫度,以便確認藥品已完全凍結。目前自動化的載入及載出藥瓶,於乾燥腔體中裝設溫度感測器,於棚板表面勢必會
干擾到自動化設備之運作。受此限制乾燥腔體內藥品溫度監視必須間接地從量測腔壓再經由壓力傳送器的輸出信號吾人可取得真空壓力值,再對照水的相態圖可約略
估計出藥品溫度。常用於冷凍真空乾燥腔體的真空計有熱電偶真空計或派藍尼(Pirani)真空計,
1.熱電偶真空計(Thermocouple Gage)
  Thermocouple Gage俗稱 TC Gage。其工作範圍在10到10-3
Torr之間,其工作原理乃是利用一個燈絲持續加熱,在燈絲旁有一熱電偶,熱電偶所感受到的熱乃是經由氣體分子傳導而來,當有熱的變化時,熱電偶的另一端
將會出現電壓的變化,藉由電壓的差異,我們可以確認溫度的變化,而溫度的變化又被氣體分子的多寡來決定,如此一來壓力的變化便可以被間接的量測出來。圖八為該壓力計之外貌以及剖面圖。TC Gauge 被大量使用在foreline的壓力偵測,同時兼作腔體在由低真空幫浦轉為高真空幫浦的閥門轉換控制點。
2.派藍尼真空計(Pirani Gauge)

藍尼真空計是熱電偶真空計的另一種形態,所不同的是它是由兩個燈絲所組成,這兩組燈絲被視為兩個電阻,然後形成 Wheatstone
bridge,其中一個燈絲置放於一個固定壓力的空間,作為參考座標,另外一個則是與待測壓力的腔體相通。兩個燈絲同時加熱,倘若這兩個燈絲的分別所在環
境的壓力不一樣,則當電流通過之後其所產生之散熱程度將會有所不同,因而電阻會因溫度不同而不同,所以流過之電流將會改變,因為在固定壓力空間的燈絲其周
圍環境沒有改變,所以其電流不會改變,如此一來將會產生補償的作用,藉此可以比對求出待測腔體的壓力。Pirani壓力計其壓力工作範圍與TC
gauge一樣,不過其優點在於其反應的速度比TC Gauge來的快。圖九為Pirani Gauge的外貌與結構。
(五)不冷凝氣體對冷凍真空乾燥過程之影響

冷凍真空乾燥過程中,除了藥品經乾燥處理後產生大量的水蒸氣可在冷凝器被凝結成冰霜外,倘有一些不冷凝氣體原本就存在於大氣中,諸如:氮氣、氧氣、氫氣、
氦氣等,這些氣體不易從真空腔體中完全抽除。不冷凝氣體亦有可能來自真空乾燥器本身的洩漏,造成洩漏的原因包括實漏(real
leaks)、虛漏(virtual
leaks)及逸氣(outgassing)。實漏是真空系統外面的氣體,經由系統殼體、管壁、銲接缺陷及接頭處進入真空系統內;虛漏乃系統中侷限氣體分
子之逸出,常發生於真空封合焊縫及螺紋間隙;逸氣乃氣體分子自真空腔體壁面脫附。
上述這些不冷凝氣體存在於冷凍真空乾燥過程,會有下列不良影響:
1.影響冰晶結構之熱傳,使得輸入熱量不足實際所需。
2.在藥品進入凍結過程之前的調配及化學反應過程,不冷凝氣體若不能儘量排除,對整個過程會有不良影響,例如:不冷凝氣體會不斷地自冷凝器之真空腔體流向真空幫浦,為此真空幫浦必須不斷地運轉,而此時冷凝器並無法協助移除不冷凝氣體。
3.影響真空計之量測準確度,導致讀取較高且不實的壓力值。
(六)油氣污染之防治

避免油氣回滲,可在真空泵與腔體間裝設袪油器(Oil
trap),若有油氣洩漏現象會造成腔體被污染,同時也意味藥品受到污染。由於設備經常歷經長時間的運轉,在進行冷凍乾燥過程時,系統設備突然發生故障當
機實屬常見,為確保生產的藥品品質無虞,不可僅在冷凍乾燥過程結束後,以測試取樣方式來判定是否有殘留油氣存在腔體,而應有一預防性維護管理方法,藉由一
系列的品保程序來協助鑑定有問題的批次藥品,當發生設備的故障或電力中斷情事時,即時記錄當時作業條件並完成資料建檔以供日後核對。
(七)圍阻與隔離技術應用於冷凍真空乾燥製程

統上非口服藥品(例如針劑)在充填、冷凍、乾燥及封瓶之製程中需在CLASS
100級無菌室(BCR)環境中進行,環境空間通常採金屬骨架及石膏板構築而成,這種施工法不僅佔用大量空間於更衣室、氣鎖室、連通走廊及製程區,同時也
須配置大容量空調送回風系統。然而採用較進步之圍阻與隔離技術(Barrier and Isolation Technology)將重要製程在一潔淨之箱體式構造內(入口空氣經HEPA filter、排氣經ULPA filter處理)進行,不僅節省空間且較傳統無菌室設計有下列優點:
1. 具有高度的滅菌保證。
2. 整體環境易於殺菌處理。
3. 周邊環境之潔淨度要求僅需CLASS 100,000級。
4. 隔離箱體(ISOLATOR)本身即具有圍阻與污染控制功能。如圖十所示,為一採隔離腔體之製程配置。
五、使用冷凍真空乾燥法製作之成品檢驗
(一)成品測試
冷凍真空乾燥藥品的測試與藥品成份(dosage form)有關且是多方面的,通常包括均質性測試,水氣殘餘率與穩定性測試及無菌測試。
1.藥品均質性
美國藥典USP(United State Phar mac opeial)規定藥品均質性測試有兩類,一為成份均質性及重量變化性。
2.水氣殘餘率與穩定性測試
以冷凍真空乾燥處理的藥品,最關切的是藥瓶內水氣殘餘量,而水氣殘餘量是影響藥品穩定性最重要的因素。
3.無菌測試
主要以加入無菌溶液(例如注射用水)於藥瓶,使乾燥處理過的藥品還原,注射用水可能會殺死一些植物性細胞並以類似污染物呈現,此現象會掩飾藥品真正被污染的程度(如圖十一)。
(二)成品檢查
USP指出一優良的製藥實務應對非口服藥品執行100%的檢查。檢查重點包括藥品的正確容量及其外觀,而是否有回溶現象是外觀檢查最主要的項目之一。
所謂回溶現象係指藥品由固態變成液態,導因於不完全昇華而影響藥品的外觀。回溶現象會增加藥品的不穩定性及降低藥品品質等級。另一是藥品可溶性不佳的問題,導致在用藥時所需還原時間太長,又藥品無法完全溶解也會降低部份藥效。
(三)一般冷凍乾燥常見的異常
1.藥品含水量偏高

結後藥品的含水量應低於2%,但由於裝入容器內藥液層過厚,乾燥過程中供給熱量不足,乾燥速度減慢,以及藥品易吸潮,導致含水量偏高。一般來說,藥液高度
不宜超過12mm,最多不超過15mm。凍結完畢後藥品應放入已脫水、除菌的乾燥箱中,保持低溼度並立即封口,經以上方式處理可有效克服水分偏高的問題。
2.突沸
主要由於預凍過程中沒有達到共晶點以下,藥品沒有完全凍結,或昇華乾燥時升溫過快,在大量昇華時使藥品溫度超過了共晶點,則部分藥品溶化成液體,在高真空度下,少量液體於已乾燥的固體界面下噴出形成突沸,所以嚴格控制預凍溫度與昇華乾燥時的昇溫可以克服突沸現象。
3.藥品外觀不飽滿或萎縮成固塊

藥液濃度過高,在凍結時形成的晶體結構過密,以致孔隙變小透氣差,於乾燥進行時,昇華的水氣穿透已乾燥的外層阻力大,因而昇華水蒸氣停留於乾燥層時間過
長,藥物逐漸潮解,使藥品外觀不飽滿。另外若藥物濃度過低,雖然可以增大乾燥層空隙,但藥品疏鬆且易吸潮,想保持藥品較低的水分是困難的,同時表面積過
大,促使藥品容易萎縮,乾燥後的成品缺乏一定的機械強度,一經振動就容易粉碎、變形,使得外觀不美。若有濃度過低的狀況,可以考慮於調劑過程中加入一些填
充劑以改善藥品外觀,填充劑應具備純度高、無毒、熱原易去除、不易吸潮、共晶點高、凍結後外觀細膩美觀,符合上述條件者,即可用來做為凍結用的填充劑。
(四)瑕疵的藥品
在冷凍真空乾燥製程中若未對藥品溫度適當的監測,會產生有瑕疵的藥品,這種瑕疵品可能會是整批全面性的、局部的、或分散不定的。圖十二之A為經冷凍真空乾燥處理之良品,下列為對有瑕疵藥品的一般性分類及其形成原因之說明:
(1)藥餅不均質(見圖十二之B)
此現象歸因於配方正進行過冷時其容積的變化。這種情況可採棚板先行預冷至低於-30℃的操作方法,在棚板表面由於冰霜的累積或棚板溫度大幅的變動均會導致藥瓶表面特性上的變化。
(2)藥餅自我支撐結構不佳或陷縮(Collapse)(見圖十二之C&D)

現象若發生在整批藥品則意味藥品溫度高於陷縮溫度,整批產品不可視為已完全經「冷凍乾燥」處理,若整批產品陷縮均勻則係腔體壓力、棚板溫度或兩者之控制參
數均有誤差之故。而局部性的陷縮最有可能是棚板間因間距過大或乾燥器外部之幅射熱源造成過大的壓力差所致。若此現象是分散發生可能係因瓶蓋封蓋時未確實定
位所致。
(3)回溶(見圖十二之E)
藥瓶的回溶是一種最差的陷縮狀態,它發生當藥品溫度遠高於陷縮溫度且有液態現象存在於冰晶結構的間質區。若回溶發生於整批藥品,則係因在初級乾燥過程錯誤的過高棚板溫度及腔壓所致。局部性的回溶現象最有可能是與流經棚板之熱傳流體流量不足所致。
(4)部份回溶(見圖十二之E)
此現象係因小部份的冰晶結構其初級乾燥過程不完全所致,通常發生在容器藥瓶的底部中心處,除非對藥瓶作詳細的目視檢查,否則這種瑕疵常被忽略,若整批藥品有部份回溶現象則可歸因於產品溫度、棚板溫度或腔壓控制不對所致。
(5)藥餅消失(見圖十二之F)
此現象導因於藥瓶封蓋一段時間後發生溶解。若係整批性的問題,溶解藥瓶所需的水份含量可能來自藥瓶之殘餘水份及瓶蓋本身未完全乾燥所產生水蒸氣逸氣現象所造成。
尤其藥餅殘餘水份是主要原因,而此原因係棚板溫度太低造成過低產品溫度所致。而造成棚板溫度過低的原因又係因溫度量測有誤所致,故對藥品溫度持續性的監視可避免此現象發生。
(6)泡芙(膨鬆)(Puffing) (見圖十二之G)

現象是由於冰晶尚未完全凍結前即脫離腔體,若膨鬆現象發生於整批藥品,其原因可能是不正確的棚板溫度量測或藥品完全形成冰晶所需凍結的時間不足,即未達到
陷縮溫度。如果膨鬆現象是局部的,則係因部份棚板溫度未達到所需的凍結溫度,若膨鬆現象是分散發生於整批藥品,則係因棚架間或容器間之熱傳率不同之故。
六、結  論
冷凍真空乾燥是一種看似簡單,事實上卻是相當複雜的製程技術,早期因太多製
程變數無法理解而多靠經驗或以試誤法(Try and
error)來操作,所幸近年來已被大量的基本研究成果所取代。有許多非口服藥品諸如:疫苗、蛋白及抗生素即已成功的採用冷凍真空乾燥法製造,新的生化科
技產品亦大幅度的增加使用冷凍乾燥設備的需求。隨著設備及控制機制不斷的演進,冷凍乾燥循環與產品的熱力、物理、化學性質等資料,經以科學化的評估分析及
推導,使得此門技術有長足的進步。
冷凍真空乾燥技術之應用相當廣泛,從食品、花卉、化學藥劑之乾燥至動物標本剝製、珍貴浸水書籍文件及泡水的考古木質之復原等包羅萬象,使用操作上雖有甚多優點,但亦非全無缺點。以應用在非口服藥品之製造為例具有下列優點:
1.對液體之製程操作容易,故無菌處理可較簡化。
2.對乾燥的藥粉可強化其藥效的穩定性。
3.欲移除藥品的水份,無需耗用太多的熱能於藥品乾燥上。
4.藥品在乾燥狀態時穩定性較佳。
5.藥品臨用時還原容易,且溶解快速。
相對地,冷凍真空乾燥法亦有下列缺點:
1.製程操作及處理時間較長,尤其在降低、維持腔體溫度及壓力時。
2.藥餅還原時需採用無菌的稀釋液。
3.設備成本高且構造複雜。

凍真空乾燥技術未來的發展與三個主要因素有關,即配方的發展、熱力分析方法及冷凍乾燥設備的改進。此外,近幾年來電腦功能的大躍進,也著實大大地提昇了製
程的操作效率與藥品品質的良率。相信未來在人工智慧、專家系統的應用發展上必可使冷凍真空乾燥技術更大放異彩,使技術的層次從原本普通的「藝
術」(Art)提昇為是一門獨特的「科學」(Science)的境界。
重要名詞註釋:
陷縮溫度(Collapse Temperature) :降溫時在凍結晶格之間質區內水的流動性變成非常顯著時之溫度。
結晶度:(Degree of Crystallization):藥品配方凍結成冰的質量與原本水份含量的比值,此值介於0~1之間。
過冷度:(Degree of Subcooling ):當藥品成份開始凍結成冰核時,低於均衡凍結溫度的度數。
間質區:(Interstitial region) :配方成份存在於凍結之冰晶格間之區域。
均衡凍結溫度(Equilibrium Freezing Temperature):降溫時過冷尚未發生而冰已開始形成之溫度。
棚板(Shelves):熱交換器型式的一種,在腔體內有彎彎曲曲路徑使冷卻流體自一端流入,而由另一端流出。
七、參考文獻
(1) INSIGHT JOURNAL VOL.1~VOL.4.
(2) American Phar mac eutical Review VOL.3 ISSUE 1.
(3) IVD Technology Magazine JAN. 1997 <Effect of Formulation on Lyophilization>
(4) Some helpful freeze drying basics from Larry Ulfik
(5) 食品之乾燥原理 http://content.edu.tw/vocation/food-production
(6) 中國化學製藥「冷凍乾燥之原理與操作」
(7) Freeze –Drying/Lyophilization of Phar mac eutical and Biological Products. Edited by
Louis Rey, Joan C.May
(8) Lyophilization,Introduction and Basic Principles.Thomas A. Jennings
 
歡迎來到Bewise Inc.的世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力,我們是提供專業刀具製造商,應對客戶高品質的刀具需求,我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求,我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質,這是現有相關技術無法比擬的,我們成功的滿足了各行各業的要求,包括:精密HSS DIN切削刀具協助客戶設計刀具流程DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計超高硬度的切削刀具醫療配件刀具設計複合式再研磨機PCD地板專用企口鑽石組合刀具粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機航空機械鉸刀主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭迎您親自體驗!!
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   光压是射在物体上的光所产生的压力。也称为辐射压强。当物体完全吸收正入射的光辐射时,光压等于光波的能量密度;若物体是完全反射体,则光压等于光波能量密度的2倍。这个关系可以由经典电磁理论得到,也可以直接由光的量子理论得到。麦克斯韦依据经典电磁理论首先指出了光压的存在。
光对被照射物体单位面积上所施加的压力叫光压。如阳光照在身体上,不仅会感觉发暖,亦有压力,只是因为感觉器官的限制而感觉不到。光压的发现源于俄国美国。19世纪,英国物理学家麦克斯韦创立了电磁理论,指出光的本质是电磁波。麦克斯韦还预言:光射到物质表面时,将对这一表面施加压力。
1899年,俄国物理学家列别捷夫用实验测得了光压,证实了麦克斯韦的预言。光压的存在说明了电磁波具有动量,因而是电磁场物质性的有力证明。爱因斯坦光子假设又进一步说明了光压存在的合理性。
光压很小,如果阳光直射到地面,并且光被地面全部吸收,那么地面所感受到的光压也只有4.5×10-6帕。
为了证实光压的存在,不少物理学工作者都扑到这项科学研究上来。1901年,俄国物理学家彼得·尼古拉耶维奇·列别捷夫设计了一个实验,首次发现光压,并且测量了数据。与此同时,美国物理学家尼科尔斯和哈尔也分别用精密实验测定了光的压力。
彗星的尾巴背着太阳就是太阳的光压造成的。由于光具有粒子性,所以在达到物体上时,根据动量定理,会对此物体产生一定的压力。大量光子长时间作用就会形成一个稳定的压力。
光照到物体表面时施予表面的压力。J.开普勒在解释彗尾的形成时就已提出了光压概念。J.C.麦克斯韦根据电磁理论解释了光压现象,并算出了光压的值。当平行光垂直照射物体时,单位面积所受光压为P=I(1+R)/c,式中I为单位时间垂直入射到单位面积的光能量 ,R 为表面的能量反射率,c
为真空中的光速 。光子概念提出后 , 也可用光的粒子性来解释光压现象 。光子具有动量hv/c ,
入射到表面后或被吸收或被反射,入射前光子的总动量与入射后的总动量之差等于表面所受冲量,这样算出的光压公式与麦克斯韦的公式一致。对光压的首次实验测
量是由俄国物理学家P.N.列别捷夫于1899年完成的。
当彗星靠近太阳时,彗星中的尘埃和气体分子由于受到太阳辐射的光压作用而产生了彗尾,彗尾永远指向太阳的反方向。维持恒星稳定的因素除万有引力和内部压力外,内部辐射所产生的光压也是不可忽略的因素。

型的太阳光对地球所形成的光压为4.5*10^(-6)N/m^2一、测量光压的实验列别捷夫所用仪器的主要部分是一用细线悬挂起来的极轻的悬体
R,其上固定有小翼a及b,其中一个涂黑,另一个是光亮的。将悬体R置于真空容器G内。借助透镜及平面镜系统将由弧光灯B发出的光线射向小翼中的一个。由
于作用在小翼上的光压力,使悬体R转动。转动的大小,可借助望远镜及固定在轴线上的小镜观察到。移动双镜能使光射在涂黑的小翼上。比较两种情况下悬体转动
的大小,列别捷夫测得,涂黑表面所受的光压力比反射表面所受的光压力小一半,与理论完全符合。
借助薄片P1使光流的一部分射到温差电池T上可以度量入射光能量的大小,因而可以对理论作出定量的验证。
光压
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    (图)光压光压
    光压是射在物体上的光所产生的压力。也称为辐射压强。当物体完全吸收正入射的光辐射时,光压等于光波的能量密度;若物体是完全反射体,则光压等于光波能量密度的2倍。这个关系可以由经典电磁理论得到,也可以直接由光的量子理论得到。麦克斯韦依据经典电磁理论首先指出了光压的存在。
    光压-原理
    (图)光压光压
    光对被照射物体单位面积上所施加的压力叫光压。如阳光照在身体上,不仅会感觉发暖,亦有压力,只是因为感觉器官的限制而感觉不到。光压的发现源于俄国美国。19世纪,英国物理学家麦克斯韦创立了电磁理论,指出光的本质是电磁波。麦克斯韦还预言:光射到物质表面时,将对这一表面施加压力。
    1899年,俄国物理学家列别捷夫用实验测得了光压,证实了麦克斯韦的预言。光压的存在说明了电磁波具有动量,因而是电磁场物质性的有力证明。爱因斯坦光子假设又进一步说明了光压存在的合理性。
    光压很小,如果阳光直射到地面,并且光被地面全部吸收,那么地面所感受到的光压也只有4.5×10-6帕。
    为了证实光压的存在,不少物理学工作者都扑到这项科学研究上来。1901年,俄国物理学家彼得·尼古拉耶维奇·列别捷夫设计了一个实验,首次发现光压,并且测量了数据。与此同时,美国物理学家尼科尔斯和哈尔也分别用精密实验测定了光的压力。
    彗星的尾巴背着太阳就是太阳的光压造成的。由于光具有粒子性,所以在达到物体上时,根据动量定理,会对此物体产生一定的压力。大量光子长时间作用就会形成一个稳定的压力。
    光压-公式
    光照到物体表面时施予表面的压力。J.开普勒在解释彗尾的形成时就已提出了光压概念。J.C.麦克斯韦根据电磁理论解释了光压现象,并算出了光压的值。当平行光垂直照射物体时,单位面积所受光压为P=I(1+R)/c,式中I为单位时间垂直入射到单位面积的光能量 ,R 为表面的能量反射率,c
    为真空中的光速 。光子概念提出后 , 也可用光的粒子性来解释光压现象 。光子具有动量hv/c ,
    入射到表面后或被吸收或被反射,入射前光子的总动量与入射后的总动量之差等于表面所受冲量,这样算出的光压公式与麦克斯韦的公式一致。对光压的首次实验测
    量是由俄国物理学家P.N.列别捷夫于1899年完成的。
    当彗星靠近太阳时,彗星中的尘埃和气体分子由于受到太阳辐射的光压作用而产生了彗尾,彗尾永远指向太阳的反方向。维持恒星稳定的因素除万有引力和内部压力外,内部辐射所产生的光压也是不可忽略的因素。

    型的太阳光对地球所形成的光压为4.5*10^(-6)N/m^2一、测量光压的实验列别捷夫所用仪器的主要部分是一用细线悬挂起来的极轻的悬体
    R,其上固定有小翼a及b,其中一个涂黑,另一个是光亮的。将悬体R置于真空容器G内。借助透镜及平面镜系统将由弧光灯B发出的光线射向小翼中的一个。由
    于作用在小翼上的光压力,使悬体R转动。转动的大小,可借助望远镜及固定在轴线上的小镜观察到。移动双镜能使光射在涂黑的小翼上。比较两种情况下悬体转动
    的大小,列别捷夫测得,涂黑表面所受的光压力比反射表面所受的光压力小一半,与理论完全符合。
    借助薄片P1使光流的一部分射到温差电池T上可以度量入射光能量的大小,因而可以对理论作出定量的验证。
    光压-量子理论
    解释按照光子说的观点,光压是光子把它的动量传给物体的结果。设频率为υ的单色光
    每秒垂直入射到物体表面每平方米上的能量为E,则每秒垂直入射到物体表面每平方米上的光子数为N=E/(hυ)。因为每一个光子具有动量p=
    hυ/c,当光子被物体所吸收时,每个光子传给物体的动量为p=
    hυ/c,如果入射光子全部被物体所吸收,则物体表面每平方米在每秒内所获得的动量应等于N·p=E/c。物体表面每平方米在每秒内所获得的动量,即光作
    用在这个面上的光压为E/c。当光子被物体所反射时,光子的动量从+hυ/c变到-hυ/c,则每个光子传给物体的动量为2p=2
    hυ/c。如果入射光子全部被物体所反射,则作用在物体表面上的光压力为N·2p=2E/c。
    在一般情况下,当物体表面的反射系数为ρ时,则在每秒内入射的全部N个光子中,有(1-ρ)N个被吸收而ρN个被反射。
     
     
     
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    化學氣相沉積(英文:Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD製程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前驅物下,在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品,但大多會會隨著氣流被帶著,而不會留在反應腔中。
    微製程大都使用CVD技術來沉積不同形式的材料,包括單晶多晶非晶磊晶材料。這些材料有碳纖維碳奈米纖維奈米線奈米碳管SiO2矽鍺矽碳氮化矽氮氧化矽及各種不同的high-k介質等材料。CVD製程也常用來生成合成鑽石
    一些CVD技術被廣泛地使用及在文獻中被提起。這些技術有不同的起始化學反應機制 (如活化機制) 及不同的製程條件。
  • 以反應時的壓力分類

    • 常壓化學氣相沉積 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD):在常壓環境下的CVD製程。

    • 低壓化學氣相沉積 (Low-pressure CVD, LPCVD):在低壓環境下的CVD製程。降低壓力可以減少不必要的氣相反應,以增加晶圓上薄膜的一致性。大部份現今的CVD製程都是使用LPCVD或UHVCVD。

    • 超高真空化學氣相沉積 (Ultrahigh vacuum CVD, UHVCVD:在非常低壓環境下的CVD製程。大多低於10-6 Pa (約為10-8 torr)。註:在其他領域,高真空和超高真空大都是指同樣的真空度,約10-7 Pa。



  • 以氣相的特性分類

    • 氣溶膠輔助氣相沉積 (Aerosol assisted CVD, AACVD):使用液體/氣體的氣溶膠的前驅物成長在基底上,成長速非常快。此種技術適合使用非揮發的前驅物。


    • 接液體注入化學氣相沉積 (Direct liquid injection CVD, DLICVD):使用液體 (液體或固體溶解在合適的溶液中)
      形式的前驅物。液相溶液被注入到蒸發腔裡變成注入物。接著前驅物經由傳統的CVD技術沉積在基底上。此技術適合使用液體或固體的前驅物。此技術可達到很多
      的成長速率。



  • 電漿技術 (可參考電漿製程)

    • 微波電漿輔助化學氣相沉積 (Microwave plasma-assisted CVD, MPCVD)

    • 電漿輔助化學氣相沉積 (Plasma-Enhanced CVD, PECVD):利用電漿增加前驅物的反應速率。PECVD技術允許在低溫的環境下成長,這是半導體製造中廣泛使用PECVD的最重要原因。

    • 遠距電漿輔助化學氣相沉積 (Remote plasma-enhanced CVD, RPECVD):和PECVD技術很相近的技術。但晶圓不直接放在電漿放電的區域,反而放在距離電漿遠一點的地方。晶圓遠離電漿區域可以讓製程溫度降到室溫。



  • 原子層化學氣相氣相沉積 (Atomic layer CVD, ALCVD):連續沉積不同材料的晶體薄膜層。參見原子層磊晶

  • 熱線化學氣相沉積 (Hot wire CVD, HWCVD):也稱做觸媒化學氣相沉積 (Catalytic CVD, Cat-CVD) 或熱燈絲化學氣相沉積 (Hot filament CVD, HFCVD)。使用熱絲化學分解來源氣體。[1]

  • 有機金屬化學氣相沉積 (Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD):前驅物使用有機金屬的CVD技術。

  • 混合物理化學氣相沉積 (Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD):一種氣相沉積技術,包含化學分解前驅氣體及蒸發固體源兩種技術。

  • 快速熱化學氣相沉積 (Rapid thermal CVD, RTCVD):使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。只對基底加熱,而不是氣體或腔壁。可以減少不必要的氣相反應,以免產生不必要的粒子

  • 氣相磊晶 (Vapor phase epitaxy, VPE)

  •  
    歡迎來到Bewise Inc.的世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力,我們是提供專業刀具製造商,應對客戶高品質的刀具需求,我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求,我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質,這是現有相關技術無法比擬的,我們成功的滿足了各行各業的要求,包括:精密HSS DIN切削刀具協助客戶設計刀具流程DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計超高硬度的切削刀具醫療配件刀具設計複合式再研磨機PCD地板專用企口鑽石組合刀具粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機航空機械鉸刀主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭迎您親自體驗!!
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    is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide
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    include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card
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    Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high-purity, high-performance solid materials. The process is often used in the semiconductor industry to produce thin films. In a typical CVD process, the wafer (substrate) is exposed to one or more volatile precursors, which react and/or decompose on the substrate surface to produce the desired deposit. Frequently, volatile by-products are also produced, which are removed by gas flow through the reaction chamber.
    Microfabrication processes widely use CVD to deposit materials in various forms, including: monocrystalline, polycrystalline, amorphous, and epitaxial. These materials include: silicon, carbon fiber, carbon nanofibers, filaments, carbon nanotubes, SiO2, silicon-germanium, tungsten, silicon carbide, silicon nitride, silicon oxynitride, titanium nitride, and various high-k dielectrics. The CVD process is also used to produce synthetic diamonds.
    A
    number of forms of CVD are in wide use and are frequently referenced in
    the literature. These processes differ in the means by which chemical
    reactions are initiated (e.g., activation process) and process
    conditions.
  • Classified by operating pressure

    • Atmospheric pressure CVD (APCVD) - CVD processes at atmospheric pressure.

    • Low-pressure CVD (LPCVD) - CVD processes at subatmospheric pressures[1].
      Reduced pressures tend to reduce unwanted gas-phase reactions and
      improve film uniformity across the wafer. Most modern CVD processes are
      either LPCVD or UHVCVD.

    • Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) - CVD processes at a very low pressure, typically below 10−6 Pa (~10−8 torr). Note that in other fields, a lower division between high and ultra-high vacuum is common, often 10−7 Pa.



  • Classified by physical characteristics of vapor

    • Aerosol assisted CVD
      (AACVD) - A CVD process in which the precursors are transported to the
      substrate by means of a liquid/gas aerosol, which can be generated
      ultrasonically. This technique is suitable for use with non-volatile
      precursors.

    • Direct liquid injection CVD (DLICVD) - A
      CVD process in which the precursors are in liquid form (liquid or solid
      dissolved in a convenient solvent). Liquid solutions are injected in a
      vaporization chamber towards injectors (typically car injectors). Then
      the precursor vapors are transported to the substrate as in classical
      CVD process. This technique is suitable for use on liquid or solid
      precursors. High growth rates can be reached using this technique.



  • Plasma methods (see also Plasma processing)

    • Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD)

    • Plasma-Enhanced CVD (PECVD) - CVD processes that utilize plasma to enhance chemical reaction rates of the precursors[2]. PECVD processing allows deposition at lower temperatures, which is often critical in the manufacture of semiconductors.

    • Remote plasma-enhanced CVD
      (RPECVD) - Similar to PECVD except that the wafer substrate is not
      directly in the plasma discharge region. Removing the wafer from the
      plasma region allows processing temperatures down to room temperature.



  • Atomic layer CVD (ALCVD) – Deposits successive layers of different substances to produce layered, crystalline films. See Atomic layer epitaxy.

  • Combustion Chemical Vapor Deposition
    (CCVD) - nGimat's proprietary Combustion Chemical Vapor Deposition
    process is an open-atmosphere, flame-based technique for depositing
    high-quality thin films and nanomaterials.

  • Hot wire CVD
    (HWCVD) - also known as catalytic CVD (Cat-CVD) or hot filament CVD
    (HFCVD). Uses a hot filament to chemically decompose the source gases.[3]

  • Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) - CVD processes based on metalorganic precursors.

  • Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition (HPCVD) - Vapor deposition processes that involve both chemical decomposition of precursor gas and vaporization of a solid source.

  • Rapid thermal CVD (RTCVD) - CVD processes that use heating lamps or other methods to rapidly heat the wafer substrate. Heating only the substrate rather than the gas or chamber walls helps reduce unwanted gas phase reactions that can lead to particle formation.

  • Vapor phase epitaxy (VPE)

  • This section discusses the CVD processes often used for integrated circuits (ICs). Particular materials are deposited best under particular conditions.
    Polycrystalline silicon is deposited from silane (SiH4), using the following reaction:
    SiH4 → Si + 2 H2

    This reaction is usually performed in LPCVD systems, with either pure silane feedstock, or a solution of silane with 70-80% nitrogen. Temperatures between 600 and 650 °C and pressures between 25 and 150 Pa yield a growth rate between 10 and 20 nm per minute. An alternative process uses a hydrogen-based solution. The hydrogen reduces the growth rate, but the temperature is raised to 850 or even 1050 °C to compensate.
    Polysilicon may be grown directly with doping, if gases such as phosphine, arsine or diborane are added to the CVD chamber. Diborane increases the growth rate, but arsine and phosphine decrease it.
    Silicon dioxide
    (usually called simply "oxide" in the semiconductor industry) may be
    deposited by several different processes. Common source gases include
    silane and oxygen, dichlorosilane (SiCl2H2) and nitrous oxide (N2O), or tetraethylorthosilicate (TEOS; Si(OC2H5)4). The reactions are as follows:
    SiH4 + O2 → SiO2 + 2 H2
    SiCl2H2 + 2 N2O → SiO2 + 2 N2 + 2 HCl
    Si(OC2H5)4 → SiO2 + byproducts

    The choice of source gas depends on the thermal stability of the substrate; for instance, aluminium
    is sensitive to high temperature. Silane deposits between 300 and 500
    °C, dichlorosilane at around 900 °C, and TEOS between 650 and 750 °C,
    resulting in a layer of low- temperature oxide (LTO). However, silane produces a lower-quality oxide than the other methods (lower dielectric strength, for instance), and it deposits nonconformally.
    Any of these reactions may be used in LPCVD, but the silane reaction is
    also done in APCVD. CVD oxide invariably has lower quality than thermal oxide, but thermal oxidation can only be used in the earliest stages of IC manufacturing.
    Oxide may also be grown with impurities (alloying or "doping"). This may have two purposes. During further process steps that occur at high temperature, the impurities may diffuse
    from the oxide into adjacent layers (most notably silicon) and dope
    them. Oxides containing 5–15% impurities by mass are often used for this
    purpose. In addition, silicon dioxide alloyed with phosphorus pentoxide
    ("P-glass") can be used to smooth out uneven surfaces. P-glass softens
    and reflows at temperatures above 1000 °C. This process requires a
    phosphorus concentration of at least 6%, but concentrations above 8% can
    corrode aluminium. Phosphorus is deposited from phosphine gas and
    oxygen:
    4 PH3 + 5 O2 → 2 P2O5 + 6 H2

    Glasses
    containing both boron and phosphorus (borophosphosilicate glass, BPSG)
    undergo viscous flow at lower temperatures; around 850 °C is achievable
    with glasses containing around 5 weight % of both constituents, but
    stability in air can be difficult to achieve. Phosphorus oxide in high
    concentrations interacts with ambient moisture to produce phosphoric
    acid. Crystals of BPO4 can also precipitate from the flowing
    glass on cooling; these crystals are not readily etched in the standard
    reactive plasmas used to pattern oxides, and will result in circuit
    defects in integrated circuit manufacturing.
    Besides these
    intentional impurities, CVD oxide may contain byproducts of the
    deposition process. TEOS produces a relatively pure oxide, whereas
    silane introduces hydrogen impurities, and dichlorosilane introduces chlorine.
    Lower
    temperature deposition of silicon dioxide and doped glasses from TEOS
    using ozone rather than oxygen has also been explored (350 to 500 °C).
    Ozone glasses have excellent conformality but tend to be hygroscopic –
    that is, they absorb water from the air due to the incorporation of
    silanol (Si-OH) in the glass. Infrared spectroscopy and mechanical
    strain as a function of temperature are valuable diagnostic tools for
    diagnosing such problems.
    Silicon nitride
    is often used as an insulator and chemical barrier in manufacturing
    ICs. The following two reactions deposit nitride from the gas phase:
    3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2
    3 SiCl2H2 + 4 NH3 → Si3N4 + 6 HCl + 6 H2

    Silicon nitride deposited by LPCVD contains up to 8% hydrogen. It also experiences strong tensile stress, which may crack films thicker than 200 nm. However, it has higher resistivity and dielectric strength than most insulators commonly available in microfabrication (1016 Ω·cm and 10 MV/cm, respectively).
    Another two reactions may be used in plasma to deposit SiNH:
    2 SiH4 + N2 → 2 SiNH + 3 H2
    SiH4 + NH3 → SiNH + 3 H2

    These films have much less tensile stress, but worse electrical properties (resistivity 106 to 1015 Ω·cm, and dielectric strength 1 to 5 MV/cm).
    Some metals (notably aluminium and copper) are seldom or never deposited by CVD. As of 2002[update],
    a commercially, cost effective, viable CVD process for copper did not
    exist, though copper formate, copper(hfac)2, Cu(II) ethyl acetoacetate,
    and other precursors have been used. Copper deposition of the metal has
    been done mostly by electroplating, in order to reduce the cost. Aluminum can be deposited from tri-isobutyl aluminium (TIBAL), tri ethyl/methyl aluminum (TEA,TMA), or dimethylaluminum hydride (DMAH), but physical vapor deposition methods are usually preferred.[citation needed]
    However, CVD processes for molybdenum, tantalum, titanium, nickel, and tungsten are widely used. These metals can form useful silicides
    when deposited onto silicon. Mo, Ta and Ti are deposited by LPCVD, from
    their pentachlorides. Nickel, molybdenum, and tungsten can be deposited
    at low temperatures from their carbonyl precursors. In general, for an
    arbitrary metal M, the reaction is as follows:
    2 MCl5 + 5 H2 → 2 M + 10 HCl

    The usual source for tungsten is tungsten hexafluoride, which may be deposited in two ways:
    WF6 → W + 3 F2
    WF6 + 3 H2 → W + 6 HF

     
     
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    全球寶石鑑定研習中心講師
    林嵩暉 GIC 珠寶鑑定師資格證書,GIC 翡翠鑑定師證書              指導者: 林嵩山 台灣 GIC 創始人. 中華民國寶石協會理事長
    ( 英文內容取材自 CVD-Grown Pink Diamonds,Wuyi Wang. ) ( 本文中英對照 )
    Element Six 公司(戴比爾斯工業鑽石部門)生產的研究用CVD鑽石,左起 0.86克拉, 0.39克拉,0.50克拉
           
    天然粉紅鑽是很罕見的,因此發展出幾種處理方式能將粉紅色帶入天然鑽和高溫高壓合成鑽石中。其中一種廣泛應用的技術是藉由輻照和退火處理,將痕量的孤氮帶
    入N-V中心內(nitrogen-vacancy pairs :
    鑽石中由氮與空穴結合產生的心)。N-V中心強烈吸收黃光和橙光,因此產生粉紅至紅的顏色。痕量孤氮需要經過處理,使其適當作用而自然發生於起始原料中,
    而能在合成過程中混入(Shigley等。,2004年);或者產自於天然鑽石經高溫高壓處理過程中,因其氮的缺陷而致分解的結果(Wang
    等,2005)。據波士頓的阿波羅鑽石公司研究,化學氣相沉積(CVD)生長的鑽石其N-V中心是獨一無二的,並且隨後發生的粉紅色可以在合成過程產生。
    由阿波羅鑽石公司測試七個色彩鮮豔的CVD合成鑽石(顏色從Fancy Intense到Fancy Vivid pink或purplish pink),本圖列舉3個

    阿波羅鑽石公司測試七個色彩鮮豔的CVD合成鑽石 ( 顏色從Fancy Intense到Fancy Vivid pink或purplish
    pink
    ),顏色相似於著名的澳洲天然粉紅鑽石礦區阿蓋爾(Argyle)。雕琢精良的刻面型CVD合成鑽石,其大小介於0.28至0.67克拉之間,所有的樣本
    顏色均勻,大致上樣本乾淨,只包含少量針點狀包裹體。
    天然鑽石和CVD鑽石的晶體形態學特徵
    當長短波紫外線照射下,合成鑽石表現出強烈的橙紅色熒光。紅外光譜顯示的1344cm-1微弱吸收峰是由不純的孤氮產生。此外,持續偵測到局部震動弱尖峰在1341,1355,1358,1363,1375,1379,1405(氫氣)和1450 cm-1 (H1a)。觀察到一個有趣的特徵是中紅外光譜共存的尖銳吸收峰3107和3123 cm-1
    阿波羅公司生產的CVD鑽石,左起1.70克拉,, 0.36克拉,0.21克拉
    這兩者與氫有關,但3123 cm-1吸收峰特別與CVD合成鑽石相關,而3107 cm-1則普遍的存在於Ia型天然鑽石中。在所有的測試樣本中,3107cm-1 吸收峰明顯強於3123 cm-1吸收峰。這些紅外吸收峰也非常不同於先前報導過的白色,棕色,粉紅色的CVD鑽石(Martineau等,2004年;Wang等,2007)。
    CVD合成粉紅鑽石之紫外可見近紅外吸收光譜(UV-Visible-NIR absorption spectroscopy)
    這些大小從0.28到0.67克拉的CVD粉紅鑽顯示鮮粉紅色,顏色從Fancy Intense 到 Fancy Vivid pink 或 purplish pink,由阿波羅鑽石公司以標準製程生產。

    外可見近紅外吸收光譜強烈表明,粉紅色CVD鑽石的顏色來自於N-V中心  ZPL 在637.0和574.9
    nm,並且他們的邊帶位於較高能邊。GR1(ZPL
    在741.1nm),595中心(594.2nm),和ND1(ZPL在393.5nm),都是眾所周知的輻照缺陷。矽有關的吸收峰(736.6/736.9 nm 成對出現)是一種可靠的CVD合成鑽石鑑定特徵。
    阿波羅鑽石公司( 美國.波士頓 ) 使用之CVD標準製程
    一顆由阿波羅鑽石公司生產的CVD鑽石原晶重0.189克拉
    一顆由阿波羅鑽石公司生產的CVD鑽石原晶重0.189克拉
    一顆由阿波羅鑽石公司生產的HPHT處理的CVD合成鑽石,重0.226克拉
    一顆由阿波羅鑽石公司生產的高溫高壓(HPHT)處理的化學氣相沉積法(CVD)合成鑽石,重0.226克拉
     
    CVD-Grown Pink Diamonds
    Natural
    pink diamonds are very rare. As a result, several treatments have been
    developed to introduce pink color into both natural and HPHT synthetic
    diamonds. One technique that is widely used to produce pink color
    involves the conversion of trace amounts of isolated nitrogen into N-V
    centers (nitrogen-vacancy pairs) through a combination of irradiation
    and annealing processes. N-V centers strongly absorb yellow and orange
    light, thus creating a pink to red color. The trace amounts of isolated
    nitrogen needed for the treatment to work properly can occur naturally
    in the starting materials, be incorporated during synthetic growth
    (Shigley et al., 2004), or be generated by disaggregation of other
    nitrogen-bearing defects in natural diamonds during high-pressure and
    high-temperature (HPHT) treatment (Wang et al., 2005). According to
    Apollo Diamond Inc. in Boston, CVD-grown diamond is unique in that N-V
    centers, and subsequent pink color, can be created during the synthesis
    process.
       Seven intensely colored CVD synthetic diamonds
    (graded as Fancy Intense to Fancy Vivid pink or purplish pink) were
    supplied by Apollo Diamond Inc. for this study. The colors were similar
    to the well-known natural pink diamonds from the Argyle mine in
    Australia. The faceted CVD synthetic diamonds ranged in size from 0.28
    to 0.67 ct, with well-cut proportions. Color distribution was even in
    all of the samples. In general, the samples were clean, containing only a
    few pinpoint inclusions. When exposed to both long- and short-wave UV
    radiation, the synthetic diamonds displayed strong orange to red
    fluorescence. Infrared spectroscopy revealed very weak absorption peaks
    at 1344 cm-1 caused by the presence of isolated nitrogen impurities. In
    addition, weak and sharp peaks from local vibrations at 1341, 1355,
    1358, 1363, 1375, 1379, 1405 (hydrogen), and 1450 cm-1 (H1a) were also
    consistently detected. An interesting feature observed in the
    mid-infrared spectra was the coexistence of sharp absorptions at 3107
    and 3123 cm-1. Both features are hydrogen-related, but the absorption at
    3123 cm-1 is specific to CVD synthetic diamonds, whereas the 3107 cm-1
    peak is very common in natural type Ia diamonds. In all of the tested
    samples, the intensity of the 3107 cm-1 absorption was stronger than
    that of the 3123 cm-1 peak. These infrared absorption features are very
    different from those previously reported in white, brown, and pink CVD
    diamonds (Martineau et al., 2004; Wang et al., 2007).
        
    Spectral features observed from UV-Visible-NIR absorption spectroscopy
    strongly indicated that the pink CVD diamonds were colored mainly by the
    N-V centers with ZPL at 637.0 and 574.9 nm and their sidebands at the
    higher-energy side. GR1 (ZPL at 741.1 nm), the 595 center (594.2 nm),
    and ND1 (ZPL at 393.5 nm), all well-known irradiation-induced defects.
    The occurrence of Si-related absorptions (736.6/736.9 nm doublet) is a
    reliable identification feature in CVD synthetic diamonds.
     
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    bolster 墊板 ボルスタ
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    core 心型 コア
    core pin 心型梢 コアピン
    cotter 開口銷 コーキング
    cross 十字接頭 十字継手  
    cushion pin 緩沖梢 クッションピン
    diaphragm gate 盤形澆口 ダイアフラムゲート
    die body 鑄模座 ダイボタン
    die bush 合模襯套 ダイブシュ
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    ejector sleeve 頂出襯套 エジェクタスリーブ
    ejector valve 頂出閥 エジェクタバルブ
    eye bolt 環首螺栓 アイボルト
    filling core 椿入蕊 当中子
    film gate 薄膜形澆口 フィルムゲート
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    finish machined round plate 圓形模板 丸形型板
    fixed bolster plate 固定側模板 固定側型板
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    gate 澆口 ゲート
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    match plate 分型板 マッチプレート
    mold base 塑膠模座 モールドベース
    mold clamp 鑄模昆固夾 鋳型締め
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    pusher 推杆 プッシャー
    pusher pin 襯套梢 プッシャーピン
    rack 機架 ラック
    rapping rod 起模杆 型上
    spindle 主軸 伝達軸
    sprue 注道 スプル
    sprue bushing 注道襯套 スプルーブシュ
    sprue bushing 注道襯套 スプルブシュ
    sprue bushing guide 注道襯套 スプルーブシュガイド
    sprue lock bushing 注道定位襯套 スプルーロックブシュ
    sprue puller 注道拉料銷 スプルプラー
    spue line 合模線 スピュライン
    square key 方鍵 角キー
    square nut 方螺帽 四角ナット
    square thread 方螺紋 四ねじ
    stop collar 限位套 ストップカラー
    stop pin 止動梢 ストップピン
    stop ring 止動環 ストップリング
    stopper 定位停止梢 ストッパー
    straight pin 圓柱銷 ストレートピン
    stripper bolt 脫料螺栓 ストリッパーボルト
    stripper bushing 脫模襯套 ストリッパブシュ
    stripper plate 剝料板 ストリッパプレート
    stroke end block 行程止梢 ストロークエンドブロック
    submarine gate 潛入式澆口 サブマリンゲート
    support pillar 支撐支柱 サポートピラ
    support pillar 頂出支柱 サポートピラ
    support pin 支撐梢 サポートビン
    drilling machine 鑽孔機 ドリリングマシン
    engraving E.D.M 雕模放電加工機 形彫り放電加工機
    engraving machine 雕刻機 形彫り機
    form grinding machine 成形磨床 成形研削り盤
    graphite machine 石墨加工機 グラファエト加工機
    horizontal boring machine 臥式搪孔機 横中ぐり盤
    horizontal machine center 臥式加工制造中心 横形マシニングセンター
    internal cylindrical machine 內賀磨床 内面研削盤
    jig boring machine 冶具搪孔機 ジグ中ぐり盤
    jig grinding machine 冶具磨床 ジグ研削盤
    lap machine 研磨機 ラップ盤
    machine center 加工制造中心 マシニングセンター
    multi model miller 靠模銑床 マルチモデルミラー
    NC drilling machine NC鑽床 NCボール盤
    NC grinding machine NC磨床 NC研削盤
    NC lathe NC車床 NC旋盤
    NC programming system NC程式制作系統 NCプログラミングシステム
    planer 龍門刨床 平削り盤
    profile grinding machine 投影磨床 輪廓研削盤
    projection grinder 投影鑽床 投影研削盤
    radial drilling machine 旋臂鑽床 ラジアルボール盤
    shaper 牛頭刨床 形削り盤
    surface grinder 平面磨床 平面研削り盤
    try machine 試模機 トライ機
    inside micrometer 內分厘卡 内側マイクロメーター
    interferometer 干涉儀 干渉器
    levelling block 平台 レべリングプロック
    limit gauge 限規 リミットゲージ
    micrometer 測微規 マイクロメータ
    mil 千分之一時 ミル
    monometer 壓力計 マノメーター
    morse taper gauge 莫氏錐度量規 モールステーパゲージ
    nonius 游標卡尺 ノギス
    optical flat 光學平品 オプチカルフラット
    optical parallet 光學平行 オプチカルプラレル
    passimeter 內徑儀 パッシメーター
    position scale 位置刻度 ボジションスケール
    profile projector 輪廓光學投影儀 プロフィールプロジェクタ
    protractor 分角器 分角器
    radius 半徑 アール
    ring gauge 環規 リングゲージ
    sine baf 正弦量規 サインバー
    smap gauge 卡規 はさみゲージ
    square master 直角尺 スコヤマスタ
    stylus 觸針 スタイラス
    telescopic gauge 伸縮性量規 テレスコピックゲジ
    working gauge 工作量規 工作ゲージ
    模具鋼材
    silicon steel sheet 矽鋼板 けい素鋼板
    stainless steel 不鏽鋼 ステンレス鋼
    tin plated steel sheet 鍍錫鐵板 プリキ板
    tough pitch copper 韌銅 タフピッチ鋼
    troostite 吐粒散鐵 トルースタイト
    tungsten steel 鎢鋼 タングステン鋼
    vinyl tapped steel sheet 塑膠覆面鋼板 ピニール鋼板
    表面處理關連用語
    age hardening 時效硬化 時効硬化
    ageing 老化處理 時効処理
    air hardening 氣體硬化 空気焼き入れ
    air patenting 空氣韌化 空気パテンチング
    annealing 退火 焼なまし
    anode effect 陽極效應 陽極効果
    anodizing 陽極氧化處理 アイダイジング
    atomloy treatment 阿托木洛伊表面 アトムロイ処理
    austempering 奧氏體等溫淬火 オーステンパー
    austenite 奧斯田鐵 オーステナイト
    austenite 奧氏體 オーステナイト
    bainite 貝氏體 ベイナイト
    banded structure 條紋狀組織 しま状組織
    barrel plating 滾鍍 バレルメッキ
    barrel tumbling 滾桶打光 バレタンブリング
    blackening 染黑法 黒染め法
    diffusion annealing 擴散退火 拡散焼なまし
    eletrolytic hardening 電解淬火 電解焼入れ
    embossing 壓花 シボ
    dtching 表面蝕刻 エッチング
    ferrite 肥粒鐵 フェライト
    first stage annealing 第一段退火 第一段焼なまし
    flame hardening 火焰硬化 炎焼入れ
    flame treatment 火焰處理 火炎処理
    full annealing 完全退火 完全焼なまし
    gascous cyaniding 氣體氰化法 ガスシアン化法
    globular carbide 球狀炭化物 球状炭化物
    globular cementite 球狀炭化鐵 球状セメンタイト
    grain size 結晶粒度 結晶粒度
    granolite treatment 碳酸溶液熱處理 グラノライト処理
    graphitizing 石墨退火 黒鉛化焼なまし
    hardenability 硬化性 焼き入れ性
    hardenabiiyt curve 硬化性曲線 焼入性曲線
    hardening 硬化 硬化
    heat treatment 熱處理 熱処理
    hot bath quenching 熱浴淬火 熱欲焼き入れ
    hot dipping 熱浸鍍 熔融めっき
    induction hardening 高周波硬化 高周波焼き入れ
    ion carbonitriding 離子滲碳氮化 イオン浸炭
    ion carburizing 離子滲碳處理 イオン浸炭窒化
    process annealing 制程退火 中間焼なまし
    quench ageing 淬火老化 焼き入れ時効
    quench hardening 淬火 焼き入れ
    quenching crack 淬火裂痕 焼割れ
    quenching distortion 淬火變形 焼きいれ変形
    quenching stress 淬火應力 焼きいれ応力
    reconditioning 再調質 リコンディニング
    recrystallization 再結晶 再結晶
    red shortness 紅熱脆性 赤熱脆性
    residnal stress 殘留應力 残留応力
    retained austenitc 殘留奧 残留オーステナイト
    rust prevention 防蝕 防せい
    salt bath quenching 鹽浴淬火 塩浴焼き入れ
    sand blast 噴砂處理 サンドブラスト
    seasoning 時效處理 枯らし
    second stage annealing 第二段退火 第二段焼なまし
    secular distortion 經年變形 経年変形
    segregation 偏析 偏析
    seleetive hardening 部分淬火 部分焼き入れ
    shot blast 噴丸處理 ショットブラスト
    shot peening 珠擊法 ショットピーニング
    single stage nitriding 等溫滲氮 一段窒化
    sintering 燒結處理 シンタリング
    soaking 均熱處理 ソーキング
    vacuum heat treatment 真空熱處理 真空熱処理
    vacuum nitriding 真空氮化 真空ガス窒化
    rater quenching 水淬火 水焼きいれ
    retout 浸潤處理 ウェットアウト
    焊接用語
    acetylene 乙炔 アセチレン
    ampere 電流安培 アンペア
    angle welding 角焊 アングル溶接
    are 電弧 アーク
    argon are welding 氬弧焊接 アルゴンアーク溶接
    bare electrode 光熔接條 裸溶接棒
    butt welding 對接焊接 ファラロット
    camber 電弧彎曲 わん曲
    cascade 階疊熔接法 カスケード法
    clad weld 被覆熔接 クラッド溶接
    crator 焊疤 クレータ
    excess metal 多余金屬 余肉
    filler rod 焊條 クレータ
    fillet weld 填角焊接 隅角接ぎ
    gas shield 氣體遮蔽 ガスシールド
    groove welding 起槽熔接 グルーブ溶接
    hand face shield 手握面罩 ハンドシールド
    hard facing 硬表面堆焊 硬化肉盛り
    jig welding 工模焊接 ジグ溶接
    weld flow mark 焊接流痕 ウェルドフローマーク
    weld flush 焊縫凸起 ウェルドフラッシュ
    weld line 焊接紋 ウェルドライン
    weld mark 焊接痕 ウェルドマーク
    weld penetration 熔接透入 溶け透入
    weld zone 焊接區 ウェルドゾン
    welding 焊接 ウェルディング
    welding bead 焊接泡 溶接ビード
    welding direction 焊接方向 ウェルディング    デレクション
    welding distontion 焊接變形 溶接ほずみ
    welding fluz 焊劑 ウェルディングフ   ラックス
    welding ground 電熔接地 アース
    weldking interval 焊接周期 ウェルディング  インターバル
    welding stress 熔接應變 溶接ひずみ
    welding torch 熔接氣炬 溶接トーナ
    射出成形關聯用語
    activator 活化劑 アクチベータ
    bag moulding 氣胎施壓成形 パック成形
    bonding strength 粘合強度 へき開値
    breathing 排氣 ガス抜き
    caulking compound 填隙料 コーキング材
    cell 氣孔 セル
    cold slug 半凝式射出 コールドスラグ
    colorant 著色劑 着色材
    injection lpunger 射出柱塞 射出プランジャ
    injection ram 射出沖柱 射出ラム
    isomer 同分異構物 アイソマー
    kneader 混合機 ニーダ
    levelling agent 勻涂劑 レベリング剤
    lubricant 潤滑劑 潤滑剤
    matched die method 配合成形法 マッチドダイ成形法
    mould clamping force 銷模力 型締力
    mould release agent 脫模劑 離型剤
    nozzle 噴嘴 ノズル
    orienied film 取向薄膜 延伸フィルム
    parison 吹氣成形壞料 パリソン
    pellet 粒料 ペレット
    plasticizer 可塑劑 可塑剤
    plunger 壓料柱塞 パランジャー
    porosity 孔隙率 気孔率
    post cure 后固化 ポストキュア
    premix 預混料 プリミックス
    purging 清除 パージング
    reciprocating screw 往復螺杆 レシプロケーティング    スクリュ
    resilience 回彈性 レジリエンス
    resin injection 樹脂射出法 RI法
    theology 流變學 レオロジー
    Sheet      塑膠片 シート
    fiber reinforcement 纖維強化熱固化 繊維強化熱硬性
    fiber reinforcement 纖維強化復合材料 繊維強化複合材料
    high density polyethy lene 高密度聚苯乙烯HDPE 高密度ポリエチレン
    high impact polystyrene 高沖擊聚苯乙烯HIPS 耐衝撃性ポリスチレン
    high impact polystyrene rigidty 高沖擊性聚苯乙烯 高衝撃性ポリスチレン ポリピニルプチラール
    low density pllyethylene 低密度聚乙烯LDPE 低密度ポリエチレン
    aelamine resin 三聚氯胺酚醛樹脂 メラミン樹脂
    nitrocelluolse 硝酸纖維素 ニトロセルロース
    phenolice resin 酚醛樹脂  フェノール樹脂
    plastie 塑膠 プラスチック
    polyacrylic acid 聚丙烯酸PAP ポリアクリル酸
    polyamide 耐龍PA ポリアミド
    polybutyleneterephthalate 聚對苯二甲酸丁酯PBT ポリブチレン    テレフタレート
    polycarbonate 聚碳酸酯PC ポリカーボネート
    polyethy leneglycol 聚乙三醇PFG ポリエチレング リコール
    polyethy leneoxide 聚氧化乙烯PEO ポリエチレンオキシド
    polyethy leneterephthalate 聚乙醇對苯PETP ポリエチレンテレ  フタレート
    polymetylmethacry late 聚甲基丙烯酸甲PMMA ポリメタクリル酸メチル
    polyoxymethylene 聚縮醛POM ポリオキシメチレン
    polyphenylene oxide 聚硫化亞苯 ポリフェニレンスルフィド
    polypheny lcneoxide 聚苯醚PPO ポリフェニレンオキシド
    polypropy lene 聚苯烯PP ポリプロピレン
    polystyrene 聚苯乙烯PS ポリスチレン
    polytetrallnoroethy lene 聚四氟乙烯PTEE ポリ四フッ化エチレン
    blow hole 破孔 ブロホール
    blushing 泛白 かふり
    bad wrinkle 側壁皺紋 ボデーしわ
    blacking in 冒口帶肉 深折れ
    bubble 膜泡 あわ
    burn mark 糊斑 焼け
    burr 毛邊 ばり
    burr 毛邊 かえり
    camber 翹曲 キャンバー
    cell 氣泡 気泡
    cemter backle 表面中部起皺 中伸び
    check 細裂痕 びびり
    checking 細裂 チェキング
    chipping 修整表面缺陷 チッピング
    clamp-off 鑄件凹痕 押し込み
    clollapse 塌陷 つぶれ
    color mottle 色斑 色むら
    corrosion 腐蝕 腐食
    crack 裂痕 クラック
    crazing 碎裂 ひび割れ
    crazing 龜裂 クレージング
    deformation 變形 狂い
    edge 切邊碎片 エッジの欠け
    edge crack 裂邊 耳割れ
    pitting corrosion 點狀腐蝕 孔食
    plate mark 模板印痕 プレートマーク
    pock 麻點 あばた
    pock mark 痘斑 ポックマーク
    resin streak 樹脂流紋 樹脂流れ
    resin wear 樹脂脫落 樹脂やせ
    riding 凹陷 リジング
    sagging 松垂 だれ
    saponification 良化 けん化
    scar  疤痕 スカー
    scrap 廢料 かす
    scrap jam 廢料阻賽 かす詰まり
    scratch 刮傷 すべり傷
    scralch 刮痕 スクラッチ
    scuffing 深沖表面刮傷 かざはり係数
    seam 裂痕 糸剥れ
    shock line 模口擴痕 ショックライン
    short shot 充填不足 充てん不良
    shrinkage pool 凹孔 シュリンケージプール
    sink mark 凹痕 ひけマーク
    skin inclusion 表面擇疊 表皮引き込む
    straightening 矯直 歪み取り
    streak 條狀痕 条こん
    surface check 表面裂痕 糸きず
    concave cutter 凹面銑刀 内丸フライス
    convex cutter  形銑刀 外丸フライス
    cross joint 十字接頭 十字継手  
    cutting edge clearance 刀口于隙角 切れ刀の逃げ角
    drill stand 鎮台 ドリルスタンド
    edge file 刀角銼刀 刃やすり
    file 銼刀 やすり
    flange joint  緣接頭 フランジ継手
    grinder 砂榆機 グラインダー
    hammer 鐵  ハンマ
    hand brace 手搖損 手回しブレース
    batching 剖面線 ハッチング
    hexagon bcaded bolt 六角頭螺栓 六角ボルト
    hexagon nut 六角螺帽 六角ナット
    index bead 分度頭 割り出し台
    jack 千斤頂 ジャッキ
    jig 治具 ジグ
    kil 工具箱 キット
    happing 研磨 ラッピング
    metal saw 金工鋸 メタルソー
    nose angle 刀角 刃先角
    pinchers 鉗子 ペンチ
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    plug 柱塞頭 プラグ
    電腦關連用語
    3d modelling 三次元模擬 3Dモデリング
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    powder metal forging 粉末鍛造 粉末鍛造
    precision forging 精密鍛造 精密鍛造
    press forging 沖鍛 プレス鍛造
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    transfer molding 轉送成形 トレンスファ
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    各式模具分類用語
    bismuth mold 鉍間模 ビスマス鋳造型
    burnishing 擠光模 バーニッシュ金型
    button die 鑲入式賀形門模 ボタンダイ
    center-gated mold 中心澆口式模具 センターゲートモールド
    chill mold 冷硬用鑄模 チル鋳型
    clod hobbing 冷擠壓制模 コールドボッビング
    composite dies 復合模具 コンボジィット金型
    multi-cavity mold 多模穴模具 多数(個取り)金型
    multi-gate mold 復式澆口模具 多数ゲート金型
    lffswt bedning die 雙折冷烤模具 オフセット曲げ金型
    pelletizing die 疊層模 ペレット用ダイ
    plaster mold 石膏模 石膏型
    porous mold 通氣性模具 通気性金型
    positive mold 全壓式模具 ポジティブモールド
    pressure die 壓緊模 押型
    profile die 輪廓模 プロフィルダイ
    progressive die 順序模 順送型
    protable mold 手提式模具 ポータブルモールド
    prototype mold 攤形試難模具 プロトタイプモールド
    punching die 落料模 打抜きダイス型
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    runless injection mold 無流道冷料模具 ランナレス金型
    sectional die 拼合模 セクショナルダイ
    sectional die 對合模具 割り型
    segment mold 組合模 セグメント型
    semi-positive mold 半全壓式模具 セミポジティプモールド
    shaper 定型模套 セーパ
    single eavity mold 單腔模具 1個取り金型
    solid forging die 整體鍛模 圧造丸ダイ
    split forging die 拼合鍛模 圧造割ダイ
    blanking die 落料沖 ブランキングポンチ
    bolster 上下模板 ボルスター
    bolster 墊板 ボルスタ
    bottom board 澆注底板 鋳込定盤
    bracket 托架 ブラケット
    bumper block 緩沖塊 バンパープロック
    buster 堵口 つぶし
    casting ladle 澆注包 鋳込取鍋
    casting lug 鑄耳 鋳へそ
    cavity 模穴(模仁) キャピティ
    cavity retainer plate 模穴托板 キャピティリテナープレート
    center pin 中心梢 センターピン
    clamping block 鎖定塊 クランピングブロック
    coil spring 螺旋彈簧 コイルスプリング
    cold punched nut 冷沖螺母 打抜きナット
    cooling spiral 螺旋冷卻栓 スバイラル冷却栓
    core 心型 コア
    core pin 心型梢 コアピン
    cotter 開口銷 コーキング
    cross 十字接頭 十字継手  
    cushion pin 緩沖梢 クッションピン
    diaphragm gate 盤形澆口 ダイアフラムゲート
    die body 鑄模座 ダイボタン
    die bush 合模襯套 ダイブシュ
    ejector rod 頂出杆 エジェクタロッド
    ejector sleeve 頂出襯套 エジェクタスリーブ
    ejector valve 頂出閥 エジェクタバルブ
    eye bolt 環首螺栓 アイボルト
    filling core 椿入蕊 当中子
    film gate 薄膜形澆口 フィルムゲート
    finger pin 指形梢 フィンガピン
    finish machined plate 角形模板 角形型板
    finish machined round plate 圓形模板 丸形型板
    fixed bolster plate 固定側模板 固定側型板
    flanged pin 帶凸緣板 つばつきピン
    flash gate 毛邊形澆口 フラッシュゲート
    flask 上箱 上枠
    floating punch 浮動沖頭 浮きポンチ
    gate 澆口 ゲート
    gate land 澆口面 ゲートランド
    gib 凹形拉緊銷 キプ
    goose neck 鵝頸管 ゲースネック
    guide bushing 引導襯套 ガイドブシュ
    guide pin 導梢 ガイドピン
    guide plate 導板 ガイドブレート
    guide post 引導柱 ガイドボスト
    guide rail 導軌 ガイドレール
    head punch 頂鐓沖頭 頭付きポンチ
    making die 打印沖子 マーキング型
    manifold block 歧管檔塊 マニホールドブロック
    master plate 靠模樣板 マスタープレート
    match plate 分型板 マッチプレート
    mold base 塑膠模座 モールドベース
    mold clamp 鑄模昆固夾 鋳型締め
    mold platen 模用板 定盤
    moving bolster 換模保持裝置 ムーピングボルスター
    moving bolster plate 可動側模板 可動側型板
    one piece casting 整體鑄件 一体鋳物
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    parting line 分模線 パーティングライン
    parting loch set 合模定位器 パーティングロックセット
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    punch 沖頭 パンチ
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    pusher pin 襯套梢 プッシャーピン
    rack 機架 ラック
    rapping rod 起模杆 型上
    spindle 主軸 伝達軸
    sprue 注道 スプル
    sprue bushing 注道襯套 スプルーブシュ
    sprue bushing 注道襯套 スプルブシュ
    sprue bushing guide 注道襯套 スプルーブシュガイド
    sprue lock bushing 注道定位襯套 スプルーロックブシュ
    sprue puller 注道拉料銷 スプルプラー
    spue line 合模線 スピュライン
    square key 方鍵 角キー
    square nut 方螺帽 四角ナット
    square thread 方螺紋 四ねじ
    stop collar 限位套 ストップカラー
    stop pin 止動梢 ストップピン
    stop ring 止動環 ストップリング
    stopper 定位停止梢 ストッパー
    straight pin 圓柱銷 ストレートピン
    stripper bolt 脫料螺栓 ストリッパーボルト
    stripper bushing 脫模襯套 ストリッパブシュ
    stripper plate 剝料板 ストリッパプレート
    stroke end block 行程止梢 ストロークエンドブロック
    submarine gate 潛入式澆口 サブマリンゲート
    support pillar 支撐支柱 サポートピラ
    support pillar 頂出支柱 サポートピラ
    support pin 支撐梢 サポートビン
    drilling machine 鑽孔機 ドリリングマシン
    engraving E.D.M 雕模放電加工機 形彫り放電加工機
    engraving machine 雕刻機 形彫り機
    form grinding machine 成形磨床 成形研削り盤
    graphite machine 石墨加工機 グラファエト加工機
    horizontal boring machine 臥式搪孔機 横中ぐり盤
    horizontal machine center 臥式加工制造中心 横形マシニングセンター
    internal cylindrical machine 內賀磨床 内面研削盤
    jig boring machine 冶具搪孔機 ジグ中ぐり盤
    jig grinding machine 冶具磨床 ジグ研削盤
    lap machine 研磨機 ラップ盤
    machine center 加工制造中心 マシニングセンター
    multi model miller 靠模銑床 マルチモデルミラー
    NC drilling machine NC鑽床 NCボール盤
    NC grinding machine NC磨床 NC研削盤
    NC lathe NC車床 NC旋盤
    NC programming system NC程式制作系統 NCプログラミングシステム
    planer 龍門刨床 平削り盤
    profile grinding machine 投影磨床 輪廓研削盤
    projection grinder 投影鑽床 投影研削盤
    radial drilling machine 旋臂鑽床 ラジアルボール盤
    shaper 牛頭刨床 形削り盤
    surface grinder 平面磨床 平面研削り盤
    try machine 試模機 トライ機
    inside micrometer 內分厘卡 内側マイクロメーター
    interferometer 干涉儀 干渉器
    levelling block 平台 レべリングプロック
    limit gauge 限規 リミットゲージ
    micrometer 測微規 マイクロメータ
    mil 千分之一時 ミル
    monometer 壓力計 マノメーター
    morse taper gauge 莫氏錐度量規 モールステーパゲージ
    nonius 游標卡尺 ノギス
    optical flat 光學平品 オプチカルフラット
    optical parallet 光學平行 オプチカルプラレル
    passimeter 內徑儀 パッシメーター
    position scale 位置刻度 ボジションスケール
    profile projector 輪廓光學投影儀 プロフィールプロジェクタ
    protractor 分角器 分角器
    radius 半徑 アール
    ring gauge 環規 リングゲージ
    sine baf 正弦量規 サインバー
    smap gauge 卡規 はさみゲージ
    square master 直角尺 スコヤマスタ
    stylus 觸針 スタイラス
    telescopic gauge 伸縮性量規 テレスコピックゲジ
    working gauge 工作量規 工作ゲージ
    模具鋼材
    silicon steel sheet 矽鋼板 けい素鋼板
    stainless steel 不鏽鋼 ステンレス鋼
    tin plated steel sheet 鍍錫鐵板 プリキ板
    tough pitch copper 韌銅 タフピッチ鋼
    troostite 吐粒散鐵 トルースタイト
    tungsten steel 鎢鋼 タングステン鋼
    vinyl tapped steel sheet 塑膠覆面鋼板 ピニール鋼板
    表面處理關連用語
    age hardening 時效硬化 時効硬化
    ageing 老化處理 時効処理
    air hardening 氣體硬化 空気焼き入れ
    air patenting 空氣韌化 空気パテンチング
    annealing 退火 焼なまし
    anode effect 陽極效應 陽極効果
    anodizing 陽極氧化處理 アイダイジング
    atomloy treatment 阿托木洛伊表面 アトムロイ処理
    austempering 奧氏體等溫淬火 オーステンパー
    austenite 奧斯田鐵 オーステナイト
    austenite 奧氏體 オーステナイト
    bainite 貝氏體 ベイナイト
    banded structure 條紋狀組織 しま状組織
    barrel plating 滾鍍 バレルメッキ
    barrel tumbling 滾桶打光 バレタンブリング
    blackening 染黑法 黒染め法
    diffusion annealing 擴散退火 拡散焼なまし
    eletrolytic hardening 電解淬火 電解焼入れ
    embossing 壓花 シボ
    dtching 表面蝕刻 エッチング
    ferrite 肥粒鐵 フェライト
    first stage annealing 第一段退火 第一段焼なまし
    flame hardening 火焰硬化 炎焼入れ
    flame treatment 火焰處理 火炎処理
    full annealing 完全退火 完全焼なまし
    gascous cyaniding 氣體氰化法 ガスシアン化法
    globular carbide 球狀炭化物 球状炭化物
    globular cementite 球狀炭化鐵 球状セメンタイト
    grain size 結晶粒度 結晶粒度
    granolite treatment 碳酸溶液熱處理 グラノライト処理
    graphitizing 石墨退火 黒鉛化焼なまし
    hardenability 硬化性 焼き入れ性
    hardenabiiyt curve 硬化性曲線 焼入性曲線
    hardening 硬化 硬化
    heat treatment 熱處理 熱処理
    hot bath quenching 熱浴淬火 熱欲焼き入れ
    hot dipping 熱浸鍍 熔融めっき
    induction hardening 高周波硬化 高周波焼き入れ
    ion carbonitriding 離子滲碳氮化 イオン浸炭
    ion carburizing 離子滲碳處理 イオン浸炭窒化
    process annealing 制程退火 中間焼なまし
    quench ageing 淬火老化 焼き入れ時効
    quench hardening 淬火 焼き入れ
    quenching crack 淬火裂痕 焼割れ
    quenching distortion 淬火變形 焼きいれ変形
    quenching stress 淬火應力 焼きいれ応力
    reconditioning 再調質 リコンディニング
    recrystallization 再結晶 再結晶
    red shortness 紅熱脆性 赤熱脆性
    residnal stress 殘留應力 残留応力
    retained austenitc 殘留奧 残留オーステナイト
    rust prevention 防蝕 防せい
    salt bath quenching 鹽浴淬火 塩浴焼き入れ
    sand blast 噴砂處理 サンドブラスト
    seasoning 時效處理 枯らし
    second stage annealing 第二段退火 第二段焼なまし
    secular distortion 經年變形 経年変形
    segregation 偏析 偏析
    seleetive hardening 部分淬火 部分焼き入れ
    shot blast 噴丸處理 ショットブラスト
    shot peening 珠擊法 ショットピーニング
    single stage nitriding 等溫滲氮 一段窒化
    sintering 燒結處理 シンタリング
    soaking 均熱處理 ソーキング
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    vacuum nitriding 真空氮化 真空ガス窒化
    rater quenching 水淬火 水焼きいれ
    retout 浸潤處理 ウェットアウト
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    acetylene 乙炔 アセチレン
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    angle welding 角焊 アングル溶接
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    camber 電弧彎曲 わん曲
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    weld flow mark 焊接流痕 ウェルドフローマーク
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    welding fluz 焊劑 ウェルディングフ   ラックス
    welding ground 電熔接地 アース
    weldking interval 焊接周期 ウェルディング  インターバル
    welding stress 熔接應變 溶接ひずみ
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    射出成形關聯用語
    activator 活化劑 アクチベータ
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    caulking compound 填隙料 コーキング材
    cell 氣孔 セル
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    matched die method 配合成形法 マッチドダイ成形法
    mould clamping force 銷模力 型締力
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    parison 吹氣成形壞料 パリソン
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    plasticizer 可塑劑 可塑剤
    plunger 壓料柱塞 パランジャー
    porosity 孔隙率 気孔率
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    theology 流變學 レオロジー
    Sheet      塑膠片 シート
    fiber reinforcement 纖維強化熱固化 繊維強化熱硬性
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    high density polyethy lene 高密度聚苯乙烯HDPE 高密度ポリエチレン
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    bad wrinkle 側壁皺紋 ボデーしわ
    blacking in 冒口帶肉 深折れ
    bubble 膜泡 あわ
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    burr 毛邊 かえり
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    cemter backle 表面中部起皺 中伸び
    check 細裂痕 びびり
    checking 細裂 チェキング
    chipping 修整表面缺陷 チッピング
    clamp-off 鑄件凹痕 押し込み
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    corrosion 腐蝕 腐食
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    skin inclusion 表面擇疊 表皮引き込む
    straightening 矯直 歪み取り
    streak 條狀痕 条こん
    surface check 表面裂痕 糸きず
    concave cutter 凹面銑刀 内丸フライス
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    cross joint 十字接頭 十字継手  
    cutting edge clearance 刀口于隙角 切れ刀の逃げ角
    drill stand 鎮台 ドリルスタンド
    edge file 刀角銼刀 刃やすり
    file 銼刀 やすり
    flange joint  緣接頭 フランジ継手
    grinder 砂榆機 グラインダー
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    batching 剖面線 ハッチング
    hexagon bcaded bolt 六角頭螺栓 六角ボルト
    hexagon nut 六角螺帽 六角ナット
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    stop gate 頂注澆口 上注ぎ湯口
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    repender 翻轉裝置 アップエンダ
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    rephill casting 底鍛 アップヒル鋳造
    white cast iron 白口鑄件 ちんちん鋳物
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    brinell hardness test 布氏硬度試驗 ブリメル硬さ試験
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    histogram 柱狀圓 ヒストグラム
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    izod impact test 埃左德沖擊試驗 アイゾンド衝撃試験
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    vicat indentation test 維卡針壓陷試驗 ビカット針入り試験
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    砂輪用語
    abrasive 砂輪 砥石
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    balance 平衡 バランス
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    borazon 氧化硼立方晶 ボラゾン
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    finishing allowance 加工余量 取りしろ
    grain 磨粒 砥粒
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    drawing with ironing 變薄拉延 扱き絞り
    drew plate 起模板 ドロープレート
    draw spike 起模長針 型上げ
    dresser 砂輪整修機 ドレッサー
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    dressing 修整 ドレッシング
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    E
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    engraving machine 雕刻機 形彫り機
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    ethylene vinylacetate copolymer 乙烯醋酸乙烯EVA エチレン酢酸ビニル共重合体
    ethylene-vinylacetate copolyme 醋酸乙烯共聚物EVA エチレン酢酸ビニル共重合体
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    expander die 擴徑模 エキスパンダー型
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    film play 液面花紋 湯面模様
    fine blanking 精密下料加工 精密打ち抜き
    fine blanking press 精密下料沖床 ファインブランキングプレス
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    finish machined plate 角形模板 角形型板
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    first stage annealing 第一段退火 第一段焼鈍し
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    folding 折邊彎曲加工 折り曲げ
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    G
    galling 毛邊 かじり
    galvanized steel sheet 鍍鋅鐵板 亜鉛鉄板
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    gripper 夾具 クリッパー
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    hair crack 發裂 毛割れ
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    hand rack pinion press 手動齒輪齒條式沖床 ハンドラックピニオンプレス
    hand screw press 手動螺旋式沖床 ハンドスクリュープレス
    high speed tool steel 高速度工具鋼 高速度工具鋼
    histogram 柱狀圓 ヒストグラム
    hobbing 滾動加工 ホビング
    hollow(blow)molding 中空(吹出)成形 中空(吹出し)成形
    honeycomb 蜂巢 ハニカム
    hook cavity 鉤穴 フック
    hopper 料斗 ホッパー
    hopper feed 料斗送料 ホッパーフィード
    horizontal boring machine 臥式鏜孔機 横中ぐり盤
    horizontal machine center 臥式加工制造中心 横型マシングセンター
    horn 電極臂 ホーン
    hose nippler 管接頭 ホースニップル
    hot bath quenching 熱浴淬火 熱浴焼き入れ
    hot bend test 熱彎試驗 熱間曲げ試験
    hot chamber die casting 熱室壓鑄 ホットチャンバダイキャスト
    hot dipping 熱浸鍍 溶融鍍金
    hot forging 熱鍛 熱間段造
    hot stamping 燙印 ホットスタンプ
    hot work die steel 熱鍛模用鋼 熱間ダイズ鋼
    hot-runner mold 熱流道模具 ホットライナーモールド
    1
    idea price 希望價格 アイディア価格
    idle stage 空站 アイドル
    impact damper 緩沖器 インパクトダンパー
    inside calipers 內卡梢 内バス
    inside micrometer 內千分卡尺 内側マイクロメーター
    insurance docament 保單 保険証券
    interface 界面 インタフェイス
    inter ferometer 干涉儀 干渉器
    internal cylindrical 內圓磨床 内面研削盤
    machine
    internal porosity 內部氣孔 腐れ
    intumescence 膨脹腫大 インツメッセンス
    investment casting 精密鑄造 精密鋳造
    investment casting 失模鑄造 インベストメント鋳造
    invoice 發票 送り状
    ion carbonitriding 離子滲碳氮化 イオン浸炭窒化
    ion carburizing 離子滲碳處理 イオン浸炭処理
    ion plating 離子電鍍 イオン鍍金
    ironing 引縮加工 扱き加工
    isomer 同分異構物 アイソマー
    isothermal annealing 等溫退火 等温焼鈍し
    isothermal forging 恆溫鍛造 恒温段造
    izod impact test 埃左德沖擊試驗 アイゾト衝撃試験
    J
    jack 千斤頂 ジャッキ
    jamp up 孔眼堵塞 砥石の目詰まり
    jig 治具 ジグ
    landed positve mold 有肩柱壓式模具
    lap machine 研磨機 ラップ盤
    lapping 研磨 ラッピング
    lapping 研磨修潤 ラップ仕上げ
    laser beam machining 雷射加工 レーザ加工
    laser beam welding 雷射光焊接 レーザビーム溶接
    laser punter 雷射印表機 レーザプリンタ
    lathe cutting 車床車削 旋削
    lay out 布置 レイアウト
    lead frame 導線架 リードフレーム
    leader busher 導梢襯套 ガイドブッシュ
    lens 鏡片 レンズ
    level 水平 レベル
     
     
     
    歡迎來到Bewise Inc.的世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力,我們是提供專業刀具製造商,應對客戶高品質的刀具需求,我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求,我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質,這是現有相關技術無法比擬的,我們成功的滿足了各行各業的要求,包括:精密HSS DIN切削刀具協助客戶設計刀具流程DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計超高硬度的切削刀具醫療配件刀具設計複合式再研磨機PCD地板專用企口鑽石組合刀具粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機航空機械鉸刀主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭迎您親自體驗!!
    BW Bewise Inc. Willy Chen willy@tool-tool.com bw@tool-tool.com www.tool-tool.com
    skype:willy_chen_bw mobile:0937-618-190 Head &Administration Office
    No.13,Shiang Shang 2nd St., West Chiu Taichung,Taiwan 40356
    http://www.tool-tool.com
    / FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North
    Rd.,Taipei,Taiwan S.Branch No.24,Sec.1,Chia Pu East Rd.,Taipao
    City,Chiayi Hsien,Taiwan

    Welcome to BW
    tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting
    tools. We focus on what you need and endeavor to research the best
    cutter to satisfy users
    demand. Our customers involve
    wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic,
    machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would
    like to solve every problem from you. Please feel free to contact us,
    its our pleasure to serve for you.
    BW product including: cutting toolaerospace tool .HSS  DIN Cutting toolCarbide end millsCarbide cutting toolNAS Cutting toolNAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end milldisc milling cutter,Aerospace cutting toolhss drillФрезерыCarbide drillHigh speed steelCompound SharpenerMilling cutterINDUCTORS FOR PCDCVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) Core drillTapered end millsCVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden FingerPCD V-CutterPCD Wood toolsPCD Cutting toolsPCD Circular Saw BladePVDD End Millsdiamond tool. INDUCTORS FOR PCD . POWDER FORMING MACHINE Single Crystal Diamond Metric end millsMiniature end millsСпециальные режущие инструментыПустотелое сверло Pilot reamerFraisesFresas con mango PCD (Polycrystalline diamond) ‘FresePOWDER FORMING MACHINEElectronics cutterStep drillMetal cutting sawDouble margin drillGun barrelAngle milling cutterCarbide burrsCarbide tipped cutterChamfering toolIC card engraving cutterSide cutterStaple CutterPCD diamond cutter specialized in grooving floorsV-Cut PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert PCD Diamond Tool Saw Blade with Indexable InsertNAS toolDIN or JIS toolSpecial toolMetal slitting sawsShell end millsSide and face milling cuttersSide chip clearance sawsLong end millsend mill grinderdrill grindersharpenerStub roughing end millsDovetail milling cuttersCarbide slot drillsCarbide torus cuttersAngel carbide end millsCarbide torus cuttersCarbide ball-nosed slot drillsMould cutterTool manufacturer.
    Bewise Inc. www.tool-tool.com
    ようこそBewise Inc.の世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな
    情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。
    弊社は専門なエンドミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ
    豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。
    弊社は各領域に供給できる内容は:
    (1)精密HSSエンドミルのR&D
    (2)Carbide Cutting tools設計
    (3)鎢鋼エンドミル設計
    (4)航空エンドミル設計
    (5)超高硬度エンドミル
    (6)ダイヤモンドエンドミル
    (7)医療用品エンドミル設計
    (8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計
    弊社の製品の供給調達機能は:
    (1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計
    (2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給
    (3)小Lot生産~大量発注対応供給
    (4)オートメーション整備調達
    (5)スポット対応~流れ生産対応
    弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。
    Bewise
    Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z)
    talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır.
    Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini
    Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik
    Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel
    Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

    BW специализируется
    в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым
    высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих /
    фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и
    электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид /
    быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
    картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы,
    фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм
    для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано
    инструменты. Пожалуйста, посетите сайт 
    www.tool-tool.com  для получения большей информации.
    BW
    is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide
    material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for
    mould & die, aero space and electronic industry. Our main products
    include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card
    cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread
    reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and
    worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline
    shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please
    visit our web 
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    版1all
    Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet.
    levelling agent 勻涂劑 レべリング剤
    levelling block 平台 レべリングブロック
    lifting pin 起模頂銷 持ち上げピン
    limit gange 限規 リミットゲージ
    lining 內襯 内張り
    liquid honing 液體噴砂法 液体砥上法
    loader 供料器 ローダー
    loader 裝載機 ローダアンローダー
    loading shoe mold 料套式模具 充てん室付き金型
    loeating center punch 定位中心沖頭 位置止めパイロットポンチ
    locating pilot pin 定位導梢 位置止めパイロットピン
    英文 中文 日文
    magnetie base 磁性座 マグネットべス
    maintenance 維修保固 メンテナンス
    making die 打印沖子 マーキング型
    malleablizing 可鍛化退火 可段化焼鈍し
    manifold block 歧管檔塊 マニホールドブロック
    manifold die 分歧管模具 マニホールドダイ
    maraging steel 馬達體高強度熱處理鋼 マルエージング
    margin 利潤 マージン
    marking 刻印加工 刻印加工
    market 市價 相場
    martempering 麻回火處理 マルテンバ処理
    martens heat distortion temperature test 馬頓斯耐熱試驗 マルテンス熱変形温度試験
    martensite 硬化鐵炭 マルテンサイト
    marthix alloy 馬特里斯合金 マトリックス合金
    master graphite 標准電極 マスター電極
    master plate 靠模樣板 マスターブレート
    match plate 分型板 マッチプレート
    matched ide method 對模成形法 マッチドダイ成形法
    matched ide mathod 配合成形法 マッチドダイ成形法
    matched monld thermal forming 對模熱成形法 マッチドモールド成形法
    meehanite metal 米漢納鐵 ミーハナイトメタル
    meehanite cast iron 米漢納鑄鐵 ミーハナイト鋳鉄
    melamine resin 三聚氨胺酚醛樹脂MF メラミン樹脂
    memory 記憶 メモリ
    monkey wrench 活動扳鉗 モンキーレンチ
    monometer 壓力計 マノメーター
    morse taper gauge 莫氏錐度量規 モールステーパーゲージ
    motor 馬達 モーター
    mottle 斑點 まだら
    mould clamping force 鎖模力 型締力
    mould release agent 脫模劑 離型剤
    mouse 滑鼠 マウス
    moving bolster 換模保持裝置 ムービングボルスター
    moving bolster 活動工作台 ムービングボルスター
    moving bolster plate 可動側模板 可動側型板
    mullen bursting strength tester 密謙式破裂強度試驗機 ミューレン形破裂強さ試験機
    multi model miller 靠模銑床 マルチモデルミラー
    multi cavity mold 多模穴模具 多数個取り金型
    multi gatc mold 復式澆口模具 多数ゲート金型
    N
    NC drilling machine NC銑床 NCボール盤
    NC grinding machine NC磨床 NC研削盤
    NC lathe NC車床 NC旋盤
    NC programming system NC程式制作系統 NCプログラミング
    necking 縮頸 くびれ
    necking 頸縮加工 くびれ加工
    necking 頸縮加工 くびれ加工
    need 需求 ニーズ
    one piece casting 整體鑄件 一体鋳物
    opening 排料逃孔 オープニング
    optical flat 光學平晶 オプチカルフラット
    optical parallel 光學平行 オプチカルパラレル
    option 選擇 オプション
    orange peel 桔皮狀割面缺陷 肌荒れ
    order 訂單 オーダー
    oriented film 取向薄膜 延伸フィルム
    out of roughness 真圓度 真円度
    overageing 過老化 過時効
    overflow 溢流 吐かせ
    overheating 過熱 過熱
    overlaying 堆焊 肉盛り溶接
    overload protection device 防超載裝置 負荷防止装置
    overlooked 疏漏 見落し
    ozone resistance test 抗臭氧試驗 耐オゾン性試験
    P
    packing 包裝 荷造り
    pamphlet 小冊子 パンフレット
    parallel block 平行墊塊 パラレルブロック
    parameter 參數 パラメーター
    paareto diagram 柏拉圖 パレート
    parison 吹氣成形壞料 パリソン
    partial shipment 分批裝船 分割積み
    pinch roll 導正滾輪 ピンチロール
    pinchers 鉗子 ペンチ
    pinhole tester 針孔試驗機 ピンホールテスター
    pinion 小鹵輸 ピニオン
    pipe graphite 管狀電極 パイブ電極
    pit 坑 ピット
    pitch 節距 ピッチ
    pitting corrosion 點狀腐蝕 孔食
    plane strain 倒角應力 面歪み
    planer 龍六刨床 平削り盤
    planing 刨削加工 平削り
    plasma nitriding 離子氮化 イオン窒化
    plaster mold 石膏模 石膏型
    plastic 塑膠 プラスチック
    plasticizer 可塑劑 可塑剤
    plate 襯板 受け板
    plate mark 模板印痕 プレートマーク
    pliers 老虎鉗 ペンチ
    plotter 繪圓機 プロッター
    plug 柱塞頭 プラグ
    plug mill 蕊棒軋管機 プラグミル
    plug welding 塞孔溶接 プラグ溶接
    plunger 壓料柱塞 バランジャー
    pock 麻點 痘痕
    polyvinylidenechloride 聚偏二氯乙烯PVDC ポリ塩化ビニルデン
    porosity 孔隙率 気孔率
    porous mold 通氣性模具 通気性金型
    port of destination 目地港 仕向港
    port of trans-shipment 轉口港 中継港
    position scale 位置刻度 ポジションスケール
    positioned welding 正向熔接 ポジション溶接
    positive mold 全壓式模具 ポジティブモールド
    pouring proces 澆注法 鋳込み法
    powder forming 粉末成形 粉末成形
    powder metal forging 粉末鍛造 粉末段造
    pre extrusion punch 預擠沖頭 荒い押杵
    pre-annealing 預備退火 予備焼鈍し
    precipitation/extraction 析出 析出
    precipitation hardening 析出硬化 析出硬化
    precision forging 精密鍛造 精密段造
    prehardened steel 預硬鋼 ブリーはードン鋼
    premix 預混料 ブリミックス
    prepolymer 預聚物 ブリポリマー
    press forging 沖鍛 プレス段造
    press quenching 加壓硬化 プレス焼き入れ
    pressfit 壓入 圧入
    pressure die 壓緊模 押型
    pressure welding 壓焊 圧接
    punch 沖頭 ポンチ
    punching die 落料模 打ち抜きダイス型
    purchase 購入 仕入れ
    purchasing agent 采購代理商 仕入代理店
    pure nickel electrode 純鎳熔接條 純ニッケル溶接棒
    purging 清除 バージング
    pusher 推杆 プッシャー
    pusher feed 推杆式送料 プッシャーフィード
    pusher feeder 料片押片裝置 プッシャーフィーダー
    pusher pin 襯套梢 プッシャーピン
    Q
    quench ageing 淬火老化 焼入れ時効
    quench hardening 淬火 焼入れ
    quenching crack 粹火裂痕 焼割れ
    quenching distortion 粹火變形 焼入れ変形
    quenching stress 淬火應力 焼入れ応力
    quick die change system 快速換模系統 クイックダイチェンジ装置
    quotation 報價單 見積書
    R
    rack 機架 ラック
    radial drilling machine 旋臂鑽床 ラジアルボール盤
    radius 半徑 半径
    raising (embossing) 壓花起伏成形 レイジング
    rapping rod 起模杆 型上げ
    resist 抗蝕護模 レジスタ
    restriking 二次精沖加工 リストライキング
    retained austenite 殘留奧 残留オーステナイト
     
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    BW Bewise Inc. Willy Chen willy@tool-tool.com bw@tool-tool.com www.tool-tool.com
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    (2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給
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    cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread
    reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and
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