那一篇版大覺得最為簡潔有力的方式去毒,
而以下的這一篇則是比較大範圍的防治方法,
版大自已是比較偏向中了再說加上偶爾用卡巴對隨身碟掃毒,
由於隨身碟愈趨便利,
因此市上面也愈來愈多針對usb隨身碟的防毒程式,
下面的文章中就有推薦二款還不錯的軟體

| 编号 | 中国 | 前苏联 | 美国 | 日本 | 瑞典 |
| 1 | 5CrMnMo | 5XrM |
| SKT3 |
|
| 2 | 5CrNiMo | 5XHM |
| SKT4 |
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| 3 | 4Cr5MoVSi | 4X5MψC | H-11 | SKD6 |
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| 4 | 4Cr5MoV1Si |
| H-13 | SKD61 | 8402 |
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| 4Cr5MoV1Si |
| H-13 | DAC | 8407 |
| 5 | 3Cr2W8V | 3X2B8ψ | H-21 |
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| 6 | 4Cr5W2VSi | 4X2B8ψ |
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| 7 | 3Cr4W2Mo2V | 3X4B2M2ψ(πu-470) |
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| 8 | 40Cr2SiWMoVAe | 40X2CBMψm(πu-640) |
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| 9 | 4Cr5WMoVSi | 4X5BMψC | H-12 |
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| 10 | 4Cr4Mo2WVS | 4X4M2BψC(πu22) |
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| 11 | 3Cr3Mo3V | 3X3Msψ | H-10 |
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| 12 | 45Cr3W3MoV$i | 45X3B2MψC(πu23) |
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| 13 | 4Cr3W5Mo3V | 4X3B5M2ψC(πu-471) |
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| 14 | 3Cr3-3Mo系 |
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| SKD7 |
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| 15 | 3N13Mo系 |
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| DH75 |
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| 16 | 20Cr2Mo2WVNiCo |
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| YHD-3 |
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| 17 | 4Cr5W5 |
| H-14 |
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| 18 | 4Cr4W4MoV2C04 |
| H-19 | SKD8 |
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| 19 | 4Cr3W11V |
| H-22 |
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| 20 | 见表3 |
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| QRO-80M |
| 21 | 见表3 |
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| QRO-90M |
| 22 | 55CrNiMoV6 |
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| 德国2713 |
| 23 | 5Cr4Mo3SiMnVAe(012Ae) |
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| 24 | 6Cr4Mo3Ni2WV(CG·2) |
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| 25 | 35Cr3Mo3W2V(HM-1) |


![]() 图2 倒角磨刀样板 |
![]() 图1 直线造型误差 |
![]() 图2 圆弧造型误差 |
![]() 图3 双曲线拟合 |
![]() 图4 双曲线造型误差 |
| 造型方法 | 造型误差(µm) | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| e1 | e2 | e3 | e4 | ∆e | |
| 直线拟合 | 5.89 | -5.84 | 5.86 | … | 11.73 |
| 圆弧拟合 | 0.326 | -0.384 | 0.308 | -0.329 | 0.674 |
| 双曲线拟合 | 0.577 | -0.503 | 0.570 | -0.56 | 1.133 |
| 共晶碳化物 不均匀度等级 | 出现过热(晶粒度8#)的 淬火温度(±5℃) |
|---|---|
| ≤3 | 1260℃ |
| 3.5 | 1250℃ |
| 4.5 | 1245℃ |
| 7.5 | 1240℃ |
| 8.5 | 1230℃ |