演講人:汪大永 副教授
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轉述:
一.離子束材料表面改質技術發展概述
*60年代離子植入技術首先在半導體元件上得到了應用,進而使用離子植入技術替代了傳統的熱擴散方法形成了微細加工技術,推動和促進了大規模積體電路的發展。
*70年代非半導體材料離子植入技術開始發展,首先英國哈威爾原子能研究中心發展了強流氮離子源,使氮離子束材料表面改質技術在各國得以很快的發展,幾十個氮離子注入中心在世界各地相繼建成。
*80年代以來,強流金屬離子源-MEVVA離子源、電漿沉浸式離子植入技術(PIII)等分別開始得到發展,進而促進和推動離子束材料表面改質技術應用和發展。
二.離子束材料表面改質系統之特性
(1).半導體離子植入技術

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(2). 植入離子與工件之關係

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鞘層厚度隨偏壓變化
(4). 抑制X-ray產生量

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(9). 製程電壓vs.鞘層厚度

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(2). MEVVA源離子植入系統

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(6)植入劑量與改質效果

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(3). MEVVA+PVD混合系統示意圖

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B.機械性質
Ti2+/TiN 刮痕軌跡觀察

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磨耗軌跡觀察

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AES

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