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BW刀具鍍TiN測試文章1-2
國立勤益技術大學
教授：張子欽博士
碧威股份有限公司
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國立勤益技術大學
教授：張子欽博士
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碧威股份有限公司
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圖示： BW碧威股份有限公司針對客戶端改善切削方式、提供專業切削CNC數控刀具專業能力、製造客戶需求如：Cutting tool、切削刀具、HSS Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、Carbide end mill、Aerospace cutting tool、Carbide drill、High speed steel、Milling cutter、Core drill、鎢鋼銑刀、航太刀具、鎢鋼鑽頭、高速剛、鉸刀、中心鑽頭、Taperd end mills、斜度銑刀、Metric end mills、公制銑刀、Miniature end mills、微小徑銑刀、鎢鋼切削刀具、Pilot reamer、領先鉸刀、Electronics cutter、電子用切削刀具、Step drill、階梯鑽頭、Metal cutting saw、金屬圓鋸片、Double margin drill、領先階梯鑽頭、Gun barrel、Angle milling cutter、角度銑刀、Carbide burrs、滾磨刀、Carbide tipped cutter、銲刃刀具、Chamfering tool、倒角銑刀、IC card engraving cutter、IC晶片卡刀、Side cutter、側銑刀、NAS tool、DIN tool、德國規範切削刀具、Special tool、特殊刀具、Metal slitting saws、Shell end mills、滾筒銑刀、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、交叉齒側銑刀、Long end mills、長刃銑刀、Stub roughing end mills、粗齒銑刀、Dovetail milling cutters、鳩尾刀具、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、鎢鋼圓鼻銑刀、Angeled carbide end mills、角度鎢鋼銑刀、Carbide torus cutters、短刃平銑刀、Carbide ball-noseed slot drills、鎢鋼球頭銑刀、Mould cutter、模具用刀具、BW微型渦流管槍、Tool manufacturer、刀具製造商等相關切削刀具、以服務客戶改善工廠加工條件、爭加競爭力。

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BW刀具鍍層薄膜檢驗儀器說明
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圖示：

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Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述SIMS
不同退火溫度試片，以Cs+的離子束測二次正離子的縱深分佈。在縱深分佈中，以圖中各層的半波高來定義各層之間厚度，可看出各層厚度大約符合，另外在銅和氮化鉭界面處沒有擴散的趨勢，所以在退火後也未發現銅有擴散現象。

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Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述在銅晶種層上，無電鍍0.3μm厚銅膜之X光繞射圖，與銅晶種層比較後，I（111）/I（200）比值增加，無電鍍銅膜是以銅晶種層的優選方向成長，這個結果證明以離子束濺鍍沉積銅的晶種層的確會改善後續無電鍍銅膜的性質。
另外退火可以消除晶粒中的缺陷，並使儲存的能量被釋放出來，這些能量主要來自無電鍍銅晶粒成長時為了降低表面能，晶粒之間相互吸引，產生一種拉伸應力，一旦這些能量經由退火被釋放出來，銅膜的織構（texture）會以較穩定的結晶面來存在。
就積體電路的製程而言，銅金屬層的退火溫度不能過高，第一是因為各層的材料其熱膨脹係數會不同，而在高溫時會造成熱應力過大，進而使銅膜發生破壞。
退 火處理可以降低電阻率，主要是因為消除細小的晶粒使晶界較少，銅金屬層更緻密。另一個主要原因則是因為退火改變了銅金屬層的織構，使（111）面的比例增 加。銅屬於面心立方晶體結構（fcc），在這種晶體結構中，最密的堆積面就是（111）。由於原子排列的關係，使最密堆積面上的電阻值會比其他結晶面要低 一些。

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BW薄 膜 材 料 技 術1-10www.tool-tool.com 圖示：Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述

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BW薄 膜 材 料 技 術1-9www.tool-tool.com 圖示：Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述

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Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述離子束濺鍍沉積參數及調變範圍
圖示：

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Bewise Inc.www.tool-tool.com轉述A.微觀結構
圖示： (c)C+/TiN (TiN 植入 C+ )
CAE製程前於界面植入適當劑量有助於後續鍍膜成長之緻密性。
表面活化dislocation density增加提昇nucleation sites 。
磨耗壽命量測

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