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奈米碳管是在碳簇研究的剌激之下而誕生的,是只由碳原子所形成的碳的新物 質。奈米級的圓筒狀結構。具有特微為碳原子螺旋狀排列之一般物質沒有的特徵。因此，它表現出電的特性、拉張強度、復原性、熱導性等等優異的特徵，從基礎科 學到工業的應用遍及廣泛的領域，皆受到學者相當大的注意，因此研究有突飛猛進的發展。

8-2 奈米碳管之發現

在奈米材料 裡，奈米碳管(見圖一)是最知名的一種奈米材料。奈米碳管的中空結構是第三種純碳結構，此種中空結構稱之為『碳簇』。第一種純碳結構是石墨結構，第二種是 鑽石結構。在介紹奈米碳管前先介紹碳六十(見圖二)

圖一　奈米碳管

圖二　C-60分子結構圖

        碳六十原是太空中所發現的物質，一九八五年英國化學家柯爾托成功解出碳六十的結構；美國化學家史莫利首先於地球用雷射激光在石墨上製造出碳六十，另一位德 國化學家柯爾特舒馬可以一之製造出數克重的碳六十，後來這三位化學家合拿了一九九七年的諾貝爾化學獎。

        碳六十顧名思義為六十個碳原子娋成的中空體，其直徑僅為一奈米長。碳六十因其形狀剛好像一顆足球，故又稱Buckyball，可稱為奈米世界的足球。

        爾後，科學家們又製造出碳七十(見圖三)、碳八十四，甚至碳一百多的碳球。

圖三　C-70分子結構圖

        一九九一年一月，日本NEC公司基礎研究實驗室的飯島澄男用碳電弧放電法合成碳六十分子時，發現一些針狀物，利用高解析穿透式電子顯微鏡(High Resolution Transmission Electron Microscope, HR-TEM)觀察這些針狀物，發現針狀物為奈米級大小的多層同軸中空的碳管，現在我們稱之為多層奈米碳管(Multiwall Carbon Nanotube, MWCNT，圖四)。爾後一九九三年，又發現單層奈米碳管(Single wall Carbon Nanotube, MWCNT，圖一)。飯島澄男的重要發現馬上引起各國、各個科技方面的研究人員的注目，從而探討了解奈米碳管的特殊結構與優良性質。

圖四　多層奈米碳管

8-3 奈米碳管之結構

採用高解析電鏡技術對碳奈米管的結構研究證，明多奈米碳管一般由幾個到幾十個單壁碳奈米管同軸構成，管間距為0.34nm左右，這相當於 石墨的{0002}面間距，碳奈米管的直徑為零點幾奈米至幾十奈米，每個單壁管側面由碳原子六邊形組成，長度一般為幾十奈米至微米階，兩端由碳原子的五邊 形封頂，單壁碳奈米管可能存在三種類型的結構，分別稱為臂奈米管、鋸齒形奈米管和手性形奈米管，如圖五所示，這些類型的碳奈米管的形成取決於原子的六角點 陣二維石墨片是如何?#25458;起來?#24418;成圓筒形的。

圖五　三種類型的碳奈米管

不同類型可依據 一個碳奈米管的單胞來進行解釋，圖六中示出的OAB’B方框為碳奈米管的一單胞，手性矢量和為單位矢量，n和m為整數，手性角為手性矢量與之間的夾角，在此圖中n=4, m=2[(n,m)=(4,2)]，為了形成奈米管，可以想像，這個單胞OAB’B被捲起來，使O與A,B與B?#30456;重合，端部用二分之一富勒 烯封頂，從而形成碳奈米管。不同類型的碳奈米管具有不同的m,n值。

圖五　(n,m)=(4,2)時，二維石墨片上形成碳奈米管 的單胞示意圖

當石墨片捲起來形成奈米管的圓筒部分，手性矢量的端部彼此相重，手性矢量形成了奈米管圓形橫截面的圓周，不同的m和n值導致 不同奈米管結構。

碳奈米管的性能由它們的直徑和手性角來確定，而這兩個參數又取決於n和m值，直徑為石墨片上近鄰碳原子的間距，

        當 n=m, 時形成單臂奈碳管(armchair nanotube)

           n=0或m=0, 則為鋸齒形奈碳管(zigzag nanotube)

           n=0或m=0, 時則為手性奈碳管(chiral nanotube)

        奈米碳管可為金屬性或半導體的，有1/3小直徑的CNT是金屬的，而其餘為半導體。一般當(n-m)=3i (i為整數值)時，這種(n,m)奈米碳管為金屬性的，所有的單臂CNT是金屬性的，手性和鋸齒奈米管中，部份為金屬性，部份為半導體性。

8-4 奈米碳管的特性

碳奈米管具有與金剛石相同的導熱和獨特的力學性質，其抗張強度比鋼的高100倍；楊氏模數高達 1TPa左右；延伸率達百分之幾，並具有良好的可彎曲性；單壁奈米碳管可承受扭轉形變並可彎成小圓環，應力邱除後可完全恢復到原來狀態；壓力不會導致碳奈 米管的斷裂，這些十分優良的力學性能使它們有潛在的應用前景，例如，它們可用作複合材料的增強劑。

l Unique structure / geometry:

Diameter: 1-50nm; length: 1-10micron

Closed hollow tube

Structural perfection (in principle)

l Excellent mechanical and thermal properties:

Young’s modulus~1TPa (same as diamond)

Ductile (fracture strain~5-10%)

High thermal conductivity (in principle)

l Novel electronic properties:

l Excellent electron field emitter:

Emission threshold~1V/um

Materials

Young’s

Modulus (GPa)

Tensile strength

(GPa)

Density

(g/cm³)

Single-walled NT

1054

~150

Multi-walled NT

1200

~150

2.6

(10, 10) Nanorope

563

~75

1.3

Type I C fiber

350

2.5

2.6

Steel

208

0.4

7.8

Epoxy

3.5

0.05

1.25

Wood

16

0.08

0.6

8-5 奈米碳管的製程

(一) 製程種類

(1) 電弧放電法 (Electric Arc Discharge)

(2) 雷射蒸發法 (Laser Ablation)

(3) 化學氣相沈積法 (Chemical Vapor Deposition)

(a) Thermal CVD

(b) MPECVD (Microwave Plasma Enhance CVD)

(c) ECRCVD (Electro cycroton Resonance CVD)

(二) CVD成長機制

(三) 各種製程比較

                目前奈米碳管的合成技術包括弧放電法、電射濺鍍法(laser ablation)、化學氣相沈積法(chemical vapor deposition, CVD)等。其中利用CVD來合成奈米碳管所需的溫度較低，且可進行選區定址成長，並可整合製造場發射器所需之其它結構以及控制電路，目前為製作奈米碳管 場發射顯示器最主要的技術之一。由於選區定址成長技術是製造奈米碳管場發射器所必須，因此也成為目前極為熱門的研究重點之一。

8-6 奈米碳管的應用

由於奈米碳管的彈性極高，其張力強度比鋼絲強上百倍，但重量卻極輕，且兼具金屬的性質與半導體的性質，故奈米碳管的應用範 極廣，可以用作電路中的連接件、可以用作電路開關、可用在平面顯示器等。奈米碳管的發現者飯島澄男預估：二００五年至二０一０年左右就可製造出省電、厚度 僅數公釐的大面奈米碳管顯示器。

        預期在五年至十年內，奈米碳管電池也將開發出來，奈米碳管具有極高儲存電力，但極輕的重量，可改善現有電池所有的缺點，如同電池工業的一場革命，未來對電 動汽車工業極有幫助。

        二０一０年左右，以矽為材料的微米級電子電路技術將走到盡頭，奈米碳管將成為替代矽和其他半導體材料的最佳材料，可以開發出比現有傳輸速度與密度高五十倍 至一百倍，且省電效益高五十倍至一百倍的電子設備。

        如何製造一個不易損壞、耐用的探針是奈米產業的另一課題，目前己有人用奈米碳管為探針，因為奈米碳管的彈性極高不易折損，且導電性高不易起化學變化，為理 想的探針材料之一。

        另外，碳六十似乎也為愛滋病帶來一線曙光，碳六十的足球狀化學結構的鍵結，能快速地與HIV病毒結合，減低毒素與阻止HIV病毒擴散，這將促使生技醫藥公 司開發新的碳六十藥物

        如果奈米碳管生產成本降到每公克三十三美元，且年產量可達一噸，將可供應產值達數十億美元的電腦及電視顯示器。如果價格降到每公克二十二美元，則更多產業 都能運用奈米碳管，例如可做雷達無法偵測的隱形飛機的機殼。如果降到四．四美元，則可運用於一般日常生活用品，例如手機、筆記型電腦、PDA的螢幕。

日 本2003年奈米科技大會 (Nanotech 2003)，會中約有近200家廠商、400個攤位介紹各項奈米技術研發與應用現況，其中也不乏許多碳奈米管的研發與應用實例，例如日本產業技術總合研究 所(AIST)的Noritake Itron Corp.在展示會場中展示全世界首座40吋的碳奈米管場發射顯示器(CNT-FED)。

藉 由發展CNT－FED 技術，除了不僅保留傳統陰極射線影像的品質，並具有省電及薄型(厚度可僅數公釐)等優點，未來再結合碳奈米管其他特性，則有機會發展成為兼具低驅動電壓、 高發光效率、低成本、視角大及省電的大尺寸全新平面顯示器。在儲能材料的應用上也是碳奈米管最近相當熱門的研發重點，根據研究指出，未來不管在鋰離子電池 或是汽車燃料電池等用途上，一旦可以成功開發出以碳奈米管為材料基質的相關組件，將可發揮比目前大數十倍之儲能效果。

2002年北加州 大學 Chapel Hill的物理學家與Applied Nanotechnology公司的研究人員利用碳奈米管陣列(carbon nanotube array)製造出新一代的X光源。由於這個陣列可以在室溫底下操作，因此整個儀器的操作溫度遠低於現有的設計，而且體積也大幅縮小。此外，研究人員也發 現新的X光源具有更優良的聚焦性、更短的反應時間，X光脈衝的波形也可以根據需要而加以修改，以利於追蹤移動的目標。

        IBM於紐約的實驗室在2001年六月利用奈米碳管製作出NOT邏輯閘。同年，美國哈佛大學Charles Lieber等人利用奈米金屬線等建構了類似的邏輯運算電路。不同的是，Lieber等人對其所使用的奈米線的電性有較好的控制，其利用矽和氮化錠生成P 型和N型的奈米金屬線，然後將兩條奈米金屬線相互交錯，交錯點便相當於一顆電晶體，然後再將這些電晶體聯結起來形成邏輯運算電路。不同於傳統邏輯運算電路 所使用的Top down微影蝕刻的製造方式，Lieber等人乃是利用Bottom up組裝的方式來製備元件，這樣的方式將有助於大量製造和測試其所生產出來的電路。

        此外，由於奈米碳管具有高長徑比(aspect ratio)、尖端曲率半徑小、高結構強度、化學性質穩定、低啟動電場的高發射電流等特性，目前被視為絕佳且最有潛力的場發射顯示器材料，由於單壁奈米碳 管的平均直徑約在1~2nm，若使用單壁奈米碳管來做為製造陰極場發射顯示器的材料，則其將會是相當尖銳的理想電子發射源，場發射閥值可降低到10V左 右，產生較低能耗的新型平板場發射顯示器。圖六為單壁奈米碳管顯示器的結構示意圖。

圖六　(a) 單壁奈米碳管顯示器結構示意圖　(b)場發射器放大圖

        當物理尺寸到達奈米等級時，電子的充放電過程便不再是連續的，而是量子化的。電子必須單個單個電子進行傳輸，充入單個電子的能量被稱之為庫倫阻絕能，而此 種在奈米尺度下單個單個電子傳輸的特性便被稱為庫倫阻絕效應。單電子電晶體的中心島可以由單個分子組成，如液晶分子、碳六十、奈米碳管等，圖七分別為以奈 米碳管和碳六十為中心島的實例。

圖七　單電子電晶體應用例　(a) 以奈米碳管 (b) 以碳六十為中心島

8-7 結論

由於碳奈米管具有高強度(例如機械強度比鋼強上數十倍)、高韌性、質量輕、可撓曲、高表面 積、表面曲度大、高熱傳導度及熱穩定性、導電性特異等特性；因此在其未來應用上，可說是種蘊藏無限可能的夢幻材料。

由於目前大量製造高純 度及高均勻性碳奈米管仍具相當難度，使得目前碳奈米管的價格與品質差異極大(純度高、品質穩定的CNT，其價格大約是每公克數百美元以上，約是黃金價格的 數十倍)，因此目前其產業應用性仍受限制。碳奈米管未來是否能成功的應用在材料、化工、顯示器及其相關產業，實需仰仗經濟且純度高、品質穩定的製造合成方 法。

1997年諾貝爾化學獎得主Smalley教授著眼於碳奈米管驚人的應用性和商業價值潛力，成立了專門大量生產碳奈米管的「奈米科技 公司」，並預估未來碳奈米管的市場將有機會達到每年一千億美元右。而隨著生產技術及產量的大幅提升，未來若碳奈米管的價格有可能降到每公克5美元左右，則 其應用範圍將更可能遍及一般日常生活用品，例如衣服、手機、筆記型電腦、PDA的螢幕等。

8-8 奈米碳管科技集錦

奈米 碳管能放射x-rays

北卡萊納大學研究人員使用奈米碳管製作場發射陰極，可放射出x-ray輻射線，適用作為可式醫學用及工業用x- ray偵檢設備。北卡萊納大學奈米尺度材料研究中心Otto Zhou教授研究群與Applied Nanotechnologies公司合作共同開發奈米碳管矩陣陰極可在室溫條件發射x-rays，亦即使用奈米碳管產生電子束其可deliver a sufficient x-ray flux for medical imaging

奈米碳管元件優點：

l The device is smaller and cooler than previous designs

l Its x-ray pulses are more focused

l The response time of the generator is sharper than previous models

l The pulse shape can be programmed in order to tracking of moving objects

l The size of the x-ray tube can be reduced and the power consumption is low

l The x-ray tubes with higher imaging resolution for medical and industrial applications

然此項研究所開發之奈米碳管x-ray發射裝置仍需二至三年後才能完全應用於醫學及工業用途。

單 層奈米碳管高效率精製法
東京理科大學石井忠浩教授與角田勝則助教授開發高效率精製奈米碳管的方法。一般實驗採用電弧放電及金 屬粒子觸媒製造單層奈米碳管，多數的碳管糾纏在一起，中間含有相當量的金屬粒子觸媒。

新方法首先加熱除去覆蓋金屬粒的煤煙，與凝膠一起放 入水中照射超音波，結果凝膠會浸透至奈米碳管塊中，並覆蓋在各碳管的表面，自然就把糾纏解開，接著用高濃度的鹽酸分解觸媒與凝膠，並過濾。

以 重量換算，含40％金屬粒子觸媒的單層奈米碳管在用新法處理一次後，含量減為13%左右。由於新法不必加熱，所以不會損及碳管。

奈 米碳管新製法

奈米碳管新製法日本JFCC(精密陶瓷中心)與東海 Carbon公司共同開發奈米碳管的新製法。而且已經確認可以量產的是能使半導體性能大幅提昇的「鋸齒」型奈米碳管。
利用新製法製造的奈米碳管， 其直徑為3nm、長度為1μm程度的奈米管束；所使用的材料為碳化矽。在接近真空狀態下照射雷射，加熱至1600℃左右，在材料的表面形成薄薄的奈米管 層。經過加熱方法及空氣濃度的改良，成功精製出均質的奈米管。

圖 JFCC等開發的奈米碳管照片。左上為腑視照片

純度高的雙層奈米碳管

三菱商事公司與名古屋大學共同開發雙層奈米碳管(DWCNT)的新製法，其 最大特點是可以生產形狀一致且高純度型，其耐久性亦可提高。
高純度雙層奈米碳管之製法，除改良電弧放電法之電弧放電外，觸媒與放電時使用的氣體也 都加以變更，成功的製得只有一種形狀，即內徑1.2nm，外徑 2.0nm的細長DWCNT。再經過化學精製，可將純度提高至95%以上。
DWCNT 的電子放出能力為單層奈米碳管的2-10倍，期待其成為下一代薄型電視備受矚的高電場放出型顯示器(FED)的應用。

小而冷的 X 光源的碳奈米管在醫學上的應用

[轉錄]

醫學用的 X 光源近百年來一直沒有太大的改變，其原理大抵上是利用陰極射線管發出的電子撞擊特定的金屬靶然後發出 X 光。由於要將陰極管加熱到攝氏一千度以上的高溫，以及必須提供加速電子空間，所以這一類 X 光源往往需要消耗不少能量以及佔有一定的體積。

最 近 Univ. of N. Carolina at Chapel Hill 的物理學家與 Applied Nanotechnology 公司的研究人員利用碳奈米管陣列(carbon nanotube array)製造出新一代的 X 光源。由於這個陣列可以在室溫底下操作，因此整個儀器的操作溫度遠低於現有的設計，而且體積也大幅縮小。此外，研究人員也發現新的 X 光源具有更優良的聚焦性、更短的反應時間，X 光脈衝的波形也可以根據需要而加以修改，以利於追蹤移動的目標。

研究人員利用碳奈米管製 造體積小又節省能源的 X 光源。 這項發明將可以提供一般或高解析度醫學用 X 光影像，並可應用於小型可攜式 X 光機的製造。

原 始論文： Generation of continuous and pulsed diagnostic imaging x-ray radiation using a carbon-nanotube-based field-emission cathode Yue et al., App. Phys. Lett. 81 355-357 (2002).

奈米碳管電晶體的最新發展狀況

隨著奈米科技的發展，奈米碳管(CNT)受到眾所矚目。IBM利用CNT 成功製造電晶體，甚至做出簡單的電路。該研究部門的T. J. Watson，針對最近的研發狀況做了一番說明。
所謂CNT是一種具備多重特性的 巨大碳分子，有單層CNT(SWCNT)和多層CNT(MWCNT)兩種。且因鏡映(Reflection)對稱性的不同，分為顯示金屬導電性者(m- CNT)與顯示半導體性質者(s-CNT)。這次在IEDM2002 Report中所發表的是利用s-CNT構成電晶體之方法。
s-CNT電晶 體所指是利用s-CNT為管道(Channel)，源極電極由貴金屬構成，而夾住摻雜Si 的Gate氧化膜為閘極電極。其構成雖然簡單，製造卻相當困難。在目前的CNT合成方法當中，m-CNT和s-CNT係以束形混雜生成。若使用m-CNT 和s-CNT的混雜束構成電晶體，Conductance-Gate電壓特性雙方結合之後並不具備正常電晶體的功能。因此，為了製作CNTFET，只能使 用s-CNT，而且此製程較慢，在管中會遭到破壞，生產性降低。IBM則突破設計，在束中通過高電流，單單破壞m-CNT的方法來解決此問題。
其 次，由此法所生成的CNTFET是屬於p型的FET。為了製作電路，還需要n型的FET。關於此，可在真空氣氛下進行CNTFET退火處理，則可脫氧變成 n型的CNTFET。此變化為可逆，氧正巧是p型半導體的摻雜劑。根據研究，就CNT和電極的接合部分而言，氧的吸附是其原因所在。不論如何，依據此法能 夠生成n型的CNTFET。
IBM表示，CNTFET與現存Si MOSFET比較之下擁有十足的競爭力。唯其還存在著Transconductance(3.3μS)等的問題需要解決。
IBM利用p型 CNTFET和n型CNTFET製作出轉換器(Inverter)電路。其製造方法是先並列生成兩個n型的CNTFET，之後一方以 PMMA遮蔽，使吸附氧﹔另一方未以PMMA遮蔽的則變成p型的CNTFET，再將此p型和n型CNTFET組合成轉換器電路。據IBM發表數據顯示，擁 有漂亮的轉換器電路特性。
在此次發表中，IBM還提及Boron Nitride Nanotube(BNT)。該BNT全數為半導體，能否構成奈米碳管陣列元件尚不得而知。今後的課題是CNT的特性和位置、Schottky Barrier能否完全掌控，如何達到元件組成的最適切化，以及大規模集積方法的開發等。

表　各種電晶體形態的比較

電 晶體形態

p-CNTFET

Bulk p-MOSFET

SOI p-MOSFET

Lgate(nm)

260

15

50

Tox(nm)

15

1.4

1.5

Ion(μA/μm)

2100

265

650

Ioff(nA/μm)

-150

<-500

-9

Subthreshold Slope(mV/dec)

130

-100

70

Transconductance (μS/μm)

2321

975

650

可自由控制傳導性的奈米碳管

日本名古屋大學與韓國漢城大學共同合作，成功開發出可自由控制奈米碳管之導 電性的技術。將含有金屬的筒狀碳分子富勒烯(Fullerene)擠入管內，將來可望做成直徑數nm的超微細半導體元件。
將極小的富勒烯注入呈筒 狀並列、直徑1nm的奈米碳管中，富勒烯在成核之處會呈含有釓原子的金屬內包型。
以高解析度的掃描隧道顯微鏡(STM)觀察發現，有富勒烯存在的 Tube電流較易於通過。這雖是在零下269℃極低溫下觀察到的結果，但名古屋大學的篠原久典教授認為「在常溫下應該也可獲致相同的現象」。
富勒 烯的疏密可利用超音波技術調整。同樣的，奈米碳管亦可自由控制電流是否容易流過。
奈米碳管的碳原子結構強固且化學性穩定。若利用其半導體特性，可 望作為超微細的電晶體或二極體使用。目前的矽半導體可能在不久的將來將面臨加工極限的問題，以奈米管取而代之，作為高集積晶片材料的研究正如火如荼展開 中。

圖、奈米碳管中注入有富勒烯的原型

以奈米碳管實現手機FED低驅動電壓的可能

根據日經BP社的報導，日本產業技術總合研究所奈米科技研究部門針對場發射 元件研發出以單層奈米碳管(SWCNT)製作射極的新方法。
以該新方法製作出來的元件如圖一，僅需以4V的驅動電壓就能釋放出電子。 Emitter與Grid之間的電壓一超過4V即釋出電子，開始產生電流，且到 6V時，電流開始激增，可望成為FED（場效電晶體顯示器）的應用製品，使其在手機、電子資訊產品顯示器的實用化更向前邁進一步。
新方法是在以尖 端直徑約20-30nm的圓錐狀矽晶片作為射極所用傳統場發射元件的製程上，再加上在矽晶片尖端以熱CVD（化學氣相成長）法成長 SWCNT的製程而成（圖二）。
關於在矽晶片尖端成長SWCNT的製程，首先是在所有利用到矽晶片的元件上面，載放做為觸媒的鐵粉，再放阻劑 （Resistor）。之後以氧電漿蝕刻除去此阻劑，再除去柵極上的鐵粉。此時在圓筒形的孔穴中殘留有阻劑，其下的矽晶片亦殘留有所載鐵粉。接下來則以屬 於有機溶煤的丙酮來除去穴內的阻劑，使矽晶片上的鐵粉露出來，再將所露出的鐵粉做為觸媒使用，藉由熱CVD法使SWCNT成長。
據產總研表示，目 前能使矽晶片尖端成長SWCNT的比率約80%，可望再經過製程的改良達到100%，但在做為顯示器使用的場合，因為一個畫素用到約 1000個元件，縱使是80%的良率，在實用化上已無問題。

圖一 使圓錐狀矽晶片的尖端成長SWCNT的射極（左）和
將 之並列如右的電子顯微鏡照片

圖二 SWCNT用於射極的場發射元件剖面構造圖

奈米豆莢：碳奈米管加碳奈米球

自 從富勒烯(fullerene)於1985年被發現以來，科學家就一直在探索它將外來原子封裝在籠狀結構中的能力，研究重點之一是外來原子在富勒烯分子內 的位置，因為這對其化學及物理性質影響甚巨。對所謂的雙金屬富勒烯(dimetallofullerene)複合物──即每個富勒烯內裝了兩個金屬原子， 這點尤其重要。為了研究這類新材料，日本的Kazutomo Suenaga等人將鈧(Scandium)雙金屬富勒烯(Sc₂@C₈₄) 裝入單壁碳奈米管 (SWCNT)內，成為研究人員口中的「奈米豆莢」(nanopeapod)，然後以解析度達原子級的高解析穿透電子顯微鏡(HRETM)掃描。研究人員 將獲得的影像與電腦模擬的穿隧式電子顯微鏡(TEM)結果相比對，便可直接辨識出鈧原子在Sc₂@C₈₄分 子內的位置。這個研究方法提供了探索各別分子結構的途徑，除了可以用來決定分子內部結構外，也可以應用在其他許多的分子系統中。詳見Physical Review Letters 90, 055506 (2003).

碳奈米管可膠合成硬度超強的材料

究人員將微細的碳 奈米管(carbon nanotube)夾在聚合物層中，製造出硬度超強的材料。這種隔命性的材料比傳統碳纖維複合物強上六倍，硬度直逼某些工程上用的超硬陶瓷材料。由奧克拉 荷馬州立大學靜水分校的Nicholas Kotov領導的國際小組將樣品輪流浸入攙了碳管的水及聚合物溶液中，得到單分子層碳管與聚合交錯相疊的材料。這種新材料可以用在太空工程中或做為耐久的 醫學植入材料，又由於它是有碳基的機複合物，質量與傳統的碳纖維一樣輕盈。詳見近期的Nature Materials.

普渡大學的科學 家製造出可量身訂做的奈米管

美國普渡大學的科學家採用比碳奈米管還複雜的原子系統，設計出一種可以根據應用目的不同而調整的奈米管製作方 法。研究人員說，這種被稱為「玫瑰奈米管」(rosette nanotubes)的新系統，是由碳、氮、氫及氧自組成(self-assembling)的有機結構，具有獨特的物理、化學及電子性質。它在中央有一 個空心管道貫穿奈米管的長度；與碳奈米管不同的是，此處的內外管徑可以調整；外側較小的管道則可依客戶要求修改，以用來銜接不同使用目的下所需要的特定分 子。

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Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

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