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1. 意義：離子鍵即是兩個帶相反電荷的陰陽離子藉著庫侖引力所產生的吸引力而結合
2. 離子鍵的形成
具低游離能的金屬(如ⅠA、ⅡA) + 具較高電負度非金屬元素(如ⅥA、ⅦA) 低游離能的原子將價電子完全轉移給電負度大的原子，各形成陰陽離子而靠靜電引力結合
例外：HgCl2、AlCl3、AlBr3及AlI3
3. 能量變化如右圖
4. 存在
(1) 低游離能金屬與電子親和力大的非金屬元素所形成之化合物
(2) 金屬與酸根或鹼根所形成的化合物
(3) 各種銨鹽
1. 離子鍵強之決定因素
由庫侖靜電力可推之離子鍵強度(鍵能)µ 
(1) 離子帶電荷愈大者，離子鍵愈強
MgO>CaO
CaO > LiF
(2) 離子間距離(即陰陽離子之半徑和)愈小者離子鍵愈強
LiF>NaCl ∵離子半徑：Li+<Na+且F-<Cl-
*一般電荷之影響力>>離子間的距離
∴MgO > CaO > LiF > NaCl > KI
2. 離子鍵強度之比較
(1) 離子鍵強度可以依據鍵能比較之
離子鍵強度(鍵能) LiF > NaCl > CsI
<570 kJ/mole> <492 kJ/mole> <340 kJ/mole>
(2) 離子鍵強度亦可根據該離子晶體的熔點高低決定之
m.p.愈高，離子鍵愈強
離子鍵強度(熔點) MgO > CaO > LiF > NaCl
<2800℃> <2587℃> <870℃> <801℃>
(3) 形成離子鍵兩鍵結原子之電負度差較大者，離子鍵較強
熔點：BeCl2 < MaCl2 < CaCl2 < SrCl2 < BaCl2
<440℃> <708℃> <772℃> <873℃> <962℃>
1. 熔點、沸點、熔化熱及汽化熱大
2. 固態不導電，但熔融態或水溶液態能導電
3. 硬度大而脆(無延展性)，具一定的晶面與晶形
4. 晶格能
(1) 定義：25℃、1atm下由氣態離子形成1mole結晶所放出之能量
M+(g)+X-(g)MX(s) △H=晶格能(放熱)
(2) 大小決定因素：離子半徑愈小，電荷愈大，晶格能放熱愈多
U(結晶格子能) µ 
5. 離子將晶體溶於水的步驟 MX(s)M+(aq)+X-(aq)
�MX(s)M+(g)+X-(g) DH1=相當於晶格能(吸熱)
‚M+(g)+X-(g)M+(aq)+X-(aq) DH2=水合能(放熱)
若(1)｜晶格能｜>｜水合能｜ DH=DH1+DH2>0
(2)｜晶格能｜<｜水合能｜ DH=DH1+DH2<0
晶格能吸熱愈小，水合能放熱愈多，則離子晶體於水中溶解度愈大
Born-Haber Cycle
M(s)→M(g) DH1=昇華熱
M(g)→M+(g)+e- DH2=游離能
1/2X2(g)→X(g) 1/2DH3=解離熱
X(g)+e-→X-(g) DH4=電子親和力
+ M+(g)+X-(g)MX(s) DH5=晶格能
M(s)+1/2X2(g)→MX(s) DH6=生成熱
A. 金屬晶體的堆積
1. 體心立方堆積(body-centered cubic packing)
(1) 各層排列情形
(2) 配位數=8
(3) 單位晶格中之原子數=2
(4) 單位立方格子邊長與原子半徑的關係
(5) 填充率(即實際原子佔單位晶格空間之比率) 0.68（約2/3）
(6) 鹼金屬(Li、Na、K、Rb、Cs)及Ba均為體心立方堆積
2. 面心立方堆積(立方最密堆積) (surface-centered cubic packing)
(1) 各層排列情形
(2) 配位數=12
(3) 單位晶格中之原子數=4
(4) 單位立方格子邊長與原子半徑的關係
(5) 填充率(即實際原子佔單位晶格空間之比率) 0.74（約3/4）
(6) Ca, Sr, Cu, Al均為面心立方堆積
3. 六方最密堆積
(1) 各層排列情形
(2) 配位數=12
(3) 單位晶格中之原子數=6
(4) 單位立方格子邊長與原子半徑的關係
(5) 填充率(即實際原子佔單位晶格空間之比率) 0.74（約3/4）
(6) Be, Mg均為六方最密堆積
B. 化合物晶體的堆積
NaCl
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