版1ec34-02b00
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Carbon fiber (carbon
fibre
), alternatively graphite
fiber
, carbon graphite or CF, is a material consisting
of extremely thin fibers
about 0.005–0.010 mm in diameter and composed mostly of carbon atoms. The carbon
atoms are bonded together in microscopic crystals that are more or less
aligned parallel to the long axis of the fiber. The crystal alignment
makes the fiber very strong for its size. Several thousand carbon fibers
are twisted together to form a yarn, which may be used by
itself or woven into a
fabric.[1]
Carbon fiber has many different weave patterns and can be combined with
a plastic resin and
wound or molded to form composite
materials
such as carbon
fiber reinforced plastic
(also referenced as carbon fiber) to
provide a high strength-to-weight ratio material. The density of carbon
fiber is also considerably lower than the density of steel, making it
ideal for applications requiring low weight.[2]
The properties of carbon fiber such as high tensile strength, low
weight, and low thermal expansion make it very popular in aerospace,
civil engineering, military, and motorsports, along with other
competition sports. However, it is relatively expensive when compared to
similar materials such as fiberglass or plastic. Carbon fiber is very
strong when stretched or bent, but weak when compressed or exposed to
high shock (eg. a carbon fiber bar is extremely difficult to bend, but
will crack easily if hit with a hammer).
In 1958, Dr. Roger Bacon
created high-performance carbon fibers at the Union Carbide
Parma Technical Center, located outside of Cleveland(united
states), Ohio.[3]
Those fibers were manufactured by heating strands of rayon until they carbonized. This
process proved to be inefficient, as the resulting fibers contained only
about 20% carbon and had low strength and stiffness properties. In the
early 1960s, a process was developed using polyacrylonitrile
(PAN) as a raw material. This had produced a carbon fiber that
contained about 55% carbon and had much better properties. The
polyacrylonitrile (PAN) conversion process quickly became the primary
method for producing carbon fibers.[1]
The high potential strength of carbon fiber was realized in 1963
in a process developed at the Royal
Aircraft Establishment
at Farnborough,
Hampshire
. The process was patented by the Ministry
of Defence
and then licensed by the NRDC to three British
companies: Rolls-Royce,
already making carbon fiber, Morganite and Courtaulds. They were
able to establish industrial carbon fiber production facilities within a
few years, and Rolls-Royce took advantage of the new material's
properties to break into the American market with its RB-211
aero-engine.
Even then, though, there was public concern over the
ability of British industry to make the best of this breakthrough. In
1969 a House
of Commons
select committee inquiry into carbon fiber prophetically
asked: "How then is the nation to reap the maximum benefit without it
becoming yet another British invention to be exploited more successfully
overseas?" Ultimately, this concern was justified. One by one the
licensees pulled out of carbon-fiber manufacture. Rolls-Royce's interest
was in state-of-the-art aero-engine applications. Its own production
process was to enable it to be leader in the use of carbon-fiber
reinforced plastics. In-house production would typically cease once
reliable commercial sources became available.
Unfortunately,
Rolls-Royce pushed the state-of-the-art too far, too quickly, in using
carbon fiber in the engine's compressor blades, which proved vulnerable
to damage from bird impact. What seemed a great British technological
triumph in 1968 quickly became a disaster as Rolls-Royce's ambitious
schedule for the RB-211 was endangered. Indeed, Rolls-Royce's problems
became so great that the company was eventually nationalized by Edward Heath's
Conservative government in 1971 and the carbon-fiber production plant
sold off to form Bristol Composites.
Given the limited market for
a very expensive product of variable quality, Morganite also decided
that carbon-fiber production was peripheral to its core business,
leaving Courtaulds as the only big UK manufacturer.
The company
continued making carbon fiber, developing two main markets: aerospace
and sports equipment. The speed of production and the quality of the
product were improved.
Continuing collaboration with the staff at
Farnborough proved helpful in the quest for higher quality, but,
ironically, Courtaulds's big advantage as manufacturer of the
"Courtelle" precursor now became a weakness. Low cost and ready
availability were potential advantages, but the water-based inorganic
process used to produce Courtelle made it susceptible to impurities that
did not affect the organic process used by other carbon-fiber
manufacturers.
Nevertheless, during the 1980s Courtaulds
continued to be a major supplier of carbon fiber for the
sports-goodsmarket, with Mitsubishi its main customer. But a move to
expand, including building a production plant in California, turned out
badly. The investment did not generate the anticipated returns, leading
to a decision to pull out of the area. Courtaulds ceased carbon-fiber
production in 1991, though ironically the one surviving UK carbon-fiber
manufacturer continued to thrive making fiber based on Courtaulds's
precursor. Inverness-based RK Carbon Fibres Ltd has concentrated on
producing carbon fiber for industrial applications, and thus does not
need to compete at the quality levels reached by overseas manufacturers.
During the 1970s, experimental work to find alternative raw
materials led to the introduction of carbon fibers made from a petroleum
pitch derived from oil processing. These fibers contained about 85%
carbon and had excellent flexural strength.[1]
Structure and properties
clip_image001
A 6 μm diameter carbon
filament (running from bottom left to top right) compared to a human
hair.
Carbon fibers are the closest to asbestos in a number of
properties.[4]
Each carbon filament thread is a bundle of many thousand carbon
filaments. A single such filament is a thin tube with a diameter of 5–8 micrometers and
consists almost exclusively of carbon. The earliest
generation of carbon fibers (i.e., T300, and AS4) had diameters of 7-8 micrometers[5].
Later fibers (i.e., IM6) have diameters that are approximately 5
micrometers[5].
The atomic structure of carbon fiber is similar to that of graphite, consisting of
sheets of carbon atoms
(graphene sheets)
arranged in a regular hexagonal
pattern. The difference lies in the way these sheets interlock.
Graphite is a crystalline
material in which the sheets are stacked parallel to one another in
regular fashion. The intermolecular forces between the sheets are
relatively weak Van der Waals
forces
, giving graphite its soft and brittle characteristics.
Depending upon the precursor to make the fiber, carbon fiber may be
turbostratic or graphitic, or have a hybrid structure with both
graphitic and turbostratic parts present. In turbostratic carbon fiber
the sheets of carbon atoms are haphazardly folded, or crumpled,
together. Carbon fibers derived from Polyacrylonitrile
(PAN)
are turbostratic, whereas carbon fibers derived from mesophase pitch are
graphitic after heat treatment at temperatures exceeding 2200 C.
Turbostratic carbon fibers tend to have high tensile strength,
whereas heat-treated mesophase-pitch-derived carbon fibers have high Young's modulus
and high thermal
conductivity
.
Applications
clip_image003
Tail of an RC
helicopter, made of Carbon
fiber reinforced polymer

Carbon fiber is most notably used
to reinforce composite
materials
, particularly the class of materials known as Carbon
fiber or graphite reinforced polymers
. Non-polymer materials can
also be used as the matrix for carbon fibers. Due to the formation of
metal carbides and corrosion
considerations, carbon has seen limited success in metal matrix
composite
applications. Reinforced
carbon-carbon
(RCC) consists of carbon fiber-reinforced graphite,
and is used structurally in high-temperature applications. The fiber
also finds use in filtration
of high-temperature gasses, as an electrode with high
surface area and impeccable corrosion resistance,
and as an anti-static
component. Molding a thin layer of carbon fibers significantly improves
fire resistance of polymers or thermoset composites because a dense,
compact layer of carbon fibers efficiently reflects heat.[6].
It has also been used in experimental medical procedures to
treat severe burns. Brian
Eno
underwent extensive surgery in early 2009 which complemented a
regular skin graft on his arm with carbon fiber threads. Being carbon
based, doctors were able to fuse together his skin cells with the carbon
fiber.[7]
Most recently, carbon fiber composites have been used in Helios
braces
, braces for persons with Charcot-Marie-Tooth
disease
and other Peripheral
neuropathy
disorders.[citation
needed
]
Many racecars have carbon fiber
reinforcing and panels incorporated in them.[citation
needed
]
Many window cleaners are now using carbon fiber
poles to get off ladders. The Tucker metal pole built in 1958 lead the
way but now the SimPole Carbon Fiber 12 pound poles are being used by
window cleaners.[citation
needed
]

Synthesis
Each carbon filament is
produced from a precursor polymer.
The precursor polymer is commonly rayon, polyacrylonitrile
(PAN) or petroleum pitch. For
synthetic polymers such as rayon or PAN, the precursor is first spun
into filaments, using chemical and mechanical processes to initially
align the polymer atoms in a way to enhance the final physical
properties of the completed carbon fiber. Precursor compositions and
mechanical processes used during spinning may vary among manufacturers.
After drawing or spinning, the polymer fibers are then heated to drive
off non-carbon atoms (carbonization),
producing the final carbon fiber. The carbon fibers may be further
treated to improve handling qualities, then wound on to bobbins. Wound bobbins
are then used to supply machines that produce carbon fiber threads or
yarn.[8]
A common method of manufacture involves heating the spun PAN
filaments to approximately 300 °C in air, which breaks many of the
hydrogen bonds and oxidizes the material. The oxidized PAN is then
placed into a furnace having an inert atmosphere of a gas such as argon, and heated to
approximately 2000 °C, which induces graphitization of the material,
changing the molecular bond structure. When heated in the correct
conditions, these chains bond side-to-side (ladder polymers), forming
narrow graphene
sheets which eventually merge to form a single, columnar filament. The
result is usually 93–95% carbon. Lower-quality fiber can be manufactured
using pitch
or rayon as the
precursor instead of PAN. The carbon can become further enhanced, as
high modulus, or high strength carbon, by heat treatment processes.
Carbon heated in the range of 1500-2000 °C (carbonization) exhibits the
highest tensile
strength
(820,000 psi
or 5,650 MPa or 5,650 N/mm²), while carbon fiber heated from 2500 to
3000 °C (graphitizing) exhibits a higher modulus of
elasticity
(77,000,000 psi or 531 GPa or 531 kN/mm²).
Precursors
for carbon fibers are polyacrylonitrile
(PAN), rayon and pitch. Carbon
fiber filament yarns are used in several processing techniques: the
direct uses are for prepregging, filament winding, pultrusion, weaving,
braiding, etc. Carbon fiber yarn is rated by the linear density (weight
per unit length, i.e. 1 g/1000 m = 1 tex) or by
number of filaments per yarn count, in thousands. For example, 200 tex
for 3,000 filaments of carbon fiber is three times as strong as 1,000
carbon fibers, but is also three times as heavy. This thread can then be
used to weave a carbon
fiber filament fabric
or cloth. The
appearance of this fabric generally depends on the linear density of the
yarn and the weave chosen. Some commonly used types of weave are twill, satin and plain.
炭素繊
(たんそせんい、:
Carbon fiber)とは、
クリル繊維
またはピッチ石油石炭コー
ルタール
などの副生成物)を原料に高温で炭化して作った繊維
アクリル繊維を使った炭素繊維はPAN(Polyacrylonitrile)、ピッチを使った炭素繊維はPITCHと区分
される。
1959年、
ニオン・カーバイド
の小会社ナショナル・カーボンがレー
ヨン
から黒鉛
する世界初の炭素繊維を発明するが、このレーヨン系は廃れている[1]
1961年、通商産業省工業技術院大阪工業試験所(現
業技術総合研究所
)の
藤昭男
博士がPAN系炭素繊維を発明した。
1970年代以降、
優れた強度を持つ特性から強化
ラスチック
の補強材や
合材料
の素材として使われ始めるようになる。
1980年代以降、
製造コストの低減や加工方法の進歩が見られ、
ケット
航空機
どの大型輸送機器から
ニスラケット
釣り竿白杖
ど身近な道具、さらには剣道竹刀弓道な ど武道
分野にまで応用の幅を広げた。
2006 年炭素繊維を機体の大部分に
利用する世界初の旅客機開発のため、東レボー
イング
と7000億円の炭素繊維を供給する大型の契約を締結し、注目を集めた。
特徴
耐摩耗性、耐熱性、熱伸
縮性、耐酸性、電気伝導性、耐引張力に優れ、
ルミニウム
などの軽い
に 比べてもさらに軽量である。短所としては難加工性、製造コストの高さ、
サイクル
の難しさが挙げられる。また趣味の分野においては、他の素材にみられない質感や独特の模様、機能から炭素繊維を特別視する消費者も少なか
らず存在する。
碳纖維,又稱碳化纖維,泛指一些以碳纖維編織或多層複合而成的材料。因為它又輕又堅硬,所以
它的用途很廣泛。
近年來碳纖維更是廣泛被使用於大型飛機,例如
中巴士
A350A380波 音787均利用
碳纖維複合材料來減輕耗油量。
另外大型
力發電機
的葉片,賽車機車腳踏車
車身均為碳纖維複合材料需求量增加的重要因素
結構與特性
clip_image001[1]
碳纖維與人類頭髮的比較
每一根碳
纖維由數千條更微小的碳纖維所組成,直徑大約5至8微米
在原子層面的碳纖維跟石墨
相近,是由一層層以六角型排列的碳原子所構成。兩者差別在於層與層之間的連結。石墨
晶體結構,它的層間連結鬆散,而碳纖維不是晶體結構,層間連結是不規則的。這樣便防止滑移增強物質強度。
一般碳纖維的密度為1750
kg/m3。導熱能力高但傳
力低,碳纖維的比熱容 量亦比低。當加
熱的時候,碳纖維會變厚而短。雖然碳纖維的天然顏色是黑色
但可以把它染上不同的顏色。
 
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吉伯士自由能Gibbs free energy

然Helmholtz自由能代表系統的最大功含量,但並不表示所有的自由能都能夠轉換成有用的功。一者,系統變化不一定以可逆的方式發生。其次,系統變化
過程中,可能有體積的縮收或膨脹,則需要耗費一部份的能量於容壓功,以對抗外圍的壓力。為了更準確地評估,系統變化時所可能產生的有效功,需定義另一個狀
態函數G,稱作吉伯士自由能。
clip_image002 (Gibbs自由能定義) 3.2.11
吉伯士自
由能定義為,系統熱含量H減去溫度T與亂度S的乘積。吉伯士自由能是一個狀態函數:
clip_image004
clip_image006 (Gibbs自由能增量) 3.2.12
在定溫
情況下,上式簡化為:
clip_image008 (定溫下,Gibbs自由能增量) 3.2.13

式在化學上最為重要,應用最廣,切記切記!
回顧
壓反應熱
,DH=DE+P·DV,代入上式得:
clip_image010
再依式3.2.3
定溫下Helmholtz自由能增量DA=DE-T·DS,與上式合併:
clip_image012 (定溫定壓下,兩種自由能之關係) 3.2.14

於DA代表系統最大功含量-wr (式3.2.5),
所以DG可以表述為:
clip_image014 (定溫定壓下之最大淨功) 3.2.15
上式說
明,系統Gibbs自由能變化量等於最大功含量減去容壓功的負值,代表了系統在定溫定壓下的最大淨有效功。當DG<0時,表示系統所
釋放的能量除用於作功對抗外圍壓力之外,尚有餘裕,此時系統變化可順利進行。當DG=0時,表示系統釋放的能量剛好與抵抗外圍壓力所需的功
量相等,此時系統與外圍壓力處於平衡狀態。當DG<0時,表示系統所釋放的能量不足以克服外圍壓力,所以變化無法進行。

於自然界的反應,大多發生於定溫定壓情況下,所以DG益顯重要。因此習慣上,除非有特別指明,否則單言及自由能時就是專指Gibbs自由
能。
GTP之函數:G=f(T,P)
Gibbs自由能表為溫度與壓力的函數,應用上較為方便。依G之定義,式3.2.11
微分為:
clip_image016 3.2.16
回顧
含量H之定義
,可以知道其全微分為:
clip_image018
合併上兩式得:
clip_image020
如果系統只作容壓功,根據式2.5.3dE=T·dS-P·dV
代入上式消去T·dSP·dV
clip_image022 (表GTP之函
數) 3.2.17
所以:
clip_image024 3.2.18
clip_image026 3.2.19
我們也可以把G/TT
分,得到另一種表GT之函數的方法:
clip_image028
根據定義G=H-T·S
所以:
clip_image030 3.2.20
化學反應自由
能變化
之意義
化學反應的自由能變化是一個非常重要的指標。如果化學反應的DG<0,表示該反應釋放的能量
足以克服外圍的阻抗,反應會順利地朝產物的方向進行,指示這是一個自發性的反應。如果化學反應的DG>0,表示反應產生的能量不足以
克服阻抗,反應不能夠自然地發生,而且此時逆反應的DG<0,反應逆向而行。如果化學反應的DG=0,表示反應處於平
衡狀態,正向與逆向反應的驅力相等。下列反應式指出DG對反應方向的影響,請注意箭頭的方向:
clip_image032 (DG<0,自發反應)
clip_image034 (DG>0,非自發反應)
clip_image036 (DG=0,反應平衡)
現在我們
來仔細探究式3.2.13
意義:
clip_image008[1] 3.2.13
這個式子表述,定溫下系統自由能增量DG與定壓反應熱DH,以及系統內能增量DS之間的函
數關係。在這個式子中,DG與DH成正比,與DS成負比。我們剛剛才說過,DG<0反應
才會自然發生,那麼DH和DS怎樣有助於DG<0呢?從上式我們可以肯定,DH越小越有
助於DG<0,也就是反應放熱越多越有助於DG<0。同時,DS越大越有助於DG<0,
也就是產物的亂度變得越大越有助於DG<0。上式告訴我們,自然驅動系統發生變化的力量有兩種,一是降低系統的熱含量,另一是增大系
統的亂度。所以我們可以下結論說,萬物趨向於降低能量及增大亂度,正是這個結論說明了,何以山崩海嘯以至雲消煙散皆是自然之理。不過要注意了!這並不是
說,吸熱反應或減小亂度的反應不會自然發生。一個反應會不會自然發生,完全看DG是不是小於0。汽水中的CO2
散,是自發性的吸熱反應,可以幫助你消暑,這是因為CO2逸散後增大的亂度,足以補償所吸收的熱能。水蒸氣遇冷凝結,是自發性的亂
度降低反應,這是因為釋出的熱能足以補償所損失的亂度。不過我們可以肯定,既吸熱又降低亂度的反應是絕對沒有的。
相平衡與
Clausius-Clapeyron
方程式
兩相平衡在自然界是常見且及重要的現象,如冰與水共存之時,或地表水與大氣中水氣
平衡時,還有地質組成與水體溶解平衡時,皆是常見之例。環境工程上常用的污染防治手段,如吸附、蒸餾、萃取、混凝沈澱等,也皆屬兩相平衡現象之利用。一個
兩相系統平衡時DG=0,如果我們令此時其中一相之自由能為G1,另一相之自由能為G2
那麼G2一定等於G1
clip_image038 (平衡時兩相自由能相等)
如果我們對其中一相輕微
擾動,使其稍稍偏離平衡一點點,這造成自由能產生輕微的變化dG1。由於自由能的變化會牽動平衡的位移,這促使另一
相的自由能也跟著發生dG2的變化,以便再度達成平衡。當兩相再度達成平衡之時,自由能必定再度相等G’2=G’1
所以先前兩相自由能之變化量也應該相等。
clip_image040
clip_image042
我們引用式3.2.17
G表為溫度及壓力之函數:
clip_image022[1] 3.2.17
clip_image044
移項整理上式:
clip_image046
clip_image048
根據式3.2.13:DG=DH-T·DS
平衡時DG=0,所以DS=DH/T,代入上式:
clip_image050 (Clapeyron方程式) 3.2.21
上式
稱為克雷沛隆Clapeyron方程式,說明系統相轉變時壓力與溫度之互變關係。如果在一小幅度的變溫、變壓範圍內,DH和DV
視為常數,那麼上式可以積分:
clip_image052
clip_image054 (Clapeyron方程式) 3.2.22

果你幹過把玻璃罐裝飲料拿到冰箱冷凍庫去冰這種蠢事的話,那你應該知道水結成冰體積會膨脹。反過來,冰溶解則體積會減少。其實你也不用急著拿罐生啤酒去實
驗,你只要看看冰總是浮在水面,就應該知道冰的密度比水小。冰溶解正是典型的相轉變。冰溶解,體積會縮小,所以DV<0。冰溶解會吸
熱,所以DH>0。冰溶解時DH/ DV<0,這將使得(P2-P1)
與ln(T2/T1)成反比。也就是說如果P2>P1
麼就會使得T2<T1。這代表什麼意思呢?這表示,如果我們對冰施壓的
話將會使冰與水的平衡溫度下降,也就是使冰的融點降低,使冰在較低的溫度下就融解了。溜冰和滑雪正是Clapeyron方程式的實例。

家廚房的壓力鍋又是Clapeyron方程式的另一個實例。水在1atm下沸點為100ºC,這是水和大氣平衡時之溫度。水蒸發,體積會增
加,所以DV>0。水蒸發會吸熱,所以DH>0。水沸騰蒸發時DH/ DV>0,
這將使得(P2-P1)與ln(T2/T1)
成正比。也就是說如果P2>P1那麼就會使得T2>T1
對水面施壓大於1atm就會使水的沸點高於100ºC,所以壓力鍋可以讓水以高於100ºC的溫度烹煮食物,快熟易爛。凡聽到一個道理一定
要想一想,倒過來是不是也行得通;讀書與聽言也一定要倒過來看看,仔細他說了哪些沒道理的話。記住我的教訓,你必可以成為一個惹人厭的傢伙。加壓使水的沸
點上升,反過來,減壓必使水的沸點下降,所以高山上因為氣壓低的緣故,使水無法加熱到100ºC,以致食物不易煮熟。
如果液體或固體物
質與其氣相狀態達成平衡,此時Clapeyron方程式中之DH即為其蒸發熱或昇華熱,而DV則為兩相體積之差。由於物質蒸
發或昇華成氣體後體積變化極大,與氣相體積相比,液相或固相之體積小到可以忽略。例如1莫耳水是18克,體積18 ml,而1莫耳水蒸氣的
體積是22.4 L,省略的誤差只有萬分之八。
clip_image056
這時Clapeyron方程式可以寫成:
clip_image058
我們再假設,氣相之行為近似理想氣體,那麼根據理想
氣體方程式,V=n·R·T/P,代入上式:
clip_image060
移項:
clip_image062
由於dP/P=dlnP
再考慮n=1時,上式變成:
clip_image064 (Clausius-Clapeyron equation)
3.2.23
上式稱作克勞休斯-克雷沛隆Clausius-Clapeyron方程式,表述氣液相或氣固相平衡時,系統壓力與溫度之互
變關係。你仔細看看,是不是有點眼熟。我們把Arrhenius
方程式
再調出來,你比較比較。
clip_image066 (Arrhenius equation) 1.7.1
是不是長得很像,他們是不是親戚。是的沒錯,這兩個式子間有著密切的關聯,不過我現在暫時還不打算告訴你,他們之間的血緣如何。我們要
等人都到齊了再說,他倆還有一個叫作van’t Hoff Law的兄弟尚未登場呢。
回頭積分Clausius-Clapeyron方
程式:
clip_image068
clip_image070 (Clausius-Clapeyron equation)
3.2.24
或者:
clip_image072
clip_image074 (Clausius-Clapeyron equation)
3.2.5
利用式3.2.24,把固體或液體蒸氣壓對數值lnP,對溫度倒數1/T作圖,可以畫出一條直
線。式3.2.24則可用兩狀態點數據以求取蒸發熱,或以一狀態點之數據求另一狀態之溫度或壓力值。
Clausius-
Clapeyron方程式對工程師是很有用的。有一種蒸餾方法稱為減壓蒸餾Vacuum
Distillation,在蒸餾時也同時抽氣減壓,使溶劑在較低的溫度就沸騰蒸發,可以用來作為廢溶劑回收處理的程序。減壓蒸餾之真空壓力及加熱溫度之
控制,就需用Clausius-Clapeyron方程式來計算。
還有一種脫水程序叫作冷凍乾燥,是利用冰昇華的現象所發展出來的乾燥
技術,在生物工業上有很重要的用途。由於生物製品含有大量的水分,各種組成又對熱敏感,經常無法以加熱的方式減少水分。為了保存風味、藥效、營養、功
能...等因素,只好採用冷凍乾燥以除去產品過多的水分。冷凍乾燥的程序通常是先將樣品以低溫急速冷凍,然後在冰點以下的溫度將樣品所在處抽真空,一方面
降低氣壓加速冰的昇華,一方面移除水蒸氣。真空壓力及冷凍溫度之控制,也需用Clausius-Clapeyron方程式來計算。
 
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DIN
切削刀具
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粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生
刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭
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BW
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Pilot reamerFraisesFresas con mango
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豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。
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(2)Carbide Cutting tools設計
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(4)航空エ
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弊社の製品の供給調達機能は:
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Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z)
talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır.
Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini
Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik
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фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и
электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид /
быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
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coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space
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漿現象www.tool-tool.com
地圖
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電漿現象:我們日常生活中最常接觸到的電漿是太陽、日光燈、霓虹燈以及
閃電等,所以人類對電漿的第一印象是,電漿是一團會發光的東西。所謂電漿是一種帶有電子、正負電荷、中性的氣體分子和自由基所組成的,在正常情形下呈電中
性,所以大陸地區的科學家稱之為”等離子體”,即取其帶正電荷的離子數目與帶負電荷的(大多是)電子數目相等之意。電漿態是人類繼物質的三態包括氣態、液
態及固態後,所發現物質存在的另一狀態,而且就整個宇宙來說,物質以電漿態存在的比例最高。電漿的產生是靠碰撞,靠著電子在電場中加速獲得極高的動能,當
碰撞到氣體分子或原子時將能量傳遞過去。因為電子遠較氣體分子或原子小,所以碰撞造成的結果不是增加氣體的動能,而是提高其位能。這個情形就好像一顆高速
移動的子彈打在牆壁(連接著地球)上,地球並不會因此移動(動能改變),而只是牆壁產生了一個洞,可能這個洞還會冒煙(位能提高)。從原子的角度來看,位
能的提高造成原子內電子的遷移,如果達到足夠的能量甚至會跳離原子,產生一個離子和一個電子,這是一個如下式的解離反應:
e- + Ar
→Ar+ + 2 e- (1)
產生的兩個電子再經電場加速到足夠的動能進行下一次的解離,於是由一顆電子產生兩顆,兩顆到四顆,如此以等比級數
增加,最後造成全面性的解離崩潰。電子動能的累積牽涉到電場的大小及碰撞的頻率電子的最高動能=電場對電子作功的累積= F‧d (作用力 ‧ 距離)=
q ‧ ε ‧ λ其中 q
表粒子的帶電量;ε代表電場大小;λ是粒子的平均自由徑,碰撞頻率越高代表其行走的距離越短,平均兩次碰撞間行走的距離定義為平均自由徑,所以在相同的電
場下平均自由徑與碰撞頻率呈反比。從上式來看,因為電子的帶電量 q
是固定的,所以要提高電子的最高動能要從增加電場及增加平均自由徑著手。所以,一般電漿操作的環境在高電壓和低氣壓下。當離子數目到達一定量後,與電子碰
撞的機率增加,產生如下式的結合反應:
e- + Ar+→ Ar + hν (2)
一部份的離子與電子結合,一部份的離子及電子會消失在
與反應腔體及基板的碰撞。電子-離子對產生的速率與消失的速率最後會相等,造成一種動態平衡。在穩定狀態的電漿中,電子-離子對濃度為一定值,這種穩定的
電子-離子對數目(濃 度)與原來氣體數目的比值定義為離子化程度(Degree of
Ionization)。不同放電方式其離子化程度也不同,由小於 0.1%到 100%都有,視放電形式及操作條件而異,而一般用在 PECVD
鍍膜的電漿源其解離率小於
1%,近幾年由於對鍍膜要求的嚴苛,如縱深寬比值的提高、表面粗糙度的要求及不純物濃度的控制,加上在真空技術的改良及高密度電漿的開發,使 PECVD
的離子化程度提高很多。我們所看到電漿的光除了(2)式以外,還有可能由下式產生,當位能提高時能量剛好使的原子內層電子躍遷至外層軌道,於是形成一個激
發狀態的原子,這種激發狀態極不穩定,很容易回復到基態然後放出光子。
e- + Ar →Ar* →Ar + hν (3)
氣體密度影響
了粒子的平均自由徑,也影響到氣體的溫度。當壓力小於 1 torr
時,電子具足夠的平均自由徑可以累積到極大的動能,離子則因體積較電子大的多,平均自由徑小,獲得的動能(q ‧ ε ‧ λi)遠小於電子((q ‧ ε
‧ λe),氣相中一個粒子的動態可經下式轉換成溫度:動能 = 1/2mv2 = 3/2kT
所以低壓時,離子的溫度遠低於電子,至於不帶電的中性分子、原子及自由基,他們無法受到電場的加速,而且在低壓時與電子或離子碰撞頻率低,具有的動能(溫
度)與室溫接近。所以低壓下的電漿不是處於熱力學的平衡狀態,而是包含三種不同動能、不同溫度的粒子的穩定狀態。當在高氣壓時(>100
torr)則由於電子、 離子和中性粒子碰撞頻繁,粒子間的能量可以互相傳遞,使得三種粒子溫度接近,因此氣體的溫度可高達數萬或數十萬
K。利用低壓電漿幫助鍍膜就是利用其不需提高反應氣體的溫度而可在低溫下進行非電漿製程需極高溫度才能進行的反應。當反應性氣體通入電漿中成為電漿態,變
成化學上非常活潑的激發分子、原子、離子和原子團等,促進化學反應在基材上製作薄膜,藉助電漿作用鍍出來的薄膜較傳統 CVD 法具備許多新穎特性。
PECVD 法的最大特色在於利用的是電漿態下化學性活潑的離子、原子團, 因而可以在低溫下生成薄膜。Thermal CVD
法是在高溫下的製膜方式,大多限於
某些特定的基材,而PECVD法可在低溫下成長薄膜,減少熱的損失,抑制與基材物質的反應,因而可在非耐熱性的基材上成長薄膜。從熱力學上分析,有些反應
雖然能發生,但速率相當緩慢,藉電漿狀態可促進反應,使在熱力學上難以發生的反應變為可能,如此可製備出從未見過的組成的新材料,如耐高溫材料薄膜。另
外,由於進料是氣體,可以穩定的進入反應器,故可連續控制進料組成,進而控制薄膜組成。也由於電漿的介入,可能產生的反應路徑增加,形成薄膜的
自由度增加,可控制的參數變多,使得實現重複性的控制較為困難。
參考文獻:
1. B. N. Chapman, Glow
Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W.
Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A.
Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials
Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film
Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器,
化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000
 
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常壓大氣電漿電漿依照放電形式與結構的不同可以分為四大類:
(1)
利用金屬電極直接放電的低電流噴射式電漿(Plasma
Jet),(2)使用高電壓電源並在電極間加入絕緣板以穩定電漿的介電質放電(DBD),(3)利用非均勻性電極結構產生的電暈放電 (Corona
discharge),(4)利用高電流電源產生的高溫電漿炬(Plasma torch)。以下將針對其設計結構、特性與相關應用做一說明。
1.
噴射式電漿(plasma jet)
由一圓管狀金屬電極包圍另一金屬電極於管中央,兩電極一端接電源供應器、一端接地,利用尖端放電後,藉由高
流速氣體流經圓管內將電弧噴出產生穩定電漿。其特色為電漿面積小、能量集中、處理效率高、產生的臭氧濃度較低、靜電累積較小。其應用效果是大氣電漿中最好
者,但受限於處理面積狹小,通常可多支並聯成一寬幅式處理系統,如下圖二所示。目前的應用包括了:表面改質、光阻去除、電漿蝕刻、液晶面板晶片貼合、捲帶
式載板製程清潔、手機組裝貼合、生醫材料殺菌及塗佈/印刷前處理。
2.介電質放電(DBD)
DBD是採用介電質障壁放電方式進行大面積均
勻放電,在兩電極(平板型或圓柱型)間加入至少一層之介電材料(石英或氧化鋁),並因為介電質的存在而只能使用交流式電源供應器。兩電極板中至少有一個電
極需以絕緣物質包覆,但大多是兩電極皆包以絕緣物,且通以高頻率、高電壓的電位。如此則可在二電極間看到週期性的絲狀放電。利用此絲狀
(filamentary)的微放電(microdischarge)將流過的氣體活化分解之。這種放電方式結合了能常壓下操作的優點及低壓下輝光放電可
大量活化、分解氣體的特性。有許多的研究者將其應用在產生臭氧、鍍膜及處理廢棄物上。但此方法的缺點為:絲狀的微放電之電流集中於一些小點,容易損壞電極
板上做表面處理的材料,電漿反應的效率也低。文獻研究指出,DBD約有92%能源損耗在熱能的產生。
一般而言DBD為絲狀放電
(filamentary discharge、silent
discharge),為不均勻的絲狀電漿,可大面積放電,但因形成絲狀放電,電漿密度低,電漿清除效率不高。由於在大氣環境中氣體碰撞頻率過高,電漿的
產生與維持十分困難。因此需要特殊設計之高電壓/高頻電源供應器及特殊氣體。在一般常見的應用中,操作頻率介於1~40kHz,峰對峰電壓由數千伏到3萬
伏。亦有使用脈衝式電源供應器,但因高成本及穩定性較差,在工業界較為少見。DBD操作電壓很高,通常在20KV
左右的高電壓,如此一來,即可在兩電極間觀察到絲狀或輝光放電。介電質放電一直以來都受到注意,由於放電的氣體溫度接近於室溫,屬於冷電漿形式,不會浪費
能量於氣體溫度的上升,且放電的均勻性高。DBD最早應用於工業用臭氧產生器/廢水處理/滅菌,但近期之研究與應用主要則以大面積基板清潔活化用途為主。
DBD
最大的優勢為可大面積化,因此大面積的常壓電漿系統通常以DBD方式來製作,但其缺點為其電漿密度較噴射式電漿密度低甚多,因此需可針對不同的應用設計出
不同的DBD電極結構,以提昇電漿處理效率,因此專業知識與技術創新相當重要,才能有最佳之設計。馗鼎奈米科技公司自行研發之寬幅式常壓DBD電漿
(Remote型式),有別於點狀式電漿(Arc-Jet),電漿幅寬可針對不同尺寸(G1~G8
LCD)需求做最佳化,並使用廉價之N2/CDA作為反應氣體,設備Running cost為一般UV-Ozone clean之
1/5以下。大面積ITO玻璃經DBD電漿設備(圖四)處理完後水滴角測試結果,可發現大氣電漿處理後,基板表面之潔淨度/潤溼性均有明顯之提昇,因此對
於後續貼合/鍍膜/溼式清潔/溼式蝕刻/電鍍藥液交換製程,有決定性之助益。
近年來有部份學者宣稱可
DBD的絲狀放電改良,利用放電參數
的控制可得到和低壓輝光放電(glow discharge)一樣穩定的均勻常壓電漿(one atmospheric uniform glow
discharge
plasma)。由於這種常壓輝光放電電漿非常均勻,沒有絲狀放電因電漿不均勻而形成的電絲,因此不會破壞脆弱的材料表面。但必須要在特殊氣體環境下才能
產生均勻電漿,需使用如He、Ne之類昂貴的惰性氣體,而且需高頻率、高電壓的電源,其製作困難、壽命有限且難以再現,因此一直未被工業界正式採用。
 
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DIN
切削刀具
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No.13,Shiang Shang 2nd St., West Chiu Taichung,Taiwan 40356
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FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan
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ФрезерыCarbide drillHigh speed steelCompound SharpenerMilling cutterINDUCTORS FOR PCDCVDD(Chemical Vapor Deposition
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(3)鎢鋼エンドミル設計
(4)航空エンドミル設計
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быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы,
фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм
для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано
инструменты. Пожалуйста, посетите сайт 
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coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space
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在一大氣壓下產生電漿是最經濟、最有效率的一種方式。一般電漿製程為使電
漿穩定的產生,系統必須操作在低壓下。因此需要真空腔體和真空幫浦來維持低壓的環境,不但成本提高、單位時間處理量大減,而且設備維護費用也高。比如說,
真空幫浦一般怕強酸、強鹼、也怕微粒,極易受損。因此若能在常壓下產生穩定的電漿就不再需要上述的真空設備,裝置簡化,操作及維修費用大大降低,此外其工
件可不受真空腔體大小的限制,而且製程容易以連續式操作,可處理量也大幅提昇。
故常壓電漿相較於傳統的低壓電漿,大大拓展了電漿的應用領域,如下
圖一所示。目前常壓電漿於產業界已有多項應用實例,詳見表一,其中噴射式電漿系統 (Plasma
Jet)介電質放電系統(DBD)因具有非熱電漿的特性且易整合於製作產線中而備受矚目。

此外,由於常壓電漿具有下述優點,可在室溫下將污染物質分解成無污染性之氣體,因此應用於氣相與液相環境污染物
之分解上最具潛力。
1.去除效率高:較一般的焚化或觸媒反應法之反應性皆高,可使原先
2.易發生的反應快速進行。
3.設置成本低
廉:主要設備為高頻率電源供應器,無須加熱系統,安裝容易。
4.節省能源:能源消耗少,利用效率高。電漿在低氣體溫度即可產生,而電漿化學反應在
近於室溫下即可進行,無須加熱氣體即可使反應完全,因此可節省能量甚巨。電漿能量效率較傳統的化學反應效率高出甚多,是因為傳統或觸媒反應乃利用氣體加熱
來提高氣體分子的動能,分子在經相互碰撞後才將一小部份的動能轉成位能來破壞分子的鍵結。如此,大部份外加的能量皆在提高氣體的溫度,而非用在鍵能的破
壞。但電漿的能量是直接加在電子上,而高能電子的破壞鍵結效率非常高,電子的能量可以百分之百的轉成破壞分子的位能,而完全不需提高分子的動能。因此,電
漿可以將能量直接用在分子的鍵結破壞,而不需浪費能量來提高氣體的溫度。尤其是氣體的熱傳效率相當差,電漿在氣體低溫時即可破壞鍵結的能力,可大大的節省
能源。
5.操作成本低廉且可避免二次污染:不需要吸收劑或吸附劑等化學藥品,也毋需觸媒或燃料,可同時節省操作費用,和避免二次污染。
6.
操作維修容易:電漿系統簡單,操作簡便,且反應器內並無設備需經常更換,因此,不需經常維修。
7.設備體積小:電漿反應器較吸收塔、吸附塔或焚化
爐小,不佔空間,非常適合既有工廠空氣污染之改善。
8.可處理低濃度污染氣體:能夠處理濃度範圍為ppb至ppm之惡臭氣體,和吸附法相當,較吸
收法及焚化法為佳。
9.開機時間短:不像焚化爐操作上需要一段時間使得溫度達到所需的高溫才能進行分解;電漿反應器不需要熱機,因此不會消耗能源
在升溫上。
 
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蝕刻係利用化學反應的方式吃出所需要圖案。利用水溶液的方式進行蝕刻又稱
濕式蝕刻法,具有蝕刻速度快、等方向性蝕刻、蝕刻殘留液不易處理的後遺症等特性。因為其化學反應進行的方式發生在固體與液體接觸的地方,基本上只
要有固液交界就會產生蝕刻作用,並沒有太明顯方向上的選擇性,此所謂等方向性蝕刻,蝕刻出的溝槽深度與寬度比(aspect
ratio)較小。電漿方式進行蝕刻又稱乾式蝕刻法,其反應較慢,但沒有殘液污染的問題,而且非等方向性蝕刻的特性為目前半導體製程主要的蝕刻方式。電漿
蝕刻法係利用反應性氣體經過電漿解離活化產生具有蝕刻反應的粒子,包括離子、自由基或原子等,以含氟自由基蝕刻矽或二氧化矽為例,其反應如下
式:Si(s) + 4F‧(g) →SiF4(g)SiO2(s) + CFx‧(g) →SiF4(g) +
SiF2(g)+CO(g)+CO2(g)+COF2(g)+SiOF2(g)+O2(g)電子在蝕刻反應中雖然並不具有反應性,但就電漿產生的原理其會
決定產生活性 粒子的分佈。自由基及原子並不受到電場影響,所以跟水溶液法比較接近,具有
部分等向性蝕刻的特性,見表一~三所示;而離子會受到電場吸引,所以其引發反應的方向會垂直於電場方向,因而其蝕刻出的溝槽的深度與寬度比大。綜合來說,
電漿蝕刻法可利用調整電漿參數決定活性粒子的比例,進而決定產生反應的特性。選擇性高,不過因為利用氣相-固相反應較慢,但利於控制。

圖四、左圖為濕式水溶液蝕刻出的溝槽;右圖為電漿蝕刻出的溝槽隨著半導體製程不斷進步,導線間距縮小而
需要的深寬比不斷提高,造成濕式蝕刻法不敷要求而面臨到淘汰的命運。不論從選擇性、反應控制與環保需求上各個方向的考量,目前半導體製程幾乎全面採用電漿
乾式蝕刻法。不過另一個新興領域微機電系統 (Micro Electro Mechanical System,
MEMS)因為目前所需的製程條件較半導體製程需求來的低,而且,就蝕刻而言,需利用到濕式蝕刻來形成所需的立體圖案,這是乾式蝕刻無法達到的。以微機電
系統常用到的懸臂樑感應器來說明,其圖形如圖五所示:

圖五、微機電系統懸臂樑感應器結構
由於乾式蝕刻的非等向性反應無法將懸臂下方的犧牲層去除,
即所謂視線問題(Line of Sight Problem)目前還是必須仰賴濕式蝕刻技術。




參考文獻:
1. B. N. Chapman, Glow Discharge
Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern,
Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A.
J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials
Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film
Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器,
化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000
 
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當一固體表面承受高能量離子或原子的撞擊時,就會有物質因動量傳送而從物
體表面放射出來,此現象稱為濺射,濺射率(sputtering
yield)為每一入射離子可濺出的靶原子數,影響濺射率的重要因素有靶材的表面結構,入射離子的質量與能量等,濺射程序對溫度不敏感。而入射離子的能量
需大於界限能量(thresholdenergy)才有能力將靶材原子濺出,金屬靶材的界限能量約在
10~30eV,當入射離子的能量超過界限能量後,濺射率會急速增加,當入射離子能量超過 100eV
後,濺射率幾乎隨入射離子的能量呈線性的增加,而此時的濺射率才有實用的價值。若繼續提高離子的能量,濺射率增加的趨勢變緩,濺射率達到最大值,會再緩緩
的下降,此時濺射率隨著入射離子能量的增加而下降是因為離子較深入靶材內部,而內部原子即時被濺離其晶格位置,也未必可到達表面脫離成為被濺出的物質。由
以上的敘述我們可以解到濺鍍的基本原理。但基本上濺鍍不是一個能量效率使用很好的物理現象,在離子轟擊靶材表面後,約有
70%的能量轉換成熱,約25%的能量用在產生二次電子,而只有約
2.2%的能量是用在濺射的步驟上,這就是為什麼濺射的靶材必須有足夠的冷卻裝置的原因,以避免表面的溫度過高,而使的蒸鍍的現象發生在濺鍍上。在濺射的
過程中,因為產生的電子數量並不多,再加上電子可以迅速的經由其它接地區域(如 chamber
wall)而從電漿中移出,如何使得電子在電漿內的數量得以維持,便成為一個重要的課題,因此便有磁控濺鍍法(Magnetron
sputtering)的產生。電子是一種帶負電荷的粒子,藉著被電漿與電極板間的電場所加速,電子將可以獲得足夠的能量,以產生並維持電漿的電中性,假
如我們在電漿中加入一磁埸,電子將會螺旋式的運動,且其運動的圓周半徑可以寫為:

其中 m e 及 Ve 分別為電子的質量及運動速度, B 為磁埸強度,而 q
為電荷的電量,等於1.6*10 −19 庫侖(Coulomb) 。雖然電子與其它粒子之間的碰撞頻率,在某
一特定壓力下是固定的,但是經磁埸的介入之後,電子往其它接地的區域的移 動將不再是以直線的方式前進,螺旋式的運動,使得電子從電漿裏消失前所經
的距離拉長,因此增加了電子與氣體分子間的碰撞次數,這使得磁控濺鍍可維持在更低的壓力下,電漿也不會熄滅。一般在濺鍍的過程中,除了工作氣體(惰性氣
體)外,若再通入反應所需的氣體(如氧氣),以生成所需的化合物鍍層,即稱為反應濺鍍(Reactive
sputteringdeposition),而此反應氣體有可能會與靶材發生反應,因此在反應濺鍍的過程中,由靶材濺鍍出來粒子除了,中性原子、離子、
二次電子外,尚有化合物分子團會被濺射出來。

圖六、(a)傳統濺鍍系統結構(b)磁控濺鍍系統結構
參考文獻:
1. B. N.
Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J.
L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3.
M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials
Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film
Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器,
化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000
 
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粉末造粒成型機主機版專用頂級電桿PCD V-Cut捨棄式圓鋸片組粉末成型機主機版專用頂級電汽車業刀具設計電子產業鑽石刀具木工產業鑽石刀具銑刀與切斷複合再研磨機銑刀與鑽頭複合再研磨機銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生
刀具到工業級的刀具設計;從微細刀具到大型刀具;從小型生產到大型量產;全自動整合;我們的技術可提供您連續生產的效能,我們整體的服務及卓越的技術,恭
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FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan
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Core drillTapered end
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быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
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半導體製程上的應用a.氮化矽膜 SiN Si3N4
在半導體製程中是很好的擴散阻擋層(Diffusion Barrier
Layer),具高機械強度、耐氧化性、致密性,通常作為絕緣層及保護層。以前利用 Thermal CVD 法製備 Si3N4,以
SiH4+NH3+N2 在 700~1000oC 下反應得到。利用 PECVD 以 SiH4+NH3 為進料可在低溫下得到含 Si、N
的薄膜。因為電漿的複雜性,PECVD 薄膜受到裝置及條件的嚴重影響,不能簡單決定。其參數就有 1.基板溫度、2.進料比、3. 壓力、4.RF
功率、5.電極結構、6.反應器結構、7.抽氣速率、8.產生電漿的方式 等。其鍍膜的物理性質與傳統 Thermal CVD 法的 Si3N4
比較具有下列特性:

表四、Thermal CVD 與 PECVD 鍍 Si3N4 膜性質比較PECVD 法的 SiN
膜主要性質有:1.具良好階梯覆蓋(Step
Coverage)性2.緻密性高,可防止水分滲透3.機械強度大4.無裂縫、針孔等缺陷,可製成厚膜5.附著性佳6.含有氫原子b.氧化矽膜
SiO用來作為電絕緣體及熱絕緣層。製程基本上同 P-SiN,進料換成 SiH4+N2O,其 與傳統薄膜比較如下:

表五、Thermal CVD 與 PECVD 鍍 SiO2 膜性質比較2.反應性濺鍍
(Reactive Sputtering)濺鍍系統的原理是利用電漿中的離子,一般是氬原子,經電場加速撞擊濺鍍靶材
打出其表面原子,鍍到對面的基材上,一般將其歸類為 PVD
製程。利用電漿有活化反應物及促進反應發生的功用,通入反應性氣體經電漿解離,再與濺鍍原子產生反應,在表面形成薄膜。這種方式使的高熔點的固體也可以作
為反應原料,
大大拓寬應用的範圍,稱之為反應性濺鍍法。典型的例子如氮化鈦(TiN)的合成,以鈦為靶材,將氮氣(反應性氣體)混合氬氣(濺鍍離子源)通入電漿製成。
要注意的是靶材也會吸引反應性粒子,造成其表面的污染,通常在鍍膜前先將基材覆蓋以檔板,先利用電漿中的氬離子清除靶材表面數層原子層以後再行鍍膜。3.
電漿聚合法 (Plasma Polymerization) 加高分子單體以蒸汽的方式通入反應器中可獲的電漿聚合高分子薄膜。這種鍍膜
方式可獲得異於傳統聚合法的高分子,其主要特徵是:1.分子結構異於一般聚合方式,是過去不存在的。2.可利用一般聚合方式無法利用的單體。例如甲烷、乙
純等。3.屬高度架橋(Cross Linking)的結構,具高耐熱性、高絕緣性、化學惰性,沒有 針孔缺陷。其反應器如圖七示,電漿聚合的生成機制為
1.單體活化、2.活化粒子擴散至基 材、3.聚合反應 單體進入電漿形成許多自由基,再進行聚合反應,聚合反應是在氣相或表面或兩
者同時發生,膜的型態隨壓力、進料流量和電漿功率而變。其可能的機構如下:

圖八、電漿聚合可能的反應機構,其中 Mi 表示起始單(initial
monomer),經電漿反應成(Mi*)或(*Mk*)自由基,這些自由基再和其他氣體分子(M)或自由基(Mi*)、(*Mk*)鍵結反應,生成各種
大分子或大自由基,這些粒子能會被電漿分解成小自由基或再經過另一個循環形成更大的分子或自由基。
參考文獻:
1. B. N.
Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J.
L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3.
M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials
Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film
Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器,
化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000
 
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對一個低氣壓的反應器內氣體施加一個外部電場,其電壓對電場的關係如圖
一所示:

圖一、低壓電漿反應器內電壓電流關係
電壓由零開始增加,已可偵測到飽和電流,這是因為宇宙中充
斥著一種高能的γ-Ray,在地球上大氣層的保護下只允許極少部份的γ-Ray 進入,不過這些少數的γ-Ray
已可造成氣體的部份解離(可以想見宇宙其他地方沒有大氣層之類的保護情形下,解離程度非常可觀),所以小電壓即產生小的飽和電流,這個區域叫
Townsend Discharge。電壓繼續增加到約 600V,利用上述γ-Ray
產生的電子在電場中被加速,對原子或分子碰撞解離,電子大量增加造成前面提到的崩潰解離,這區域叫 Avalanche
Discharge。並需藉特殊的電源供應器維持住電漿,此時進入正常輝光放電(Normal Glow
Discharge)。我們可以將電漿想像成河流,電流密度是水平面,當開出一條往下遊走的通道後,所有水都會沿著這條通道走,流量固定時液面是等高度
的,當流量增加後才慢慢往兩邊拓寬,維持液面等高。電漿此時會保持電極板上的電流密度固定(所以電壓固定),而電流增加是來自於放電面
積的增加。這個區域電漿有集中的現象。當放電面積擴大到整個電極板時,要提高電流則需再提高電壓而進入異常輝光放電(Abnormal Glow
Discharge)的區域。一般製程都操作在此區域,因為此區域放電面積最大、電漿均勻,且電壓電流的關係接近線性,易於控制,所以電漿也有人稱呼為輝
光放電(Glow Discharge)。 再繼續增加電流密度,陰極溫度提高,當足以發射熱電子(Thermal Emission
Electron,
像燈泡燈絲經加熱,金屬表面的電子很容易獲得足夠的能量脫離束縛,此稱熱電子)時,電流提高。這是一個惡性循環,當電流提高造成陰極溫度上昇而發射熱電
子,再造成電流的提高增加陰極溫度....,維持的電壓反而下降;所以這個區域呈現負電阻的現象。此區域叫電弧放電(Arc Discharge)。

考文獻:
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley &
Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic
Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of
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1994
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鍍膜首要考慮到均勻度與大面積,所以我們有興趣的地方在輝光放電的區域。
利用電漿來鍍膜依靠的主要是電漿態中的離子和自由基。離子可能是反應物或惰性氣體,如果是反應離子,藉由在基板施加偏壓加速撞擊基材;如果是工作離子,例
如氬離子,也是靠著偏壓加速撞擊靶材,撞出靶材的原子飛行至基材, 沉積,這是濺鍍的原理。自由基無法受到電場加速,是利用擴散方式鍍膜,然而
薄膜的應力也較小,另有其重要性。這裡先從電漿反應器裝置開始,再談到一些利用電漿的應用。電漿反應器裝置電漿反應器裝置是由電源供應器、抽氣系統、反應
器、進料系統、壓力量測系統及監控系統組成。
1.電源供應器引發電漿的電源供應器一般分為直流(DC, Direct
Current)電源、射頻(RF, Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源,一般 RF 的頻率
13.56MHz, MW 在 2.45GHz,這是法令與許工廠使用的頻率,現在還有介於中間範圍的電源。
直流輝光放電的方式,電極需裝置在反應器內部,對於要求高純度組成的製程有
污染之虞,而且這種方式容易在電極或反應器上某些地方,因人為或機械製程上的問題造成導電度不好或表面的小突起,容易形成電荷累積產生小電弧。而且直流輝
光放電不能用在鍍絕緣膜或者不導電基板,例如塑膠基材。RF 是目前應用最普遍的電源,電極可以如 DC
放電裝置般置入反應器中,或者放到反應器外以耦合(coupled)的方式供給能量。將電極置於反應器內不會造 成上述 DC 放電電荷累積的問題,而且
RF 及 MW 可以用來鍍不導電的基板或絕 緣膜。電極置於反應器外的耦合裝置則如圖二。由於電漿負載阻抗大,使用 RF
需設置匹配電路。目前為避免 DC 的缺點而又不想有 RF 匹配的問題,廠商有脈 衝式電源可供選擇。MW
具有增加解離率的特性,但放電體積較小,而且導引 MW 需利用導波管傳遞為其缺點。目前開發出 ECR 等技術採 MW
配合磁場造成電子的迴旋共振,可使放電大面積化,在高密度電漿會提到。磁場在電漿方面的應用極廣,使電子沿著磁力線迴旋進而增加電子的壽命及極低氣壓下與
中性原子或分子碰撞的機率以提高解離率。配合適當大小和方向的磁場,可使高頻能源傳遞進入電漿的效率提高,現在正熱門的高密度電漿,如
Helicon、ECR 即採此原理,在高真空度下產生高解離率的電漿。磁場垂直於基板還可以減少電漿傷害基材(Wafer Damage)的機會。
2.
抽氣系統 真空技術是一門獨立的學問,不同真空度要選擇不同抽氣系統和反應器材料。PECVD
因利用到化學反應,所以真空度不高,只需使用到機械幫浦配合魯式幫浦提高抽氣量就足夠,但一般認為最好用擴散幫浦或渦輪分子幫浦將反應器
抽至高真空再通氣鍍膜,以減少污染源。取出試片前也先將壓力抽至高真空度,再採用氮氣清洗系統,因為進料氣體一般具有腐蝕性、可燃性、爆炸性及劇毒,這種
程序對安全上的考量是必須的。有時,排氣中混有粉末、顆粒等物質,會造成幫浦的傷害,所以通常排氣在送入幫浦前會先以過濾器移走大顆粒。幫浦油的選擇也很
重要,多氟類的機械幫浦油較穩定,操作溫度也較高,這樣好趕走經幫浦壓縮過程造成蒸氣的凝結。由於 CVD
大都使用具腐蝕性及毒性的反應物,排氣處理要特別注意。一般排氣先通過冷卻擷取裝置(Cold Trap)吸收排出的氣體或將排氣經水稀釋、中和後排出。
另外,如果遭遇突然停電。幫浦油容易擴散到反應器造成污染,所以需在反應器與幫浦之間裝置斷電自動關閉的保護閥。

圖二、RF 耦合感應裝置
電容式耦合裝置 電感式耦合裝置
3.反應器

二、RF 耦合感應裝置反應器的設計主要符合放電的形式,內部材料的選擇應考慮加熱溫度、耐腐
蝕、表面光滑平整不易包覆氣體等。基材的加熱裝置一般採電阻式或紅外線式加熱器,大型反應器為使鍍膜均勻,多採基板旋轉裝置。因為反應器表面能促使電子離
子的結合,所以在設計時應使電極與反應器壁盡量離開。
4.進料系統
鍍膜的原料可以是氣體、液體或固體。氣體原料儲存在高壓鋼瓶,利用管路輸送至反應器,中間經過流量計控制流量,最為簡便。液體進料則裝入蒸發容器中,利用
恆溫槽等工具保持在固定的溫度下,液體在恆溫環境蒸發出一定量的蒸汽,通常會經由惰性氣體載體將液體進料帶出。氣體載體可通入液體液面上或液體下方經氣泡
方式將原料帶出。固體進料是將反應固體置於蒸發容器然後加熱使
其熔化蒸發或昇華,再送入反應器。固體及液體進料在通過管路時,會因為溫度的下降而造成凝結現象,不但影響流量的穩定甚至可能塞住管路。這種情形下管路一
定要加熱,保持溫度高於蒸發容器的溫度則可避免。原料為固體、液體時,供給反應器的流量是由蒸發溫度及氣體載體流量控制,數種氣體的混合比則由各個流量計
或控制針閥來決定。
5.壓力量測系統由於背壓(Base Pressure)在高真空度(~10-5torr)而工作壓力在數 torr 到
0.1 torr 之間,壓力計要分別設置。一般高真空度下壓力量測用離子真空壓力計(Ion Gauge) 或 Pirani
Gauge,而工作壓力下常用薄膜電容式真空壓力計(Baratron)及熱電偶式壓力計(Convectron),後者可以量測極廣的範圍,從常壓到工
作壓力,但其讀值受到氣體種類的影響,只能作為參考用。電容式壓力計雖然範圍較窄,但讀值與氣體種類無關,量得的是絕對壓力、精確度高。一般系統會採配合
兩者的壓力量 測系統。電漿反應器的壓力測量很重要,不但影響到電漿的均勻度、反應速率,還影
響了薄膜性質等,例如利用電漿聚合鍍高分子薄膜,壓力決定了成長為顆粒狀還 是長成薄膜。
6.監控系統
操作中需監控薄膜成長時的厚度及組成,當到達特定指標後停止反應,如此可對薄膜品質做精確的控制。膜厚的偵測主要是使用紅外光,利用薄膜與基材產生的光干
涉波形來量測厚度,當然先決條件是反應器的材料可穿透紅外光,如圖
三。組成的偵測是比較困難的,通常採紅外光吸收、質量分析、氣相層析法等分析反應氣體。薄膜組成的監控如下,膜厚的監控除上述的紅外線干涉法外,另有利用
膜厚計的方式。這是置入一片石英與基材同時鍍膜,然後量測石英震盪頻率的改變來監控薄膜厚度。電漿內參數的監控採 Langmuir Probe
量測電子、離子的動能(溫度)、解離率等,使用 OES(Optical Emission Spectroscopy)量測中間產物。
這些數據有利於瞭解電漿內的反應。

圖三 膜後監控裝置
參考文獻:
1. B. N. Chapman, Glow
Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W.
Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A.
Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials
Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film
Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器,
化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000
 
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電子迴旋加速器為日本於1982年開發出來,係利用電子在磁場中迴旋的頻
率和微波的頻率2.45GHz一致時,會合微波產生共振現象,而在低壓下吸收高強度的微波功率形成高密度電漿。當電子受一磁場作用時,電子會繞著磁力線作
螺旋軌跡圓週運動,其所受的向心力來自於與磁場的作用,由公式計算得知當B=875G時,電子的迴旋頻率和微波的2.45GHz一樣,因而可共振吸收微
波。
圖十一:典型ECR系統(a)系統結構(b)軸向磁場變化,顯示有一或多個共振區,視磁場數目而定。HeliconHelicon反應器係利用天線配合磁
場產生helicon
wave以形成極高密度電漿。典型Helicon反應器及天線設計如圖十二所示:利用天線產生電磁波與軸向的磁場形成helicon
wave,此波即可傳遞藉由碰撞振動(Collision damping)及非碰撞蘭道振動(Collisionless Laudau
damping)將本身能量傳遞給電漿。Helicon
Wave其傳遞沿著軸向,而在徑向形成駐波,其截面形成波形圖案如圖十三所示,實際Helicon反應器如圖十四、圖十五所示。

 
 
 
(圖十一、典型ECR系統 (a)系統結構(b)軸向磁場變化)
 
 
 
 

 
(圖十二、上圖為 Helicon 右手螺旋天線;下圖為左手螺旋天線設計)

 
 
(圖十三、Helicon 反應器截面波形分佈,其中實線為磁力等位線,虛線為電力等位線)
 

 
 
 
 
(圖十四、由 Lucas Signaton 公司出產 Vortex Helicon Etcher)
(圖十五、Helicon 反應器結構圖(MØRITM Helicon Reactor))

考文獻:
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley &
Sons, 19802. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic
Press, 19913. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma
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Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925.
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人類對物質第四態──
漿
的認識比對其他三態要晚得多,主要是因為在地球表面的自然環境中,電漿出現的機會不是很多。但是,隨著科學技術的發展和社會的進步,人類與電漿
接觸的機會越來越多,人造電漿在實驗室和工業界大量出現,人類對電漿的依賴也越來越大。電漿研究對基本物理發展很重要,同時也因被廣泛地應用而呈現出更為
廣闊的前景。
氣體放電:實驗是電漿研究始於1830年代,
拉第
(Michael
Faraday,1791-1867)研究氣體的光輝放電效應。對大氣流真空管的需求打開了電漿應用的大門,從此電漿開始在工業生產中得到應用。最常見的
有日光燈、霓虹燈、電漿顯示器,以及其他各種的電漿光源。此外,在電漿焊接、汞整流器,引燃管、火花隙等也會用到電漿。
電磁波源:帶電粒子在磁場
中要在垂直於磁場的平面上做圓周運動,它的加速度方向是垂直於本身的速度方向。有加速度的帶電粒子會輻射電磁波,只是非單一頻率,強度也弱。若將一電子束
射入磁場中,因為迴旋運動有固有頻率,而且電漿強耦合產生集體效應,所以可以產生很強的單頻集體電磁輻射,成為電磁波源。
值得特別一提的是,愛因
斯坦的
對論
指出電子質量和其能量狀態有關。電子束中的電子在和電磁波作用時能量變化,造成迴旋頻率會隨之變化而產生群聚效應增進輻射效能,這個效應稱為
迴旋梅射。當外加磁場配置改變成垂直於原來電子束的行進方向而且磁場方向交錯地改變時,電子束運動也會有另一種相似的固定頻率的週期運動,而產生單頻集體
輻射效應,這就是自由電子雷射的工作原理。這樣的電磁波源具有功率高、頻率高、定向性好的特點,在科學研究和工業生產中被廣泛應用。例如,在磁約束受控核
融合研究中,不同頻率的這種電磁波可用來加熱電漿,以提升溫度,從而增加核融合反應的速率。
資料轉貼:http://www.nsc.gov.tw/_NewFiles/popular_science.asp?add_year=2003&popsc_aid=45
 
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Welcome to BW
tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting
tools. We focus on what you need and endeavor to research the best
cutter to satisfy users
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cutter
Tool manufacturer.
Bewise Inc. www.tool-tool.com

うこそ
Bewise Inc.
世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな

情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。

社は専門なエンド
ミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ
豊富な
パリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は:
(1)精密HSSエンドミルのR&D
(2)Carbide Cutting
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設計

(3)鎢鋼エンドミル設計
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ミル設計

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弊社の製品の供給調達機能は:
(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計
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ミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給
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弊社の
全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

Bewise
Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z)
talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır.
Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini
Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik
Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel
Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в
научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым
высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих /
фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и
электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид /
быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы,
фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм
для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано
инструменты. Пожалуйста, посетите сайт 
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получения большей информации.

BW is specialized in
R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech
coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space
and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS
end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter,
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