dm02 
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標準就是規範,每個國家和部門都有自己的標準。目前,我們在平時的業務中
最常用到的標準有以下幾種:
GB—中國國家標準(國標) ANSI—美國國家標準(美標)
DIN—德國國家標準(德標)
ASME—美國機械工程師協會標準
JIS—日本國家標準(日標) BSW—英國國家標準
GB—國家標準是我國眾多標準
中的一種,另外還有行業標準,專業標準和部門標準等。
國家標準又分:GB(強制性標準)和GB/T(推薦性標準)以及GBn(國家內部標
準)等。我們平常看到的像GB30,GB5783等等都是強制性的標準。
以上幾種標準除了一些基本尺寸如頭部對邊、頭部厚度等的不同以
外,最主要的是螺紋部分的不同。GB、DIN、JIS等的螺紋都有是以MM(毫米)為單位,統稱為公制螺紋。另像ANSI、ASME等的螺紋是以英寸為單
位的稱為美標螺紋。除了公制螺紋和美制螺紋外還有一種BSW—英制標準,其螺紋也是以英寸為單位,俗稱惠氏螺紋。
公制螺紋是以MM(毫
米)為單位,它的牙尖角為60度。美制螺紋和英制螺紋都是以英寸為單位的。美制螺紋的牙尖角也是60度,而英制螺紋的牙尖角為55度。由於計量單位的不
同,導致了各種螺紋的表示方法也不盡相同。例如像M16-2X60表示的就是公制的螺紋。
他的具體意思是表示該螺絲的公稱直徑為
16MM,牙距為2MM,長度為60MM,又如:1/4—20X3/4表示的就是英制的螺紋,他的具體意思是該螺絲的公稱直徑為1/4英寸(一英
寸=25.4MM),在一英寸上有20個牙,長度為3/4英寸。另外要表示美制螺絲的話一般會在表示英制螺絲的後面加上UNC以及UNF,以此來區別是美
制粗牙或是美制細牙。
在平時的內銷業務中,我們最常遇到的標準是GB(國標)和DIN(德標)。
在非芳生產品方面,主要
會接觸到以下幾種標
準:GB30;GB5783;GB5782;GB52;GB6170;GB818;GB819;GB845;GB846;GB70;DIN912;DIN933;DIN931
等。目前GB30(老國標)在標準書中已被GB5783(新國標)所代替。GB52(老國標)在標準書中已被GB6170(新國標)所代替。

1986年,我們國家對標準件制定了新標準,在業務中一般俗稱為新標,使用最多的主要有GB5780、GB5781、GB5782、GB5783、
GB5784。GB5780為六角頭粗桿半牙螺絲,其精度等級為C級產品,可用GB5782來代替(GB5782為六角頭粗桿全牙螺絲,其精度等到級為A
級和B級。)GB5781為六角頭全牙螺絲,精度等級為C 級產品。可用GB5783來代替(GB5783為六角頭全牙螺絲,其精度等級為A級和B
級)。GB5784為細桿半牙的六角螺絲。
新標與老標的區別在於:M8、M10、M12、M14、M22系列的產品,在對邊寬度上有所區
別。除M22系列的新產品外,新標產品M8、M10、M12、M14的頭部對邊比老標的對邊要小1MM。分別為13、16、18、21MM
,而M22系列的新產品,新標比老標的對邊反而要大2MM,應特別注意。對於頭部厚度,新標和老標之間略有差別,在要求不是非常嚴格的情況下可以通用。

標與德標的區別在於:M10、M12、M14、M22的產品規格,在對邊寬度上有所差別。M10、M12、M14的頭部對邊新標比德標要小1MM。而
M22的新產品的,其頭部對邊比德標的對邊寬度要大2MM ,其他的均可通用。
對於六角螺帽,常用的標準有:GB52、GB6170、
GB6172和DIN934,對於它們之間的主要區別有:
GB6170的厚度要比GB52、GB6172和DIN934來的厚,俗稱為厚
螺帽。另外就是對邊上的區別,M8的螺帽系列中DIN934、GB6170、GB6172的對邊都是13MM比GB52的對邊14MM要小1MM,M10
的螺帽,DIN934與GB52的對邊為17MM,比GB6170和GB6172的的對邊要大1MM,M12的螺帽,DIN934、GB52的對邊為
19MM比GB6170和GB6172的對邊18MM要大1MM。
對於M14的螺帽,DIN934、GB52的對邊為22MM比
GB6170和GB6172的對邊21MM要大1MM。另外就是M22的螺帽,DIN934、GB52的對邊為32MM,比GB6170、GB6172的
對邊34MM要小2MM。(GB6170和GB6172除了其厚度不一樣外,對邊寬度完全一樣)其餘規格在不考慮厚度的情況下,可以通用。

內六角方面,國標中有兩個版本,一個為GB70—76,76年版本,一個為GB70—85
85年版本,我公司現執行DIN912的標準,所以在實際業務操作中應注意區別:其中GB70—85與DIN912完全重合,故對於使用新標的情況,不存
在著差別,主要是GB70—76與DIN912之間有所區別:
M8系列的內六角產品,GB70—76的圓頭徑為12.5MM,比
DIN912的13.27MM要小一些,M10系列的內六角產品,GB70—76的圓頭徑為15MM,比DIN912的16.27要小一些,M12系列的
內六角,GB70—76的圓頭徑為18MM,比DIN912的對邊18.27要小一些
另像M16、M20系列的內六角GB70—76的圓
頭徑比DIN912的要小0.33MM,分別為24MM,30MM。DIN912的則分別為24.33MM和30.33MM。另外老標與德標內六角之間的
內對邊寬度由於標準不同而不同,GB70—76的內對邊要小一些,在業務作業中也應加以注意。
另外,平時可能會用到的馬車螺絲也有一些區
別,在此也作一個說明,在國標中,有兩種馬車螺絲的標準,即GB12(小半圓頭方頸螺絲)和GB14(大半圓頭方頸螺絲),平時在市面上較常用的還有德標
標準DIN603。現對這三者加以區別:對於圓頭頸,在同一規格比較時是:GB12<
SPAN>。通常在馬車螺絲的使用時,往往要求頭頸大而厚,所以DIN603馬車螺絲的標準完全符合要求。
名稱 :
1.
機螺釘 2.自攻螺釘 3.鑽尾螺釘 4.墻板釘 5.纖維板釘 6.木螺釘 7.六角木螺釘 8.不脫出螺釘 9.組合螺釘 10.微型螺釘
11.傢具螺釘 12.電子螺釘
頭型 :
1.六角頭(hexagon head) 2.六角頭法蘭面(hexagon
head with flange) 3.方頭(square head) 4.T形頭T head (hammer head)
5.扁圓頭mushroom head(truss head) 6.圓柱頭(cheese head) 7.圓頭(round head)
8.盤頭(pan head) 9.沉頭 countersunk head (flat head) 10.半沉頭 raised
countersunk head (oval
槽型 :
1.菲利普 2.十/一字 3.一字 4.內三角 5.內角四方
6.十字 7.米字 8.花形 9.梅花形 10.花形一字 11.特形 12.內六角
 

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アーク溶接とは電気の放電現象(アー
ク放電
)を利用し、同じ金属同士をつなぎ合わせる溶接法。母材と電
極(溶接棒、溶接ワイヤ、TIGトーチなど)の間に発生させたアークによってもたらされる高熱で母材および溶加材(溶接ワイヤ、溶接棒)を溶融させて分子
原子レベルで融合一体化する接合法であり接着とはまったく違う。電気溶接とも言われることもあるが、これには
抗溶接
も含まれる。
材料によっては高熱に曝されると性質が変化したり、劣化する恐れがあるので、溶接を行う際は、JIS
規格
に規定された耐久性が得られるか検討する必要がある。また、アーク溶接を行う際は
働安全衛生法
第59条3項「アーク溶接」による特別教育を修了する必要がある。

覆アーク溶接
で使用する溶接棒は、芯線より発生したアークを、被覆材から発生したガスでシールドし、大気中の窒素や酸素が溶接部に混入するのを
防止している。この他、被覆材の成分は、溶接金属の脱酸精錬や、スラグになってビード形状の成型などの働きをする。被覆アーク溶接は手溶接、手棒溶接と言

ことがある。被覆アーク溶接での進行方向は、右利きなら左から右へ、左利きなら右から左へ、いずれの場合も進行方向に対して五度から十度傾けて傾けた方向
に進む。
連続的にワイヤやガスを供給する溶接を手棒溶接に対する意味で半自動溶接と言う。被覆アーク溶接とほぼ同じ用途の溶接として
自動アーク溶接
がある。被覆アーク溶接(しばしば手棒溶接ともいう)はいわゆる溶接棒を溶接材として使うが、溶接棒は比較的短いためしばしば短
くなった溶接棒を交換する必要があり、大量に溶接を行うには必ずしも適していなかった。このため開発されたのが溶接材として非常に長いワイヤーを使う半自
動 アーク溶接であり、単にアーク溶接と言えば、半自動アーク溶接のことを指すほど一般的である。半自動溶接はガスシールドアーク溶接なの
で風に弱く、屋外では使用しにくい。おもに工場内で使われる。詳細は
自動アーク溶接
の項目を参照のこと。
ティ
グ溶接

グ溶接

グ溶接

酸ガスアーク溶接
では、電極(溶接ワイヤ)から発生させたアークを、
ルゴン

酸ガス
等のガスで覆い、アークの安定、溶融金属中に大気が混入しないようにする目的がある。この為に使用されるガスをシールドガスと称する。ミ
グ溶接、マグ溶接、炭酸ガスアーク溶接は溶接ワイヤやシールドガスの連続供給が可能で、溶接の中ではスポット溶接と並び、最も自動化が進んでいる。これら

スシールドアーク溶接では進行方向にノズルを向けて、右利きなら右から左へ、左利きなら左から右へ進む方法を前進法、逆に進行方向と反対にノズルを向けて
進む方法を後退法と呼び用途やワーク形状によって使い分けられている。
真っ直ぐ連続してビード(溶接痕の盛り上がり)を置くことを(ビー
ドは置くと表現するのが正しい、英語ではビードオンプレートと呼ぶ)ストレートビードと呼び比較的薄い材料に適している。また進行方向に対して振幅を与え
つつ進んで置いたビードをウィービングビードと呼び多層盛溶接などの比較的厚い
板に適している。(ウェービングではなくウィービングが正しい呼称、意味は縫い合わせるようにであり、文字通り二つの板を縫い合わせるように進行する)
アー
クと電気

電流と電圧
アーク溶接では電力により溶接棒もしくは溶接ワ
イヤを溶融させる。アーク溶接を行うにはこの電力、つまり電流と電圧のコントロールがきわめて重要である。電圧が低い場合、右図(1)のようにアーク長は
短くなる。逆に電圧が高い場合、右図(3)のようにアーク長は長くなる。また、同じ電圧で電流が増せ
ば、右図(1)のようにアーク長は短くなる。逆に同じ電圧で電流が減れば、右図(3)のようにアーク長は長くなる。
普通の伝導体の場合、
電流は電圧に比例して増大するが、アーク溶接の場合は電流は電圧に比例しない。電圧を上げるとアークが大きくなり、その分抵抗値が増すからである。この性
質を利用してアーク溶接の溶接機には、負荷電流と負荷電圧が別々に設定できるように、それぞれにつまみがついている。これは以下のようなしくみになってい
る。
アーク溶接の溶接機(電源)は、電流と電圧のコントロールの仕方により、定電圧特性のものと垂下特性のものの2種類がある。

電圧特性

定電圧特性とは、負荷電流が増加しても負荷電圧が一定となる性質のことである。実際には負荷電圧を一定の
値に保つように、負荷電流が自動制御される。定電圧特性の溶接機は主に半自動アーク溶接に使われている。
半自動アーク溶接の溶接機で電流
の設定値を増すと、すぐに負荷電流が増えるのではなく、まず
送給装置からのワイヤーの供給速度が増す。このときワイヤーによってアークから融解熱が奪われるため、アークが小さくなる。アークが小さくなると負荷電圧
が下がるが、溶接機はこれを検知し自動的に電圧が元に戻るまで負荷電流の量を増やす。
逆に溶接機の電流の設定値を減らすと送給装置からの
ワイヤーの供給速度が減る。するとワイヤーによって奪われる融解熱が減るためアークが大きくなる。アークが大きくなると負荷電圧が上がるが、溶接機はこれ
を検知し負荷電圧が元に戻るまで負荷電流の量を減らす。
要するに、半自動アーク溶接の溶接機はワイヤーの供給速度によって電流をコント
ロールするしくみになっており、実際の電流値(負荷電流)は定電圧特 性を持つ電源の平衡機能によって制御されている。
垂下特性

垂下特性とは、負荷電流が増えると負荷電圧が低下する特性を意味している。これは内部抵抗値を持つ電池や発電機など一般的な電源の持つ性
質である。溶接では電流の高い領域、すなわち、電圧が変化しても電流があまり変化しない領域が使われる。垂下特性の溶接電源は主に被覆アーク溶接やサブ
マージアーク溶接な どに使われる。
溶接では電流の高い領域、すなわち、電圧が変化しても電流があまり変化しない領域で使うようになって
いる。垂下特性の溶接電源の場合、アーク長が変化しても負荷電流の量は一定なので溶接棒の溶ける量はあまり変わらない。発生する熱量が変わらないのでアー
ク長はすぐに元に戻る。従っ て、アークの長さが変化しても電流はあまり変化しないので、垂下特性の溶接電源なら手作業でも安定した溶接が行える。

流とワイヤー速度

半自動アーク溶接では、電流の設定値はそのままワイヤーの供給速度になる。このワイヤー速度はか
なりの速さで、溶接の結果に大きな影響を及ぼす。電流を増やした場合、ワイヤー速度が増し溶融金属の運動量

増えるので、深く溶け込む。また、同じ電流値でもワイヤー径が細くなると、時間あたりの溶融量を保つためにワイヤー速度が上がる。その結果、ワイヤーの母
材へのぶつかる速度が増す。従って、細いワイヤーほど深く溶け込みやすい。
深い溶け込みはアーク溶接では一般に望ましいこととされるが、
液体が激し く動くことになるので、その分スパッタなど増えることにもなるので注意しなければならない。
移行状態

溶接棒や溶接ワイヤが溶けた溶融金属が母材上に移動することを溶滴移行という。この溶滴移行の様子は電圧電流
シールドガス、溶接材の種類などによって著しく変化する。
低電流の状態では、アーク熱により溶融した溶加材(溶接棒のこと)の先端部が溶
融した母材 に接触し(短絡)、アークが消えるとともに溶加材から母材へと流れるように溶融金属が移動する。これを短絡移行と言う。

酸ガスアーク溶接における高電流の状態では、溶融した溶加材は大きな滴になって移行し、一部の溶融金属が飛び散るなどの現象が生じる。これをグロ
ビュール移行
という。飛び散った溶融金属はスパッタといい、溶接ビードの回りにこびり付き、溶接
の外観を悪くする原因となる。しかし、うまくコントロールできればグロビュール移行は高速な溶接ができるという長所がある。
MAG溶接に
おける高電流の状態では、溶加材から母材への溶接金属の移動が非常に小さい滴の状態で行なわれる。これをスプレー移行と言う。スプレー移行
はスパッタが少ないため外観が良く、かつ溶け込みも深く、能率も良い溶接ができる。
シールドガス
シー
ルドガスの働き

アーク溶接で溶融している金属に大気が接すると、大量の窒素
金属の中に溶け込む。溶融金属が凝固するときに、この窒素が一気に析出し泡となってそのまま固まってしまう。この状態をブローホールとい
い、この状態になると溶接部分の機械的強度が著しく低下する。代表的な溶接欠陥である。水を急速に氷らせると、
酸ガス
が析出して真っ白な氷になるが、それと同じ現象である。
そのため、空気中でアーク溶
接を行うには何らかの方法で空気とアークや溶融池を遮断する必要があり、シールドガスが用いられている。シールドガスとしては
酸化炭素

ルゴン
を主成分とし、時には
リウム
水素酸素
どを添加したガスが使われる。
日本では二酸化炭素を使った炭酸ガスアーク溶接が主流だが、欧米ではアルゴンやヘリウムを使った
グ溶接

グ溶接
が主流で、
酸ガスアーク溶接
による製品は二流品とされている。
アークとシールドガス
シール
ドガスはその名の通り溶融金属を大気から保護する目的もあるが、それ以上にアークそのものの素材になるという重要な機能がある。アークとは
ラズマ
の一種で、気体が電離したものであ
る。電離とは高温により原子から一部または全部の電子が飛び出している状態になっている。電子が電離することをイオン化、あるいはプラズマ化などと言う。
電離した電子が電荷を運ぶので、アークおよびプラズマは気体であるにもかかわらず、電気を通す伝導体
ある。
アークとプラズマは厳密に使い分けされている言葉では無いが、慣例的に通電状態にあるプラズマをアークと呼ぶことが多い。アーク
は一般に強い紫外線熱線
含む激しい光線を発する。
誤解されることが多いが、アーク溶接のアークは気化した金属ではない。シールドガスがプラズマ状態になったも
のである。プラズマは不安定な状態で、大気の中では急速に冷えて普通の気体に戻ってしまうが、アークは電流が通ることで自ら発熱し、その熱でプラズマ状態
を維持することができる。アーク溶接の アークは15000度くらいの超高温になっており、鉄などは簡単に溶融してしまう。
最初のアーク
は、最初に溶加材(溶接棒や溶接ワイヤのこと)が母材とスパークした瞬間に、その熱でシールドガスがイオン化することによって生じる。アークは電気を通す
ため、一度アークが生じるとアークを介して電気が流れるようになる。するとアーク自体が発熱し、周囲のシールドガスをイオン化する。
アークはある段階まで成長すると一定の条件下で安定状態に入る。そのアークが溶加材や母材を溶融させていく。
シールドガスはアークを保護
するとともに、アークそのもののベースである。従って、シールドガスの成分はアークの状態を大きく左右し、さらに溶接の結果に大きな影響を与える。特に二
酸化炭素はアークの特性を大きく変化させる物質である。
シールドガスの種類
シールドガスに
使われる物質は
酸化炭素

ルゴン

リウム

酸素
どである。一般的なのは
酸化炭素

ルゴン
である。日本では二酸化炭素だけを使うケースが多い。欧米ではアルゴン、もしくはアルゴンと二酸化炭素を混ぜたシールドガスを使うのが普
通である。また、米国ではヘリウムも比較的多く使用されているようだ。
アルゴンは空気中に含まれているので、沸点の違いを利用して液化し
た空気から生
産される。しかし、アルゴンと酸素は沸点が近い(それぞれ-186℃と-183℃)ので、分離が難しい。そのため、安物のアルゴンを使うと溶接のスラグが
多くなり、欠陥が発生しやすい。
アーク溶接における二酸化炭素の働き
鉄鋼のアーク溶接の
シールドガスにはCO2(
酸化炭素

酸ガス
)が使われる場合がある。
CO2は化合物であり、CO2が電離してプラズ
マになること は無い。CO2はプラズマ状態になる前に、高熱により酸素炭素
分かれる分解
起こす。その酸素と炭素がさらに電離して
ラズマ
となり、それがアークを形成する。
シールドガスはアークや溶融金属を空気から保護するために使うのだが、CO2から生じ
た酸素、しかも電離した活性な酸素が溶けた金属と化学反応を起こすのではないか、と疑問が生じる。幸いなことにアークの中には活性化した炭
素もあり、炭素は鉄より
オン化傾向
が強いので酸素と結びつきやすい。つまり鉄と酸素が結びつく前に炭素と再びくっついてしまい、鉄は酸化しない。逆に何らかの原因で
アークの中の酸素が不足すると、鉄と炭素が化合し、鉄がもろ
くなる。還元反応といい、転炉で鉄を精錬
るのと理屈は同じである。
しかし、やはり少しは鉄と化学反応を起こして酸化鉄を生じるため、CO2で溶接するとアルゴンだけで溶接するよ
り多くスラグが出る。スラグとは溶接ビードに浮き出てくる酸化鉄

どの不純物である。液体の鉄は非常に重いため、酸化鉄などの不純物は鉄が冷えて固まる前に表面に浮いてくるのでほとんど問題になることはない。しかし溶接
条件によっては溶接内部にスラグが入り込み、溶接欠陥を生じてしまうこともある。なお、溶接金属が炭素よりイオン化傾向の強いアルミのような金属ではCO2
使えない。
上記のようにCO2は化学反応を起こすため、炭酸ガスをシールドガスとして使うと、アークの中にはア
ルゴンガスだけのときよりも複雑な現象が生じる。CO2は酸素と炭素に化学分解するときに周囲から大量の熱を奪う。そのため溶融金
属の温度も下がり、その 表面張力と粘性が大きくなる。その結果、比較的大きな溶滴が生じ易くなり、スパッタが生じやすくなる。
これらの
ため、CO2で溶接するよりアルゴンガスなどで溶接したほうが、一般的には溶接の品質が良いと言われる。また、CO2

高熱で化学分解すると炭素原子1個、酸素原子2個で合計3個の原子に変わり、急激に体積が膨張する。さらに化学分解によりアークから熱量が奪われる。その
結果アークが圧迫されて細く鋭くなり、狭い範囲に熱が集中しやすくなる。これを熱的ピンチ力という。その結果、母材に
深い溶け込みができやすく、かつ速い溶接が可能になり、溶接対象物への熱影響が少なくなる。これらの現象は溶接に対して、溶接欠陥や外観を悪くするという
悪い要素と、溶け込みが深く、熱影響が少なく、速い溶接ができるという良い要素を与える。
そのため一概にはCO2
悪いとは言えず、目的によってはアルゴンガスより良い結果が得られる場合もある。また、アルゴンガスとCO2を混ぜて使い、両方の
いい面を利用する溶接があり、これを
グ溶接
という。日本では、CO2が20%、アルゴンが80%の比率のMAG溶接がもっとも一般的な比率である。

らに、アルゴンガスとヘリウムガスでは微妙に異なる。シールドガスのメーカーはこれらのガスを混ぜる比率を研究し、目的別に最適なシールドガスを売り出し
ている。高速溶接のできるシールドガス、溶接品質の良いシールドガス、深い溶け込みのシールドガスなどが販売されており、中には通常の4倍以上の
速度で溶接できると謳うシールドガスもある。
アーク溶接と材料
熱影響

金属を一部分だけ加熱し冷却すると大きく歪む。そのため溶接を行うと溶接された部材は大きく歪んでしまう。
金属を一部分
だけ加熱すると当然その部分は膨張する。しかし周囲は冷えたままなのである。すると、膨張した部分は周囲から圧縮を受ける形になる。その結果、加熱された
部分は冷えたままのところより柔らかいので、加熱された部分は縮む方向に塑性変形することになる。さらに、この一部分だけ加熱した金属
を常温まで冷却すると、加熱を受けた部分は元の体積より小さくなり、周囲を強烈な力で引っ張ることになる。この結果、製品全体が大きく歪む。これを
歪み
と言っている。また加熱を受けた部分の周囲には強い引張応力が残る。これを残留応力といい、最
終的な製品の強度に大きく影響する。
アーク溶接では金属が溶融するまで加熱するので当然大きな熱歪みと残留応力が発生する。スポット溶接
もアーク溶接ほどではないが熱歪みと残留応力が発生する。
また、溶接の周囲では母材の組織の変化が発生する。金属は規格ごとに結晶構造や
化学組成が決められているが、溶接のように急激な加熱と冷却をしてしまうと、これらの結晶構造や化学組成が変化し、素材の強度を大きく変化させてしまう。
これらの結晶構造や組成変化、熱歪み、残留応力を総称して熱 影響と呼んでいる。
普通は溶接部分は
き入れ
のような状態になり、周囲の熱影響を受けていない部分より頑丈になってしまう。頑丈になれば良いのではないかと思うかもしれない
が、実際にその溶接製品に負荷をかけると、頑丈な溶接部とそうでない普通の部分の境界辺りに応力が集中する。これを応力集中
いうが、これがあまりに大きいと破断に至る。よく、溶接の周囲で破断が多いため、ゴテゴテと補強板を貼り付けたり、板厚を増したりする設計図を見かける
が、これはあまり効果的な方法ではない。
膨張係数の異なる材料をいきなり溶接すると、どちらかが溶接中に割れたり、冷却時に割れたりす
る。このため製品全体を溶接前に加熱する予熱や、ゆっくり冷す後熱が行われることもある。また、溶接製品は溶接を終えると全
体としては小さく なるが、それをあらかじめ予測して大きく材料を作っておく対策も行われる。
鉄鋼
アー
ク溶接の主たる対象材料はやはり鉄鋼である。

図はFe-C状態図と言い、縦軸が温度、横軸が炭素量となっている。鉄鋼は温度と炭素量により相変化

起こし、物理的特性の違う組織に変化する。右図は十分に冷却時間を取った場合の鉄鋼の相変化を表している。溶接の場合は急激な温度変化を伴うため、右図に
示される相変化を激しく遷移し、加熱と冷却の仕方によって様々な組織に変化する。
そのため一口に鉄鋼と言っても様々な種類があり、アーク
溶接に適さない種類の鉄鋼もある。また、溶接可能な鉄鋼でも、溶接するにあたって特別な処理が必要となるものもある。このような溶接に対する材料の性質を
接性
と言う。一般的に硬い材料ほど溶接しにくい。
鉄をアーク溶接すると、溶融部は液相から急激に固相に移行し急激に冷却されるこ
とになる。また溶接周辺部も急激な加熱のあと急激な冷却を受けることになる。鉄はこれらの熱影響によって成分や結晶構造が変化し、鉄の種類
によっては強度が不足したり、変形したり、亀裂 が生じたりする。鋼材をある程度まで熱してから急激に冷却すると、いわゆる焼きの入った状
態になって硬化を起こす。鋼材には炭素が含まれているためで、この炭素が鉄と化学反応を起こしたり、結晶構造を変化させるなど結果として硬化が起きる。鉄
鋼が硬くなると脆くなるため 機械的強度が低下することがある。そのため、一般に炭素が少ない鋼材のほうが溶接性が良いとされる。
鉄を硬
化させる物質は炭素だけではなく、マンガンやシリコンなども硬化の原因となる。これらの物質の影響を炭素の影響に換算したものを
素当量
と言う。
軟鋼
炭素が0.25%以下の焼き入れ硬化が無視できる鋼
材を軟鋼と言う。最も一般的な鋼材で引っ張り強度は400N/mm2程度であ る。低炭素鋼普通鋼
どとも言う。
JIS
格では、一般構造用圧延鋼材のSS400という鉄鋼が軟鋼に相当するが、JIS規格ではリン硫黄
成分のみが規定されており、炭素や他の成分は規定されていない。従ってメーカーやロットによっては同じSS400でも溶接に適さないものもある。

のため溶接用に規定された軟鋼としてはSM材とSN材が規定されている。SN材は特に建築用として規定された材料で、大地震などで十分な強度が得られるよ
うに成分調整と検査が義務付けられた鋼材である。軟鋼は特に溶接性の悪い材料ではないが、比較的柔らかい鋼材のため、溶接量が多いと大きな歪みが
生じる。そのため形状によっては縮み代逆歪み、冷却などの対策が必要になる。
余談だが、日本では鉄と鋼は
一緒くたにされているが、日本以外では全く違う物質として認識する地域もある。日本のSS400だと規格上、国によって
は鋼として分類されずにクズ鉄同然の見方をされることがある。
高張力鋼
高張力鋼とはJIS
に規定された鉄鋼で、490N/mm2以上の一般構造用鉄鋼を言う。溶接性、切り欠きじん性などに配慮することもJISに規定され
ている。溶接性も規格に入っているため溶接性は悪くないが、硬いため形状と溶接量によっては亀裂が生じる場合もある。また軟鋼に比べると炭素が多いため、
焼き入れ性が強く、アーク溶接を行うと多かれ少なかれ焼き入れ硬化を起こす。強度的な問題が生じる場合は、予熱や後熱処理などが必要と なる。
TMCP

炭素や合金を少なくし、溶接しやすい高張力鋼とするため、普通の圧延鋼板よりも低い温度で精密に温度制御しつつ圧延した鋼材である。組織
が微細なため、炭素当量が少なくても普通の圧延鋼板なみの強度がある。炭素当量が少ないので熱影響部の硬化が少なく溶接性は良好である。
TMCP
鋼は溶接用に開発さ
れた素材だが、ほかにも様々な鋼材が溶接用に開発されている。特に低温に強いものや、高温につよいもの、サビに強いものなど目的に応じたものがある。

手形状

接合する母材と母材の配置のしかたには多くの種類がある。用途により使い分ける。その一部を右図に示す。

  • 突き合わせ継ぎ手

  • 開先継ぎ手(両開先)

  • 重ね継ぎ手


  • 肉継ぎ手


  • いずれの溶接も二つの材料に均等に熱を加えることが基本であり断面方向の狙い角度が要である。誤った溶接
    法・溶接材料を適用したり、母材に与える熱量が過大または過小であった場合、期待する強度が得られず部材が破断する。
    突き合わせ継ぎ手は
    別名、バット溶接とかIバット(アイバット)などと言う。アーク溶接の場合、ピッタリくっついた突き合わせ継ぎ手は施工しにくい。そのため、ウラガネ(裏
    金または裏鉄)という薄いプレートを裏側に付け、突合せの間隔を板厚以上に取るのがふつうである。
    開先継ぎ手は溶接しやすいのだが、開先
    を作るための加工コストが必要になる。また図のような両開先継ぎ手の場合、母材の薄い部分が溶け落ちてしまうため、ウラガネを使うのが普通である。

    ね継ぎ手、隅肉継ぎ手は中厚板の溶接で最も一般的な溶接である。図には無いが片側開先の隅肉継ぎ手も多い。
    アーク溶接の歴史

    溶 接
    項を参照のこと。
    アーク溶接の用途
    アーク溶接の用途は広く、自動車列車船舶航空機建築物
    設機械
    など、あらゆる金属構造物にごく一般的に使われていると思ってよい。母材は鉄鋼が多いが、アルミチタン
    どほかの金属にも普通に利用される。
    アーク溶接の種類


  • 覆アーク溶接


  • 自動アーク溶接


  • スシールドアーク溶接

  • ティ
    グ溶接
    (Tungsten Inert Gas welding)


  • グ溶接
    (Metal Inert Gas welding)


  • グ溶接
    (Metal Active Gas welding)


  • 酸ガスアーク溶接


  • ブマージアーク溶接


  • ラズマアーク溶接


  • ンデムアーク溶接


  • アーク溶接と安全
    アーク溶接は強烈な紫外線
    発生する。その強さは、アークから50cm離れた皮膚に数秒間アー
    ク光を曝しただけで
    を起こすほど であり、日光の比ではない。長時間アーク光に曝した場合、火傷、水ぶくれ、
    シミなどの症状が発生する。何度も至近距離で強烈なアーク光に皮膚を曝すと最悪皮膚に至る場合もある。通常、溶接の光
    では日焼けと同じような炎症を起こし皮が剥けるものの、残念ながら小麦色の肌にはならない。(しかしシミはできる。)裸眼でアーク光を見た場合、電光性
    眼炎
    (電眼炎)という炎症を起こす。何
    度も電光性眼炎になると視力の低下や最悪の場合失明に至る。


    属ヒューム
    という酸化鉄
    らなる煙を発生し、大量に吸った場合、
    属ヒューム熱
    じん肺
    どの深刻な病気の原因となる。ヒュームには
    酸化炭素
    オゾン
    混ざっており、換気には十分注意しなければならない。
    防護装備
    強力な紫外線を避けるため、アーク溶接作
    業には長袖、長ズボンの作業服、溶接面、皮手袋が必須である。さらに、ヒュームを避けるために防塵マスクが必須で ある。また必要に応じて安全靴
    パッツ
    (足カバー)、厚手の耐熱エプロン、
    ルメット
    ゴー
    グル
    などを着用しなければならない。さらに場合によっては
    セリン
    や熱焼け防止クリームなどの表皮保護剤(ゲル状クリーム状の物が望ましい)を顔面や頸胸部周囲などに事前塗布しておく事が望ましい。ま
    た、溶接作業者の更衣室、休憩室などには衣服に付いた粉塵を吸い取る装置や、空気清浄器などを設置することが望ましい。
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    アーク溶接とは電気の放電現象(アー
    ク放電
    )を利用し、同じ金属同士をつなぎ合わせる溶接法。母材と電
    極(溶接棒、溶接ワイヤ、TIGトーチなど)の間に発生させたアークによってもたらされる高熱で母材および溶加材(溶接ワイヤ、溶接棒)を溶融させて分子
    原子レベルで融合一体化する接合法であり接着とはまったく違う。電気溶接とも言われることもあるが、これには
    抗溶接
    も含まれる。
    材料によっては高熱に曝されると性質が変化したり、劣化する恐れがあるので、溶接を行う際は、JIS
    規格
    に規定された耐久性が得られるか検討する必要がある。また、アーク溶接を行う際は
    働安全衛生法
    第59条3項「アーク溶接」による特別教育を修了する必要がある。

    覆アーク溶接
    で使用する溶接棒は、芯線より発生したアークを、被覆材から発生したガスでシールドし、大気中の窒素や酸素が溶接部に混入するのを
    防止している。この他、被覆材の成分は、溶接金属の脱酸精錬や、スラグになってビード形状の成型などの働きをする。被覆アーク溶接は手溶接、手棒溶接と言

    ことがある。被覆アーク溶接での進行方向は、右利きなら左から右へ、左利きなら右から左へ、いずれの場合も進行方向に対して五度から十度傾けて傾けた方向
    に進む。
    連続的にワイヤやガスを供給する溶接を手棒溶接に対する意味で半自動溶接と言う。被覆アーク溶接とほぼ同じ用途の溶接として
    自動アーク溶接
    がある。被覆アーク溶接(しばしば手棒溶接ともいう)はいわゆる溶接棒を溶接材として使うが、溶接棒は比較的短いためしばしば短
    くなった溶接棒を交換する必要があり、大量に溶接を行うには必ずしも適していなかった。このため開発されたのが溶接材として非常に長いワイヤーを使う半自
    動 アーク溶接であり、単にアーク溶接と言えば、半自動アーク溶接のことを指すほど一般的である。半自動溶接はガスシールドアーク溶接なの
    で風に弱く、屋外では使用しにくい。おもに工場内で使われる。詳細は
    自動アーク溶接
    の項目を参照のこと。
    ティ
    グ溶接

    グ溶接

    グ溶接

    酸ガスアーク溶接
    では、電極(溶接ワイヤ)から発生させたアークを、
    ルゴン

    酸ガス
    等のガスで覆い、アークの安定、溶融金属中に大気が混入しないようにする目的がある。この為に使用されるガスをシールドガスと称する。ミ
    グ溶接、マグ溶接、炭酸ガスアーク溶接は溶接ワイヤやシールドガスの連続供給が可能で、溶接の中ではスポット溶接と並び、最も自動化が進んでいる。これら

    スシールドアーク溶接では進行方向にノズルを向けて、右利きなら右から左へ、左利きなら左から右へ進む方法を前進法、逆に進行方向と反対にノズルを向けて
    進む方法を後退法と呼び用途やワーク形状によって使い分けられている。
    真っ直ぐ連続してビード(溶接痕の盛り上がり)を置くことを(ビー
    ドは置くと表現するのが正しい、英語ではビードオンプレートと呼ぶ)ストレートビードと呼び比較的薄い材料に適している。また進行方向に対して振幅を与え
    つつ進んで置いたビードをウィービングビードと呼び多層盛溶接などの比較的厚い
    板に適している。(ウェービングではなくウィービングが正しい呼称、意味は縫い合わせるようにであり、文字通り二つの板を縫い合わせるように進行する)
    アー
    クと電気

    電流と電圧
    アーク溶接では電力により溶接棒もしくは溶接ワ
    イヤを溶融させる。アーク溶接を行うにはこの電力、つまり電流と電圧のコントロールがきわめて重要である。電圧が低い場合、右図(1)のようにアーク長は
    短くなる。逆に電圧が高い場合、右図(3)のようにアーク長は長くなる。また、同じ電圧で電流が増せ
    ば、右図(1)のようにアーク長は短くなる。逆に同じ電圧で電流が減れば、右図(3)のようにアーク長は長くなる。
    普通の伝導体の場合、
    電流は電圧に比例して増大するが、アーク溶接の場合は電流は電圧に比例しない。電圧を上げるとアークが大きくなり、その分抵抗値が増すからである。この性
    質を利用してアーク溶接の溶接機には、負荷電流と負荷電圧が別々に設定できるように、それぞれにつまみがついている。これは以下のようなしくみになってい
    る。
    アーク溶接の溶接機(電源)は、電流と電圧のコントロールの仕方により、定電圧特性のものと垂下特性のものの2種類がある。

    電圧特性

    定電圧特性とは、負荷電流が増加しても負荷電圧が一定となる性質のことである。実際には負荷電圧を一定の
    値に保つように、負荷電流が自動制御される。定電圧特性の溶接機は主に半自動アーク溶接に使われている。
    半自動アーク溶接の溶接機で電流
    の設定値を増すと、すぐに負荷電流が増えるのではなく、まず
    送給装置からのワイヤーの供給速度が増す。このときワイヤーによってアークから融解熱が奪われるため、アークが小さくなる。アークが小さくなると負荷電圧
    が下がるが、溶接機はこれを検知し自動的に電圧が元に戻るまで負荷電流の量を増やす。
    逆に溶接機の電流の設定値を減らすと送給装置からの
    ワイヤーの供給速度が減る。するとワイヤーによって奪われる融解熱が減るためアークが大きくなる。アークが大きくなると負荷電圧が上がるが、溶接機はこれ
    を検知し負荷電圧が元に戻るまで負荷電流の量を減らす。
    要するに、半自動アーク溶接の溶接機はワイヤーの供給速度によって電流をコント
    ロールするしくみになっており、実際の電流値(負荷電流)は定電圧特 性を持つ電源の平衡機能によって制御されている。
    垂下特性
    垂下特性とは、負荷電流が増えると負荷電圧が低下する特性を意味している。これは内部抵抗値を持つ電池や発電機など一般的な電源の持つ性
    質である。溶接では電流の高い領域、すなわち、電圧が変化しても電流があまり変化しない領域が使われる。垂下特性の溶接電源は主に被覆アーク溶接やサブ
    マージアーク溶接な どに使われる。
    溶接では電流の高い領域、すなわち、電圧が変化しても電流があまり変化しない領域で使うようになって
    いる。垂下特性の溶接電源の場合、アーク長が変化しても負荷電流の量は一定なので溶接棒の溶ける量はあまり変わらない。発生する熱量が変わらないのでアー
    ク長はすぐに元に戻る。従っ て、アークの長さが変化しても電流はあまり変化しないので、垂下特性の溶接電源なら手作業でも安定した溶接が行える。

    流とワイヤー速度

    半自動アーク溶接では、電流の設定値はそのままワイヤーの供給速度になる。このワイヤー速度はか
    なりの速さで、溶接の結果に大きな影響を及ぼす。電流を増やした場合、ワイヤー速度が増し溶融金属の運動量
    増えるので、深く溶け込む。また、同じ電流値でもワイヤー径が細くなると、時間あたりの溶融量を保つためにワイヤー速度が上がる。その結果、ワイヤーの母
    材へのぶつかる速度が増す。従って、細いワイヤーほど深く溶け込みやすい。
    深い溶け込みはアーク溶接では一般に望ましいこととされるが、
    液体が激し く動くことになるので、その分スパッタなど増えることにもなるので注意しなければならない。
    移行状態
    溶接棒や溶接ワイヤが溶けた溶融金属が母材上に移動することを溶滴移行という。この溶滴移行の様子は電圧電流
    シールドガス、溶接材の種類などによって著しく変化する。
    低電流の状態では、アーク熱により溶融した溶加材(溶接棒のこと)の先端部が溶
    融した母材 に接触し(短絡)、アークが消えるとともに溶加材から母材へと流れるように溶融金属が移動する。これを短絡移行と言う。

    酸ガスアーク溶接における高電流の状態では、溶融した溶加材は大きな滴になって移行し、一部の溶融金属が飛び散るなどの現象が生じる。これをグロ
    ビュール移行
    という。飛び散った溶融金属はスパッタといい、溶接ビードの回りにこびり付き、溶接
    の外観を悪くする原因となる。しかし、うまくコントロールできればグロビュール移行は高速な溶接ができるという長所がある。
    MAG溶接に
    おける高電流の状態では、溶加材から母材への溶接金属の移動が非常に小さい滴の状態で行なわれる。これをスプレー移行と言う。スプレー移行
    はスパッタが少ないため外観が良く、かつ溶け込みも深く、能率も良い溶接ができる。
    シールドガス
    シー
    ルドガスの働き

    アーク溶接で溶融している金属に大気が接すると、大量の窒素
    金属の中に溶け込む。溶融金属が凝固するときに、この窒素が一気に析出し泡となってそのまま固まってしまう。この状態をブローホールとい
    い、この状態になると溶接部分の機械的強度が著しく低下する。代表的な溶接欠陥である。水を急速に氷らせると、
    酸ガス
    が析出して真っ白な氷になるが、それと同じ現象である。
    そのため、空気中でアーク溶
    接を行うには何らかの方法で空気とアークや溶融池を遮断する必要があり、シールドガスが用いられている。シールドガスとしては
    酸化炭素

    ルゴン
    を主成分とし、時には
    リウム
    水素酸素
    どを添加したガスが使われる。
    日本では二酸化炭素を使った炭酸ガスアーク溶接が主流だが、欧米ではアルゴンやヘリウムを使った
    グ溶接

    グ溶接
    が主流で、
    酸ガスアーク溶接
    による製品は二流品とされている。
    アークとシールドガス
    シール
    ドガスはその名の通り溶融金属を大気から保護する目的もあるが、それ以上にアークそのものの素材になるという重要な機能がある。アークとは
    ラズマ
    の一種で、気体が電離したものであ
    る。電離とは高温により原子から一部または全部の電子が飛び出している状態になっている。電子が電離することをイオン化、あるいはプラズマ化などと言う。
    電離した電子が電荷を運ぶので、アークおよびプラズマは気体であるにもかかわらず、電気を通す伝導体
    ある。
    アークとプラズマは厳密に使い分けされている言葉では無いが、慣例的に通電状態にあるプラズマをアークと呼ぶことが多い。アーク
    は一般に強い紫外線熱線
    含む激しい光線を発する。
    誤解されることが多いが、アーク溶接のアークは気化した金属ではない。シールドガスがプラズマ状態になったも
    のである。プラズマは不安定な状態で、大気の中では急速に冷えて普通の気体に戻ってしまうが、アークは電流が通ることで自ら発熱し、その熱でプラズマ状態
    を維持することができる。アーク溶接の アークは15000度くらいの超高温になっており、鉄などは簡単に溶融してしまう。
    最初のアーク
    は、最初に溶加材(溶接棒や溶接ワイヤのこと)が母材とスパークした瞬間に、その熱でシールドガスがイオン化することによって生じる。アークは電気を通す
    ため、一度アークが生じるとアークを介して電気が流れるようになる。するとアーク自体が発熱し、周囲のシールドガスをイオン化する。
    アークはある段階まで成長すると一定の条件下で安定状態に入る。そのアークが溶加材や母材を溶融させていく。
    シールドガスはアークを保護
    するとともに、アークそのもののベースである。従って、シールドガスの成分はアークの状態を大きく左右し、さらに溶接の結果に大きな影響を与える。特に二
    酸化炭素はアークの特性を大きく変化させる物質である。
    シールドガスの種類
    シールドガスに
    使われる物質は
    酸化炭素

    ルゴン

    リウム

    酸素
    どである。一般的なのは
    酸化炭素

    ルゴン
    である。日本では二酸化炭素だけを使うケースが多い。欧米ではアルゴン、もしくはアルゴンと二酸化炭素を混ぜたシールドガスを使うのが普
    通である。また、米国ではヘリウムも比較的多く使用されているようだ。
    アルゴンは空気中に含まれているので、沸点の違いを利用して液化し
    た空気から生
    産される。しかし、アルゴンと酸素は沸点が近い(それぞれ-186℃と-183℃)ので、分離が難しい。そのため、安物のアルゴンを使うと溶接のスラグが
    多くなり、欠陥が発生しやすい。
    アーク溶接における二酸化炭素の働き
    鉄鋼のアーク溶接の
    シールドガスにはCO2(
    酸化炭素

    酸ガス
    )が使われる場合がある。
    CO2は化合物であり、CO2が電離してプラズ
    マになること は無い。CO2はプラズマ状態になる前に、高熱により酸素炭素
    分かれる分解
    起こす。その酸素と炭素がさらに電離して
    ラズマ
    となり、それがアークを形成する。
    シールドガスはアークや溶融金属を空気から保護するために使うのだが、CO2から生じ
    た酸素、しかも電離した活性な酸素が溶けた金属と化学反応を起こすのではないか、と疑問が生じる。幸いなことにアークの中には活性化した炭
    素もあり、炭素は鉄より
    オン化傾向
    が強いので酸素と結びつきやすい。つまり鉄と酸素が結びつく前に炭素と再びくっついてしまい、鉄は酸化しない。逆に何らかの原因で
    アークの中の酸素が不足すると、鉄と炭素が化合し、鉄がもろ
    くなる。還元反応といい、転炉で鉄を精錬
    るのと理屈は同じである。
    しかし、やはり少しは鉄と化学反応を起こして酸化鉄を生じるため、CO2で溶接するとアルゴンだけで溶接するよ
    り多くスラグが出る。スラグとは溶接ビードに浮き出てくる酸化鉄
    どの不純物である。液体の鉄は非常に重いため、酸化鉄などの不純物は鉄が冷えて固まる前に表面に浮いてくるのでほとんど問題になることはない。しかし溶接
    条件によっては溶接内部にスラグが入り込み、溶接欠陥を生じてしまうこともある。なお、溶接金属が炭素よりイオン化傾向の強いアルミのような金属ではCO2
    使えない。
    上記のようにCO2は化学反応を起こすため、炭酸ガスをシールドガスとして使うと、アークの中にはア
    ルゴンガスだけのときよりも複雑な現象が生じる。CO2は酸素と炭素に化学分解するときに周囲から大量の熱を奪う。そのため溶融金
    属の温度も下がり、その 表面張力と粘性が大きくなる。その結果、比較的大きな溶滴が生じ易くなり、スパッタが生じやすくなる。
    これらの
    ため、CO2で溶接するよりアルゴンガスなどで溶接したほうが、一般的には溶接の品質が良いと言われる。また、CO2
    高熱で化学分解すると炭素原子1個、酸素原子2個で合計3個の原子に変わり、急激に体積が膨張する。さらに化学分解によりアークから熱量が奪われる。その
    結果アークが圧迫されて細く鋭くなり、狭い範囲に熱が集中しやすくなる。これを熱的ピンチ力という。その結果、母材に
    深い溶け込みができやすく、かつ速い溶接が可能になり、溶接対象物への熱影響が少なくなる。これらの現象は溶接に対して、溶接欠陥や外観を悪くするという
    悪い要素と、溶け込みが深く、熱影響が少なく、速い溶接ができるという良い要素を与える。
    そのため一概にはCO2
    悪いとは言えず、目的によってはアルゴンガスより良い結果が得られる場合もある。また、アルゴンガスとCO2を混ぜて使い、両方の
    いい面を利用する溶接があり、これを
    グ溶接
    という。日本では、CO2が20%、アルゴンが80%の比率のMAG溶接がもっとも一般的な比率である。

    らに、アルゴンガスとヘリウムガスでは微妙に異なる。シールドガスのメーカーはこれらのガスを混ぜる比率を研究し、目的別に最適なシールドガスを売り出し
    ている。高速溶接のできるシールドガス、溶接品質の良いシールドガス、深い溶け込みのシールドガスなどが販売されており、中には通常の4倍以上の
    速度で溶接できると謳うシールドガスもある。
    アーク溶接と材料
    熱影響
    金属を一部分だけ加熱し冷却すると大きく歪む。そのため溶接を行うと溶接された部材は大きく歪んでしまう。
    金属を一部分
    だけ加熱すると当然その部分は膨張する。しかし周囲は冷えたままなのである。すると、膨張した部分は周囲から圧縮を受ける形になる。その結果、加熱された
    部分は冷えたままのところより柔らかいので、加熱された部分は縮む方向に塑性変形することになる。さらに、この一部分だけ加熱した金属
    を常温まで冷却すると、加熱を受けた部分は元の体積より小さくなり、周囲を強烈な力で引っ張ることになる。この結果、製品全体が大きく歪む。これを
    歪み
    と言っている。また加熱を受けた部分の周囲には強い引張応力が残る。これを残留応力といい、最
    終的な製品の強度に大きく影響する。
    アーク溶接では金属が溶融するまで加熱するので当然大きな熱歪みと残留応力が発生する。スポット溶接
    もアーク溶接ほどではないが熱歪みと残留応力が発生する。
    また、溶接の周囲では母材の組織の変化が発生する。金属は規格ごとに結晶構造や
    化学組成が決められているが、溶接のように急激な加熱と冷却をしてしまうと、これらの結晶構造や化学組成が変化し、素材の強度を大きく変化させてしまう。
    これらの結晶構造や組成変化、熱歪み、残留応力を総称して熱 影響と呼んでいる。
    普通は溶接部分は
    き入れ
    のような状態になり、周囲の熱影響を受けていない部分より頑丈になってしまう。頑丈になれば良いのではないかと思うかもしれない
    が、実際にその溶接製品に負荷をかけると、頑丈な溶接部とそうでない普通の部分の境界辺りに応力が集中する。これを応力集中
    いうが、これがあまりに大きいと破断に至る。よく、溶接の周囲で破断が多いため、ゴテゴテと補強板を貼り付けたり、板厚を増したりする設計図を見かける
    が、これはあまり効果的な方法ではない。
    膨張係数の異なる材料をいきなり溶接すると、どちらかが溶接中に割れたり、冷却時に割れたりす
    る。このため製品全体を溶接前に加熱する予熱や、ゆっくり冷す後熱が行われることもある。また、溶接製品は溶接を終えると全
    体としては小さく なるが、それをあらかじめ予測して大きく材料を作っておく対策も行われる。
    鉄鋼
    アー
    ク溶接の主たる対象材料はやはり鉄鋼である。

    図はFe-C状態図と言い、縦軸が温度、横軸が炭素量となっている。鉄鋼は温度と炭素量により相変化
    起こし、物理的特性の違う組織に変化する。右図は十分に冷却時間を取った場合の鉄鋼の相変化を表している。溶接の場合は急激な温度変化を伴うため、右図に
    示される相変化を激しく遷移し、加熱と冷却の仕方によって様々な組織に変化する。
    そのため一口に鉄鋼と言っても様々な種類があり、アーク
    溶接に適さない種類の鉄鋼もある。また、溶接可能な鉄鋼でも、溶接するにあたって特別な処理が必要となるものもある。このような溶接に対する材料の性質を
    接性
    と言う。一般的に硬い材料ほど溶接しにくい。
    鉄をアーク溶接すると、溶融部は液相から急激に固相に移行し急激に冷却されるこ
    とになる。また溶接周辺部も急激な加熱のあと急激な冷却を受けることになる。鉄はこれらの熱影響によって成分や結晶構造が変化し、鉄の種類
    によっては強度が不足したり、変形したり、亀裂 が生じたりする。鋼材をある程度まで熱してから急激に冷却すると、いわゆる焼きの入った状
    態になって硬化を起こす。鋼材には炭素が含まれているためで、この炭素が鉄と化学反応を起こしたり、結晶構造を変化させるなど結果として硬化が起きる。鉄
    鋼が硬くなると脆くなるため 機械的強度が低下することがある。そのため、一般に炭素が少ない鋼材のほうが溶接性が良いとされる。
    鉄を硬
    化させる物質は炭素だけではなく、マンガンやシリコンなども硬化の原因となる。これらの物質の影響を炭素の影響に換算したものを
    素当量
    と言う。
    軟鋼
    炭素が0.25%以下の焼き入れ硬化が無視できる鋼
    材を軟鋼と言う。最も一般的な鋼材で引っ張り強度は400N/mm2程度であ る。低炭素鋼普通鋼
    どとも言う。
    JIS
    格では、一般構造用圧延鋼材のSS400という鉄鋼が軟鋼に相当するが、JIS規格ではリン硫黄
    成分のみが規定されており、炭素や他の成分は規定されていない。従ってメーカーやロットによっては同じSS400でも溶接に適さないものもある。

    のため溶接用に規定された軟鋼としてはSM材とSN材が規定されている。SN材は特に建築用として規定された材料で、大地震などで十分な強度が得られるよ
    うに成分調整と検査が義務付けられた鋼材である。軟鋼は特に溶接性の悪い材料ではないが、比較的柔らかい鋼材のため、溶接量が多いと大きな歪みが
    生じる。そのため形状によっては縮み代逆歪み、冷却などの対策が必要になる。
    余談だが、日本では鉄と鋼は
    一緒くたにされているが、日本以外では全く違う物質として認識する地域もある。日本のSS400だと規格上、国によって
    は鋼として分類されずにクズ鉄同然の見方をされることがある。
    高張力鋼
    高張力鋼とはJIS
    に規定された鉄鋼で、490N/mm2以上の一般構造用鉄鋼を言う。溶接性、切り欠きじん性などに配慮することもJISに規定され
    ている。溶接性も規格に入っているため溶接性は悪くないが、硬いため形状と溶接量によっては亀裂が生じる場合もある。また軟鋼に比べると炭素が多いため、
    焼き入れ性が強く、アーク溶接を行うと多かれ少なかれ焼き入れ硬化を起こす。強度的な問題が生じる場合は、予熱や後熱処理などが必要と なる。
    TMCP
    炭素や合金を少なくし、溶接しやすい高張力鋼とするため、普通の圧延鋼板よりも低い温度で精密に温度制御しつつ圧延した鋼材である。組織
    が微細なため、炭素当量が少なくても普通の圧延鋼板なみの強度がある。炭素当量が少ないので熱影響部の硬化が少なく溶接性は良好である。
    TMCP
    鋼は溶接用に開発さ
    れた素材だが、ほかにも様々な鋼材が溶接用に開発されている。特に低温に強いものや、高温につよいもの、サビに強いものなど目的に応じたものがある。

    手形状

    接合する母材と母材の配置のしかたには多くの種類がある。用途により使い分ける。その一部を右図に示す。
  • 突き合わせ継ぎ手

  • 開先継ぎ手(両開先)

  • 重ね継ぎ手


  • 肉継ぎ手

  • いずれの溶接も二つの材料に均等に熱を加えることが基本であり断面方向の狙い角度が要である。誤った溶接
    法・溶接材料を適用したり、母材に与える熱量が過大または過小であった場合、期待する強度が得られず部材が破断する。
    突き合わせ継ぎ手は
    別名、バット溶接とかIバット(アイバット)などと言う。アーク溶接の場合、ピッタリくっついた突き合わせ継ぎ手は施工しにくい。そのため、ウラガネ(裏
    金または裏鉄)という薄いプレートを裏側に付け、突合せの間隔を板厚以上に取るのがふつうである。
    開先継ぎ手は溶接しやすいのだが、開先
    を作るための加工コストが必要になる。また図のような両開先継ぎ手の場合、母材の薄い部分が溶け落ちてしまうため、ウラガネを使うのが普通である。

    ね継ぎ手、隅肉継ぎ手は中厚板の溶接で最も一般的な溶接である。図には無いが片側開先の隅肉継ぎ手も多い。
    アーク溶接の歴史
    溶 接
    項を参照のこと。
    アーク溶接の用途
    アーク溶接の用途は広く、自動車列車船舶航空機建築物
    設機械
    など、あらゆる金属構造物にごく一般的に使われていると思ってよい。母材は鉄鋼が多いが、アルミチタン
    どほかの金属にも普通に利用される。
    アーク溶接の種類

  • 覆アーク溶接


  • 自動アーク溶接


  • スシールドアーク溶接

  • ティ
    グ溶接
    (Tungsten Inert Gas welding)


  • グ溶接
    (Metal Inert Gas welding)


  • グ溶接
    (Metal Active Gas welding)


  • 酸ガスアーク溶接


  • ブマージアーク溶接


  • ラズマアーク溶接


  • ンデムアーク溶接

  • アーク溶接と安全
    アーク溶接は強烈な紫外線
    発生する。その強さは、アークから50cm離れた皮膚に数秒間アー
    ク光を曝しただけで
    を起こすほど であり、日光の比ではない。長時間アーク光に曝した場合、火傷、水ぶくれ、
    シミなどの症状が発生する。何度も至近距離で強烈なアーク光に皮膚を曝すと最悪皮膚に至る場合もある。通常、溶接の光
    では日焼けと同じような炎症を起こし皮が剥けるものの、残念ながら小麦色の肌にはならない。(しかしシミはできる。)裸眼でアーク光を見た場合、電光性
    眼炎
    (電眼炎)という炎症を起こす。何
    度も電光性眼炎になると視力の低下や最悪の場合失明に至る。


    属ヒューム
    という酸化鉄
    らなる煙を発生し、大量に吸った場合、
    属ヒューム熱
    じん肺
    どの深刻な病気の原因となる。ヒュームには
    酸化炭素
    オゾン
    混ざっており、換気には十分注意しなければならない。
    防護装備
    強力な紫外線を避けるため、アーク溶接作
    業には長袖、長ズボンの作業服、溶接面、皮手袋が必須である。さらに、ヒュームを避けるために防塵マスクが必須で ある。また必要に応じて安全靴
    パッツ
    (足カバー)、厚手の耐熱エプロン、
    ルメット
    ゴー
    グル
    などを着用しなければならない。さらに場合によっては
    セリン
    や熱焼け防止クリームなどの表皮保護剤(ゲル状クリーム状の物が望ましい)を顔面や頸胸部周囲などに事前塗布しておく事が望ましい。ま
    た、溶接作業者の更衣室、休憩室などには衣服に付いた粉塵を吸い取る装置や、空気清浄器などを設置することが望ましい。
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    グラフェン (graphene) とは、1原子の厚さのsp2
    炭素原子のシート。炭素原子とその結合からできた蜂の巣のような六角形格子構造を とっている。名称の由来は
    ラファイト
    (GRAPHITE) と「ENE」から。グラファイト自体もグラフェンシートが多数積み重なってできている。
    グラ
    フェンの炭素間
    合距離
    は約0.142nm。炭素同素体(グ
    ラファイト、カー
    ボンナノチューブ

    ラーレン
    など)の基本的な構造である。無限に大きな
    香族分子
    とみなすこともでき、平面的な
    環芳香族炭化水素
    の極限がグラフェンである。
    完全なグラフェンは、六角形セルの集合のみからなり、五角形や七角形のセルは格子欠
    陥となる。
    角形
    のセルが孤立して存在するときには、平面はコーン上にとがってしまう(12個の五角形セルは
    ラーレン
    を作る)同じように七角形
    セルが孤立したものはシートをサドル型に曲げる。五角形や七角形セルの導入を制御することで、en:NanoBudのような、さまざまな形状を生
    み出すことができる。1層からなるカーボンナノチュー
    ブは筒型のグラフェンとみることができる(6個の五角形セルからなるグラフェンの半球キャップが末端についていることもある)。
    電気輸

    実験結果から、グラフェン中の電子移動度は、
    室温で15,000cm2V-1s-1と 驚くほど高い。加えて実験から
    気伝導度
    が対称であることが分かっており、これは電子とホール
    移動度がほぼ同じであることを示唆している。移動度が10Kから100Kの範囲で温度にほとんど依存しないことから、格子欠陥が散乱の主な原因であると思わ
    れる。グラフェン中の音響フォ
    ノン
    による散乱のために、室温での移動度は200,000cm2V-1s-1(キャ
    リア密度が10-12cm-2のとき)に制限されるが、これに対応する
    は10-6Ω・cmである。この値は、室温で の抵抗が最も小さい物質であるよ りも小さい抵抗値である。しかし
    酸化ケイ素
    基板上のグラフェンでは、室温でグラフェン自身の音響フォノンによる散乱よりも、基板の
    学フォノン
    による電子散乱の影響が大きく、移動度は 40,000cm2V-1s-1
    で制限される。
    ディ
    ラックポイント
    近傍ではキャ
    リア
    密度がゼロであるにもかかわらず、グラフェンは4e2 / hのオーダーの最小電気伝導
    度を示す。この最小電気伝導度の起源はいまだにはっきりしていない。しかし、グラフェンシートを引きはがしたり、SiO2基板に
    オン化
    した不純物
    混入したりすることで、キャリアの水溜りを局在させることができ伝導するようになる。いくつかの理論は、最小伝導度が4e2
    / hΠであることを説 明するが、ほとんどの推定は4e2 / h
    それ以上のオーダーである上、不純物の濃度に依存する。
    最近の実験により、化学的ドー
    パント
    がグラフェン中のキャリアの移動度に影響を与えることが証明されてきている。Schedinらは、さま ざまな気体種(あるものは
    クセプター
    となり、あるものはドナー
    ある)をグラフェンにドーピングし、真空中でグラフェンをゆっくりと加熱することにより、ドープ前のグラフェン構造が再現することを発見した。
    Schedinらは、ドーパント濃度が1012cm-2を超える場合でも、
    キャリアの移動度には目立った変化は無かったと報告している。Chenらは、
    高真空
    ・低温で
    リウム
    をグラフェンにドープし、予想通りカリウムイオンがグラフェン中で荷電不純物として振舞い、移動度を20-
    foldほど減少させることを発見している。グラフェンを熱してカリウムを除去することにより、減少した移動度は元に戻すことが可能である。

    学特性
    その独特な電気的特性により、グラフェンは炭素原子の1層構造でありながら予想以上に不透明度が高い。グラフェンの白色光の吸収
    率はπα 〜 2.3%という驚くほど単純な値になる。ここでα
    細構造定数
    である。これは実験的に確かめられている事実ではあるが、微細構造定数の測定に使えるほど正確な測定ではない。
    スピ
    ン輸送
    グラフェンは、
    ピン軌道相互作用
    が小さく、また炭素の
    磁気モーメント
    が無視できることから、
    ピントロニクス
    の理想的な材料と考えられている。室温での電気的な
    ピン流
    の導入・検波が最近示された。室温で1マイクロメートル以上の
    ピンコヒーレンス長
    も観測されており、低温ではスピン流の向きを電気的なゲートで制御することもできている。
    磁場効果
    高い移動度と最小電気伝導度に加えて、グラフェンは磁場中で非常に興味深い振る舞いをする。グラフェンは通常の
    子ホール効果
    とは系列が1 / 2だけずれた
    常量子ホール効果
    を起こす。すなわちホー
    ル伝導率
    clip_image001で ある。ここでN
    ンダウ準位
    のインデックスで、二つの谷とスピンの二重縮退により4の
    因子が生ずる。この特徴的な振る舞いは室温でも観測されうる。二重層グラフェンも量子ホール効果を示すが、二重層グラフェンで起こるのは正常量子ホール効
    果であり、clip_image002で ある。最初の
    ラトー
    であるN = 0は存在しないことから、二重層グラフェンは中性点で金属的になっていることが示唆される。

    ラフェンでは
    リー位相
    として知られる π だけの位相のずれが見られる。ベリー位相はディラックポイント近傍でキャリアの
    効質量
    がゼロになることから生ずる。グラフェン中のShubnikov-de Haas振動の温度依存性の研究から、
    ネルギー-波数分散関係
    では有効質量ゼロとして振舞うキャリアが、有限の
    イクロトロン質量
    を持つことが分かった。
    擬相対論
    グラフェンの電気的特性は、伝統的な
    イトバインディングモデル
    で説明される。このモデルでは波数clip_image003の 電子のエネルギーは次のように書ける。
    clip_image004
    ここでclip_image005は 最近接原子にホップするエネルギー、
    子定数
    clip_image006
    散関係
    のプラスとマイナスの符号は、それぞれ伝導帯
    電子帯
    に対応している。伝導帯と価電子帯は、K-valuesと呼ばれる6点で接しているが、6点のうち独立なの
    は2点のみで、残りは対称性から等価である。K点の近傍ではエネルギーは波数に線形となるが、これは
    対論的粒子
    の分散関係に類似している。さらに、格子の単位胞
    2原子からなるため、波動関数は実効的に2
    ピノル
    構造まで持つ。結果として、低エネルギーで電子はディ
    ラック方程式
    と形式的に等価な方程式で書き表せる。さらにこの擬相対論的な記述は
    イラル極限
    、すなわち
    止質量
    M0が ゼロの極限に制限されているため、興味深いさまざまな特性が生ずる。
    clip_image007
    ここでclip_image008は グラフェンのフェ
    ルミ速度
    であり、ディラック理論の光速に 代わるものである。clip_image009
    ウリ行列
    のベクトルであり、clip_image010は 電子の二成分波動関数。Eはエネルギーである。

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    bw1 Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference
    source from the internet.

    Graphene is a
    one-atom-thick planar sheet of sp2-bonded carbon atoms that are
    densely packed in a honeycomb crystal lattice. It can be visualized as
    an atomic-scale
    chicken wire
    made of carbon atoms and their bonds. The name comes
    from graphite + -ene; graphite itself
    consists of many graphene sheets stacked together.
    The
    carbon-carbon bond length in graphene is about 0.142 nm. Graphene is the
    basic structural element of some carbon allotropes including graphite, carbon nanotubes
    and fullerenes.
    It can also be considered as an infinitely large aromatic molecule,
    the limiting case of the family of flat polycyclic
    aromatic hydrocarbons
    called graphenes.
    clip_image002
    Image of graphene in a transmission
    electron microscope
    .
    Description
    A simple,
    non-technical definition has been given in a recent review on graphene:
    Graphene
    is a flat monolayer of carbon atoms tightly packed into a
    two-dimensional (2D) honeycomb lattice, and is a basic building block
    for graphitic materials of all other dimensionalities. It can be wrapped
    up into 0D fullerenes, rolled into 1D nanotubes or stacked into 3D
    graphite.[1]
    Previously, graphene was also defined in the chemical literature
    as follows:
    A single carbon layer of the graphitic structure can
    be considered as the final member of the series naphthalene,
    anthracene, coronene, etc. and the term graphene should therefore be
    used to designate the individual carbon layers in graphite intercalation
    compounds. Use of the term "graphene layer" is also considered for the
    general terminology of carbons.[2]
    The
    IUPAC compendium of
    technology states: "previously, descriptions such as graphite layers, carbon
    layers, or carbon sheets have been used for the term graphene...it is
    not correct to use for a single layer a term which includes the term
    graphite, which would imply a three-dimensional structure. The term
    graphene should be used only when the reactions, structural relations or
    other properties of individual layers are discussed." In this regard,
    graphene has been referred to as an infinite alternant (only six-member
    carbon ring) polycyclic
    aromatic hydrocarbon
    (PAH). The largest molecule of this type
    consists of 222 atoms and is 10 benzene rings across.[3]
    It has proven difficult to synthesize even slightly bigger molecules,
    and they still remain "a dream of many organic and polymer chemists".[4]
    Furthermore, ab initio calculations show that a graphene sheet
    is thermodynamically unstable with respect to other fullerene structures
    if its size is less than about 10 nm (“graphene is the least stable
    structure until about 6000 atoms”[5]).[improper
    synthesis?
    ]

    Also, a definition of "isolated or
    free standing graphene" has recently been proposed: "graphene is a
    single atomic plane of graphite, which—and this is essential—is
    sufficiently isolated from its environment to be considered
    free-standing."[6]
    This definition is narrower than the definitions given above and refers
    to cleaved, transferred and suspended graphene monolayers. Other forms
    of graphene, such as graphene grown on various metals, can also become
    free-standing if transferred to, e.g., SiO2 or suspended. A
    new example of isolated graphene is graphene on SiC after its
    passivation with hydrogen.[7]
    Occurrence and production
    Graphene is essentially an
    isolated atomic plane of graphite. Therefore, from this perspective,
    graphene has been known since the invention of X-ray crystallography.
    Graphene planes become even better separated in intercalated graphite
    compounds. In 2004 physicists from University
    of Manchester
    and Institute for Microelectronics Technology, Chernogolovka,
    Russia, found a way to isolate individual graphene planes by using
    Scotch tape and they also measured electronic properties of the obtained
    flakes and showed their fantastic quality.[8]
    In 2005 the same Manchester group together with researchers from the
    Columbia University (see the History chapter below) demonstrated that
    quasiparticles in graphene were massless Dirac fermions.
    These discoveries led to the explosion of interest in graphene.
    Since
    then, hundreds of researchers have entered the area and, naturally,
    they carried out the extensive search for relevant earlier papers. The
    first literature review was given by the Manchester pioneers themselves[1].
    They cite several papers in which graphene or ultra-thin graphitic
    layers were epitaxially
    grown on various substrates. Also, they point out at a number of
    pre-2004 reports in which intercalated graphite compounds were studied
    in a transmission electron microscope. In the latter case, researchers
    occasionally observed extremely thin graphitic flakes ("few-layer
    graphene" and possibly even individual layers). The oldest such
    observation was recently discovered by Rodney Ruoff in a 1962
    German-language magazine [9].
    It is now well known that tiny fragments of graphene sheets are
    produced (along with quantities of other debris) whenever graphite is
    abraded, such as when drawing a line with a pencil.[10]
    There was little interest in this graphitic residue before 2004/05 and,
    therefore, the discovery of graphene is often attributed to Andre Geim and
    colleagues [11]
    who introduced graphene in its modern incarnation, although it may be
    argued that this is as accurate as attributing the discovery of America
    to Columbus.
    A couple of years ago, graphene produced by
    exfoliation was one of the most expensive materials on Earth, with a
    sample that can be placed at the cross section of a human hair costing
    more than $1,000 as of April 2008 (about $100,000,000/cm2).[10]
    Since then, exfoliation procedures were scaled up, and now companies
    sell graphene by ton.[12]
    On the other hand, the price of epitaxial graphene on silicon carbide
    is dominated by the substrate price, which is approximately $100/cm2
    as of 2009. Even cheaper graphene has been produced by transfer from
    nickel by Korean researchers,[13]
    with wafer sizes up to 30" reported.[citation
    needed
    ]

    In the literature, specifically that of
    surface science community, graphene has also been commonly referred to
    as monolayer graphite. This community has intensely studied epitaxial
    graphene on various surfaces (over 300 articles prior to 2004). In some
    cases, these graphene layers are coupled to the surfaces weakly enough
    (by Van der
    Waals forces
    ) to retain the two dimensional electronic
    band structure
    of isolated graphene,[14][15]
    as also happens[8]
    with exfoliated graphene flakes with regard to silicon dioxide. An
    example of weakly coupled epitaxial graphene is the one grown on silicon carbide
    (see below).
    Drawing method
    In 2004, the British
    researchers obtained graphene by mechanical exfoliation
    of graphite. They used Scotch tape to repeatedly split graphite
    crystals into increasingly thinner pieces. The tape with attached
    optically transparent flakes was dissolved in acetone and, after a few
    further steps, the flakes including monolayers were sedimented on a Si
    wafer. Individual atomic planes were then hunted in an optical
    microscope. A year later, the researchers simplified the technique and
    started using dry deposition, avoiding the stage when graphene floated
    in a liquid. Relatively large crystallites (first, only a few microns in
    size but, eventually, larger than 1 mm and visible by a naked eye) were
    obtained by the technique. It is often referred to as a scotch tape or
    drawing method. The latter name appeared because the dry deposition
    resembles drawing with a piece of graphite.[16]
    The key for the success probably was the use of high throughput visual
    recognition of graphene on a proper chosen substrate, which provides a
    small but noticeable optical contrast. For an example of what graphene
    looks like, see its photograph below.
    The isolation of graphene
    led to the current research boom. Previously, free-standing atomic
    planes were often "presumed not to exist"[8]
    because they are thermodynamically unstable on a nm scale[5]
    and, if unsupported, have a tendency to scroll and buckle[4].
    It is currently believed that intrinsic microscopic roughening on the
    scale of 1 nm could be important for the stability of purely 2D
    crystals.[17].
    It is interesting to note (see Talk:Graphene)
    that there were a number of previous attempts to make atomically thin
    graphitic films by using exfoliation techniques similar to the drawing
    method. Multilayer samples down to 10  nm in thickness were obtained.
    These efforts were reviewed in [1].
    Furthermore, a couple of very old papers was recently unearthed,[9]
    in which researchers tried to isolate graphene, starting with
    intercalated compounds (see History and experimental discovery).
    These papers reported the observation of very thin graphitic fragments
    (possibly, monolayers) by transmission electron microscopy. Neither of
    the earlier observations was sufficient to "spark the graphene gold
    rush", until the Science paper did so by reporting not only macroscopic
    samples of extracted atomic planes but, importantly, their unusual
    properties such as the bipolar transistor effect, ballistic transport of
    charges, large quantum oscillations, etc. The discovery of such
    interesting qualities intrinsic to graphene gave an immediate boost to
    further research, and several groups quickly repeated the initial result
    and moved further. These breakthroughs also helped to attract attention
    to other production techniques such as epitaxial growth of ultra-thin
    graphitic films. In particular, it has later been found that graphene
    monolayers grown on SiC and Ir are weakly coupled to these substrates
    (how weakly remains debated) and the graphene-substrate interaction can
    be passivated further.
    Not only graphene but also free-standing
    atomic planes of boron nitride, mica, dichalcogenides and complex oxides
    were obtained by using the drawing method Unlike graphene, the other 2D
    materials have so far attracted surprisingly little attention.
    Epitaxial growth
    on silicon carbide
    Yet another method is to heat silicon carbide
    to high temperatures (>1100 °C) to reduce it to graphene.[19]
    This process produces a sample size that is dependent upon the size of
    the SiC substrate used. The face of the silicon carbide used for
    graphene creation, the silicon-terminated or carbon-terminated, highly
    influences the thickness, mobility and carrier density of the graphene.
    Many
    important graphene properties have been identified in graphene produced
    by this method. For example, the electronic band-structure (so-called
    Dirac cone structure) has been first visualized in this material. Weak
    anti-localization is observed in this material and not in exfoliated
    graphene produced by the pencil trace method. Extremely large,
    temperature independent mobilities have been observed in SiC epitaxial
    graphene. They approach those in exfoliated graphene placed on silicon
    oxide but still much lower than mobilities in suspended graphene
    produced by the drawing method. It was recently shown that even without
    being transferred graphene on SiC exhibits the properties of massless
    Dirac fermions such as the anomalous quantum Hall effect[24][25][26][27][28].
    The weak van der Waals forces that provide the cohesion of
    multilayer graphene stacks do not always affect the electronic
    properties of the individual graphene layers in the stack. That is,
    while the electronic properties of certain multilayered epitaxial
    graphenes are identical to that of a single graphene layer,[29]
    in other cases the properties are affected [20][21]
    as they are for graphene layers in bulk graphite. This effect is
    theoretically well understood and is related to the symmetry of the
    interlayer interactions.[29]
    Epitaxial graphene on silicon carbide can be patterned using
    standard microelectronics methods. The possibility of large integrated
    electronics on SiC epitaxial graphene was first proposed in 2004[30]
    by researchers at the Georgia
    Institute of Technology
    , only a couple of months after the
    discovery of isolated graphene made the drawing method. (A patent for
    graphene based electronics was applied for in 2003 and issued in 2006).
    Since then, important advances have been made. In 2008, researchers at MIT Lincoln Lab
    have produced hundreds of transistors on a single chip and in 2009,
    very high frequency transistors have been produced at the Hughes
    Research Laboratories on monolayer graphene on silicon carbide.
    Epitaxial
    growth on metal substrates
    This method uses the atomic
    structure of a metal substrate to seed the growth of the graphene
    (epitaxial growth). Graphene grown on ruthenium doesn't
    typically yield a sample with a uniform thickness of graphene layers,
    and bonding between the bottom graphene layer and the substrate may
    affect the properties of the carbon layers. Graphene grown on iridium on the other
    hand is very weakly bonded, uniform in thickness, and can be made highly
    ordered. Like on many other substrates, graphene on iridium is slightly
    rippled. Due to the long-range order of these ripples generation of
    minigaps in the electronic band-structure (Dirac cone) becomes visible.[34]
    High-quality sheets of few layer graphene exceeding 1 cm2
    (0.2 sq in) in area have been synthesized via chemical vapor deposition
    on thin nickel films.
    These sheets have been successfully transferred to various substrates,
    demonstrating viability for numerous electronic applications. An
    improvement of this technique has been found in copper foil where the
    growth automatically stops after a single graphene layer, and
    arbitrarily large graphene films can be created.[35]
    Hydrazine reduction
    Researchers have developed a method
    of placing graphene
    oxide paper
    in a solution of pure hydrazine (a chemical
    compound of nitrogen and hydrogen), which reduces the graphene oxide
    paper into single-layer graphene.[36]
    Sodium reduction of ethanol
    A recent publication has
    described a process for producing gram-quantities of graphene, by the
    reduction of ethanol by sodium metal, followed by pyrolysis of the
    ethoxide product, and washing with water to remove sodium salts.[37]
    From nanotubes
    Experimental methods for the production
    of graphene ribbons are reported consisting of cutting open nanotubes.[38]
    In one such method multi
    walled carbon nanotubes
    are cut open in solution by action of potassium
    permanganate
    and sulfuric acid.[39]
    In another method graphene nanoribbons are produced by plasma etching of
    nanotubes partly embedded in a polymer film [40]
    Atomic structure
    The atomic structure of isolated,
    single-layer graphene was studied by transmission
    electron microscopy
    (TEM) on sheets of graphene suspended between
    bars of a metallic grid.[17]
    Electron diffraction patterns showed the expected hexagonal lattice of
    graphene. Suspended graphene also showed "rippling" of the flat sheet,
    with amplitude of about one nanometer. These ripples may be intrinsic to
    graphene as a result of the instability of two-dimensional crystals,[1][41][42]
    or may be extrinsic, originating from the ubiquitous dirt seen in all
    TEM images of graphene. Atomic resolution real-space images of isolated,
    single-layer graphene on silicon dioxide substrates were obtained[43][44]
    by scanning
    tunneling microscopy
    . Graphene processed using lithographic
    techniques is covered by photoresist residue,
    which must be cleaned to obtain atomic-resolution images.[43]
    Such residue may be the "adsorbates" observed
    in TEM images, and may explain the rippling of suspended graphene.
    Rippling of graphene on the silicon dioxide surface was determined by
    conformation of graphene to the underlying silicon dioxide, and not an
    intrinsic effect.[43]
    Graphene sheets in solid form (density > 1 g/cm3)
    usually show evidence in diffraction for graphite's 0.34 nm
    (002) layering. This is true even of some single-walled carbon
    nanostructures.[45]
    However, unlayered graphene with only (hk0) rings has been found in the
    core of presolar
    graphite onions.[46]
    Transmission
    electron microscope
    studies show faceting at defects in flat
    graphene sheets,[47]
    and suggest a possible role in this unlayered-graphene for
    two-dimensional dendritic
    crystallization from a melt.
    Electronic properties
    clip_image003
    clip_image004
    GNR band structure for
    zig-zag type. Tightbinding calculations show that zigzag type is always
    metallic.
    clip_image005
    GNR band structure for arm-chair
    type. Tightbinding calculations show that armchair type can be
    semiconducting or metallic depending on width (chirality).
    Graphene
    is quite different from most conventional three-dimensional materials.
    Intrinsic graphene is a semi-metal or
    zero-gap semiconductor.
    Understanding the electronic structure of graphene is the starting
    point for finding the band structure of graphite. It was realized early
    on that the E-k relation is linear for low energies near the six corners
    of the two-dimensional hexagonal Brillouin zone,
    leading to zero effective
    mass
    for electrons and holes.[48]
    [49]
    Due to this linear (or “conical")
    dispersion relation at low energies, electrons and holes near these six
    points, two of which are inequivalent, behave like relativistic
    particles described by the Dirac equation
    for spin 1/2 particles.[50][51]
    Hence, the electrons and holes are called Dirac fermions, and the six
    corners of the Brillouin zone are called the Dirac points.[50]
    The equation describing the E-k relation is clip_image006; where the Fermi velocity vF
    ~ 106 m/s.[51]
    Electronic transport
    Experimental results from
    transport measurements show that graphene has a remarkably high electron mobility
    at room temperature, with reported values in excess of 15,000 cm2V−1s−1.[1]
    Additionally, the symmetry of the experimentally measured conductance
    indicates that the mobilities for holes and electrons should be nearly
    the same.[49]
    The mobility is nearly independent of temperature between 10 K and 100
    K,[52][53][54]
    which implies that the dominant scattering mechanism is defect
    scattering. Scattering by the acoustic phonons of graphene
    places intrinsic limits on the room temperature mobility to 200,000 cm2V−1s−1
    at a carrier density of 1012 cm−2.[54][55]
    The corresponding resistivity
    of the graphene sheet would be 10−6 Ω·cm, less than the
    resistivity of silver,
    the lowest resistivity substance known at room temperature.[56]
    However, for graphene on silicon dioxide substrates, scattering of
    electrons by optical phonons of the substrate is a larger effect at room
    temperature than scattering by graphene’s own phonons, and limits the
    mobility to 40,000 cm2 V−1s−1.[54]
    Despite the zero carrier density near the Dirac points, graphene
    exhibits a minimum conductivity
    on the order of 4e2/h. The origin of this minimum
    conductivity is still unclear. However, rippling of the graphene sheet
    or ionized impurities in the SiO2 substrate may lead to local
    puddles of carriers that allow conduction.[49]
    Several theories suggest that the minimum conductivity should be 4e2/πh;
    however, most measurements are of order 4e2/h or greater[1]
    and depend on impurity concentration.[57]
    Recent experiments have probed the influence of chemical dopants
    on the carrier mobility in graphene.[57][58]
    Schedin et al. doped graphene with various gaseous species (some
    acceptors, some donors), and found the initial undoped state of a
    graphene structure can be recovered by gently heating the graphene in
    vacuum. They reported that even for chemical dopant concentrations in
    excess of 1012 cm−2 there is no observable change
    in the carrier mobility.[58]
    Chen, et al. doped graphene with potassium in ultra high vacuum
    at low temperature. They found that potassium ions act as expected for
    charged impurities in graphene,[59]
    and can reduce the mobility 20-fold.[57]
    The mobility reduction is reversible on heating the graphene to remove
    the potassium.
    Due to its two-dimensional property,
    charge fractionalization (where the apparent charge of individual
    psuedoparticles in low-dimensional systems is less than a single quantum[60])
    is thought to occur in graphene. It may therefore be a suitable
    material for the construction of quantum computers
    using anyonic
    circuits.[61][62]
    Optical properties
    clip_image007
    Photograph of graphene
    in transmitted light. This one atom thick crystal can be seen with the
    naked eye because it absorbs approximately 2.3% of white light, which is
    π times fine-structure
    constant
    .
    Graphene's unique electronic properties produce an
    unexpectedly high opacity for an atomic monolayer, with a startlingly
    simple value: it absorbs πα ≈ 2.3% of white light, where α is
    the fine-structure
    constant
    .[63]
    This is "a consequence of the unusual low-energy electronic structure
    of monolayer graphene that features electron and hole conical bands
    meeting each other at the Dirac
    point
    ... [which] is qualitatively different from more common quadratic
    massive bands
    ".[64]
    Based on the Slonczewski-Weiss-McClure (SWMcC) band model of graphite,
    the interatomic distance, hopping value and frequency cancel when the
    optical conductance is calculated using the Fresnel equations
    in the thin-film limit.
    This has been confirmed experimentally,
    but the measurement is not precise enough to improve on other techniques
    for determining the fine-structure constant.[65]
    Recently it has been demonstrated that the bandgap of graphene can
    be tuned from 0 to 0.25 eV (about 5 micron wavelength) by applying
    voltage to a dual-gate bilayer graphene field-effect
    transistor
    (FET) at room temperature.[66].
    The optical response of graphene
    nanoribbons
    has also been shown to be tunable into the terahertz regime by an
    applied magnetic field [67]
    Saturable absorption
    It is further confirmed that such
    unique absorption could become saturated when the input optical
    intensity is above a threshold value. This nonlinear optical behavior is
    termed saturable
    absorption
    and the threshold value is called the saturation
    fluency. Graphene can be saturated readily under strong excitation over
    the visible to near-infrared region, due to the universal optical
    absorption and zero band gap. This has relevance for the mode locking of
    fiber lasers, where fullband mode locking has been achieved by graphene
    based saturable absorber. Due to this special property, graphene has
    wide application in ultrafast photonics.[68][69]
    Spin transport
    Graphene is thought to be an ideal
    material for spintronics
    due to small spin-orbit
    interaction
    and near absence of nuclear magnetic moments in carbon.
    Electrical spin-current injection and detection in graphene was recently
    demonstrated up to room temperature.[70][71][72]
    Spin coherence length above 1 micron at room temperature was observed,[70]
    and control of the spin current polarity with an electrical gate was
    observed at low temperature.[71]
    Anomalous quantum Hall effect
    The quantum Hall
    effect
    is relevant for accurate measuring standards of electrical
    quantities, and in 1985 Klaus von
    Klitzing
    received the Nobel prize for its
    discovery. The effect concerns the dependence of a transverse
    conductivity on a magnetic field, which is perpendicular to a
    current-carrying stripe. Usually the phenomenon, the quantization of the
    so-called Hall
    conductivity
    σxy at integer multiples of the basic
    quantity e2/h (where e is the elementary
    electric charge and h is Planck's
    constant
    ) can be observed only in very clean Si or GaAs solids, and
    at very low temperatures around 3 K, and at very
    high magnetic fields.
    Graphene in contrast, besides its high
    mobility and minimum conductivity, and because of certain
    pseudo-relativistic peculiarities to be mentioned below, shows
    particularly interesting behavior just in the presence of a magnetic
    field and just with respect to the conductivity-quantization: it
    displays an anomalous quantum Hall effect with the sequence of
    steps shifted by 1/2 with respect to the standard sequence, and
    with an additional factor of 4. Thus, in graphene the Hall conductivity
    is clip_image008, where n is the
    above-mentioned integer "Landau level" index, and the double valley and
    double spin degeneracies give the factor of 4.[1]
    Moreover, in graphene these remarkable anomalies can even be measured
    at room temperature, i.e. at roughly 20 °C.[52]
    This anomalous behavior is a direct result of the emergent massless
    Dirac electrons in graphene. In a magnetic field, their spectrum has a
    Landau level with energy precisely at the Dirac point. This level is a
    consequence of the Atiyah-Singer
    index theorem
    . and is half-filled in neutral graphene,[50]
    leading to the "+1/2" in the Hall conductivity.[73]
    Bilayer graphene also shows the quantum Hall effect, but with the standard
    sequence
    , i.e. with clip_image009i.e. with only one of the two
    anomalies. Interestingly, concerning the second anomaly, the first
    plateau at N = 0 is absent, indicating that bilayer graphene
    stays metallic at the neutrality point.[1]
    Unlike normal metals, the longitudinal resistance of graphene
    shows maxima rather than minima for integral values of the Landau
    filling factor in measurements of the Shubnikov-de
    Haas oscillations
    , which show a phase shift of π, known as Berry’s phase.[49][52]
    The Berry’s phase arises due to the zero effective carrier mass near
    the Dirac points.[74]
    Study of the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas
    oscillations in graphene reveals that the carriers have a non-zero
    cyclotron mass, despite their zero effective mass from the E-k relation.[52]
    Nanostripes: Spin-polarized edge currents
    Nanostripes
    of graphene (in the "zig-zag" orientation), at low temperatures, show
    spin-polarized metallic edge currents, which also suggests applications
    in the new field of spintronics.
    (In the "armchair" orientation, the edges behave like semiconductors.[75])
    Graphene oxide
    Further information: Graphite
    Oxide

    By disbursing oxidized and chemically processed
    graphite in water, and using paper-making techniques, the monolayer
    flakes form a single sheet and bond very powerfully. These sheets,
    called graphene
    oxide paper
    have a measured tensile modulus
    of 32 GPa.[76]
    The peculiar chemical property of graphite oxide is related to the
    functional groups attached to graphene sheets. They even can
    significantly change the pathway of polymerization and similar chemical
    processes.[77]
    Chemical modification
    Soluble fragments of graphene can
    be prepared in the laboratory[78]
    through chemical modification of graphite. First, microcrystalline
    graphite is treated with a strongly acidic mixture of sulfuric acid and nitric acid. A
    series of steps involving oxidation and exfoliation result in small
    graphene plates with carboxyl
    groups at their edges. These are converted to acid chloride
    groups by treatment with thionyl chloride;
    next, they are converted to the corresponding graphene amide via treatment with
    octadecylamine. The resulting material (circular graphene layers of 5.3 angstrom thickness) is
    soluble in tetrahydrofuran,
    tetrachloromethane,
    and dichloroethane.
    Full hydrogenation
    from both sides of graphene sheet results in graphane, but partial
    hydrogenation leads to hydrogenated graphene[79]
    Thermal properties
    The near-room temperature thermal
    conductivity
    of graphene was recently measured to be between
    (4.84±0.44) ×103 to (5.30±0.48) ×103 Wm−1K−1.
    These measurements, made by a non-contact optical technique, are in
    excess of those measured for carbon nanotubes or diamond. It can be
    shown by using the Wiedemann-Franz
    law
    , that the thermal conduction is phonon-dominated.[80]
    However, for a gated graphene strip, an applied gate bias causing a Fermi energy shift
    much larger than kBT can cause the electronic contribution to
    increase and dominate over the phonon contribution at
    low temperatures. The ballistic thermal conductance of graphene is
    isotropic.[81]
    Potential for this high conductivity can be seen by considering graphite, a 3D version
    of graphene that has basal plane thermal conductivity of over a 1000
    W/mK (comparable to diamond).
    In graphite, the c-axis (out of plane) thermal conductivity is over a
    factor of ~100 smaller due to the weak binding forces between basal
    planes as well as the larger lattice spacing.[82]
    In addition, the ballistic thermal conductance of a graphene is shown
    to give the lower limit of the ballistic thermal conductances, per unit
    circumference, length of carbon nanotubes.[83]
    Despite its 2-D nature, graphene has 3 acoustic phonon
    modes. The two in-plane modes (LA, TA) have a linear dispersion
    relation
    , whereas the out of plane mode (ZA) has a quadratic
    dispersion relation. Due to this, the T2 dependent thermal
    conductivity contribution of the linear modes is dominated at low
    temperatures by the T1.5 contribution of the out of plane
    mode.[83]
    Some graphene phonon bands display negative Grüneisen
    parameters
    .[84]
    At low temperatures (where most optical modes with positive Grüneisen
    parameters are still not excited) the contribution from the negative
    Grüneisen parameters will be dominant and thermal
    expansion coefficient
    (which is directly proportional to Grüneisen
    parameters) negative. The lowest negative Grüneisen parameters
    correspond to the lowest transversal acoustic ZA modes. Phonon
    frequencies for such modes increase with the in-plane lattice parameter
    since atoms in the layer upon stretching will be less free to move in
    the z direction. This is similar to the behavior of a string which is
    being stretched will have vibrations of smaller amplitude and higher
    frequency. This phenomenon, named "membrane effect", was predicted by Lifshitz
    in 1952.[85]
    Mechanical properties
    As of 2009, graphene appears to
    be one of the strongest materials ever tested. Measurements have shown
    that graphene has a breaking strength 200 times greater than steel.[86]
    However, the process of separating it from graphite, where it
    occurs naturally, will require some technological development before it
    is economical enough to be used in industrial processes,[87]
    though this may be changing soon.[88]
    Using an atomic force
    microscope
    (AFM), the spring constant
    of suspended graphene sheets has been measured. Graphene sheets, held
    together by van
    der Waals forces
    , were suspended over silicon dioxide
    cavities where an AFM tip was probed to test its mechanical properties.
    Its spring constant was in the range 1-5 N/m and the Young's modulus
    was 0.5 TPa, which differs from that of the bulk graphite. These high
    values make graphene very strong and rigid. These intrinsic properties
    could lead to using graphene for NEMS
    applications such as pressure sensors and resonators.[89]
    As is true of all materials, regions of graphene are subject to
    thermal and quantum fluctuations in relative displacement. Although the
    amplitude of these fluctuations is bounded in 3D structures (even in the
    limit of infinite size), the Mermin-Wagner
    theorem
    shows that the amplitude of long-wavelength fluctuations
    will grow logarithmically with the scale of a 2D structure, and would
    therefore be unbounded in structures of infinite size. Local deformation
    and elastic strain are negligibly affected by this long-range
    divergence in relative displacement. It is believed that a sufficiently
    large 2D structure, in the absence of applied lateral tension, will bend
    and crumple to form a fluctuating 3D structure. Researchers have
    observed ripples in suspended layers of graphene,[17]
    and it has been proposed that the ripples are caused by thermal
    fluctuations in the material. As a consequence of these dynamical
    deformations, it is debatable whether graphene is truly a 2D structure.[1][41][42]
    Single molecule gas detection
    Graphene makes an
    excellent sensor due to its 2D structure. The fact that its entire
    volume is exposed to its surrounding makes it very efficient to detect adsorbed molecules.
    Molecule detection is indirect: as a gas molecule adsorbs to the surface
    of graphene, the location of adsorption experiences a local change in electrical
    resistance
    . While this effect occurs in other materials, graphene is
    superior due to its high electrical conductivity (even when few
    carriers are present) and low noise which makes this change in
    resistance detectable.[58]
    Graphene nanoribbons
    Graphene
    nanoribbons
    (GNRs) are essentially single layers of graphene that
    are cut in a particular pattern to give it certain electrical
    properties. Depending on how the un-bonded edges are configured, they
    can either be in a zigzag or armchair configuration. Calculations based
    on tight binding predict that zigzag GNRs are always metallic while
    armchairs can be either metallic or semiconducting, depending on their
    width. However, recent density
    functional theory
    calculations show that armchair nanoribbons are
    semiconducting with an energy gap scaling with the inverse of the GNR
    width.[90]
    Indeed, experimental results show that the energy gaps do increase with
    decreasing GNR width.[91]
    However, as of February 2008, no experimental results have measured the
    energy gap of a GNR and identified the exact edge structure. Zigzag
    nanoribbons are also semiconducting and present spin polarized edges.
    Their 2D structure, high electrical and thermal conductivity, and low
    noise also make GNRs a possible alternative to copper for integrated
    circuit interconnects. Some research is also being done to create
    quantum dots by changing the width of GNRs at select points along the
    ribbon, creating quantum
    confinement
    .[92]
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    PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert

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    碧威信封-背面~1 
    Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference
    source from the internet.

    石墨烯是由原子
    成的二維晶體,碳原子排列與
    的單原子層一樣(蜂窩狀--英語:'honeycomb')。
    Graphene(石墨烯)
    是其英文名,石墨烯的命名來自英文的 graphite(石墨) + -ene(烯類結尾),有人使用「單層石墨」作為稱呼。 [2]
    我們暫且將它稱為(石墨烯)。[3]
    石墨就是許多石墨烯薄膜堆疊而成。石墨烯是的sp2雜化碳原子形成的厚度僅為單層原子的排列成蜂窩狀六角平面晶體。在石墨烯中,碳碳鍵長為0.142納
    米。石墨烯是構成下列碳同素異型體的基本單元:例如:石墨,碳納米管和富勒烯。
    Graphene(石墨烯)在2004年被
    徹斯特大學
    A.K.Geim
    領導研究組發現。[4]
    [5].
    Geim 和他的同事偶然中發現了一種簡單易行的新途徑製備石墨烯。他們將石墨片放置在塑料膠帶中,
    摺疊膠帶粘住石墨薄片的兩側,撕開膠帶,薄片也隨之一分為二。不斷重複這一過程,就可以得到越來越薄的石墨薄片,而其中部分樣品僅由一層碳原子構成——他
    們製得了石墨烯。當然,僅僅是製備是不夠的。如果將其放置在鍍有在一定厚度的氧化硅的硅片上。
    利用光的干涉效應,他們可以很容易在顯微鏡下找到這些石墨烯。近期,學者研究石墨烯在各種不同材料基底表面的可見度和對比度,同時也提供一種簡單易行可見
    度增強方法。[6]
    石墨烯簡介
    完美的石墨烯是二維的, 它只包括六邊形(等角六邊形);
    如果有五邊形和七邊形存在,那麼他們構成石墨烯的缺陷。如果少量的五角形會使石墨烯翹曲入形狀; 12個五角形的會形成富勒烯(fullerene)。

    納米管
    (nanotube)也被認為是捲成圓桶的石墨烯[7]
    另外石墨烯還被做成
    道輸運電晶體
    (ballistic transistor)並且吸引了大批科學家的興趣 。在2006年3月,
    治亞理工學院
    (Georgia Institute of Technology) 研究員宣布, 他們成功地製造了石墨烯
    面場效應電晶體
    並觀測到了量子干涉效應。並基於此研究出根據石墨烯為基礎的電路. [8]
    石墨烯的問世引起了全世界的研究熱潮。它不僅是已知材料中最薄的一種,還非常牢固堅硬;作為單質,它在室溫下傳遞電子的速度比已知導體都
    快。石墨烯 在原子尺度上結構非常特殊,必須用相對論量子物理學(relativistic quantum physics)才能描繪。
      石墨烯結構非常穩定,碳碳鍵僅為1.42埃。石墨烯中各碳原子之間的連接非常柔韌,當施加外部機械力時,碳原子面就彎曲變形,從而使碳原子不必重新排
    列來適應外力,也就保持了結構穩定。這種穩定的晶格結構使碳原子具有優秀的導熱性。另外,石墨烯中的電子在軌道中移動時,不會因晶格缺陷或引入外來原子而
    發生散射。由於原子間作用力十分強,在常溫下,即使周圍碳原子發生擠撞,石墨烯中電子受到的干擾也非常小。
    目前有三種方法製備石墨烯,一
    種是加熱SiC的方法另一種是輕微摩擦法或撕膠帶法 [9].
    第三種是化學分散法.[10].
    撕膠帶法/輕微摩擦法
    最普通的是微機械分離法,直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剪裁下來。
    2004年Geim等用這種方法製備出了單層石墨烯,並可以在外界環境下穩定存在。典型製備方法是用另外一種材料膨化或者引入缺陷的熱解石墨進行摩擦,體
    相石墨的表面會產生絮片狀的晶體,在這些絮片狀的晶體中含有單層的石墨烯。但缺點是此法是利用摩擦石墨表面獲得的薄片來篩選出單層的石墨烯薄片,其尺寸不
    易控制,無法可靠地製造長度足供應用的石墨薄片樣本。
    碳化硅表面外延生長
    該法是通過加熱單晶SiC脫除Si,在單
    晶(0001) 面上分解出石墨烯片層。[11]
    具體過程是:將經氧氣或氫氣刻蝕處理得到的樣品在高真空下通過電子轟擊加熱,除去氧化物。用俄歇電子能譜確定表面的氧化物完全被移除後,將樣品加熱使之溫
    度升高至1250~1450℃後恆溫1min~20min,從而形成極薄的石墨層,經過幾年的探索,Berger等人已經能可控地製備出單層或是多層石墨
    烯。在C-terminated表面比較容易得到高達100層的多層石墨烯。其厚度由加熱溫度決定,製備大面積具有單一厚度的石墨烯比較困難。

    屬表面生長
      取向附生法是利用生長基質原子結構「種」出石墨烯,首先讓碳原子在1150℃下滲入釕,然後冷卻,冷卻到850℃後,之
    前吸收的大量碳原子就會 浮到釕表面,鏡片形狀的單層的碳原子「孤島」 布滿了整個基質表面,最終它們可長成完整的一層石 墨烯。第一層覆蓋 8 0
    %後,第二層開始生長。底層的石墨烯會與釕產生強烈的交互作用,而第二層後就幾乎與釕完全分離,只剩下弱電耦合,得到的單層石墨烯薄片表現令人滿意。但採
    用這種方法生產的石墨烯薄片往往厚度不均勻,且石墨烯和基質之間的黏合會影響碳層的特性。另外Peter W.Sutter等使用的基質是稀有金屬釕。

    化減薄石墨片法
    石墨烯也可以通過加熱氧化的辦法一層一層的減薄石墨片,從而得到單、雙層石墨烯。 [12]
    氨還原法
    化學分散法.[
    解納米管法
    Figure 3. 石墨烯的能帶結構
    在發現graphene以前,大多數(如果不是所有的
    話)物理學家認為,
    力學漲落
    不允許任何二維晶體在有限溫度下存在。所以,它的發現立即震撼了
    聚態物理
    界。雖然理論和實驗界都認為完美的二維結構無法在非絕對零度穩定存在,但是單層石墨烯在實驗中被製備出來。這些可能歸結於
    graphene在納米級別上的微觀扭曲。[14]
    Graphene還表現出了異常的整數
    子霍爾效應
    。其霍爾電導=2e²/h,6e²/h,10e²/h.... 為
    子電導
    的奇數倍,且可以在室溫下觀測到。這個行為已被科學家解釋為「電子在graphene里遵守
    對論量子力學
    ,沒有靜質量(massless
    electron)」。
    2007年,先後三篇文章聲稱在graphene的p-n或p-n-p結中觀察到了分數量子霍爾效應行為。物理
    理論家已經解釋了這一現象。[15][16][17]
    2009年,美國兩個實驗小組分別在graphene中觀測到了填充數為1/3的分數
    子霍爾效應
    [18]
    [19]
    前,Geim教授對於石墨烯研究進展和未來展望撰寫了文章。[20][21]
    氧化石墨烯(graphene oxide)
    通過對石墨烯進行氧化及化工處理,然後使他們漂浮在水中,石墨烯會剝落
    並形成有強力鍵的單層。這些被稱為
    化石墨烯
    的層狀材料被測量到具有32 GPa
    伸模數
    [22]
    單分子探測
    石墨烯獨特的二維特點使之在傳感器領域具有光明的應用前景。巨大的表面積使之對周圍的環境非常敏感。即使
    是一個氣體分子吸附或釋放都可以檢測到。當 然這目前檢測可以分為直接和間接檢測。通過TEM可以直接觀測到單原子的吸附和釋放過程。[23]
    通過測量霍爾效應的辦法通過霍爾電阻的變化間接檢測單原子的吸附和釋放過程。[24]
    石墨烯良好的導電性能和透光性能使之在透明導電電極方面有非常好的應用前景。比如觸摸屏,

    晶顯示
    ,
    機光伏電池
    , and
    機發光二極管
    . 特別是,石墨烯對比此前常用材料
    銦氧化錫
    有無比的機械強度和卓越的柔韌性。 [25][26]
    目前,已有通過化學氣相沉積的辦法將石墨烯製成光伏器件的陽極,並得到高達1.71%能量轉換效率。[27]
    場發射源及其真空電子器件
    早在2002年,垂直於基底表面的石墨烯納米牆就被成功製備出來。[28]
    它被看作是非常優良場致發無線電子源材料。[29]
    最近關於單片石墨烯的電場致電子發射效應也見諸報道。
    clip_image003
    Graphene is an atomic-scale
    honeycomb lattice
    made of carbon atoms.
    clip_image004
    Image of graphene in a transmission
    electron microscope
    .
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    ‧CIGS型金屬薄膜太陽能電池剖面示意圖
    CIGS
    型太陽能電池是依賴 n 型的硫化鎘 ( CdS ),
    與吸收光線的 p 型 CIGS 層之間的異質接面 (
    heterojunction ) ,來運作的。
    超過 99 % 撞擊到薄膜的光線,會在大約第一個微米以內即被吸收,

    高 CIGS 吸收係數的薄膜可降低載子在到達 p-n 接面之前就會因重新結合而損失掉的風險。
    CIGS型兼具效率與成本

    幾年來由於矽原料價格飛漲,造成 c-Si 太陽能電池的成本不斷飆升,
    於是矽薄膜太陽能電池廠如雨後春筍般不斷設立,

    CIGS 型金屬薄膜太陽能電池不同於矽薄膜型,無論在效率上、
    成本上皆是目前表現優良的薄膜型太陽能電池,
    CIGS
    型在高溫環境下由於其金屬薄膜特性更能表現出其穩定的發電效率;
    此外,由於其可吸收光譜長,在清晨以及黃昏時,
    所產生
    的發電量特別優於矽基型薄膜太陽能電 池。
    CIGS具有以下特色:
    在陽光不足及不能直接照射的地方能維持高轉換 率。

    晶圓或矽薄膜在使用初期轉換效率會衰 減,CIGS 使用後會有金屬自然時效的優點,轉換效率不減反增。基板改變為不銹鋼箔或高分子材即可
    roll-to-roll 生產,大幅降低生產成本,產品更輕更薄並能彎曲。
    CIGS具有以下優點:
    低成本
    CIGS 太陽能電池是一種完全不使用矽晶為材料的太陽能電池,有別於傳統矽晶圓原料成本的高昂,CIGS
    薄膜太陽能電池相對而言可減省成本高達數十倍以上,厚度僅為傳統矽基太陽能電池的 1/100
    ,避開原料短缺的問題後,可望有效解決昂貴的太陽能電池所造成普遍性購買意願低落的現象,進而早日實現乾淨能源的夢想。
    高效率
    CIGS 太陽能電池是由銅銦鎵硒等四種原料製成,轉換效能普遍達 10%,NREL 曾在實驗室做出 19.9%
    的高轉換效率,大面積模組達 13%,Heliovolt 大約 12.2%,Global Solar 大約 14%,而IBM宣稱其投入將可邁進
    15% 的高轉換效率太陽能電池的量產。
     
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    Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel
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    фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и
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    быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC
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    太陽能產業快速成長,最直接影響的是上游料源市場,多晶矽缺料問題使料源
    成為選擇太陽能技術路線的重要考量,薄膜太陽能因消耗料源數量少,成為第2代太陽能技術興起的最大訴求,例如近年來矽薄膜太陽能即以無缺料問題因素,吸引
    大量業者投入。
    分析料源因素,不僅需考量其應用市場,現有產能是否可滿足短期所需,從中長期角度來看,因太陽光電市場未來仍有相當大的成
    長空間,地球上相關料源的蘊藏量是否可滿足長期需求,也是必須探討的重點。
    CIGS
    太陽能使用銅(Copper)、銦(Indium)、鎵(Gallium)、硒(Selenium)等元素所合成的半導體化合物,其中,銦、鎵為存在於其
    他基本金屬礦藏中的微量金屬,由於全球每年產量有限,被視為CIGS太陽能的關鍵料源,尤其銦金屬需求近年因面板產業興起而增加,價格已倍數翻漲,銦的料
    源短缺問題,普遍被外界視為是CIGS太陽能發展的障礙。



    銦、鎵為CIGS太陽能關鍵料源





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    作者:駐芝加哥科技組
    文章來源:2006年10月3日,CNET
    News.com
    發佈時間:2006/10/11


    太陽 能產業前景十分看好,它的主要製材有矽和銅銦硒化鎵(copper indium gallium
    selenide,
    簡稱CIGS)兩種,它們可以將吸收的太陽光轉變為電源。人們目前正在爭論那種材料未來會獨霸市場。目前,矽晶圓製造的太陽能電池板在市場上的佔有率超過
    了百分之九十。
    遺憾的是,矽太陽能電池板造價相對的十分昂貴,如果沒有財務補貼的話,還是從電力線網 (grid)
    取得電源比較便宜。多晶矽晶圓(polysilicon)目前缺貨,大概要到2008年才能紓緩。缺貨嚴重的限制了它的發展和銷售。
    支持
    使用CIGS的人說,採用CIGS製造的太陽能電池板遠比矽電池板要便宜。CIGS材料可以噴在金屬薄片、塑膠、玻璃上,也可與水泥或其他建材混合使用。
    可以想像,如果使用CIGS,整幢房屋或是建築物的外部將可能變成一部太陽能發電機。
    CIGS也不像其他的薄膜材料,長期在太陽光照射下
    效率會降低。
    Martin
    Roscheisen是Nanosolar的執行長,他認為聰明的投資者可以對矽作短期的投資,但是長期投資則應該選擇薄膜,特別是CIGS。
    Nanosolar是一個新的太陽能電產品製造廠,該公司己經募集到一億美金的創投基金,準備興建一座能夠生產4.3億瓦特的CIGS太陽能電池板工廠。
    Roscheisen
    並指出,「Nanosolar生產的半導體會比市上現有的產品要薄100倍,我們將低成本的材料和低成本的製造過程結合在一起。矽的成本實在太高了」。
    Shell
    是全球最大的太陽能產品製造商之一,今年初,Shell將它的矽太陽能部門賣掉轉而全心發展CIGS。Shell對CIGS抱著十足的信心才會這樣做。

    是所有已知材料中被人研究最多的材料之一,矽半導體業在矽產品的製造技術及降低處理時間的進展,都可直接應用到矽太陽能電池的製造上面。其他的能源如太陽
    熱能源、光伏染料,功能和成本都無法與矽電池相提並論。
    B.J.
    Stanberry是研發CIGS的HelioVolt公司執行長,他說,鋼鐵、水泥、矽是歷史上三種被人研究最多的材料,它們在市場中已經佔了優勢,傻
    子才會預測矽很快會被淘汰。但是由於矽缺貨,給了薄膜一個大好的商機。Stanberry預測十年內,CIGS會在市場上佔有一席重要的地位。

    陽能電池板的產量因為市場的需求而達到創記錄的高點,矽和CIGS兩種不同的太陽能電池板可能會同時在市場上並存多年。
    矽的優點與缺點

    太陽能電池的追隨者承認矽材料並非十全十美。前史丹福大學教授Dick
    Swanson也是SunPower的創辦人,他說,理論上,矽太陽能電池能夠將吸收的太陽光的29%轉變為電源。他說,如果一個完美的電池,能夠純粹依
    據矽物理特性產生電源,沒有其他任何的能源損耗和漏電,這種電池實際上的轉電效率應在25% - 26%之間。
    SunPower目前銷售
    的太陽能電池板平均效率是20%,該公司即將上市的新產品效率則可以達到22%,這種高效率來自該公司電池板的設計。SunPower將電源接點放在電池
    板的後面或下方,增加了電池板表面接受太陽光照射的面積。另外,矽太陽能電池放置在一個反射層的上面,使穿過電池板的光可以反射回來,被矽電池吸收並作有
    效的再利用。
     
    歡迎來到Bewise Inc.
    世界,首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力
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    FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan
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    陶瓷合金為黑色陶瓷,硬度為clip_image00294 .
    5~95,耐磨性良好,化學安定性好,紅熱硬度高、軔性稍差、橫向破壞強度為130~135 ×clip_image004psi 。用於切削硬度極高之Gasite 鑄鐵(表面硬度clip_image00670 ,內部硬度clip_image006[1]60 )、高週波硬化之米漢納鑄鐵(Meehanite
    GB/GC)。切削速度可達400 ~ 600m / min
    。陶瓷合金之熱安定性及化學安定性較碳化物為佳,因為陶瓷合金的主要成份TiC對Fe的溶解度比碳化物的主要成分WC對Fe的溶解度低。
    陶瓷合金
    的切創特性:
    (一) 可用與陶瓷刀具相同的切削速度,約為碳化物的2 -4 倍。
    (二) 耐凹陷及刀腹磨耗。
    (三)
    加工面的粗度比用碳化物車刀者良好。
    (四) 可用於粗車削黑皮,不會引起剝離。
    (五) 能切削鑄鐵、鋼、非鐵金屬等各種材料。
    (六)
    可以硬焊。
    (七) 再研磨的容易程度與碳化物刀具相若。
    9. 氮化硼刀具
    氮化硼(CBN, Cubic Boron
    Nitride)刀具是由一層人造氮化硼結晶和碳化鎢基材緊密燒結砌合在一起,然後以高溫及高壓的燒結過程製成。
    氮化硼是目前已知硬度僅次於鑽石
    的刀具材料,有很好的化學安定性,不會和鐵、鈷、鎳等金屬產生親和現象,因此專門加工一些經過硬化處理,硬度在clip_image006[2]45以上的硬鋼、高速鋼、不鐫鋼、冷激鑄鐵等及一些高溫合金等難切削的
    太空材料。
    氮化硼刀具在切削所謂難切削的材料等,能比傳統研磨快速,切除材料的速度可以高達數十倍之多。氮化硼如果切削角度和刀刃形狀設計正確時
    相當耐衝擊,也可以做斷續車削或粗重切削鑄件不規則表面、銹皮等。
    難切削材料的加工,一旦切削速度加快時,刀刃部位的溫度快速上升,對大部分的切
    削刀具材料都是致命傷,但對氮化硼卻不受影響。氮化硼刀具在1830clip_image010
    時,尚可維持相當程度的紅熱硬度及強度,也不會有氧化的情形,更不會在高溫時與鐵、鈷、鎳等金屬產生親和作用。某公司人造CBN Borazon
    氮化硼刀具材料的特性:抗折力105 ×clip_image012psi ,彈性係數125 ×clip_image004[1]psi ,硬Knoop3500 kg/clip_image015,熱傳導1~2 watts / cmclip_image017K 。
    氮化硼刀具使用時注意事項如下:
    1.
    機器的剛性和工件夾持的穩定性要良好,刀具懸空要短。
    2. 不適合切削軟材料,適合切削硬化鋼、鑄鐵和硬軔太空金屬。
    3.
    儘可能使用負傾角設計。
    4. 選用較大的側刃角,至少15clip_image017[1]較好。
    5. 使用充足的切削劑。
    6.
    切削耐熱合金等工件之邊綠必須事先倒角,以避免切削時工件邊緣造成破裂的現象。
    7. 一有顫振,立即停止切削,並檢查原因。
    8.
    刀刃的形狀必須特別小心注意選用:
    (1)油石細磨小圓角0.03~0.05mm,用於連續切削的精車和細車。
    (2)油石細磨小圓角
    0.07~0.0 12mm,用於半精車。
    (3) 10clip_image017[2]刀刃倒角,用於斷續切削。倒角的寬度必須大於進給率。

    常的建議值為10clip_image017[3]× 0.4mm寬。
    (4)刀刃倒角加上油石細磨的小圓角刀刃處
    理,用於惡劣情況之切削。
    9. 表2 -11 示切削數據建議值,在應用上可以使用表中之數據做為起點,再配合實際狀況予於修正。
    表2
    -11 氮化硼刀具的切削數據建議值
    clip_image022
    10. 人造鑽石刀具
    鑽石做為金屬切削刀
    具,近年來已將昂貴的單晶體鑽石(天然鑽石)改為多晶體鑽石(人造鑽石)。一般天然鑽石在使用之前,必須先找到結晶線的方向才能發揮其「硬」的效果。
    ComPax 人造鑽石是沒有結晶方向線的燒結體,不會有軟、硬並存的面。
    人造鑽石刀具是一層極細的鑽石晶粒燒結砌合在碳化鎢的基座上,經由超高
    壓及超高溫處理而成。製造時雖沒有使用結合劑,但碳化鎢內少量之鈷會擴散到表面,當做超硬被覆的結合劑。而碳化鎢的基座會很有效地支撐具有硬度和耐磨性的
    人造鑽石層。
    人造鑽石刀具以切削矽鋁合金、銅、青銅合金、巴比合金、石墨、玻璃纖維等比較軟質材料的精細加工為主。它不適合切削鐵類金屬,因為大
    部分的鐵金屬在高溫狀況下會與鑽石產生親和作用。人造鑽石刀具使用時注意事項如下:
    (1)
    特別注意機器的剛性和工件夾持的穩定性,若刀具顫振將縮短其壽命,工件表面不良。
    (2)
    可以濕式或乾式切削,但以濕式為佳。切削劑使用一般的水溶性油、浮劑等。因此種切削劑的冷卻性和潤滑性可減少切削熱和膠結刀刃問題。
    (3)
    人造鑽石刀具的切削角度,通常和碳化鎢車刀的角度相同。唯主要切削比較軟的材料,因此切削角度都正角。讓角應儘量小
    表2 -12
    人造鑽石之切削數據建議值
    clip_image024
    表2 -13 各種刀具材料的特性
    clip_image026
    ,最好不超過15clip_image017[4]。過大的讓角將使鑽石層因得不到碳化鎢基座的支撐,而會導致刀具碎裂。
    刀鼻半徑則比碳化鎢刀具大,如此可產生更好的表面粗糙度。因為刀刃的銳利度,雖然增加刀鼻半徑,並不會帶來較大的切削阻力。
    (四)
    切削數據建議值如表2 -12 示。在應用上,可以使用表中提供之數據作為起點,再配合實際狀況作某種修正。
     
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    碧威-隕石-海報版-測試用 Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference
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    4 耐附著刃(BUE)形成的效果甚佳。
    被覆後的碳化物刀片,因
    被覆材料潤滑性的影響,一方面降低工件與刀片問的摩擦力,使刀刃磨損及.矚力消耗大幅度地減小。另方面也因切屑容易自刀面滑開而減少熱量的產生。同時被覆
    材料的化學安定性及高溫穩定性,往往將附著刃(BUE)形成的機會降至最低。因而使切削的工件表面光度大為增高。
    由於高度的耐磨性及抗凹陷磨耗的
    性質,被覆碳化物刀片的切削速度及進給比一般碳化物高1.6 ~1.8倍。若使用相同的切削速度及進給,則其使用壽命比一般碳化物高2倍以上。圖2 - 3
    示被覆刀具之使用壽命。
    在切創作業中,被覆刀具不僅能使工作者以較少數的刀具等級做更多的切削加工,而且簡化刀具等級的選別,減少使用技術上的
    錯誤,更能使庫存量降低以達到經濟成本的目標。
    clip_image002
    刀具壽命(刀腹磨耗最小至clip_image004
    圖2-3 被覆刀具之使用壽命
    (四)
    被覆刀具使用時注意事項
    1. 主要用於切削鐵基合金,如鋼、鑄鐵等。
    2.
    不用於切削高溫合金(鎳基或鈷基合金)、鈇合金、非鐵金屬、非金屬如石墨、玻璃纖維、塑膠等。
    3. 以車削及搪孔為主。銑削方面較少使用。
    4.
    切削速度一定要超過80m/min 以上。
    5. 不適合精切創,因基材經過細磨,若切削深度太小,容易引起激烈的摩擦式磨耗。
    6.
    由實驗證明,刀片上因為高溫所形成的一層氧化膜變為自然的潤滑劑,能抵抗化學變化和減低切削阻力,刀具壽命反而增長。故被覆刀具以不使用切削劑較佳。
    7.
    陶瓷刀具
      陶瓷是一種非常古老的材料之一。其用於刀具材料時如為被覆刀具則其被覆層材料為氧化鋁,若製成整片刀具俗稱陶瓷刀片。目前較常用的
    陶瓷刀具是由高純度(99.9 %) Al2O3,以極小的顆粒(2 ~10clip_image006)添加少量其他金屬氧化物如MgO 、Tio 、Nio
    、或結合劑,在常溫下將混合好的粉末高壓(1 ×clip_image008psi )成型,然後在2910 ~ 3090clip_image010中燒結而成。
    (一) 陶瓷刀具之切削特性
    陶瓷刀具硬度
    clip_image012 93~94 ,橫向破壞強度為(10~11)×clip_image014psi 約為碳化物的一半,高溫硬度甚高,在約2000clip_image010[1]時硬度仍不減低,故切削速度比碳化物高2~3
    倍。由於粒度、純度、製造方法等因素,陶瓷刀片僅適用於切削鑄鐵。
    陶瓷刀具切削鑄鐵時,由於會在切屑表面形成一層低剪強度石墨,不會像碳化鎢刀具
    產生凹陷。而切削硬鋼時,因為切屑與刀具之問的熔著面積很小,所以刀面產生的凹陷亦會比碳化鎢較少。由於陶瓷刀具的脆性使其在產生積屑刃口(BUE)的條
    件切削軟鋼時,或不連續切削時,都很容易產生剝離現象。陶瓷刀具切削鋁或鈦合金時,可能由於這些材料於氧或已氧化表面具有非常高的親和力,所以切屑與刀具
    問會強烈地結合在一起,因而加速刀具的磨耗率。
    陶瓷刀具的改良是靠著不同添加物及製程的創新,慢慢地更能符合切削加工需求。例如傳統以常溫壓製燒
    結而成的陶瓷,如在燒結完成後,再加以熱均壓(HIP)燒結處理,一方面可消除因燒結收縮過程中所留下之砂孔,另一方面可使陶瓷本身因再一次的受熱壓而使
    組織而緻密,韌性及強度更好。
    (二) 陶瓷刀具分類
    陶瓷刀具概分為三大類:高純度陶瓷、複合陶瓷、氮化矽陶瓷。
    1.
    高純度陶瓷
    這是最早期的陶瓷,軔性的改善以結晶粒的微粒化和高密度化為重點。有時為了防止燒結時結晶粒的過度成長,可添加適當的MgO
    或ZrO2,但最有效的方法還是用HIP的再處理方式,橫向破壞強度可顯著的提升許多。高純度陶瓷有冷壓和熱壓成型。冷壓的陶瓷為白色,熱壓的陶瓷為黑
    色。
    冷壓高純度陶瓷已使用二十幾年,較便宜、強度較差,橫向破壞強度(TRS ) 30 ~40 kg / clip_image016
    ,應用於車削、鉋削、搪孔、銑削、及製造螺絲。加工材料包括軟鑄鐵、熱軋與冷拉碳鋼、黃銅、青銅、鋁。切削速度可達300m / min 。
    熱壓
    高純度陶瓷係將燒結後的氧化鋁施以熱壓,使結晶顆粒微細化(直徑<<2μm ) ,提高抗拉強度,TRS 為50 ~ 60 kg / mm
    ’。切削速度可達600m/min 。
    2. 複合陶瓷
    這是目前陶瓷刀具的主流,在Al2O3。中加入15 ~
    30%的碳化物或ZrO2以改善強度及韌性,TRS 70~80 kg /clip_image016[1]。添加物包括:TiC 、WC 、Cr 2 O3、MO2
    C…等,其中以TiC
    為最多。同樣也可以HIP處理。用於高速(切削速度可達800m/min)重切削、銑削等。加工材料包括硬化鋼、冷硬鑄鐵、超合金、其他類似的硬金屬。
    3.
    氮化矽陶瓷
    它以Si3N4的粉末為主,添加適量Al2O3。以常壓燒結法或熱壓法製成。主要特徵為比傳統陶瓷的韌性更好,TRS90 ~100
    kg /clip_image016[2],熱脹係數更低,耐熱衝擊性很優秀。用於高速(切削速度可達600 m
    / min)重切削、銑削鑄鐵、切削非鐵金屬。
    (三) 陶瓷刀具使用注意事項
    1.穩定性要好穩定性包括工件的夾持和機器的剛
    性。最好使用陶瓷刀片專用刀柄,並且使刀柄的懸空減至最短的情況。
    2.
    選擇強度最好的刀片形狀和可能最大的刀鼻半徑圓形和方形是強度比較好的刀片形狀,儘可能優先考慮選用。刀鼻半徑越大,刀具的強度越好。
    3.
    選擇可能之最大側刃角度在允許的範圍內,較大的側刃角可讓切削應力分散在較長的刀刃上,而減輕單位長度的切削壓力。
    4.
    選用正確的刀刃形狀陶瓷刀具的硬脆性使刀刃形狀的要求受到十分嚴格的限制。表2 -8
    示某公司陶瓷刀具用在各種切削加工上,應該考慮和具備的刀刃形狀之建議值。
    5. 使用正確的切削數據表2 - 9
    示切削耐熱合金之切削數據建議值。表2 - 10 示切削一般鋼料及鑄鐵之切削數據建議值。
    6. 不適用於斷續切削。
    表2
    -8 某公司陶瓷刀片刀刃形狀之建議值
    clip_image020
    表2 -9 切削耐熱合金之切削數據建議值
    clip_image022
    8. 陶瓷合金
    陶瓷合金
    (Cermets)一字來自Ceramic +
    Metals,初期僅用陶瓷與另外一種金屬高壓合成後,使耐高溫及耐磨之氧化鋁有金屬之延展性,並且在高溫下有高強度而其脆性不比陶瓷大。
    最初發
    展成功的陶瓷合金是將氧化鋁與15 ~30%之碳化欽混合熱壓成型。後來在氧化鋁中加鉬、碳化鉬、碳化鎢等。近來則加結晶氮化硼。
     
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    註:1 所謂不適宜加工條件,若由工件的表面情況而言,係指工件有鑄造及鍛
    造表皮,硬度及切削度變化,切削呈斷續的情形;若從剛性的觀點而言,即工作機械、切削刀具及工件等的撓曲或振動較多的情況。
    2高錳鋼指高
    錳鋼鑄鋼材(SCMnH)及其它。
    3特殊鑄鐵為合金鑄鐵、蒙漢耐德鑄鐵、球狀石墨鑄鐵。
    4耐熱合金為耐熱鋼(SHE),
    耐熱鋼鑄品(SCH )。
    5易切削鋼指硫易切AlJ鋼(SUM),鉛易切削鋼。
    6非鐵金屬指銅及銅合金、鋁及鋁合金等。
    不良容易使刀片發生裂縫。因為碳化物刀片的熱脹係數大約是鋼刀柄的一半,由於焊接位置的楊氏係數和熱脹係數的突然改變而產生的應力使刀片
    經常損壞。
    2. 丟棄刀片
    將刀片放置在刀柄端,然後用螺釘或壓板或偏心銷將刀片夾緊的方法稱為夾置刀具,被夾置的刀片稱為丟棄刀片或嵌置
    刀片。丟棄刀片的形狀有正三角形、正方形、正五角形、正六角形、正八角形、長方形、菱形、圓形等。刀片之每一菱角即為一個刃口,如三角形即有三個刃口,四
    角形即有四個刃口。刀具切削工件時,當其中一個刃口已磨耗變鈍,可以調換次一刃口切削工件,直到所有刃口均已磨耗,刀片不再研磨即行丟棄。
    丟棄刀
    片沒有銅焊應力,不會造成刀片裂縫現象,使用者不需輸磨刀具,而且可以減少更換刀具之時間。在刀片的下面常置放碳化物墊片以增加支撐及避免刀柄受到破壞。
    6.
    被覆刀具/塗層刀具
    被覆(coated)或稱塗層刀具係針對一般切削鋼料等級的碳化物刀具,常有99%的刀片僅表面產生凹陷磨耗而使刀刃崩裂喪
    失切削功能,實在浪費。工程界為解決此問題,選取韌性較佳的碳化物為基材,利用汽相蒸鍍法(vapor-phase
    deposition)在碳化物表面被覆一層很薄的耐膺性及潤滑性均佳,而熱傳導性較差的材料,以阻抗刀面的凹陷磨耗,提高刀具的使用壽命。
    (一)
    被覆刀具的製造法
    被覆刀片通常用化學蒸鍍法(CVD)製成,亦有用物理蒸鍍法(PVD)製成。
    表2 -
    6示CVD法與PVD法之特徵。
    clip_image002
    作用,使生成TiC 或TiN
    或Al2O3,被覆層。其反應式分別為
    ( 1 ) TiCl4 + 4H2 + ( H2)→ TiC + 4 HCI + ( H2 )
    ( 2 ) TiCl4+clip_image004N2+ 2H2 :→ TiN +4HCI
    ( 3 )
    2AlCI3+3H2O + ( H2)→ AI2O3+ 6HCI + ( H2)
    反應是在常壓或低壓下進行,可行大量之被覆處理。
    最近為能適用於多層被覆,故需有能任意更換反應氣體的裝置。
    CVD法蒸鍍碳化物刀片時應具有高純度的材料及刀具表面必須乾淨而無氧化物或灰塵,並
    確信在整個溫度控制過程中材料不被污染。因為污染會使被覆層產生砂孔,造成結合鍵強度不夠,使被覆刀具之密度、硬度、耐磨性等不足。
    PVD法之處
    理溫度較低,是利用高度真空下的放電以達到蒸發的目的。其可分成許多種不同的方法,但以離子鍍層抉或噴濺法將刀具鍍上TiC或TiN最常見。高速鋼刀具被
    覆TiN大都應用離子鍍層法。其被覆溫度約470℃,不超過基材之正常回火溫度,才不會使刀具變形或影響其硬度。
    PVD與CVD比較,前
    者被覆裝置較複雜,更由於低溫被覆對提高刀具切削之性能較弱,增加耐磨性較小,附著強度亦較低。但可補足CVD被覆刀片較不適用的切削情況,如刀片前端不
    經細磨的精切削用刀片或切削鋁專用的刀片。表2 -6
    示PVD與CVD之特徵。除了被覆材質的化學結構對切削效果有直接影響外,被覆材質的厚度也是一項重要的因素。試驗證明凹陷耐磨性和被覆厚度增加的幅度成
    正比,就算是凹陷深度超過被覆厚度,凹陷邊綠的被覆材質還是有效地保護刀具而減緩凹陷的擴大。
    刀腹耐磨性也隨著被覆厚度的增加而加強,而此種耐磨
    性增強的幅度,在被覆厚度超過6~8clip_image006m
    時已漸次的緩慢,再加厚的被覆材質並不能使刀腹耐磨性更強。因為破覆層愈厚則結晶粒愈粗大,耐磨性的提升量受到限制,且過厚的被覆層會造成刀片整體軔性的
    下陷,容易發生破裂。被覆刀具之脆性比未被覆刀具較大,是由於被覆材料與基材之熱膨係數差異大所致。
    當不潔的刀片附上被覆層時,被覆層與基材隔
    離,刀具使用時將使刀片整片剝落。被覆層太厚也會導致剝落,因為被覆層與基材熱膨脹係數之差異大。
    (二) 被覆層材料及刀具基材(母材)

    早期第一代被覆材料是用TiC,其厚度大約6clip_image006[1]m,刀具基材是標準碳化物P10、P20、K10等一般常用的材質。
    唯TIC
    會吸收刀片表面層的碳,使TiC 層和基材之間多了一層脫碳層稱為clip_image009相,clip_image009[1]相很硬很脆,對TiC
    被覆層的穩定性有很大的威脅,而後被覆基材使用特殊合金時,將clip_image009[2]相減至最少,成為第二代被覆刀具。
    最近被覆層的材料已由TiC
    改為TiN 、HfC 、HfN 、Al2O3:等。TiC 的被覆層對耐刀腹磨耗比被覆TIN 者較好,而TIN 的耐凹陷磨耗能力比TiC
    者較好。最近的被覆是三層材料互相重疊密接而成,如TiC 十TiN
    十Al2O3,兼備各項耐磨耗性,特別適合高速切削,此為第三代被覆材料。第四代被覆材料是將基材作成表面非常薄的鈷加強層,如基材之鈷含量6 %
    ,而鈷加強層的鈷含量可能達20%。此加強層可改進被覆層和基材的酊合性,萬一在斷續切削或較惡劣情況之下,被覆層因為較硬脆而出現碎裂,這種裂縫將會被
    鈷加強層擋住而不會繼續深入基材。
    被覆的層數可分成單層、雙層、及三層等各種被覆刀片,如表2 - 7 示。
    表2 -7
    被覆刀具層數
    clip_image013
    被覆刀具基材必須具備下列特性:
    1.
    高溫時耐熱變形佳。
    2. 高熱傳導度。
    3. 高壓縮強度。
    4. 耐衝擊破壞之抗折力佳。
    5. 耐刀腹磨耗特性佳。

    在廣泛使用的被覆材料有TiC、TiN、Al2O3。TiC比重為4.7比碳化鎢17.9為輕,硬度非常高,耐磨耗性強,具有較大的氧化阻抗。Al2O3
    的化學安定性最佳,對擴散阻抗最有效,抗氧化性優良,熱傳導係數低,摩擦係數亦小,但與基材之結合卻比TiN
    或Tic較困難。結合強度會影響被覆的效果,其中以TiC 之結合強度最佳。TiN
    的化學安定性比TiC為高,具有最低的摩擦係數,它與鐵的擴散反應較緩慢,這是由於被覆材料被分解進入已經沃斯田鐵化之切屑表面時,氮會提供比碳低的切屑
    表面硬化行為。故TiN 耐凹陷磨耗較佳。多層被覆刀具通常最接近基材的一層是TiC
    ,以穩定擴散阻抗,避免碳由基材或鐵的鈷相中脫離,最外一層為0.005mm 厚的TiN 以減低刀具表面的摩擦,而中間層為TiC -TiN的過渡層。

    於不同被覆碳化物刀片可依外觀顏色區別:一般碳化鈦被覆為銀灰色,氮化鈦被覆為金黃色,氧化鋁被覆為灰黑色。
    (三)
    各類被覆碳化物刀具之切削性能
    1. 被覆氮化鈦(TIN)刀具
    1 耐凹陷磨耗。
    2 結晶顆粒較細及較均勻-韌性較佳。
    3
    被覆層甚為緊密,因而基材對其影響甚少。
    4 摩擦係數甚小,因此工件與刀片在切創時溫度升高均有限,較易保持刀片的壽命及工件的精度。
    5
    潤滑性甚佳。因此較易達成較好的表面光度。
    6 耐震動及耐衝擊力甚佳。
    2. 被覆碳化欽(TiC)刀具
    它與氮化鈦被覆一樣含有
    上述各項優點,唯與之比較則稍差些。但耐磨性則比氮化鈦佳。
    3. 被覆氧化鋁(Al2O3)刀具
    1
    高度切削性-比普通碳化物刀片高1倍。
    2 耐磨耗性甚佳。
    3 抗凹陷磨耗性甚佳。
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