BW Professional Cutter Expert www.tool-tool.com

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

Bir USB Bellek Aygıtı. Soldaki yonga flaş bellek, sağdaki yonga ise mikrodenetleyicidir.

Flaş Bellek, kaynak gücü kesildiğinde bile sakladığı veriyi tutabilen ve elektronik olarak içeriği silinip, yeniden programlanabilen bellek türüdür. Flaş bellek teknolojisi çoğunlukla bellek kartlarında ve USB bellek aygıtlarında kullanılır. EEPROM türündeki belleklerin büyük miktardaki veri öbeklerinin programlanıp silinmesini sağlayan özel bir türüdür.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

Flashminne kallas de transistorbaserade minnen som i dag används i mobiltelefoner, digitalkameror, USB-minnen och annan vardagselektronik. Det är denna sorts minnen som exempelvis lagrar foton i en kamera eller telefon. I kameror är de ofta utbytbara för att ge möjlighet att köpa till större minnen för de som behöver lagra fler bilder. På senare år har mp3-spelarna gjort stor succé, och de spelare med en kapacitet på mindre än 20 gigabyte använder oftast flashminnen. Flashminnen finns i många olika storlekar, de är billiga att tillverka och har den egenskapen att de inte förlorar den lagrade informationen om de blir utan ström.

Tekniken bakom flashminnena uppfanns av forskare inom Intel Corporation år 1988. Majoriteten av de minnen som säljs i dag tillverkas av Intel, AMD, Toshiba och ST.

Det två vanligaste varianterna av flashminnen är NOR och NAND.

NOR-minnet [redigera]

NOR-minnet kännetecknas av att det går snabbt att läsa data från minnet (10–100 ns), men det tar lång tid att skriva data till minnet (1–10 ms). NOR-minnet läser normalt ett ord i taget.

NAND-minnet [redigera]

NAND-minnet har utvecklats av Toshiba. Det är långsamt både vid läsning (10–15 µs) och vid skrivning (1–10 ms). Dock läser man en stor mängd data samtidigt till en mellanlagringsbuffert. Därifrån kan det sedan läsas ut snabbt.

Ett NAND-minne är inte tillförlitligt, så data måste normalt felrättas efter utläsning. Fördelen med NAND-flashminnen är att en NAND-minnescell är mindre än en NOR-minnescell och billigare att tillverka. NAND-flashminne används därför enbart för att lagra data. Om man vill lagra program i NAND-flashminne, brukar man kopiera programmet till en snabbare minnesarea innan det anropas.

Dataflash [redigera]

Ett mellanting mellan NOR-flashminnet och NAND-flashminnet är Atmels Dataflash. Det är ett NOR-flashminne med ett enklare långsammare gränssnitt än det vanliga parallellgränssnittet. Det används ofta för att lagra data i mindre datorer för styr- och reglerfunktioner, så kallade microcontrollers. På grund av den begränsade hastigheten så är inte heller detta minne lämpligt för programlagring utan föregående kopiering till en snabbare minneskrets.

Funktion [redigera]

En flashminnescell består av en enda transistor vars styrsignal förändras vid programmeringen. En ickeprogrammerad minnescell har värdet "1" och en programmerad minnescell har värdet "0".

Ett flashminne är indelat i block som normalt är ganska stora. En typisk blockstorlek är 64 kilobyte.

När man vill förändra en bit från en etta till en nolla kan man göra det genom att programmera just den biten. Om man vill göra tvärt emot, dvs förändra en nolla till en etta, är det svårare. Man måste då sudda ut hela blocket.

Ju mindre blocket är, desto enklare är det för användaren. Men mindre block är dyrare att tillverka, varför blocken tenderar att bli stora i NOR-flashen. Typiskt sett är blocken mindre i NAND-flash samt i Dataflash.

Ett problem med användningen av flashminnen är att det inte är möjligt att läsa från flashminnet när man väl har börjat programmera ett block. Därför är en del moderna flashminnen uppdelade i flera plan som är isolerade från varandra. Då är det möjligt att läsa från ett minnesplan under tiden man programmerar ett annat.

När elektronikkonstruktören skall använda ett flashminne så är det två egenskaper som är viktiga:

• hur många gånger går det att programmera flashminnet?
• hur länge behåller minnet laddningen?

Moderna minnen går att programmera kanske 100 000 gånger innan fel börjar uppträda. Man beräknar att minnet håller 10–20 år innan enstaka exemplar börjar få problem.

För att öka minnets lagringsförmåga så har det introducerats flernivåflashminnen. Varje transistor kan då lagra två eller fler bitar. I det ursprungliga flashminnet var styrsignalen till transistorn antingen oprogrammerad ("1") eller programmerad ("0"). Med flernivåminnescellen programmerar man styrsignalen till nivåer ’’mellan’’ "hög" och "låg". För att sedan vid läsningen avgöra värdet, jämför man nivån med egna fördefinerade gränser.

Användning [redigera]

Flashminnen förekommer i avancerade systemchip med inbyggda processorer. Den första kretsen av det slaget var Atmels mikrostyrkrets med en processorkärna (8051) från Intel.

I stort sett alla flashbaserade mikrostyrkretsar har en liknande teknologi som heter EEPROM. Den använder två transistorer i stället för en, och minnescellen är därför större. Fördelen med EEPROM är att man inte behöver stora block. I små EEPROM-kretsar kan man programmera och sudda 8 bitar i taget. (Att jämföra med det typiska flashminnets 524 288 bitar).

De flesta flashminneskorten för digitalkameror och mobiletelefoner är i dag baserade på NAND-teknik, medan minneskortens programkod använder NOR-flashteknik.

Gränssnittet på tidiga flashminneskortet av Smartmediatyp var integrerat på minneskretsen. I senare flashminneskort av modellerna Multimediacard (MMC), Secure Digital (SD) samt Memorystick, finns det en mikrostyrkrets som hanterar signalerna i kontakten. Styrkretsen hanterar också felkorrigering och annat i NAND-flashminnet.

Begränsningar [redigera]

Flashminnen har på grund av sin konstruktion en inbyggd begränsning i antalet skrivcykler. Det går med andra ord inte att skriva ett oändligt antal gånger till denna typ av minnen utan att det förstörs.

Nuvarande utveckling [redigera]

Flashminnet har i dag i stort sett helt ersatt den tidigare EPROM-tekniken som kunde programmeras elektriskt, men måste suddas via bestrålning av ultraviolett ljus. Framtida möjliga konkurrenter till flashminnen kan vara plastminnen samt ferro-RAM.

Ferro-RAM kan ses som en miniatyrisering av kärnminnet som fanns i datorns ungdom. Fördelen med ferrominnet är att det kan skrivas lika snabbt som det kan läsas. Det har varit under utveckling under ett stort antal år men har hittills inte använts i större sammanhang.

Plastminnet som utvecklas bland annat på Linköpings tekniska högskola har inte kommit så långt än.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

Флеш меморија унутар УСБ стика

Флеш меморија или флеш ЕЕПРОМ је врста ЕЕПРОМ (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) меморије. За разлику од „уобичајене“ ЕЕПРОМ меморије, у флеш ЕЕПРОМ меморији се бајтови не могу појединачно брисати. Флеш меморија се користи тамо где је битно да су подаци похрањени на физичко што мањем медију (мп3 плејери, УСБ стикови итд.)

Употреба [уреди]

• Диск он чип
• УСБ кључ
• Меморијске карте за дигиталне камере, мобилне и остале уређаје
• МП3 уређаје
• за меморисање фирмвера у многим рачунарским компонентама

На тржишту постоје тренутно две различите врсте флеш архитектуре:

• НАНД-Флеш - Транзистори су серијски повезани, око милион циклуса брисања, максимално 8 гигабајта.
• НОР-Флеш - Транзистори су паралелно повезани, између 10-100.000 циклуса брисања, максимално 512 мегабита.

У 2005. однос ове две флеш архитектуре на тржишту је био скоро једнак, за 2007. годину се предвиђа већа значајно повећање кориштења НАНД-Флаш архитектуре.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

Një çelës USB. Çipi në të majtë është kujtesa rrufe. Kontrolluesi i vogël gjendet në të djathtë.

Kujtesa rrufe (ang. Flash Memory) është një kujtesë kompjuterike e qëndrueshme e rishkrueshme (EEPROM) organizuar në blloqe, ose më mirë një qark gjysmëpërcjellësi në të cilin mund të stivosen të dhënat kompjuterike në formë binare, që mbahen edhe në mungesë të energjisë.

Kujtesa rrufe është një teknologji që përdoret kryesisht në kartat e kujtesës, dhe shtytësat rrufe (çelësat) USB për ruajtje dhe përçim të të dhënave mes kompjuterve dhe pajisjeve digjitale. Është një lloj ruajtësi i qëndrueshëm kujtese që mund të asgjësohet dhe programohet në blloqe të mëdhenj; në kujtesat rrufe të mëparëshme çipi i tërë duhej të fshihej menjëherë. Kujtesat rrufe kushtojnë shumë më pak se EEPROM-ët bajt programues dhe prandaj janë kthyer në teknologji mbizotëruese kurdoherë që nevojitet një sasi e madhe e ruajtësve të kujtesës së qëndrueshme kompjuterike. Shembujt e zbatimit të kësaj teknologjike gjenden në ndihmësat personalë digjitalë dhe kompjuterët leptopë, lexuesit digjitalë, kamerat digjitale dhe telefonët e lëvizshëm. Ka fituar pak popullaritet në tregun e videolojrave, ku pshpesh përdoret në vend të EEPROM-it apo SRAM për shpëtimin e të dhënave të lojës.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

V porovnaní s klasickou EEPROM dovoľuje zapisovať (mazať) do viacerých častí pamäte v jednej operácii programu, tzn. vyššiu rýchlosť zápisu. Flash pamäť je - podobne ako EEPROM - nevolatilná, teda (na rozdiel od klasickej RWM) uchováva obsah pamäte aj bez napájania elektrickou energiou.

Flash pamäte sa bežne používajú v pamäťových USB diskoch, prenosných MP3 prehrávačoch, pamäťových kartách v digitálnych kamerách a mobilných telefónoch atď.

Technická realizácia [upraviť]

Proces mazania FLASH bunky

Proces programovania FLASH bunky

Technicky sa pamäťové bunky Flash pamäte realizujú ako ochudobňovací NMOS tranzistor s dvomi hradlami nad sebou - riadiace hradlo je na vrchu a druhé, tzv. plávajúce hradlo (angl. floating gate), ktoré je samotným nosičom informácie, je pod ním odizolované zdola aj zhora (aj zo všetkých strán). Pomocou horného hradla sa tunelovým javom nainjekujú do dolného hradla elektróny, ktoré tam ostanú uväznené - tie potom vytvárajú pole, ktoré ochudobňuje prechod.

Najjednoduhšie FLASH bunky poznajú len stav 1-0, t.j. prepúšťa neprepúšťa. Modernejšie bunky používajú viac úrovní náboja na plávajúcom hradle, čím dá uložiť naraz viac bitov, prípadne analógová hodnota, v jednej bunke.

Vybíjanie plávajúceho hradla (t.j. mazanie) prebieha tiež tunelovým javom.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

Flash memory is a memory storage device for computers and electronics. It is most often used in devices like digital cameras, USB flash drives, and video games. It is quite similar to EEPROM.

Flash memory is different from RAM because RAM is volatile (not permanent). When power is turned off, RAM loses all its data. Flash can keep its data intact, with no power at all. A hard drive also is permanent (non-volatile) storage, but it is bulky and fragile. Flash memory is much slower than RAM or hard drives. But it is great for small electronics because it is small and it has no moving parts.

The main weakness of flash memory is the number of times that data can be written to it. Data can be read from flash as many times as desired, but after a certain number of "write" operations, it will fail. Most flash devices are designed for about 100,000 - 1,000,000 write operations (or "write cycles").

EEPROM has the same limitation that flash does: it can only survive about 100,000 write cycles. But it is more expensive than flash, so it is usually not used for storage greater than 128kB. The main difference between EEPROM and flash memory is that EEPROM can "write" to any byte of memory, at any time. Flash memory can only write to an entire chunk, or "sector", of memory at a time. That means that if the user wants to change only one byte, flash must also re-write all the bytes in that sector. This means that flash memory can wear out faster than EEPROM.

But in some cases Flash drives can also be volatile, This is because the information is stored in the same way as RAM and the memory starts back up when the USB Flash drive is plugged into the computer.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.

Beeway. www.beeway.com.tw Reference source from the internet.

USB-накопитель на флеш-памяти

Флеш-память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (обычно около 10 тысяч раз). Несмотря на то, что такое ограничение есть, 10 тысяч циклов перезаписи — это намного больше, чем способна выдержать дискета или CD-RW.

Не содержит подвижных частей, так что, в отличие от жёстких дисков, более надёжна, компактна и дёшева.

Недостатком, по сравнению с жёсткими дисками, является относительно малый объём: для самых больших флеш-карт объём составляет около 16 Гб. Работа по устранению этого недостатка уже ведётся: компания Apple выпустила флеш-носители ёмкостью до 64 Гб. А в конце 2007 года компания Toshiba объявила о начале выпуска флеш-носителей объёмом до 256 Гб.

Благодаря своей компактности, дешевизне и отсутствию потребности в энергии флеш-память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных периферийных устройствах (маршрутизаторах, коммуникаторах, принтерах, сканерах).

[править] Принцип действия

Программирование флеш-памяти

Стирание флеш-памяти

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

[править] NOR

В основе этого типа флеш-памяти лежит НЕ‑ИЛИ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкий уровень электронов обозначает единицу.

Транзистор имеет два изолированных затвора: управляющийся и плавающий. Последний способен удерживать электроны в течение нескольких лет. В ячейке имеются так же сток и исток. При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, появляется поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут храниться. При чтении низкий уровень заряда на плавающем затворе соответствует единице, а заряд выше порогового значения — нулю.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

[править] NAND

В основе NAND типа лежит НЕ-И элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

[править] История

Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в Toshiba в 1984 году. Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Шойи Ариизуми (Shoji Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. Intel увидела большой потенциал в изобретении и в 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше площадь чипа.

Стандартизацией чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0^[1], выпущенная в 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается крупнейшими производителями NAND чипов: Intel, Micron Technology и Sony.^[2]

[править] Характеристики

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с^[3]. В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 Кб/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 Кб/с = 15 000 Кб/с= 14.65 Мб/с.

В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.

В 2005 году Toshiba и SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 Гб^[4], выполненных по технологии многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.

Компания Samsung в сентябре 2006 года представила 8 Гб чип, выполненный по 40-нм технологическому процессу^[5]. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC (multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 Гб. Ожидается, что в массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.

Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. В основном на середину 2007 года USB устройства и карты памяти имеют объём от 512 Мб до 15 Гб. Самый большой объём USB устройств составляет 128 Гб^[6].

[править] Файловые системы

Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.

Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: FFS2 для Microsoft Windows и JFFS2^[7] и YAFFS^[8] для GNU/Linux.

USB флеш-носители и карты памяти, такие как SecureDigital и CompactFlash имеют встроенный контроллер, который производит обнаружение и исправление ошибок и старается равномерно использовать ресурс перезаписи флеш-памяти. На таких устройствах не имеет смысла использовать специальную файловую систему и для лучшей совместимости применяется обычная FAT.

[править] Применение

Флеш-карты разных типов

Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания Dell с 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков^[9].

В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды^[10].

Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ, которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе.

Технология ReadyBoost в Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для ускорения быстродействия^[11]. На флеш-памяти так же основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.

NOR типа памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём не так важны.

Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате компьютер будет включаться мгновенно, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1, «ноутбуке за 100$», который активно разрабатывается для стран третьего мира, жёсткий диск будет заменять флеш-память объёмом 1 Гб^[12]. Распространение ограничивает высокая цена за Гб и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

歡迎進入Beeway的憶想世界—以記憶體為基調 結合創新科技、設計美學、健康概念、工業藝術、與時尚流行等元素, 賦予隨身碟更豐富多元的面貌.

Beeway專門設計製造USB隨身碟飾品，最新產品為高品質的鈦鍺USB隨身碟項鍊組

Mail:sales.beeway@msa.hinet.net www.beeway.com.tw

TEL:886 4 24759277 FAX:886 4 24714839

We manufacture and design USB Flash Drive Disk / Memory Stick with accessory by combining advanced tech, stylish esthetics, health concept, craft, and fashion. Creativity is our best power.