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Reference source from the internet. 通过对原油加工过程中硫腐蚀的分析,针对性地采用了抗硫腐蚀材料———渗铝钢,取得了显著的经济效益和社会效益。工业应用表明,渗铝钢的耐硫腐蚀性能优于 188不锈钢,这是由于铝铁合金在高温下形成的钝化膜具有很高的抗硫化氢性能。此外,渗铝后,表面显微硬度比母材高2~3倍,因此耐冲蚀性更好。

AXaa01020014 喷吹工艺对GCr15轴承钢K1c和△K th的影响及裂纹尺寸的估算
对SL (钢包喷吹Ca-Si粉)工艺和CAB(钢包吹氩)工艺轴承钢GCr15的K1c和△K th进行了测定,并对裂纹失稳扩展的临界尺寸和亚稳扩展的起始尺寸进行了估算。结果表明:采用SL工艺的GCr15钢的K1c和△K th均有所提高,裂纹失稳扩展和临界尺寸和亚稳扩展的起始尺寸是CAB工艺的2倍。

AXaa01020015 含铬低合金钢在海水中耐蚀性“逆转”原因分析
经16 年实海暴露腐蚀试验,在国内首次发现921等含铬低合金钢在榆林和青岛站海水中出现了耐蚀性“逆转”现象。用金相法、SEM/EDS法、细菌鉴定法、化学 分析方法,以榆林站的921钢海水锈层为重点研究对象,对试验钢的锈层进行了综合性分析研究了“逆转”的原因。初步查明,某些含铬钢耐蚀性“逆转”的主要 原因是,经较长时间的海水腐蚀,由于麻点腐蚀的深入发展,产生了比碳钢、无铬钢严重得多的金属小颗粒的“脱落”,对腐蚀速率作了较大的贡献。


AXaa0103模具钢
AXaa01030001 模具钢的激光表面改性研究
利 用不同的激光工艺参数对Cr12MoV模具钢表面进行熔覆试验,探讨了工艺参数对熔覆层深度的影响,研究了表面显微硬度的变化趋势及其原因、熔覆层耐磨性 能的提高幅度以及组织结构的变化。结果表明:表面硬度在不同程度上都得到提高,硬度峰值出现在次表层;激光熔覆层的耐磨性能提高了47%~76%;微观结 构为由平面晶和枝晶构成的共晶组织,并有多种合金相分布在枝晶间。

AXaa01030002 模具钢表面热喷熔层的超塑性扩散焊接
在3Cr2W8V 模具钢表面进行了Ni60自熔性合金粉末氧-乙炔火焰热喷熔处理,并对喷熔层进行了超塑性压缩试验。能谱分析和性能试验表明,超塑性扩散焊增大了扩散层深 度,与未经超塑性压缩的Ni60喷熔试样相比,经超塑性压缩的喷熔层的抗摩擦磨损性能得到了很大的提高。


AXaa01030003-02 模具钢激光熔覆WC/(Fe,Cr)高硬度高耐磨复合材料涂层研究*
以Fe, Cr,C等元素和碳化钨(WC)粉末为原料,利用激光熔覆技术在H13模具钢基材上制备以WC、W2C、M6C、M23C6等高硬度高耐磨碳化物为增强相 的耐磨复合材料涂层。利用OM、SEM、XRD、EDS等分析手段分析了激光熔覆合材料涂层的组织结构,研究了涂层原料粉末化学成分及激光熔覆工艺参数对 涂层组织及性能的影响。

AXaa01030004 热作模具钢在高温热机械应力循环下的疲劳断裂行为
研究了热作模具钢在应力控制 下的等温疲劳和同相热机械疲劳寿命,发现在相同的应力幅下,同相热机械疲劳寿命低于上限温度的等温疲劳寿命。通过研究疲劳过程中的循环应变响应和疲劳断口 特征时发现,等温疲劳条件下,滞后环朝压缩方向发展,疲劳裂纹主要为穿晶萌生与扩展;在热机械疲劳条件下,滞后环朝拉伸方向发展,疲劳裂纹主要沿晶萌生与 扩展。这是导致同相热机械疲劳寿命低于等温疲劳的主要原因。

AXaa01030005 模具钢稀土硼铝共渗的研究和应用
研究了3Cr2W8V钢稀土硼铝共渗工艺。试验表明,共渗层具有高硬度(HV1800~2000)、低脆性和良好的耐磨等性能,通过实际应用,取得良好效果。

AXaa0104 其它钢
AXaa01040001 固火温度对0.23C-12Ni-14Co-3Cr-1Mo钢逆转奥氏体的影响
本文利用透射电镜,研究了不同回火温度下的0.23C-12Ni-14Co-3Cr-1Mo钢逆转奥氏体组织。在482℃回火后,在马氏体板条边界生成逆转奥氏体,而更高温度回火时,在马氏体板条及马氏体板条内形成逆转奥氏体,逆转奥氏体与其体遵从K-S关系。


AXaa01040002 微量碳在钢铁材料细晶强化中的作用
本文系统地研究了微量碳原子在固溶状态,析出状态以及偏析在晶界对高纯铁细晶强化效果的影响。结果表明,Hall-Petch关系式中的ó0项只受晶内固溶碳量和碳化物析出支配,而ky项受碳在晶界的偏析量控制,且随偏析量直线增加。文中还讨论了碳影响的机理。


AXaa01040003 室温马氏体的相变和显微组织
确 定了其在一个冷热循环中发生两步相变时不同的相变温度,研究了其室温热马氏体组织的微观组织结构及其亚结构。实验结果表明:该合金的马氏体为热弹性马氏 体;马氏体变体间界面呈现典型的自协作组态;变体内部存在大量的(100)I型孪晶结构,孪晶亚结构板条间界面平直、清晰。


AXaa01040004 磁场处理对微合金钢中碳氮化物析出的影响
本 文主要研究微合金钢中铌和钛的碳氮化物在磁场中析出时外加磁场的影响,实验用微合金钢经过控制轧制、制样、奥氏体化、磁场处理、定量相分析等工序,萃取得 到的沉淀相有Nbc、NbN、TiC、TiN、Ti(CN)。检验结果表明:磁场处理促进了铌和钛的碳氮化物析出,随着磁通量密度的增加,析出量增多的幅 度上升,由于铌和钛的碳氮化物溶解和析出的起始温度不同,铌和钛的析出比例也不同。


AXaa01040005 大规格钢筋余热处理过程有限元分析与计算
大 规格余热处理钢筋在生产中存在着力学性能不稳定、弯曲合格率低等问题,关键是选择合理的轧合控制冷却工艺以获得钢筋所要求性能。本文采用有限元法对 Ф32mm大规格螺纹钢筋轧后余热处理过程的自回火温度场进行了分析,给出了截面温度场的分布,计算结果与实测值吻合较好。


AXaa01040006 同步、异步组合轧制取向硅钢极薄带的织构研究
采 用同步、异步组织轧制方式将成品工业取向硅钢板冷轧到0.08mm,然后在纯氢气炉中高温退火,采用ODF和反极图定量分析硅钢薄带的冷轧和再结晶组构。 研究结果表明,在同步、异步组合轧制方式下,冷轧薄带的变形组构与一般常规冷轧板的相同,但沿板厚呈现了不对称分布,经840℃保温6h退火,晶粒取向为 集中的{110}〈001〉。


AXaa01040007 管线钢的应力腐蚀研究现状及损伤机理
回顾了管线钢的应力腐蚀研究现状,并比较了发生在管道外的"经典型"的高pH应力腐蚀开裂与近十多年来发现和研究的近中性pH应力腐蚀开裂的特征,讨论了它们的影响因素以及开裂机理,最后展望了埋地管道的未来研究方向。


AXaa01040008 25Cr3MoA钢高温离子注入和离子氮化复合表面处理研究
研究了25Cr3MoA钢离子氮化层经高温离子注入复合表面处理后的氮分布、组织和磨损性能。结果表明,与单一离子氮化处理或离子氮化和氮离了低温注入复合处理相比,复合处理时选择合适的高温注温度,可获得耐磨性能更好的改性层。


AXaa01040009 铜合金引线框架材料的发展
介绍了国内外铜合金框架材料研究、生产现状,叙述了开发高强、高导铜合金的基本原理及制备方法,并对国内外高强、高导铜合金的研究和开发应用情况进行了综述,同时评述了铜合金引线框架材料的发展动向。


AXaa01040010 铁路车轴钢50与40的对比
从五个命题对比了铁路车轴用50及40钢:强度和韧性适中考虑的设计思想;加速试验;腐蚀介质的富集;取消冲击试验;碳含量。
今 年3月9日《科学时报》头版以醒目标题,刊出两位全国政协委员依据六位著名金属材料专家的意见,呼吁"重视铁路车辆车轴安全隐患",建议铁道部给予关注。 为此,《材料导报》征求有关方面人士同意,于4月10日主持召开"铁路车轴钢学术研讨会":参会者有6位铁道部有关人士,8位部外专家;会议由《材料导 报》主编师昌绪院士主持,部外专家通过讨论形成的"会议纪要"已报有关单位。
我受邀参加这次研讨会,会前查阅些资料,追亿60~80年代参加重大 失效分析中争论的情景;在这次会议中,学习大家的论点,有所获,有所疑;会后,借阅19 份有关资料。在这些基础上所形成的一些初步学术观点,除已反映在"会议纪要"外,现针对40与50钢的对比,提出以下五个命题,供有学术兴趣和社会责任心 的同行商讨以及有职务责任的同志参考。


AXaa01040011 对40、50轴钢的几点看法
在40钢车轴断裂失效的模式、原因和统计分析的基础上,对40钢和50钢的基本力学性能进行了比较,并对40钢和50钢车轴的使用安全性提出了建议。


AXaa01040012 强韧微合金非调质钢的研究动向
叙 述了国内外微合金非调质钢的发展应用现状与趋势,探讨了微合金非调质钢强韧化途径,并从微合金钢制备工艺的变革、控锻-控冷技术的开发、成分调整及新型 F-B型和F-M型复相微合金非调质钢的提出、计算机模拟技术在微合金调质钢研究上的运用以及微合金非调质钢制件应用领域的拓展等几个方面,阐述了强韧微 合金钢的研究动向。


AXaa01040013 超低碳贝低体(ULCB)钢研究进展及应用
介绍了超低碳贝氏体钢产生的背景、强韧化机制,以及冶金理论和加工工气变革在该领域的应用和取得的一些研究进展。


AXaa01040014 低温奥氏体钢中合金元素的综合作用
奥 氏体钢在低温下可能的马氏体相变途径有:γ→α、γ→α+ε、γ→ε。不同合金化的奥氏体钢在低温下的力学性能和形变断裂行为变化规律较复杂。合金元素固 溶于奥氏体中,影响着奥氏体的各种微观参量,如层错能、相变驱动力等,从而也影响奥氏体的强度、韧度、相变临界点、形变断裂特性等宏观参量。这些参量间并 不是独立的,而是相互关联的。不同的合金元素对各参量的影响程是不同的。合金元素对低温奥氏体钢相变、性能等作用是综合性、系统性的。合金元素的综合作 用、各参量的相互关系及其数理模型对工程设计层次的材料计算设计研究很重要。本文在研究成果的基础上分析和总结了合金元素的综合作用。


AXaa01040015 裂纹敏感性钢的研究
综述了国内大型成套工程用钢中压力容器用钢的研究现状;并指出极大提高焊接效率,而其热影响区(HAZ)组织均匀细小的大线能量低焊接裂纹敏感性钢的发展趋势及前景。
大 型成套工程核心材料中压力容器用钢的焊接问题至关重要。随着焊接技术的发展及低合金高强度(HSLA)钢的普遍应用,工程构件越来越朝着大型化、轻量化方 向发展。如大型原油贮罐、海洋采油平台、大跨度桥梁、大型管线等。从而对构件钢板的焊接技术提出了更新、更高的要求。以往的低焊接裂纹敏感性(WDL)钢 的不足之处是不能承受大线能量焊接,焊接效率低;为提高焊接效率,大线能量焊接(high heatinput welding)技术便孕育而生。近年来国际上在传统HSLA钢基础上已广泛开展了大线能量(线能量大于100kJ/cm)焊接用钢的研究。
为进 一步适应新工程和新技术对高性能材料的迫切需求,武钢在WDL钢和大线能量焊接钢的基础上,又对难度更高的大线能量低焊接裂纹敏感性钢(WDL610D2 及WDL610E2)进行了开拓性研究。主要是解决人们所关注的WDL钢受焊接线能量限制和现有大线能量焊接钢不具备低焊接裂纹敏感性的问题。新钢种设计 上既保持高强度、高韧性和优异的焊接性能等低焊接裂纹敏感性的特点,同时又具有大线能量焊接钢的优点,是目前国际上最新一代钢种。
若按目前国内年需求量2万吨计算,该钢种的的研制和生产将创年效益9000万元人民币以上,因此具有广阔的应用前景和显著的社会及经济效益。


AXaa01040016 45钢疲劳损伤恢复中的塑性响应
采用电子显微技术研究45钢材料表面和亚表面的塑性形变以及在其疲劳损伤恢复中的塑性响应。测量了用热处理方法,分析了疲劳断口,结果表明,回火(600℃)处理改变了金属材料及其零构件内部及表面的硬度分布,降低了材料的脆性,延长了金属材料及其零构件的疲劳寿命。


AXaa01040017 回火处理恢复45钢40Cr去疲劳损伤的机理
通 过对45钢和40Cr钢的疲劳损伤恢复实验,发现经中途回火的试样疲劳寿命明显高于未经回火的试样.用电镜观察疲劳损伤恢复过程中的微观组织结构变化, 并对试样进行了显微硬度分析.结果表明,回火处理使试样危险截面的硬度分布均匀,碳化物在相界上的沉淀成球状,晶粒内碳化物呈弥散状分布,并伴有亚晶的生 成.说明中途回火可改变材料疲劳损伤后的微观结构组态,提高材料疲劳强度,处长其使用寿命.


AXaa01040018 碳素钢两相区变形显微应力及显微应变分布特征的有限元分析
设 计了一个超低碳钢γ+α两相区的显微组织模型,利用外推分别获得了单相铁素体和单相奥氏体在两相温度区间变形的应力-应变曲线,在此基础上运用弹塑性有限 元法分析了单向拉伸条件下超低碳钢显微应力和显微应变分布特征。结果表明,由于相同温度下铁素体强度低于奥氏体,超低碳钢γ+α两相区拉伸进变形集中在铁 素体相中。由于要保持宏观上变形均匀,超低碳钢γ+α两相区变形时显微应力分布很不均匀,铁素体相的应力水平明显低于奥氏体相。对于ULC钢两相区的变 形,等应力模型或等应变模型均不适用。


AXaa01040019 WC-30Co/S45C钢TIG焊焊接接头复合碳化物形成分析
将 硬质合金与钢焊接制造复合材料刀具可以发挥硬质合金硬度高、耐热性、耐蚀性好等特性,并克服硬质合金韧性稍差、不能随大的冲击负荷的缺点。钎焊和烧结结合 是目前日常的焊接方法,但钎焊存在耐热性差的缺点,而烧结结合存在生产设备要求高、硬质合金与钢界面易形成有害的η-碳化物问题。TIG焊接具有效率较 高、成本低等优点,但在硬质合金与钢焊接界面有时也形成复合碳化物。本文分析了用Ni-Fe焊丝TIG焊接后硬质合金与钢界面形成的复合碳化物及形成机 理。

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Reference source from the internet. 利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对无取向电工钢的涂层厚度进行了观察。研究发现制样方法对成像质量起到关键作用。由于涂层薄(约为 1.0μm),传统的金相研磨方法无法清晰准确观察到真正的涂层厚度。经低温脆断和喷金处理后,就能得到清晰的涂层断面微观电子像。


AXaa01040021 HG70钢的焊接性能
HG70 钢是一种高强度低合金机械工程用钢。本文研究了焊缝中扩散氢含量与预热温度的关系。通过焊接热影响区最高硬度试验、小铁研试验,评估了HG70钢的裂纹敏 感性,测定了手工焊接接头的力学性能。结果表明,HG70钢具有较低的裂纹敏感性,其焊接接头具有优良的力学性能。


AXaa01040022 稀土在钢中的应用及需注意的一些问题
本文叙述了稀土在钢中应用的概况。总结了稀土对钢的净化、变质和合金化作用。强调了钢水质量、稀土加入方法、炼钢工艺等前提条件对稀土在钢中应用效果的影响。对稀土的开发、基础理论研究以及在钢中使用稀土应具备的条件提出了建议。


AXaa01040023 用稀土-发展21世纪钢的重要途径
文 章指出并讨论了钢铁正进入新发展阶段。指出20世纪大约用了30年时间认清和基本解决了实际结构材料σs(σb)低的问题,而后50多年的主要努力是提高 σf;并结合阐明提高σf的途径,介绍和讨论了钢中稀土的作用。还阐述了钢中稀土的特殊性,并指出正是它决定了稀土钢的发展历程。


AXaa01040024 开发我国稀土微合金钢新品种
本文简述了国内外稀土钢的现状及发展趋势,提出了将我国稀土的资源优势转化为稀土微合金钢品种优势的建议。


AXaa01040025 钢中稀土微合金化作用与应用前景
低 氧硫钢中室温下稀土固溶量达10-5-10-4,MnS夹杂完全变质后,稀土固溶量显著增加,酸溶铝,Nb,Ti均有利于提高钢中稀土固溶量。固溶稀土偏 聚在晶界,减少硫、磷在晶界的偏析,渗碳体中固溶稀土多于铁素体。稀土和央相互作用,减少珠光体数量、珠光体片间距和渗碳体厚度,细化珠光体组织,提高硬 度。


AXaa01040026 低碳钢氩弧焊焊剂的研制
针对低碳钢研制了由卤化物、SiO2,TiO2,Cr2O3等组 成的氩弧焊焊剂,分析了各种单一成份的活性剂对焊接熔深的影响规律。在此基础上对多组元活性剂进行研究,优选出合适的配方,按此配方制成的活性剂可以大幅 度地增加低碳钢氩弧焊的熔深,可一次焊透12mm厚的对接低碳钢钢板。


AXaa01040027 超低碳贝氏体(ULCB)钢研究进展及应用
介绍了超低碳贝氏体钢产生的背景、强韧化机制,以及冶金理论和加工工艺变革在该领域的应用和取得的一些研究进展。


AXaa01040028 ICP-AES法测定普碳钢及低合金钢中铝等23种元素
研究了利用ICP发射光谱仪测定普碳钢、低合金钢中23种元素的方法,确定了各元素的检出限、检测下限,给出了各元素的测试含量范围,在实际应用中本法具有准确度高、精密度好、灵敏度高的特点。


AXaa01040029 金相学史话(4):合金钢的早期发展史
Faraday 进入皇家学院(Royal Institution)后,在1820-1822年间从事包括钢、镍、铬及贵金属在内的合金钢研究,尽管未发展出有实际用途的钢种,也可算是合金研究的 先驱。1856年转炉炼钢法出现后,钢产量猛增,Mushet高碳高钨自淬灭刀具钢应运而生(1868),逐渐发展成18-4-1高速钢(1906)。 Hadfield在1882年研制出高碳高锰奥氏体耐磨钢,成分至今未变。他还研制出硅钢片,并在1903年制出第一台铁损小的变压器。Brearley 在1913年研制出低碳高铬(1Cr13)马氏体不锈钢,在这之后,铬镍奥氏体不锈钢才问世。本世纪初汽车工业的兴起,促进了合金结构钢的发展(合金钢牌 号前面冠以SAE就是美国汽车工程师学会的缩写),而两次世界大战都伴随有合金钢的产品及品种的大发展。


AXaa01040030 低碳锰铌钢在NaCl溶液中的点蚀敏感性
通过金相及能谱分析,详细介绍了试验用钢的化学成分和夹杂物类型、形态等。试验用钢在3%NaCl溶液中进行了阳极极化试验和短时间的自然浸泡试验,并用显微镜观察了试样表面。综合分析认为:MnNb钢的点蚀敏感性与其夹杂物类、形态等有关。


AXaa01040031 合金元素与HSLA钢焊接接头组织及性能关系的研究综述
针对HSLA钢的焊接接头,本文对合金元素组织与性能三者之间的关系,进行了简要的概述。控制好HLSA钢的显微组织是使其成为可焊性好、大高强、高韧性钢的有效措施。了解钢中合金元素之间的相互作用对优化HLSA钢性能至关重要。


AXaa01040032 Ti-Nb对高强IF钢板组织和性能的影响
通 过在实验室进行的冶炼轧制\组织和性能的影响,讨论了这些影响产生的原因。研究表明,随着钢中固溶Ti、Nb含量对它们的冷轧\退火组织和性能的影响,讨 论了这些影响产生的原因。研究表明,随着钢中固溶Ti、Nb原子和粒子特别是固溶Nb原子的数量增加,冷轧组织变形特征增强,退火组织晶粒细化,强度增 大,塑性降低,深冲性能削弱。这些规律是它们对再结晶规律及其引起的各工序过程组织结构演变的综合影响的结果。


AXaa01040033 带钢连续涂镀技术的发展
涂 镀层钢板具有优良的综合性能,因而广泛应用于各工业领域。作者概述了四种类型带钢连续的涂镀层技术(热浸镀层技术、电镀层技术、有机涂层技术和真空镀层技 术)的发展趋势以及我国涂镀层钢板的发展现状。可知,带钢连续涂镀技术已经取得了很大的发展,随着市场需求增大,其必将有更大的发展;同时,我国应努力发 展该技术,以满足工业生产的需求。


AXaa01040034 ICP-AES法同时测定合金工具钢中的Cr 、Mo、V
采用盐酸-硫酸对以Cr 、Mo、V为主要合金元素的工具钢试样进行消化,用ICP-AES法同时测定试样中Cr 、Mo、V的含量。


AXaa01040035 微量碳在钢铁材料细晶化强化中的作用
通 过调节热处理条件使微量碳处于完全固溶状态、析出状态或偏析在晶界,利用室温拉伸实验和光学显微组织观察,系统地研究了不同状态下碳对高纯铁细晶强化效果 的影响。结果表明,Hall-Petch关系式中的σ0项只受晶内固溶碳量和碳化物析出支配,而κ项受碳在晶界的偏析量控制,且随偏析量直线增加。

AXaa01040036 钢纤维对RPC抗压强度增强作用的研究
分 别研究了两种情况下,钢纤维对RPC抗压强度的影响:一种是钢纤维掺量不变,不同水胶比下钢纤维对RPC抗压强度的增强效果;另一种是水胶比不变,钢纤维 掺量变化对RPC抗压强度的增强效果。研究结果表明:水胶比的变化,对钢纤维使RPC抗压强度的增强效果影响很大;在水胶比一定的条件下,存在一钢纤维掺 量临界值,当钢纤维掺量大于临界时,钢纤维的增强效果十分明显。


AXaa01040037 脉冲电压对GCr15轴承钢凝固组织的影响
首次在实验室条件下将电脉冲处理运用于GCr15轴承钢凝固组织的研究,通过改变脉冲电压得到了枝晶显著细化的凝固组织,在一定程度上使GCr15轴承钢的珠光体发生粗化变化。并且对电脉冲细化金属的机理进行了探讨。


AXaa01040038 不同稀土、硫含量重轨钢的组织与性能
研 究了具有不同稀土、硫含量重轨钢的组织与性能。在低硫重轨钢中,稀土元素具有使硫化物夹杂改性、抑制先共析铁素体析出以及细化NbC析出相等作用。稀土的 加入明显改善钢的纵向力学性能,当加入量为0.02%、钢中稀土硫比ω(RE)/ω(S)=1.57时,钢的强度、韧性及抗疲劳性能最佳。在高硫重轨钢 中,稀土的加入可使硫化物明显改进,但对钢的纵向力学性能影响不明显。


AXaa01040039 API P105油管钢在含CO2溶液中的电化学腐蚀行为
用 电化学阻抗谱(EIS)和极化测量,研究了在含CO2的溶液中NaCl含量对APIP105钢的电化学腐蚀行为的影响。结果表明,随着NaCl含量的增 大,P105钢的腐蚀电位正移,抑制了腐蚀过程的阴阳极反应,降低了P105钢的腐蚀速率,分析表明,Cl-在APIP105钢表面的吸附为Temkin 等温吸附。


AXaa01040040 低碳钢组织与力学性能关系
从钢的强韧化理论入手,逐一分析了低碳钢中各组织因子与力学性能的关系,并在Hall-petdh关系式的基础上,结合低碳钢生产的特点,通过定量的热模拟实验研究,回归分析得到了低碳钢组织与力学性能间的基本关系式。


AXaa01040041 Q235碳素钢超细铁素体在奥氏体内的形核
利 用扫描电镜观察了Q235央素钢形变强化相变过程中超细铁素体在奥氏体内部的形核;使用背散射电子衍射技术分析了析出的铁素体取向。结果表明,随内、外界 条件不同,奥氏体内有两类典型的铁素体形核地点:形变带及奥氏体晶界附近的形变不均匀区。原始奥氏体晶粒尺寸的增加,形变温度的降低有利于铁素体的形变带 形核。在A3-Ar3的超细铁素体最佳形成温度区间,靠近A3形变可使铁素体及第2组织均匀分布。形变带形核造成带状分布的铁素体及第2相,不仅形貌上出 现方向性,铁素体取向也出现择优。


AXaa01040042 冷变形工艺对IF钢深冲性能的影响
研究了IF钢经铁素体区 热轧后的后续冷变形工艺,提出了两次冷轧及两次退火的新工艺。实验结果表明,用此新工艺获得rm值明显高于传统的一次冷轧及一次退火工艺,r值在不同方向 上表现出的规律性因冷变形工艺而异。通过控制制冷变形率在两次冷轧中的分配方式,可以使有利于材料深冲性能的因素获得良好遗传。


AXaa01040043 激光局部氮化改善取向硅钢磁畴结构分布
采 用激光氮化方法(LN方法)对取向硅钢表面进行局域线状氮化处理,引入气态氮作为合金化元素,研究了激光工艺参数对硅钢表面氮化物形成的影响。对传统观察 磁畴的方法进行了改进,研制了一种新型的Fe3O4磁流体,这种磁流体不仅能进行适时观察磁畴结构,而且带膜磁畴观察。利用XPS方法及Fe3O4磁流体 磁畴观测方法对处理后的样品进行了检测及磁畴观察。


AXaa01040044 稀土元素对低铬半钢热疲劳性能的影响
研究 了稀土元素对低铬半钢铸态及经热处理后组织中的共晶碳化物形状的影响,在此基础上着重研究了该材料的热疲劳性能。结果表明:稀土元素能改善共晶碳化物的形 状,抑制热疲劳裂纹的萌生与扩展,提高其热疲劳性能,尤其稀土变质后再经热处理后效果明显。当试样经0.20%(质量分数)稀土变质后经950℃, 3h正火处理时,热疲劳性能最佳。


AXaa01040045 FW线型均匀布满条件分析
针对以往圆筒形容器FW线型设计,基于实际纤维缠绕线型调试过程中出现的问题,总结出满足FW线型均匀布满的条件,确定了在此条件下微调中心角Δθ、纱片宽度bw及小车往返次数w的一般表达式。


AXaa01040046 浅谈玻璃钢浴缸
阐述了玻璃钢浴缸的工艺、性能、优缺点及其未来的发展方向。


AXaa01040047 稀土对渗铝KH40耐热钢氧化性能的影响
采 用OM、SEM、EDX和SRD等仪器设备,研究了经渗铝和稀土渗铝处理的HK40耐热钢在1000℃、1100℃、1200℃空气中氧化的行为。发现经 渗铝和稀土渗铝处理的HK40耐热钢试样,其氧化动力学呈抛物线规律,经稀土渗铝处理后的试样,其氧化膜的塑性和粘附性得到改善,抗氧化性能有所提高。


AXaa01040048 D6AC钢冲击断口形貌的分形研究
利 用扫描电镜对含MnS夹杂物和含ZrN夹杂物的D6AC钢的冲击断口形貌进行了观察与分析;利用数字图象法测定了试样的断口分形维数,揭示了冲击断口形貌 和冲击韧性与夹杂物含量之间的内在联系,探讨了材料冲击断口形貌与分形维数的关系,拓宽了分形几何学在材料领域的应用范围。


AXaa01040049 同步、异步组合轧制取向硅钢极薄带的织构研究
采 用同步、异步组合轧制方式将成品工业取向硅钢板冷轧到0.08mm,然后在纯氢气炉中高温退火,采用ODF和反极图定量分析硅钢薄带的冷轧和再结晶织构。 研究结果表明,在同步、异步组合轧制方式下,冷轧薄带的变形织构与一般常规冷轧板的相同,但沿板厚呈现了不对称分布,经840℃保温6h退火,晶粒取向为 集中的{110}<001>。


AXaa01040050 氯化亚锡还原-硫氰酸铵快速光度法测定合金钢中的钨
建立了氯化亚锡还原-硫氰酸铵快速光度法测定合金钢中钨的方法。方法的线性范围为2-400μg/50mL,相对标准偏差为0.24%-1.22%。


AXaa01040051 钢/玻璃钢耐腐机车容器界面力学性能试验研究
针对机车用钢/玻璃钢复合容器提出了冷弯、弯曲性能及疲劳性能试验,以考察钢/玻璃钢界面处的性能。试验结果表明界面性能能满足使用要求,并测定了容器受冲击时界面不脱壳的冷弯角度。


AXaa01040052 预埋件对玻璃钢峰窝夹层结构性能的影响
研究了几种不同材料制成的预埋件对某地面雷达天线罩的强度、刚度和电性能的影响,从而说明了天线罩支撑点材料选择的重要性。


AXaa01040053 玻璃钢制品在电气和核电中的应用研究
简述了电气及核电用玻璃钢制品的研究,并给出了相关的性能数据。


AXaa01040054-02 低合金钢比辉渗W-Mo-Co初探*
本文利用了由我国学者徐重发明的双层辉光离子渗金属技术,在普通低合金钢锯条齿部渗入W-Mo-Co三种合金元素。


AXaa01040055-02 低碳钢的ECA组织细化研究*
晶 粒细化是可以同时提高材料强度和塑性的有效手段。在近几十年中,钢铁材料的细化一般是通过微合金元素对热加工阶段再结晶、相变和晶粒长大的作用,对轧制工 艺及随后冷却的控制来实现的。对于不含合金元素的低碳碳素钢,由此发展的工艺原则上是不适用的。目前,制备超细晶材料的工艺方法主要有气相沉淀,非晶合金 晶化,机械合金化及大塑性变形等。其中大塑性变形方法由于具有能够制备出大块致密材料且工艺简单成本低廉等许多优点而日益引起人们的重视。获得大应变或超 高应变变形的主要方法有三种:三向锻压法、扭转形变法、等径弯曲通道变形(Equal-channel Angular Pressing ,简称ECA变形)法。
本文成功地实现了室温下Q235钢的ECA11道次变形,并获得亚微晶组织,晶粒尺寸达到了0.3~0.4μm。ECA变形组织随变形道次的增加而细化,其中第一道次的变形程度最为显著。在本文所采用的C方式ECA变形条件下可以珠光体中的渗碳体有较强的塑性变形能力。


AXaa01040056-02 高强度钢板热处理生产线的研制*
根 据高强度钢板热处理后要满足整体硬度均匀、无软点、钢板变形小的要求,针对国内钢板热处理装备与工艺以周期式加热、简易压淬为主的情况,研制了一种用于高 强度钢板热处理的新型辊底式生产线。它具有结构新颖、工艺先进、自动化程度高、性能可靠的特点。这条生产线有效的提高了钢板淬火的工艺技术水平,解决了高 强度钢板淬火工艺技术的难题,经生产检验,该生产线使用效果良好。


AXaa01040057-01 经强束流金属离子注入的几种钢的表面结构和成分*
热 挤压模具的润滑和磨损一直是困扰铝材工业的难题。就提高铝挤压模性能而言,传统的氮化方法是较为有效的方法。但是,在挤压之前,常将模具预热到300- 320℃,而坯料也要预热到380-400℃。当坯料被加热时,其表面被氧化,由铝变成几乎与金刚石一样坚硬的菱形晶体Al2O3。此外,如果模具在氧化 性气氛中预热,必须特别小心,模具温度在氧化性气氛中预热,必须特别小心,模具温度不允许超过435℃。因为在这样的温度下,模具氮化层表面将开始形成氧 化铁,这将改变氮化层的性能,从而降低挤压铝的屈服强度。由于氧会引起点腐蚀并使模具表面疏松,因而在预热阶段氮化模具承载表面就开始腐蚀,加上 Al2O3的耐磨性会导致承载表面过早和突然破损。离子束表面技术是近年来发展起来的一种表面改性技术,它是将元素的离子加速到约100keV左右注入零 件的表面,形成改性层来提高其耐磨抗蚀性能。由于以往用于半导体乞讨性的注入机结构复杂,造价昂贵,而且引出的金属离子束流小,注入效率低,因此金属离子 注入材料改性难以推广应用。近年来,金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源的研制成功及改进,为金属离子注入材料改性提供了有力的工具。本文采用由此源 引出的强束流脉冲金属离子对几种钢表面进行了离子注入研究,考察了改性层的耐氧化性、表面成分和结构以及内在联系。


AXaa01040058-01 激光氮化改善取向硅钢性能的研究*
本文采用激光氮化方法(LN方法)对取向硅钢表面进行氮化处理,研究了氮化处理对取向硅钢性能的影响。利用XPS方法及磁畴观测方法对处理后的样品进行了检测分析。

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Reference source from the internet. 超高碳钢(含碳量1-2.1wt%)因室温塑性差,加工成形困难而被长期排除在实用工程材料之外。针对工艺过程复杂、耗能耗时的固态下加工的缺点,本文采 用液态下处理的新工艺途径,即快速凝固来改善超高碳钢的显微组织。

AXaa01040060 A 钢在钒化物中700℃高温腐蚀行为
研 究了A 钢在V O +Na S0 中700℃下的高温腐蚀行为。结果表明,A 钢在V O + Na S0 中腐蚀特别严重尤其当Na S0 含量为15mass%时腐蚀最为严重。A 的腐蚀是氧化膜形成和溶解的循环过程,在含有Na S0 的熔盐中,基体/氧化物界面上的硫化进一步加速了腐蚀。

AXaa01040061 稀土在低硫铌钛钢中的作用
在实验室条件下采用50ks真空感应炉冶炼和两面控制轧制工艺,并采用WE-60型万有拉伸试验机、JB-30B型冲击试验机、MM6型及OLYMPUS —PME3型光学金相显微镜、IBAS-2000图相分析仪等手段研究了稀土对低硫铌钢性能、组织及夹杂物的影响。

AXaa01040062 Fe-Cr-Ni合金碱性应力腐蚀破裂
介绍了核电站蒸汽发生器传热管Fe Cr Ni合金、特别是 80 0合金的碱性应力腐蚀破裂 ,总结了材质成分、热处理、应力、冷加工、环境和电化学等因素对Fe Cr Ni合金的碱性应力腐蚀破裂的影响 ,并归纳了预测应力腐蚀破裂敏感电位的方法。

AXaa01040063 胎圈钢丝的品种、性能及发展趋势
从外观形貌、综合机械性能和表面涂层三方面介绍了胎圈钢丝的主要品种.论述了轮胎制造对胎圈钢丝的主要技术性能要求.分析了胎圈钢丝的发展趋势.指出胎圈钢丝将向多品种、多规格、系列化方向发展;钢丝综合机械性能将向高强度、高韧性方向发展。

AXaa01040064 碳钢在黄土中的腐蚀研究
研究了碳钢在黄土中的腐蚀行为。结果表明:在中性黄土中,碳钢在中湿度土壤中比在低湿度土壤中的腐蚀速度大。氯离子和硫酸根离子长期存在将使碳钢的腐蚀速率增大,且氯离子的影响比硫酸根离子的影响明显。通电碳钢片在电流较弱时,在土壤中不会引起显著的变化。

AXaa01040065 硫酸铵颗粒沉积作用下A3钢的大气腐蚀行为
在 温度为298K,相对湿度为(85±5)%的条件下,对硫酸铵颗粒沉积后的A3钢的大气腐蚀行为进行了研究。腐蚀动力学曲线表明,沉积硫酸铵颗粒的A3 钢试样比其空白试样的腐蚀更为严重。用IR、SEM/EDAX以及XPS分析研究了不同周期试样的结构和形貌,发现腐蚀主要沿着硫酸铵颗粒沉积的地方进 行,随着腐蚀时间的延长,逐渐生成碱式硫酸铁盐,这些腐蚀产物减缓了A3钢腐蚀的速度。对硫酸铵颗粒沉积条件下A3钢的腐蚀机理进行了讨论。

AXaa01040066 20CrMnTi钢渗碳后变形温度对流变特性的影响
将 齿轮常用钢20CrMnTi,取为圆环试样,经渗碳处理为含碳浓度不同的均匀试样,在Gleeble-1500热模拟机上压缩变形,研究变形温度对 20CrMnTi钢渗碳后流变特性r的影响。考察Fe-C-Cr-Mn四元合金相变特点,得出20CrMnTi渗碳后渗层及心部流变的基本规律。

AXaa01040067 镁质浇注料中纯铝酸钙水泥加入量对钢液总氧含量的影响
在实验室内研究了镁质浇注料中纯铝酸钙水泥加入量对钢液总氧含量的影响。结果表明:当纯铝酸钙水泥加入量在6%(质量分数,下同)以下时,随着纯铝酸钙水泥加入量的增加,钢样中的总氧含量随之增加;当纯铝酸钙水泥加入量超过6%时,钢样中的总氧含量下降。

AXaa01040068 正火加热温度对非调质钢30Mn2V显微组织及性能的影响
以 非调质钢30Mn2V为研究对象,分析了正火温度对奥氏体晶粒尺寸与室温显微组织及冲击韧性的影响。结果表明:在亚临界区附近正火,缓慢冷却,可使其冲击 韧性大幅度提高,U型缺口冲击值αku可达120J/c㎡以上。主要原因是晶粒细化,铁素体含量增多、组织均匀化和珠光体形态变化等。

AXaa01040069 “四合一”常温钢铁处理液的研究
讨 论了“四合一”常温钢铁处理液的作用机理,主要组分的影响和作用。研究表明:研制的处理液具有良好的除油、除锈、磷化、钝化综合功能,生成的磷化膜结晶均 匀,呈灰色,对膜附着力强,硫酸铜点滴时间在2min以上。本处理液用擦拭方法处理,适合进行局部或大型构件的涂装前处理。

AXaa01040070 35Cr25Ni12奥氏体耐热钢中碳化物的电子显微分析
应 用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究了长期使用前后的35Cr25Ni12奥氏体耐热钢中的碳化物演变行为;该钢固溶时效后的组织由初晶奥氏体 及M23C6共晶碳化物组成,奥氏体基体中析出了二次M23C6,二次碳化物总是与基体保持立方-立方取向关系;长期使用(3.5年)后,奥氏体中析出的 二次碳化物量明显增加,部分M23C6已转变为M6C,M6C与奥氏体基体以及二次碳化物M23C6保持〔001〕M6C//〔221〕A// 〔221〕M23C6孪晶取向关系。

AXaa01040071 工艺参数对SHS-铸造钢基表面TiC-Fe梯度复合涂层结构的影响
将 自蔓延高温合成(SHS)技术与铸造工艺结合起来,制备了铸造钢基表面TiC-Fe梯度复合材料,研究了钢液的浇注温度、Ti-C-Fe预制块的组成及其 相对密度等工艺参数对梯度复合涂层结构的影响。结果表明:在保证预制块能被浇注的钢液直接点燃的条件下,适当提高钢液的浇注温度、降低预制块的密实度均有 利于梯度复合涂层的形成;而且在预制块中掺和适量的低熔点金属稀释剂不仅可降低合成TiC颗粒的尺寸,而且也有利于梯度复合涂层的形成。

AXaa01040072 凝露状态下SO2对A3钢腐蚀机理的影响
采 用红外光谱、电化学交流阻抗和扫描电镜等方法研究了大气中对金属腐蚀性最强的污染物SO2在凝露状态下对 A3钢的腐蚀作用规律,结果表明,A3钢在加SO2试验环境中腐蚀失重随试验时间处长呈正指数变化规律。A3钢在未加SO2试验环境中腐蚀失重随时间呈直 线变化规律;腐蚀产物主要为Fe2O3和γ-FeOOH;试样表面未形成连续的腐蚀产物膜。

AXaa01040073 钢铁常温发黑工艺及其生产应用
介绍钢铁常温发黑工艺及其大批量生产要点,讨论了常温发黑工艺的成膜机理,与传统碱性高温发黑工艺比较,常温发黑工艺总成本下降20-30%。

AXaa01040074 一种实用的发黑工艺
详细介绍了一种实用的常温发黑工艺配方、各主要成分的作用和工艺参数的影响。阐述了该工艺的流程,溶液和发黑膜层的性能。

AXaa01040075 稀土添加剂在钢铁常温发黑中的作用
在铜盐-亚硒酸钢铁常温发黑体系中加入稀土添加剂,通过对发黑膜外观形貌的观察,SEM、XRD测试,研究了稀土元素对发黑膜的显微组织和耐蚀性的影响。表明稀土元素可提高发黑剂的使用质量,改善发黑膜的性能。

AXaa01040076 双层辉光离子渗Ni-Cr-Mo-Cu合金的工艺
在20钢基材上,利用双层辉光离子渗金属技术进行Ni-Cr-Mo-Cu多元共渗正交实验工艺研究。结果表明,工艺参数对渗层的元素总含量以及渗层的厚度有较大的影响,并确定了最佳工艺参数为源极电压1050V,工件电压250V,气压35Pa,极间距15mm。

AXaa02 铁
AXaa020001 共晶碳化物团球化对铸铁激光熔敷层抗裂性的影响
采 用特殊方法在熔敷材料中加入碱金属元素钾,研究了在激光快速加热条件下钾对铸铁激光熔敷层组织团球化的影响,进而分析了该球状组织对熔敷层抗裂性的影响。 结果表明随熔敷金属内钾含量增多熔敷层内共晶碳化物组织呈球状及孤岛状,这种组织明显提高了熔敷层抗裂性,获得了无裂纹的大面积搭接熔敷层;此外,大量的 渗碳体组织确保了熔敷层具有较高的耐磨性。


AXaa020002 渗稀土激光熔凝处理对纯铁表面耐磨性的影响
研究了渗稀土激光熔凝复合处理对纯铁表面耐磨性能及微观组织的影响。结果表明,经过复合处理,纯铁表面的耐磨性显著提高,磨损失重为未处理试样的5%,且纯铁表层微观组织改善,晶粒细化,组织均匀致密,渗入元素浓度梯度明显。


AXaa020003 抗磨白口铸铁的强韧化处理
通 过对成分适宜的白口铸铁的高温锻造,消除了铸铁的网状渗碳体,并细化了基体组织,在不降低白口铸铁硬度的为、情况下,使基韧性得到大幅度提高。硬度基本保 持在HRC40~46,Ak值由0.16~0.24J提高到1.6~3.6J,经强韧化处理的白口铸铁具备优异的抗磨料磨损性能和良好的抗击性能。


AXaa020004 硅铁合金中痕量硼的分光光度测定
建 立了蒸馏分离-姜黄素光度法测定硅铁合金中痕量硼的方法。对氢氟酸介质中溶样时痕量硼的挥发损失及其络合保护问题进行了试验,结果表明,通过加入适量甘露 醇络合保护,可有效地防止痕量硼在样品溶解及其溶液蒸发过程中的挥发损失,并成功地用于实际样品分析,取得了令人满意的结果。


AXaa020005 孕育处理和过程保温对高硅铸铁性能的影响
概括了材料空蚀机理及其影响因素,综合评述了材料抗空蚀性与其力学性能、组织结构之间的关系。介绍了抗空蚀材料在应用等方面所取得的进展,提出并讲座了目前研究的某些不足之处及今后的研究方向。


AXaa020006 碳热法生产稀土硅铁合金的工艺研究
探索了在75kVA矿热炉上用碳热法生产稀土硅铁合金的工艺参数、RE:Si值与稀土收率及合金中稀土含量的关系、不同配碳量条件下稀土收率及合金中的稀土含量,并获得了满意的效果。

AXaa020007 电沉积铁铬合金的研究
研 究了在甘氨酸和三价铬离子的水溶液中电沉积铁铬合金的工艺条件,在Dk为10-30A/dm2、pH为1.5-3.0的条件下要,可得到外观亮泽、结合力 好的铁铬合金镀层,其中铬的质量分数可大于20%。还探讨了甘氨酸浓度、电流密度及pH对镀层中铬含量的影响,并初步研究了甘氨酸以及部分添加剂的电沉积 过程的影响。


AXaa020008 改善高硅铸铁的性能
研究了孕育处理和过热保温对高硅铸铁性能的影响。结果表明,孕育处理和过热保温能显著改善高硅铸铁的性能,并得出改善高硅铸铁性能和无气孔致密铸件的工艺参数。


AXaa020009 定向凝固高铬白口铸铁干滑动摩擦损特性
研究了定向凝固高铬白口铸铁与淬火40Cr钢(硬度HRC51-53)配副时碳化物纤维排列不同位向的干摩擦磨损特性。结果表明,碳化物纤维排列不同位向的相对耐磨性随磨擦功率而变化。


AXaa020010 二茂铁加炭化研究
用SEM、 TEM和XRD为主要分析手段比较研究了二茂铁在420℃和490℃加压炭化产物的组成与结构,结果表明:二茂铁在420℃的炭化产物组成为α -Fe,Fe3C和Fe-O,而490℃的炭化产物主要由Fe2.5C构成,说明温度的提高促使二茂铁向生成碳化物的方向发展。TEM测试表明产物 Fe/C粒子呈现纳米级分散,说明通过控制二茂铁的热解温度可以由此制备具有不同组成的纳米Fe/C材料。


AXaa020011-01 具有宽过冷液相区的FeNbAlGePCB非晶合金的研究*
本文对Fe73NbxAl5-xGe2P10C6B4(x=1、3、5at%)非晶合金的过冷度及磁性进行了研究。


AXaa020012-01 Fe18Nd82W(Mo)合金显微组织的研究*
Nd相在烧结NdFeB稀土永磁体性能方面起着重要的作用。本文用Fe18Nd82二元合金来摸拟实际烧结NdFeB磁体中的富Nd相,并研究了添加W、Mo合金元素Fe18Nd82二元合金显微组织的影响和这些元素在合金中的分布。


AXaa020013-02 定向凝固Fe-6.5%Si合金的显微组织和力学性能*
在 广泛应用的电工钢中,含硅6.5%(质量分数)的铁硅合金具有优异的软磁性能但却长期未能得到充分利用。究其原因,室温塑性差而难以通过常规的轧制工艺加 工成薄板是其症结之所在。为此,人们进行了不断的探索并在20世纪70年代末取得了突破性进展-采用快速凝固方法能够制备出柔软的Fe-6.5%Si合金 薄带,展示了Fe-6.5%Si合金韧化的巨大潜力,从而重新引起了人们研究和开发该合金的极大兴趣。遗憾的是,有关Fe-6.5%Si合金力学性能的研 究却未能取得相应的进展,目前对快速凝固薄带韧化以及普通Fe-6.5%Si合金力学性能的研究却未能取得相应的进展,目前对快速凝固薄带韧化以及普通 Fe-6.5%Si合金室温脆化机理的认识仍然不十分清楚。
本研究制备了定向凝固Fe-6.5%Si合金并在1000℃进行了轧制。


AXaa020014-02 碳含量对FeMnAlC合金室温拉伸性能的影响*
实 验研究表明:FeMnAlC合金的室温拉伸性能受很多因素的影响,其中的主要因素首先是合金配比,即锰含量对合金性能有影响,铝含量对合金性能有影响,碳 含量对合金的性能也有影响;其次,合金相结构的不同,合金的性能也不相同。如单相(γ)FeMnAlC合金的性能与双相(α+γ)FeMnAlC合金的性 能就相差很大。本文主要考虑碳含量对FeMnAlC合金室温拉伸性能的影响。


AXaa020015-02 铁钛合金氢化反应热力学的计算*
氢 的贮存与输送是氢能利用中的重要环节。金属氢化物贮存和输送氢最大优点是其特有的安全性和高的体积贮氢密度。对于任何一种贮氢材料,材料氢化反应热力学函 数和不同温度下的氢同位素分子的吸附平衡压力是评价其性能优劣的主要依据。目前,对贮氢材料的研究多侧重实验研究。量子力学从头计算通过引入一些近似处理 方法,对解决该类问题提供了应用参考模式。铁-钛系是目前使用较多的贮氢材料,其贮氢量大、价格低、活性大,还可在常温常压下释放氢,给使用带来很大的方 便。本文采用B3LYP/SDD密度泛函方法,计算了TiFe合金氢(氘、氚)化瓜的相关热力学函数,计算结果与实验数值基本吻合。

AXaa020016 高铬铸铁耐泥沙磨损的机理探讨
在 自制的模拟疏浚工况的立式泥沙磨损试验机上,对45钢和含碳量分别为2%和3%的高铬铸铁进行了泥沙磨损试验。运用扫描电镜观察了这几种材料在泥沙磨损条 件下的磨损表面形貌,分析了它们的磨损机理。对于象45钢这类较软的材料,在泥沙磨损条件下,材料的磨损机理主要是显微切削和多次塑性变形。对于含有较多 高硬度碳化物质点的高铬铸铁类材料,在泥沙磨损条件下,材料的磨损机理主要是基体组织的显微切削和碳化物颗粒的脱落。提出了在泥沙磨损条件下提高材料耐磨 性的途径:一方面是如何减少基体组织的显微切削磨损;另一方面是如何使碳化物不易脱落,更好地起到保护基体的作用。

AXaa020017 热轧退火态Fe-6.5%Si合金的力学行为及形变机制
为 揭示热轧退火态Fe-6.5%Si(质量分数)合金的形变机制,研究了该合金不同温度下的力学性能,并利用透射电子显微镜分析了其有序结构和拉伸样品中的 位错组态。结果表明,在中温拉伸过程中,热轧退火态Fe-6.5%Si合金因位错塞积和位错缠结而导致加工硬化;该合金B2有序结构温度下,出现了超点阵 位错;在800℃拉伸时,则呈现了140%的高延伸率。

AXaa020018 TbDyFe合金定向凝固过程中晶体的取向生长
利 用自制的超高温度梯度定向凝固装置ZMLMC,在不用籽晶的情况下,制备出了完全〈110〉取向的7 mm×120mm的稀土超磁致伸缩棒材,并对定向凝 固开始到晶体稳定生长全过程晶体生长的形貌进行了观察和分析。结果表明,晶体的取向程度和其生长形貌有明显的对应关系;在温度梯度为700 K/cm,抽 拉速率为6~10 μm/s的条件下,Tb0.27Dy0.73Fe1.9合金棒材定向凝固长度达12 mm时,就可获得〈110〉取向的晶体,而该晶体 达到稳定生长所需的棒材长度至少为20 mm;所制棒材中〈110〉取向生长方向与其轴向间的偏差仅为3°。

AXaa020019 Fe68Si32合金液态结构与固态组织的相关性
利 用液态X射线仪研究了Fe68Si32合金的液态结构,获得了结构因子、径向分布函数、原子间的最近邻距离和配位数。结果表明,在1250~1450℃ 范围内液态合金的最近邻距离为0.259~0.260nm,配位数为10.3(±0.2);液态合金的结构因子在Q=15.5nm-1处有一明显的预峰存 在。根据预峰的特性,建立了Fe68Si32熔体的结构模型;合金在1250℃的径向分布函数的Gauss分解结果与合金的面心立方模型吻合较好。预峰的 产生是面心立方超结构原子团中Si原子之间相互关联的外在表现。

AXaa020020 玻璃包裹铁基合金非晶细丝制备方法的研究
介 绍了利用高频感应加热熔融快淬法制备玻璃包裹合金非晶细丝的方法,叙述了选材、加热、拉丝、淬火等环节的技术关键,并用高分辨率显微镜、动态磁滞回线和穆 斯堡尔谱等方法对非晶细丝进行特性表征,结果表明细丝直径17μm,玻璃壁厚5μm,细丝的磁晶各向异性场比薄带大得多。

AXaa020021 等离子喷涂NiCrAl/ZrO2过渡层对FeCrAl/γ-Al2O3结合性能的影响
为 改善催化剂中γ-Al2O3分散层与FeCrAl基体的结合力,采用等离子喷涂技术在合金表面制备了NiCrAl/ZrO2混合涂层作为过渡层。利用X 射线衍射仪、扫描电镜和电子探针仪,研究了1073K氧化后过渡层的变化,并考察了超声振动和热冲击后涂层的剥落情况。

AXaa020022 球铁磨球淬火工艺的对比研究
对球铁磨球铸后余热淬火及重新加热淬火两种工艺处理后的显微组织、力学性能及使用效果进行了对比研究,结果表明,重新加热淬火工艺是该磨球工业生产中切实可行的热处理工艺。

AXaa020023 Fe-0.48%V及Fe-1.69%V合金碳化物析出型渗碳(CD)
研 究了Fe-0.48%V及Fe-1.69%V合金的CD渗碳,用金相显微镜及扫描电子显微镜分析了渗层的组织形貌,对表层进行了X射线衍射分析,确定了以 上两种合金在950℃渗碳的最佳碳势为1.40%C,此碳势是渗层不出现Fe3C组织的最高碳势,渗层组织为马氏体基体上分布弥散细小的等轴碳化物- V4C3,平均尺寸为250nm。渗层最高硬度均超过了HM1000,两种合金都具有极高的耐磨性,Fe-1.69%V合金的耐磨性超过了淬火加回火的 Cr12MoV钢。

AXaa020024 铁钼粉末冶金抗磨材料次表面亚稳相的XRD分析
在一台普通的二圆X射线衍射仪上,利用 不对称布拉格反射STD(试样相对于入射线倾斜在某一角度α0,进行2θ扫描)技术与常规CBD(正常的θ/2θ偶合扫描)模式相结合的方法,对铁钼粉末 冶金抗磨材料的摩擦表层、次表面层及体相的物相纵向进行了较全面分析,特别揭示了摩擦次表面层Fe-C亚稳相的存在,对材料的摩擦性能有严重影响。

AXaa020025 USSP表面纳米化Fe-20Cr合金的腐蚀性能及机制研究
利 用电化学方法,结合XRD、EDX、SEM和EPMA等表面分析技术,研究了经超声喷丸表面纳米化的Fe-20Cr合金在0.05mol/L H2SO4+0.5mol/L NaCl溶液中的腐蚀性能。结果表明,纳米化后合金的耐蚀性能降低。相对于粗晶合金,纳米材料晶粒的细化、钝性金属中Cr元素分布的均匀性降低以及超声喷 丸技术在制备纳米晶过程中所带来的残余应力是纳米材料耐蚀性能降低的原因。

AXaa020026 高温扩散法制备铁铝金属间化合物涂层
针对金属间化合物在工业中作为高温结构材料使用存在脆性的问题,将金属间化合物以涂层的方式应用。以Fe-Al系为研究体系,以高温扩散制备的方法获得了良好的Fe-Al金属间化合物涂层。结果表明,在合适的工艺参数下,所得到的涂层具有单一性、致密性且与基体结合良好。

AXaa020027 铁基合金在KCl盐膜下的腐蚀
利用热重分析法对几种工程材料在KCl盐膜下于750~800℃空气中的腐蚀进行了研究。结果表明材料在固态/熔融态的KCl盐膜下均发生了加速腐蚀,合金的耐蚀性与Cr含量的增加没有直接的关系。由热力学方面讨论了材料的腐蚀机制及合金化元素的作用。

AXaa03弹性合金
AXaa030001 膨胀法研究铁磁性恒弹性合金
采 用膨胀法研究了铁磁性恒弹性合金平均线膨胀系数随时效温度的变化规律。发现在400-500℃区间,平均线膨胀系数随时效温度的变化很小;在500- 700℃范围内,平均线膨胀系数随时效温度的升高而迅速下降。分析了平均线膨胀系数与频率温度系数和弹性模量温度系数的关系。结果表明,采用膨胀法可以对 合金的恒弹性能作定性分析。


AXaa04 形状记忆合金
AXaa040001 NiAl高温形状记忆合金的组分分析
采 用提位法无污染磁悬浮冷坩埚技术生长出NiAl合金,具有马氏体结构。NiAl合金的组分对其结构和相变温度有着重要的影响,然而其组分分析受Ni、 Al难以分离的困挠。针对这一现状,对络合置换法、沉淀滴定法与电子探针(EPMA)仪器分析法进行了比较。综合分析表明,络合置换化学分析法对NiAl 基合金的组分分析是一种简便、准确的分析方法。


AXaa040002 高记忆高耐蚀铁基形状记忆合金材料的研究
本文研究 合金设计成分为:Fe-11Mn-5Si-9Cr-5Ni-10Co的耐蚀铁基形状记忆合金材料。材料测试的力学性能指标为:σb为 920MPa,σs为450MPa,δ5为46﹪;合金相变温度Ms为~10℃,As为~100℃,Af为~500℃;用弯曲法测量板材试样的记忆恢复幅 度为4.2﹪,与其他FeMnSiCrNi形状记忆合金相比记忆性明显提高;在自然海水中浸泡一年,该合金腐蚀率为0.0011g/m2.h,已与HDR 钢的耐腐蚀性接近(腐蚀率为﹤0.001g/m2.h),具有极好的耐蚀性。


AXaa040003 形状记忆合金的研究进展
综述了形状记忆合金作为一种功能材料的特性,以及其本构关系的研究进展;简要介绍了它在各种不同领域中的应用;最后指出当前研究形状记忆合金存在的问题。


AXaa040004 Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金显微结构分析
形 状记忆合金作为一种新型功能材料,其中一个重要的用途是作驱动部件。但传统的形状记忆合金受温度场控制,因此响应速率较低。而磁致伸缩和电致伸缩材料虽具 有较高的响应频率,但其应变量却不尽如人意。采用磁场驱动马氏体相变或变体再取向,可以实现大可逆应变及高响应频率的结合。1996年Ullakko等人 发现Ni2MnGa单晶在-7℃,8KOe磁场作用下可产生0.2%的可逆应变后,Ni-Mn-Ga材料成为材料学者研究的重点。本文采用进拉法制取了 Ni-Mn-Ga合金单晶,利用DSC分析和透射电子显微镜研究了Ni-Mn-Ga合金的马氏体及母相显微组织结构。

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Reference source from the internet. 目前实际开发应用的SMA主要是TiNi和Cu-Zn-AISMA,但由于受其热弹性马氏体相变的影响,使其工作温度均不超过100℃。然而在许多工业场 合如化工、核反应堆以及温度监测及控制等方面,要求使用温度高于150℃,甚至达300℃-600℃。因此高温SMA的研制和开发有着重要的意义,具有广 阔的应用前景。NiAI基高温SMA由于有大的可恢复应变、很高的Ms点、温度滞后小和优良和高温抗氧化性而成为有实用化潜力的SMA。β-NiAI用作 高温SMA主要存在两障碍:Ni5AI3相的时效析出和室温脆性。Ni5AI3相不具有可逆的相转变的特征,它的存在破坏了形状记忆效应。一般是通过控制 成分和热处理等方法来抑制Ni5AI3相的析出。室温脆性是NiAI SMA不能实用化的一个最主要的障碍。造成它的原因是B2结构的NiAI只能提供3个独立的滑移系,不满足Von Mses变形准则,以至变形时晶界处应力高度集中,导致晶界开裂。由于β相NiAI合金有很宽的成分范围,这就为在较大的成分区间内通过合金化来改善其形 状记忆性能和机械性能提供了可能性。


AXaa040006 电子辐照影响TiNi形状记忆合金R相变的研究
用能量为 1.7MeV不同注量的电子辐照了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金的奥氏体逆转变开始温度As和结束温度 Af升高,随着辐照注量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大;R相转变开始点Rs和转变结束点Rf略有增加。XRD结果表明电子辐照造成了R 相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势。这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷钉扎了R相界面造成的。这一结果为记忆合金 相变点的调节提供了新方法。

AXaa040007 FeMnSi基形状记忆合金在水溶液中的电化学腐蚀
在FeMnSi基形状记忆 合金中加入N,能够化基体,改善其形状回复率,同时有可能提高抗腐蚀性能,采用浸泡试验和慢线性电位扫描法测量阳极化曲线等方法,以1Cr18Ni9Ti 不锈钢为参照,研究了FeMnSi、FeMnSiCr、FeMnSiCrN等合金在NaCl、NaOH、HCl溶液中的电化学腐蚀行为。结果表明,与 FeMnSi和FeMnSiCr相比,FeMnSiCrN在水溶液中有较好的抗腐蚀性能。


AXaa040008 膨胀法分析Fe-10Cr-5Si-4Ni形成记忆合金的恢复特性
利 用Formaster FTM-4型膨胀仪对Fe-17Mn-5Si-10Cr-5Ni合金的形状恢复特性进行了分析,测得了恢复应变随加热温度变化的连续曲线。结果表明,合金 在加热恢复前后,其热线膨胀系数基本不变;合金发生ε→γ马氏体逆相变的超始温度As和预变形量无关,而终止温度Af随预变形量的增加而升高;试样在恢复 过程中,前期和后期恢复较慢,中期恢复较快;合金的形状恢复率随预变形量的增大而降低;但最大可恢复应变出现在预变形量为5%左右。


AXaa040009 Fe-17Mn-5Si-10Cr-5Ni形状记忆合金管接头性能分析
对Fe -17Mn-5Si-10Cr-5Ni合金管接头的形状记忆效应和连接性能进行了系统地分析,结果表明:形状恢复率随着预变形量的增加而降低;最大可恢复 应变出现在4-6%之间;预变形量为4.5-8%时管接头的紧固力较大,耐压密封性较好。热-机械训练可显著提高管接头的形状记忆效应、连接的紧固力和耐 压密封性。管接头的形状记忆效应随着其壁厚的增大而降低。连接长度越长,管接头的紧固力越小而耐压密封性越好。管接头结构对其连接的耐压密封性影响很大, 随结构的不同耐压密封性可有几倍的差异。


AXaa040010 声发射在形状记合金研究中的应用
介绍了声发射(AE)法 研究形状记忆合金的原理和基本方法。大量研究结果表明,通过检测形状记忆合金的AE信号、分析AE信号的特征参数,可研究和评价温度和应力诱发马氏体相 变,了解其马氏体相变过程及其特点,进而对作为AE源的形状记忆合金本身的性能和状态进行评价。作为一种动态无损检测技术,声发射对研究形状记忆合金智能 材料和结构起着重要作用。


AXaa040011-01 Ni-Mn-Ga磁性记忆合金的马氏体相变及应变恢复特性*
形状 记忆合金是一种新型功能材料,在航空、航天、医学、工程等领域被广泛用做驱动组元,但由于其形状记忆效应受温度场驱动,响应频率较低,因此大大限制了其在 工业中的广泛应用。磁性形状记忆合金是近年来发展起来的一种记忆合金,在外加磁场的作用下产生较大的可逆应变。磁性记忆合金做为一种潜在的、具有高响应效 率及大可恢复应变的记忆材料,受到了材料学界的普遍关注。
本文利用X射线衍射分析及透射电镜观察考察了Ni53Mn23Ga24单晶材料的热致马氏体的组织形貌、晶体结构及其亚结构,并通过压缩试验考察了不同变形量对形状记忆效应的影响规律。


AXaa040012-01 磁控形状记忆合金*
本 文综述了一种新型功能材料-磁控形状记忆合金,它通过磁场来驱动材料内部某些微观界面的移动,从而产生大的变形。这样它既具压电陶瓷和磁致伸缩材料那样快 的响应频率,又能如形状记忆合金那样输出大的应力或高的可逆应变。本文回顾了磁控形状记忆材料在国内外研究的最新进展,介绍了作者探索Co-Ni合金磁控 形状记忆性能的最新实验结果,并讨论了Ni-Mn-Ga和Co基合金中磁场诱发应变的不同机制。


AXaa040013-01 硅含量对铁基形状记忆合金的组织与性能影响*
FeMnSiCrNi合金是具有良好记忆性能,耐蚀性和加工性的新型功能材料。在产业化的过程中,对合金综合性能至关重要的Si元素的成分的合理控制及Si元素对FeMnSiCrNi组织与加工性能的影响,尚需有进一步研究。


AXaa040014-01 FeMnSi系形状记忆合金的低温松弛研究*
自 从A.Sato等在FeMnSi单晶合金中获得了完全的形状记忆效应以来,人们对FeMnSi系形状记忆合金给予了厚望,该合金具有单程形状记忆效应,其 成本低、强度高、恢复力大,特别用于输油管道的连接具有诱人的前景。自发现该合金的“低温松弛”现象后,国际上对FeMnSi形状记忆合金的研究突然减 少。所谓“低温松驰”是指随着温度的降低恢复力下降的现象,作为接管头在使用时,由于紧固力的松弛可能使管接头连接的耐压密封性降低而导致泄漏。但至今有 关FeMnSi形状记忆合金的恢复力随温度降低的变化和管接头的结构对管接头连接的耐压密封性影响,对FeMnSi形状记忆合金低温松弛进行了分析,并探 求了解决FeMnSi形状记忆合金低温松弛的途径。


AXaa040015-01 热处理对CuZnAl形状记忆合金冷加工性能的影响*
研究了热处理对CuZnAl形状记忆合金冷加工性能的影响。结果表明,选择合适的热处理工艺可使CuZnAl形状记忆合金获得组织性能良好匹配,进而显著的改进合金的冷加工性能。


AXaa040016-01 CuAlNi形状记忆合金的液固相关性*
本 文选择了具有良好开发和应用前景的CuAlNi形状记忆合金为研究对象,研究形状记忆合金液体与固体的相关性,探讨液体结构与固体组织之间的遗传效应。对 这一问题的研究有助于从原子层次上按工程要求设计合金成分,解决生产中存在问题,提高记忆合金的性能,完善合金的液态结构遗传理论,对于进一步开发新型形 状记忆合金具有重要理论和应用价值。


AXaa040017-01 铁基形状记忆合金防松螺母的研究*
分析螺纹联接松动原因,提出利用铁基形状记忆合金来研制防松螺母,并对所研制螺母的防松性能进行试验研究。试验结果表明:该防松螺母具有较好的防松性能。另外,对螺母的重复使用性能和初始预紧力进行了分析、设计和测试。


AXaa040018-01 形状记忆合金NiTi的多体势研究*
形 状记忆合金作为一种新型功能性材料被广泛应用于化工、自动化、生物等领域。NiTi合金由于具有十分优越的形状记忆效应且性能稳定,应用越来越广阔。尽管 实验和应用有了极大的进展,但其微观结构和原子运动规律依然存在较大争议。基于原子间作用势的计算机模拟方法为我们在原子层次理解形状记忆行为提供了一种 重要途径,它的准确有铲的理论预测关键取决于原子间相互作用的描述。金属Ni和Ti的原子间相互作用势虽然有嵌入原子势(EAM)、Finniy- Sinclair(FS)、紧束缚模型(TB)等许多形式,但NiTi合金势却很少报道。本文介绍了一种方法构造势函数,其势函数的形式是EAM型,通过 量子化学从头算得到的第一原理数据和实验数据的拟合,构造出一套NiTi合金势。


AXaa040019-01 形状记忆合金TiNi微观结构的量化研究及记忆机理初探*
TiNi 合金是最早发现的形状记忆合金,也是至今该性能最佳的功能材料,已广泛应用于航天、医学、智能机械等领域,但至今形状记忆机理仍不清楚。本文应用量子化学 从头算研究Ti-Ni团簇的化学键,发现Ni-Ti金属对可与亚甲基CH2等瓣相似。由Ni-Ti金属对搭起的(NiTi)n团簇,与一般金属团簇中离域 键不同,出现强弱交替的定域键。


AXaa040020-01 Fe-Mn-Si-Cr-Ni-C系形状记忆合金热机械循环训练效果的研究*
本文研究了热机械循环训练对Fe-Mn-Si-Cr-Ni-C系形状记忆合金形状记忆效应的影响。结果表明:对于不同碳含量的3种合金,只要中间退火温度选择适当,热机械循环训练都可显著提高合金的形状记忆合金。


AXaa040021-01 形状记忆合金在螺纹联接防松防断均载调节中的研究*
本文分析了螺纹联接松动、断裂、载荷不均的原因,并提出防松、防断、均载措施,即可采用NiTi形状记忆合金垫圈达到防松、防断、均载目的,还可采用 FeMnSi形状记忆合金螺母达到防松、防断目的。通过实验与计算分析,利用其效果是显著的。


AXaa040022-01 形状记忆合金的发展*
形 状记忆合金是一种在设定温度下具有形状记忆功能同时具有超弹性功能的新型功能材料。被誉为“智能合金”“跨世纪的新材料”。一般金属材料在受到外力后,首 先发生弹性变形,达到屈服点时就会发生塑性变形,应力消除后则会留下永久变形,而形状记忆合金则在发生了塑性变形后,经升温至某一温度(该温度经特殊处理 手段进行)之上,可完全回复到变形前的形状。
近几年,各种形状记忆合金产品相继问世,应用领域不断扩大,已开发成功的形状记忆合金有TiNi基形 状记忆合金、铜基形状记忆合金、铁基形状记忆合金等。本文归纳了目前具有形状记忆效应的合金的种类、成份及其形状记忆效应。其中TiNi基形状记忆合金不 仅具有独特的记忆功能与超弹性功能,而且还具有优良的理化性能与优异的生物相容性,其拉伸强度、疲劳强度、剪切强度、冲击韧性均明显优于普通不锈钢,其生 物相容性也远远好于不锈钢和钴铬合金。目前在航空航天,自动控制、制衣玩具、医疗器械、电器元件等领域已有少量TiNi基形状记忆合金商业产品。但从相变 温度来看,TiNi基形状记忆合金的使用温度最高只能达到373K,如果开发出能在更高温度下利用的形状记忆合金,就能更广泛地用于汽车发动和航空涡轮机 等方面,因此,报道高温形状记忆合金的研究开发情况是本文的重点之一。另外,还讨论了用于微型机械的TiNi形状记忆合金薄膜的研制、开发及应用前景。


AXaa040023-01 高记忆性能铁基形状记忆合金研制*
探 讨了适于工业化生产的铁基形状记忆合金成分。研究结果表明Fe16Mn55Si9Cr6Ni采用电炉冶炼加AOD或VOD加VHD均可以进行生产。铸锭的 开锻温度为1080℃,终锻温度为900℃;锻造管坯可以采用热挤压方法实施管材成形。挤压成形的毛管可以采用冷轧与冷拔相结合方法进一步加工成薄壁管。


AXaa040024-02 电阻法测量镍钛铌形状记忆合金相变点的研究*
镍 钛铌合金是最具工业实用价值的形状记忆材料,具有良好的形状记忆效应和超弹性行为,较高的力学性能,优良的耐磨耐腐蚀性能。它的应用领域极其广泛。相变点 作为镍钛铌合金的重要的不可或缺的参数,对它的测量就显得犹为重要。电阻法测量比较直观,精确度高,易于控制,是相变点测量的重要方法之一。
本文详细介绍了电阻法测量镍钛铌形状记忆合金相变点的具体方法、所用仪器设备和解决的几个实际问题。使最终的测量精度可以达到0.1度。完全符合工程应用及产业化的要求。


AXaa040025-02 热变形态TiNi形状记忆合金的组织与性能*
研 究热锻状态Ti-50.65at%合金的显微组织与形状记忆特性以及热处理工艺对其相变行为的影响,并揭示其本质原因。在金相显微镜下进行观察拍照。利用 扫描电镜进一步放大观察组织并拍照。在金相样品上测量试样的显微硬度,研究硬度性能的变化规律。在LK02型快速冷却膨胀仪进行膨胀分析,得到封闭的膨胀 曲线,测定相变点。利用弯曲法测定合金的回复率研究形状记忆特性。


AXaa040026-02 生物医用多孔镍钛形状记忆合金*
目 前有许多患者需进行硬组织替换与修复手术。国产生物材料不足1%,潜力巨大,亟需研制有自主知识产权的生物材料。传统致密态金属植入物由于其有着比人体硬 组织高得多的机械性能与弹性模量而承担大部分外力,造成应力屏蔽、骨质疏松、固定困难等问题.多孔NiTi形状记忆合金由于其诸多优点成为研究热点:独特 的整体多孔结构,有利于人体组织长入,体液和营养物质输送以及植入物可靠的固定;机械性能和弹性模量与人体硬组织的性能相匹配等。在俄罗斯,该合金已成功 用于矫形科、骨科、脊椎等修复与替换。
本文采用具有合成时间短、投资少、产物孔隙度高等优点的燃烧合成技术选用国产纯镍粉与钛粉成功制备大块多孔NiTi合金。


AXaa040027-02 NiTi形状记忆合金表面电化学方法制备HA生物涂层的工艺研究*
系 统研究了NiTi形状记忆合金表面电化学方法制备HA生物涂层过程中工艺参数对涂层成分及其结构形貌的影响,得出最佳沉积规范。在该规范下沉积的涂层均由 CaHPO4·2H2O组成,经碱处理后完全转变为HA。所制备HA涂层均匀致密,厚度为20μm,具有一定的结合强度,一下条件下涂层形貌由传统的针状 转变为片层状。初步探讨了HA涂层形貌转变的机理。


AXaa040028-02 带基板NiTi薄膜的应力状态及微观组织*
20 世纪90年代以来,微型机械电子系统(MEMS)受到愈来愈多的关注和重视,尤以微驱动器的研究最为引人注目。NiTi形状记忆合金薄膜由于具有回复应力 高、输出应变大、热及应力循环稳定性好的突出优势而成为MEMS微驱动器研究的热点之一,被广泛应用在微型泵、微型阀门等的设计制造中。其中应用较广的是 依靠硅基板提供偏置力的NiTi/Si复合驱动结构。显然,NiTi薄膜中的残余应力会对NiTi/Si结构的服役特性产生重要影响。本文分析探讨了带基 板NiTi薄膜的残余应力和组织结构的关系。


AXaa040029-02 热变形状态TiNi合金的两种相变*
由于 TiNi合金的形状记忆特性与其微观组织结构的关系极大,对热锻态TiNi合金的相变行为进行了考察。试验材料从热锻加工成的TiNi合金棒材上取得。成 分为Ti-50.6at%Ni。试样在520℃保温2h后空冷至室温(回复退火)。另取部分试样进行850℃保温1.5h空冷至室温(固溶处理)作为对 比。在HITACH H700透射电镜上观察合金的显微组织结构。用膨胀法测定合金的相变点。并作DSC分析以比较。

AXaa040030 形状记忆合金纤维混杂单层的阻尼预测
采用细观力学阻尼理论,分析SMA纤维和普通纤维混杂的单向单层材料的阻尼性能,给出材料在6个方向上的阻尼性能计算公式,通过数值算例讨论NiTi的阻尼混杂效应。

AXaa040031 形状记忆合金复合材料系统非线性动力学研究
研究了形状记忆合金复合材料系统的非线性动力学特性。基于Brinson的形状记忆合金本构关系和Dejonghe的内耗模型,提出了单自由度简化系统的模型建立方法。考虑材料系统刚度和阻尼的变化,在弱非线性和较强非线性两种情况下给出近似-解析解法。

AXaa040032 神奇的形状记忆材料

AXaa040033 TiNi形状记忆合金的研究动向
简 述了TiNi形状记忆合金(SMA)的研究与应用进展,指出了今后的发展方向。重点介绍了TiNi细丝、微管、薄板、薄带、薄膜的开发思想与应用目标,以 及TiNi SMA在智能复合材料方面的应用。TiNi SMA今后的发展方向是尺寸的超小化、超细化、超薄化;相变的高温化;热滞的宽化与窄化;功能的复合智能化以及组织性能的稳定化。有关TiNi基SMA方 面的新工艺、新材料及新用途的开发也是今后的研究方向。

AXaa040034 化学镀镍对铁基形状记忆合金性能的影响
铁基形状记 忆合金具有价格低、易加工、不必进行低温变形处理和低温储藏等优点,通过热机械循环处理等方法来有效地提高其回复率,但是耐酸、盐腐蚀性能较差。对铁基形 状记忆合金进行化学镀镍表面处理后,在基本保持铁基形状记忆合金优点的同时,大幅度提高了耐酸、盐腐蚀能力,从而拓宽了铁基形状记忆合金的应用范围。

AXaa040035 Cu-25Al-3Mn形状记忆合金淬火态马氏体亚结构特征及其在加热过程中的变化
利 用透射电镜、选区电子衍射等手段研究了Cu-25Al-3Mn形状记忆合金淬火态马氏体亚结构特征及其在加热过程中的变化。实验合金淬火态马氏体内部亚结 构(121)2H孪晶,该合金马氏体中产生T谱的孪晶是一些具有不同厚度的、平行入射电子束的片状非相干散射体,孪晶亚结构中最薄孪晶片厚度小于 2.02nm;在加热过程中,部分2H马氏体向18R马氏体转变,出现了层错亚结构特征。

AXaa040036 形状记忆合金薄膜在微机电系统中的应用
介绍介绍了以TiNi基合金为主的形状记忆合金薄膜在微驱动器和微传感器上的国内外应用性研究现状,并展望了其未来的发展趋势。

AXaa040037 承受各种循环加载的TiNi形状记忆合金的超弹性变形行为
通 过实验研究了不同加载速率和不同实验温度下承受完全循环加载以及部分加载卸载的TiNi形状记忆合金超弹性变形行为。分析了循环变形期间马氏体相变应力和 弹性模量变化的特性。研究表明在完全循环加载过程中,由于残余应变的存在,马氏体相变应力随循环增加而减小。马氏体相变应力的变化量(即残余应力)与残余 应变成线形关系。对于受过循环变形的机械训练的TiNi形状记忆合金,研究了部分加载和卸载情况下其超弹性变形,分析了相变开始与结束的应力特性。

AXaa05 高温合金
AXaa050001 EB-PVD热障涂层对高温合金基体断裂特征影响的研究
采 用EB-PVD方法在K3合金上(包括铸态和经标准热处理两种状态)沉积了由NiCoCrAlY金属粘结层与YSZ涂层顶层组成的双层结构的热障涂层。对 未涂层和涂层试样的拉伸性能进行了评估,并分析了涂层的制备和中间处理过程中基体的微观结构的变化。结果表明,在热障涂层的沉积以及中间处理过程中(真空 前处理及后处理),基体的铸态组织得到改善,产生了析出强化,使得在铸态K3合金基体上沉积热障涂层后基体的拉伸强度由800MPa提高到 1050MPa,而在经过标准热处理的合金基体上沉积热障涂层对基体的力学性能几乎没有影响。


AXaa050002 利用新型细化剂细化镍基高温合金K4169组织
一 种无夹杂细化方法被提出并用于镍基高温合金K4169的细化实践,即利用高温合金自身所含元素组成的金属化合物作为细化剂来细化该合金。试验发现新细化剂 NixAly在良好的搅拌条件下可以取得好的细化效果;而细化剂CrMNiN在一般工艺条件下即可取得好的细化效果。NixAly和CrMNiN使高温合 金K4169的组织分别由M4提高到M8.5和M10;试验也表明选用晶格匹配、比重与基体相相近的细化剂细化效果要好些。


AXaa050003 大型粉末高温合金锻件热处理过程的数值模拟
测 量并推算了盘件用FGH95合金的比热容等物理性能。用反推法计算了得到了热交换系数的计算函数公式,模拟计算了FGH95粉末高温合金锻件的温度和淬火 应力场,并与实测值进行了对比,结果相符。计算并实测了不同冷速下FGH95合金的力学怀疑。本研究结果对实际热处理工艺具有指导意义。


AXaa050004 高温合金的真空感应超纯净熔炼
论述了真空感应熔炼(VIM)超纯净高温合金工艺方法的特点及应用,讨论了高温合金真空感应熔炼的辅助工艺措施。


AXaa050005 我国粉末高温合金的研究现状
简要回顾了我国粉末高温合金的发展历史,概述了FGH95粉末涡轮盘、挡板的生产工艺和研究进展情况,分析了粉末高温合金中存在的缺陷以及质量控制,介绍了粉末高温合金今后的研究方向。
现 代高性能航空发动机的发展对高温合金的使用温度和性能的要求越来越高,采用传统的铸锭冶金工艺,由于冷却速度慢,铸锭中某些元素和第二相偏析严重,热加工 性能差,生产高合金化高温合金大型的零件很困难,并且组织不均匀,性能不稳定。如果铸锭尺寸降到微米级,即以颗粒凝固,冷却速度可达到 103~104K/s,从而使成分均匀,无宏观偏析,而且晶粒细小,改善了合金的热加工性能,提高了合金的拉伸强度和抗疲劳性能。
于是在上世纪60年代产生了高温合金粉末冶金技术。粉末高温合金主要用于制造先进航空发动机的压气机盘、涡轮盘、涡轮轴以及涡轮盘挡板等高温承力转动部件,目前还推广用于地面燃气涡轮发动机的涡轮盘等重要部件。

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Reference source from the internet. 首先指出高温氧化的一般概念,然后全面介绍了抗高温氧化合金设计的现状,并对各种抗高温氧化的途径进行了详细的分析,最后对其未来发展方向进行了展望。
随 着航空、航天、能源、石化等工业的迅速发展,对于金属材料的服役性能要求也越来越高,需要其在更高的温度和更苛刻的环境下工作。材料的高氧化问题已成为影 响上述工业发展的关键因素之一。如在蒸汽机开始发展的年代,蒸汽温度只有300℃左右,而今天其工作温度已达630~650℃,现代飞机发动机的工作温度 已超过1000℃。因而选择并研制更加合适的合金,采用更加完善的防护手段已迫在眉睫。
金属的高温氧化是指金属在高温下与含氧、硫、卤素等的气体 接触时,发生反应,在其表面上生成氧化物、硫化物、卤化物等固体膜的过程。以上是指金属的广义氧化,狭义上的高温氧化仅指金属与环境中的氧化合在高温下形 成氧化物的过程。高温氧化的高温是一个相对的概念,对不同的金属来说有不同的含义。本文仅讨论狭义上的高温氧化。


AXaa050007 化学细化技术的进展及在高温合金中的应用
综述了化学细化技术的发展现状,并重点评述了该方法在高温合金领域的最新发展。指出利用以高熔点金属化合物为基本添加剂的细化方法是对高温合金一类复杂合金进行细化的有效手段,强调了进行形核细化机理研究的迫切性。
晶 粒的大小对高温合金的性能有显著影响。研究表明,在中温范围内,晶粒的细化可大大提高高温合金的中温屈服强度和持久性能,并能改善其塑性和韧性。特别是在 提高高温合金低周疲劳性能方面,细晶化是迄今为止最有效的方法之一。目前工业上使用的细化晶粒的方法有三种:一是热控法;二是机械法;三是化学添加剂法。 其中化学添加剂法因其简单、实用和成本低而倍受人们的关注。下面介绍该方法的理论基础和应用实践,并重点介绍在高温合金方面的最新研究成果。


AXaa050008 热处理对喷射成形高温合金组织与性能的影响
研 究了热处理对喷射成形高温合金组织与性能的影响。不同的热处理制度,喷射成形高温合金的晶粒尺寸均较为细小,且较为接近,与沉积态合金相近。研究还表明, 完全固溶温度以下进行固溶热处理后,喷射成形高温合金形成两种尺寸的γ'.这样的组织使合金具有较高的拉伸强度,其屈服强度高出常规铸锻GH742合金 30%.结果还表明,喷射成形高温合金合适的热处理制度与常规变形高温合金是有一定区别的.


AXaa050009 成分调整对铸造高温合金DZ125凝固特性和组织的影响
在研制某发动机高压涡轮叶片时,采用Rene125浇注空心薄壁叶片,产生严重的纵向晶界裂纹。研制过程中我们发现Ti是影响合金可铸性的重要元素之一。为此,在保持DZ125合金其它成分不变Ti含量,对合金的凝固行为,显微组织进行了初步试验研究。


AXaa050010 高温合金的真空感应超纯净熔炼
论述了真空感应熔炼(VIM)超纯净工艺方法的特点及应用,讨论了高温合金真空感应熔炼的辅助工艺措施。


AXaa050011 一种新牌号Ni基高温合金的超纯净熔炼
研究了在真空感应炉中采用CaO坩埚熔炼一种新牌号Ni基高温合金的效果。


AXaa050012 喷射成形高温合金高温变形特性的研究
GH742 合金是一种典型的涡轮盘合金.该合金形成复杂合金化的Ni-Cr-Co固溶体和Ni(Ti,A1,Nb)型γ′相,γ′相的数量约35%,其合金化程度较 高,因而具有较高的热强性的综合性能.该合金可用于制造在550~800℃温度范围和高应力条件下工作的涡轮盘、压气机盘、承力环等零部件.但用常规铸锻 工艺来处理时,往往存在着宏观偏析、严重晶粒粗大、成分和组织不均匀以及热变形困难、易开裂等问题.
喷射成形工艺是一种直接从液态金属熔体制备具 有快速凝固特征的大块金属坯料的先进制坯技术.喷射成形得到的高温合金坯件,无宏观偏析、晶粒细化、化学成分和组织均匀、力学性能进一步提高.研究发现, 喷射成形的GH742合金材料,热变形能力亦显著提高:常规工艺的GH742合金的最大变形量约30%(应变速率0.1s%),而喷射成形的GH742合 金在此温度区间变形时一次变形量可达60%以上;同时研究发现,提高变形应变速率,合金的热塑性并不降低,在应变速率为10/s,时合金的热塑性反而较应 变速率1/s进增加.

AXaa050013 抗高温氧化合金的研究进展
首先指出高温氧化的一般概念,然后全面介绍了抗高温氧化合金设计的现状,并对各种抗高温氧化的途径进行了详细的分析,最后对其未来发展方向进行了展望。


AXaa050014 高Cr高温合金中α-Cr相的析出方式
通 过对高Cr高温合金INCONEL718和INCONEL625在长期时效过程中α-Cr相析出方式进行详细的微观组织分析。结果认为,随着时效时间的延 长,INCONEL718合金中大部分α-Cr相随着δ相的析出长大依附于δ相的界面析出,而INCONEL625合金中α-Cr相则主要依附晶界 M6C碳化物相界面析出,少部分依附于δ相析出,其原因可能与Cr在δ相和M6C碳化物中的溶解度随温度的下降而迅速下降有关。


AXaa050015-02 DD98镍基单晶高温合金TLP连接后的单晶化问题*
镍 基单晶高温合金具有优良的高温机械性能,关于镍基单晶高温合金的合金设计、合金性能、热处理条件以及制造工艺等问题,人们进行了大量的研究工作。然而随着 叶片冷却形式的不断发展,空心行腔越来越复杂,对于这类结构复杂的叶片单铸造技术是很难实现的。所以,在生产制造具有复杂冷却结构的单晶涡轮叶片的过程 中,用于单晶合金的瞬态液相(Transient liquid phase)连接工艺越来越受到关注。TLP连接主要是为连接难焊高温合金而发展的,它综合扩散焊和高温钎焊的特点,可以得到高强度的焊缝,但无需像扩散 连接那样需要高的设备投资和严格的工艺参数。然而若在连接区形成晶界时,单晶合金的高温性能将会降低,因此单晶合金连接时避免此类问题是很关键的。我们用 自制的镍基钎料对DD98镍基单晶合金进行TLP连接后,对接头的取向问题采用电子背散射衍射(EBSD)方法进行研究。


AXaa050016-02 DD98镍基单晶高温合金的TLP连接及高温拉伸性能*
Ni 基高温合金在高温下具有优良的性能,并且广泛地用于燃气涡轮发动机上,采用连接方法用于制造这些高温合金涡轮发动机部件可使成本降低,并且获得良好的性 能。瞬态液相(transient liquid phase)连接是为连接焊接性较差的高强度高温合金而发展的,它兼有钎焊和扩散焊的特征。本文中,我们采用自制的急Ni-Cr-B合金条带,对DD98 镍基单晶高温合金的TLP连接过程中微观组织的变化及高温拉伸性能进行了研究。


AXaa050017-02 镍基高温合金零件快速凝固激光快速成形技术研究*
高 性能金属零件激光快速成形技术是一种近年来出现并迅速发展的材料设计、制备与零件成形一体化新技术。本文采用氩气雾化Rene’95镍基高温合金粉末(- 70到200目)为原料,利用激光快速成形工艺制备出多种薄壁零件,研究了激光逐层沉积快速成形零件组织、激光快速成形工艺及工艺参数优化、热应力控制及 机械性能。采用OM,SEM等手段对组织以及拉伸断口进行了分析。


AXaa050018-02 高温合金的冶金质量控制*
为 了提高高温合金的纯净度、改善合金的凝固组织,我所正在开展真空/惰性气氛快速电渣重熔技术的研究,该技术有机结合了真空熔炼与电渣重熔的优点,克服两者 的缺点,即保证重熔合金不形成白斑缺陷,具有低的气体含量,表面质量好,可以有效去除非金属夹杂物、脱硫而没有合金元素的氧化损失。真空/惰性气氛快速电 渣重熔技术将有效解决目前由于合金中各类冶金缺陷,如大颗粒非金属夹杂物等所导致的后续加工、制备、应用方面的问题,并将促进新型先进合金的研究开发。


AXaa050019-02 仿Bжл14高温合金及铸件研制*
本 文重点介绍了Bжл14合金的母合金熔炼工艺以及典型件的研制工艺过程,并对性能和显微组织进行测试,与俄罗斯合金的性能数据进行对比分析,结果表明:仿 制的Bжл14合金的力学性能等均已达到俄罗斯合金水平,合金化学成分符合俄罗斯标准要求。碳化物、枝晶组织和晶粒度与俄罗斯原件基本相同。


AXaa050020-02 硅和硼对铁基高温合金组织和性能的影响*
为了利用常规工业原料制备低成本的超高温铁基结构合金,本文研究了硅和硼对合金组织结构和性能的影响。


AXaa050021-02 定向高温合金的再结晶*
定向凝固,特别是单晶高温合金涡轮叶片在加工制造和使用、修复过程中由于塑性变形,会产生再结晶,降低零件的力学性能。本文对DZ22定向凝固合金表面经磨削加工和喷丸状态下经不同温度热处理后的再结晶倾向进行研究。


AXaa050022-02 单晶镍基高温合金的高温蠕变及相关参数*
通过测定一种单晶镍基高温合金的高温伸蠕变曲线及位错运动的内摩擦应力σ0建立了综合蠕变不同阶段的激活能及相关参数。


AXaa050023-02 钼铼合金的结构和性能*
难 熔金属钼不但具有优良的导热、导电、耐腐蚀性能,而且具有低的热膨胀系数、较高的硬度、很好的高温强度,因而钼在电子工业、宇航工业、能源工业等领域有很 广阔的用途。然而,纯金属钼在常温时比较脆、加工性能差、焊接性能差、容易氧化、具有再结晶脆性等缺点,所有这一切都限制了纯金属钼的应用。加入一定量的 合金元素如C、B、K、Si、Al、Re和稀土元素等是改善金属钼脆性的有效方法之一。在这其中,合金元素铼的作用最为突出,铼元素的加入,不但可以改善 钼的常温性能、焊接性能,而且可以提高钼的高温性能。


AXaa050024-02 高温合金的电场制备及其组织结构*
本文介绍了电场制备定向高温合金和单晶高温合金的实验结果,分析了电场参数对合金凝固组织和时效析出的影响,讨论了电场作用的影响机理。


AXaa050025-02 喷射成形GH742“晶粒粗化温度”的界定*
GH742 是一种在550-800℃温度范围内和高应力条件下工作的、高度合金化的涡轮盘用高温合金。喷射成形技术是近年来国内外普遍重视和发展的一种新型材料制备 和成形技术。我院在自行研制的装置上利用喷射成形技术成功的制备了GH742合金坯,通过一系列的后续加工工艺(热等静压、热锻、热处理),使合金的组织 性能都达到了技术要求,获得实际应用。

AXaa050026 激光快速成形镍基高温合金研究
在单道熔覆及薄壁墙试样制备的基础 上,大致确定出Rene'95激光快速成形时的工艺参数和每层沉积高度,根据此高度对零件的CAD模型进行分层切片处理,生成二维平面信息,经过数据后处 理并加入加工参数,生成数控信息输入成形系统,控制成形系统的沉积过程顺序完成各层的成形制造,直至加工出与CAD模型相-致的具有复杂外形的致密的金属 零件。结果表明:激光快速成形Rene'95镍基合金组织致密,成分均匀,沿成型高度方向具有方向凝固组织特征,具有较高的力学性能。但由于成型时存在很 高的残余应力,容易导致开裂,通过基板预热可减缓应力。

AXaa050027 含氮稀土耐热钢H1的研制
用作高温还原反应罐的 H0耐热钢(1Cr25Ni20)性能优良,但生产成本高。笔者研制开发的含氮稀土H1耐热钢(3Gr25Ni8REN)具有镍低、性能优良的特点。H1 钢的高温抗氧化性能、高温持久强度和抗热疲劳性能均优于H0钢,可以长期在1200℃左右高温下工作,使用寿命为H0钢还原罐的 1.5倍左右。H1钢的生产成本仅为H0钢的2/3左右,其经济效益十分显著。文中叙述了选择H1耐热钢化学成分的理论依据;H1和H0耐热钢的冶炼工 艺,材料性能测试方法和测试数据,并作了两种钢的性能比较,结果表明H1钢完全可以替代H0钢用于制

AXaa050028 单晶高温合金HRS定向凝固过程凝固参数的计算机检测与分析
建 立了一套炉前计算机数据自动采集和控制系统,该系统可对HRS定向凝固过程的温度数据进行自动采集。对单晶高温合金DD98定向凝固过程温度场的现场测定 和分析的结果表明:该系统现场采集的数据平稳,较好地解决了干扰问题;在恒定的加热温度和抽拉速率下,温度梯度、糊状区宽度等凝固参数是不断变化的,起始 端的温度梯度最高,凝固后期温度梯度趋于平稳,糊状区的宽度随着凝固的进行呈增加的趋势。

AXaa050029 标题:(Ni,Pd)Al涂层的高温氧化
: 在M38镍基高温合金上电镀Pd-20mass%Ni合金,采用低压固体粉末包埋渗铝方法制备钯改性铝化物涂层。XRD分析表明,涂层主要由β- (Ni,Pd)Al相组成。利用TGA、SEM等方法,研究了涂层在800℃~1100℃的初期高温氧化行为。另外,在各温度下涂层表面的氧化产物中都含 有少量的TiO2,并且随着温度升高,含量增加。

AXaa050030 K40S钴基高温合金高温高周疲劳行为
研究了K40S合 金70和900℃高周疲劳行为。结果表明:K40S合金具有低的高温疲劳缺口敏感性,合金在700和900℃温度条件下的疲劳缺口敏感性分别为0.025 和0.035,合金低的缺口敏感性主要归因于合金良好的高温塑性。二次碳化物M23C6的高温动态时效强化有效地强化了合金基体,提高合金的形变抗力,使 合金具有较高的疲劳强度。K40S合金700℃高周疲劳断裂机制主要为机械疲劳断裂,而在900℃温度条件下则为机械疲劳与高温环境氧化共同作用的结果。


AXaa06 其它
AXaa060001 钼的放电等离子烧结研究
研 究了放电等离子烧结(SPS)钼的致密化、组织和硬度。与其它烧结方法相比,SPS是一种时间短、温度低的先进快速烧结法。利用SPS在比CIP-S和 HP低220~500℃下进行烧结,保温3min,得到钼的相对密度是95.2﹪~97.9﹪,硬度比其它方法烧结的高出HV20~HV66.5;SPS 烧结钼的密度呈现随烧结温度的升高而增加的趋势,但是其硬度有所下降;SPS在较低温度下烧结钼的硬度较高,其原因是细晶强化;SPS烧结钼的断口呈沿晶 断裂,属于脆性断裂。


AXaa060002 La2O3,Y2O3-Mo次级发射材料研究
采用粉末冶金方法制备了新型La2O3,Y2O3-Mo次级发射材料。测试了其次级发射性能。结果表明,在钼中加入稀土氧化物可以具有很好的次级发射性能,经过1580℃的激活处理后,该材料的最大次级发射系数可达3.5,超过了材料使用要求的2.0的发射水平。


AXaa060003 钢铁材料形变诱导相变现象研究进展
形 变诱导相变(Deformation Induced Ferrite Transfor-mation)现象的发现是提高传统材料性能研究的重要突破,它的出现为大幅度提升传统金属材料的性能提供了新手段。与传统形变热处理 工艺的不同之处在于,形变诱导相变工艺强调将变形温度控制在Ar3附近,从而使γ→α相变的起始温度高于平衡相变温度。


AXaa060004 钢铁件常温快速发黑研究
分析探讨了钢铁表面发黑的成膜机理,并根据机理,优化了工艺,找出了在常温下得到钢铁优质黑色层之方法。


AXaa060005 钢铁材料形变诱导相变现象研究进展
介绍了形变诱导相变形象的定义和特点,论述了形变诱导超细晶的显微组织和性能特点及其形成机理,同时介绍了形变诱导相变现象在板材轧制工艺中的应用前景。

AXaa060006 黑色金属常温磷化发黑
提 出了一种新型黑色金属常温磷化发黑工艺,研究了影响膜层质量的各种因素。结果表明,常温磷化发黑集常温发黑和常温磷化二者的优点,磷化发黑膜层是磷化膜与 发黑膜协同生长形成的“共生膜”。黑色金属在10-35℃范围内处理6-10min,可以获得防护和装饰性能优良的磷化发黑膜。

AXaa060007 N80油管钢CO2腐蚀点蚀行为
在 模拟油田CO2腐蚀环境下,利用XRD、EDS和SEM研究了N80钢点蚀坑的形成与发展。结果表明,Cl-会在腐蚀产物膜与金属界面处富积成核,加速该 区域的阳极溶解,促使点蚀坑的形核;点蚀坑内也有Cl-富积,在膜与基体界面处形成厚度为3μm的富积层,加速点蚀坑内基体的腐蚀,使得点蚀坑进一步发 展。同时,讨论了阳极反应与点蚀坑形貌之间的关系。

AXaa060008 CO2腐蚀的神经网络分析
利用神经网络的分析方法,对CO2腐蚀进行分析建模,从系统的观点出发,建立了碳钢含碳量、CO2分压、温度、流速与腐蚀速率之间的非线性对应关系,为准确的数学建模、预测设备的使用寿命和相关专家系统的研制开拓了新的思路。

AXaa060009 油田排海污水中H2S的分布及其对平台钢结构设施腐蚀行为的影响
研究了W11-4油田A平台排海污水中H2S、钢桩上附着生物状态以及白色沉积物对平台海域钢结构设施腐蚀与防护的影响,测定了H2S的浓度、分布以及含H2S海水的腐蚀特征,研究了各种附着生物和白色沉积物的状态及组成。

AXaa060010 土壤中SRB及Cl-对1Cr18Ni9Ti不锈钢腐蚀的相互影响
利用交流阻抗测试技术、扫描电镜及表面能谱、失重法、微生物分析等方法,研究了在不同Cl-含量的土壤中,硫酸盐还原菌对1Cr18Ni9Ti不锈钢腐蚀的影响规律。

AXaa060011 结构腐蚀损伤定量预测方法对比研究
用BP 人工神经网络(ANN)算法分别对飞机结构材料、1Cr17不锈钢腐蚀损伤数据进行学习训练,建立了腐蚀损伤与环境条件的映射模型,并预测腐蚀损伤值。分 析了三种预测方法的预测精度。得到了ANN预测的精度比灰色GM(1,1)模型及Logistic模型的预测精度高,且对数据有较好的适应能力的结论;采 用ANN技术定量预测飞机结构腐蚀损伤是一种较好多种方法。

AXaa060012 氯离子侵蚀下钢筋在混凝土中腐蚀行为的EIS研究
应 用电化学阻抗谱(EIS)和氯离子探针技术,研究在氯化物侵蚀作用下混凝土中钢筋的腐蚀行为。结果表明,钢筋混凝土体系的阻抗谱中包含两个时间常数,分别 对应于界面的双电层和钢筋表面的混凝土保护层。自行研制的氯离子探针可连续、无损地测量钢筋/混凝土界面的氯离子浓度。根据腐蚀反应电阻Rct、 Warburg阻抗等元件参数和界面氯离子浓度的变化,讨论了混凝土中钢筋腐蚀发生、发展各阶段界面化学环境及钢筋腐蚀参数的变化规律。

AXaa060013 C和Ti双注入H13钢抗腐蚀钝化层的形成
用 多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀抗,发现注入层表面已经形成了具有一定厚度钝化层。 这种钝化层既能抗酸性腐蚀,又具有优良的抗碱性点蚀特性。测量结果表明,在C注量不变时,增加Ti注量可使抗腐蚀特性增强;而在Ti注量不变时,增加 C注量可使抗点蚀特性增强。

AXaa060014 转炉冶炼过程中合金成分控制模型
通过对转炉冶炼过程脱氧和合金化过程的分析, 采用参考沪次法处理合金元素收得率参数,并采用多元线性规划方法对合金化操作进行最优化计算,得到工程实用的脱氧和合金化控制模型。通过该模型的应用,可 以保证按照各钢种成分要求实现准确、经济地进行转炉出钢时脱氧和合金化操作,使钢水成分达到要求范围,实现钢水的窄成分控制。

AXaa060015 NixZn1-xFe2O4铁氧体畴壁运动阻力函数的研究
研究表明在室温下匀速加场的不同成分NixZn1-xFe2O4铁氧体,其磁化强度的时间变化率曲线随加场速率的变化而不同,这些曲线可用具物理意义的诸参数拟合,依理论分析获得了畴壁运动阻力函数的表达式。

AXaa060016 连铸坯凝固末端位置控制研究
针 对影响连铸坯内部质量的中心缩松、缩孔现象,综合运用数值模拟、实验研究、数理统计等方法,深入分析了连铸过程的主要工艺因素对铸坯凝固及其凝固末端位置 的影响,建立了描述各工艺因素与凝固末端位置关系的数学模型。应用该模型可以合理地控制铸坯的凝固末端位置,为实施电磁搅拌技术提供指导。

AXaa060017 直浇道电磁搅拌对连铸坯凝固组织影响
中缩和偏析缺陷对铸坯质量有很大的影响,在直浇道外施加电磁搅拌可以明显地改善连铸坯的凝固组织,并提高连铸坯的质量。选用低熔点Sn-3.5%Pb合金浇注试样,用实验方法研究直浇道电磁搅拌对铸坯凝固组织的影响,并用数值模拟作为辅助手段分析了影响因素。

AXaa060018 轴承钢屑在中频炉中的熔炼脱碳
通 过正交试验研究了轴承钢屑在中频感应电炉中的熔炼脱碳规律及脱碳措施,结果发现其熔炼过程中的脱碳反应主要集中发生在预热前处理和预热熔化期;脱碳程度随 钢屑的锈蚀程度的加剧而加剧;未经预热前处理的一般轴承钢屑经重熔后,其碳质量分数可从1.0%降至0.6%,若进行熔炼前的预热前处理,则碳质量分数可 降至0.3%,然而,在熔炼氧化期所使用的氧化铁皮进行的氧化脱碳效果有限。

AXaa060019 两种NiCrAlY涂层1050℃恒温抗氧化性能
用 低压等离子喷涂(LPPS)和爆炸喷涂(DS)方法,在镍基单晶高温合金上制备NiCrAlY涂层。涂层在1050℃恒温氧化300h,借助XRD、 SEM和EDS,对涂层表面氧化膜进行分析,检测其恒温抗氧化能力。结果表明两种涂层表面均能形成Al2O3保护膜,二者的氧化动力学曲线均符合抛物线规 律。DS涂层的微孔内含残留气体,涂层内氧化严重,氧化增重大,氧化速率常数近似LPPS涂层的二倍。氧化300h后,DS涂层表面边角处氧化膜有少量剥 落,而LPPS涂层保持完好,只在个别突起处有微小开裂。

AXaa060020 新型铁基非晶合金的研究
研究的新型铁基软磁非晶合金,既具有1.8T的高饱和磁感应强度,又具有相当钴基非晶合金的低的高频损耗、低矫顽力等特性,该合金还克服了超微晶材料的脆性和可加工性差的缺点,可用于直线感应加速器、压缩开关、磁放大器及逆变电源等设备中,命名为1K104。

AXaa060021 石墨炉原子吸收法测定合金钢、铜合金及铝合金中微量钛
拟 定了利用石墨炉原子吸收测定铜合金、铝合金及碳素钢中微量钛的分析方法;从机理上探讨和用实验证明了用热解石墨涂层管比碳化锆涂层处理石墨管、碳化钽涂层 处理石墨管、平台石墨管及标准石墨管测定钛时的灵敏度要高;比较了4种有机试剂对测定型钛的效应;提高灰化温度可以消除Fe,Al,Cu的基体干扰,且不 影响钛的测定。

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 101 LATCH UP 栓锁效应 当VLSI线路密度增加,Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重,且仅发生于 CMOS电路,所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER)LATCH -UP,在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径,有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于 CMOS反向器,如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时,将造成两个晶体管互相导过而短路,严重的话将使IC烧毁,故设计CMOS路防止 LATCH-UP的发生是当前IC界最重要的课题。
  102 LAYOUT 布局 此名词用在IC设计时,是指将设计者根据客户需求所设计之线路,经由CAD(计算机辅助设计),转换成实际制作IC时,所需要之光罩布局,以便去制作光 罩。因此此一布局工作,关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何,因此必须根据一定之规则,好比一场游戏一样,必须循一定之规则,才能顺利完成,而布局 完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。
  103 LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触,以确保反应室内之洁净,降低反应是受污染之程度。一般用于电浆蚀刻及金属溅度等具有真空反应室之设备。
   104 LOT NUMBER 批号 批号乃是为线上所有材料之身份证,KEY IN批号如同申报流动户口,经由COMAX系统藉以管制追踪每批材料之所在站别,并得以查出每批材料之详细相关资料,固为生产过程中之重要步骤。批号为 7,其编排方法如下: X X X X X 年码 流水序号 92 0000193 0000294 00003以下类推※批号之产生乃于最投片时由SMS系统自动产生。
  105 LPCVD(LOW PRESSURE) 低压化学气相沉积 LPCVD的全名是 Low Pressure Chemical Vapor Deposition,即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中,主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
   106 LP SINTER 低压烧结 低压烧结(Low Pressure Sinter, LP Sinter),指在低于大气压力下(一般为 50 Pa或更地),加热组件。目地在使金属膜内之原子,籍由热运动重新排列,以减少原有之晶格缺陷,形成较佳之金属结晶颗粒以增加膜之品质。由于在低压下热传 导之途径主要为辐射(Radiation)而非对流(Convection)或传导(Conduction),因此控温之方式须选以加热线圈为监控温度 (Spike Control)而非实际芯片或管内之温度(Profile Control),以避免过热(Over-Shooting)之现象。
   107 LPY(LASER PROBE YIELD) 雷射修补前测试良率 针测出能够被雷射修补后,产生出全功能的芯片,比便送入雷射修补机,完成雷射修补的动作。此测试时由全功能芯片一开始就是全功能芯片,须要经过雷射修补前 测试,计算出缺陷多寡及位置,以便进行雷射修补,将缺陷较少的芯片修补成全功能芯片。(缺陷超过一定限度时无法修补成全功能芯片)
  108 MASK 光罩 MASK原意为面具,而事实上光罩在整个IC制作流程上,所扮演之角色艺有几分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程,将我们所需要之图形一直复印在芯 片上,制作很多之IC晶方。而光罩所用只对准机台,也分为1X,5X,10X,MASK(即1:1,5:1,10:1)等,而根据其制作之材质又可分为石 英光罩(QUARTY),绿玻璃光罩等。
  109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微,微米 1.定义:Micro为10-6 1 Micro=10- 61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10-6 m又因为1?=10-8㎝=10-10m(原子大小)故1μ=10,000?约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。
  110 MISALIGN 对准不良 1.定义:这层光阻图案和上层【即留在芯片上者】图案叠对不好,超出规格。可依照不同层次的规格决定要不要修改。原因:人为、机台、芯片弯曲、光罩
   111 MOS 金氧半导体 1.定义:构成IC的晶体管结构可分为两型-双载子型(bipolar)和MOS型(Metal-Oxide- Semiconductor)。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大,制造工程也复杂,并不是VLSI的主流,而MOS型是由电厂效应晶体管 (FET)集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后,再由它上面的外加电极(金属或复晶硅)加入电场来控制其动作,制程上比较简单,,。也较不耗电,最早 成为实用化的是P-MOS,但其动作速度较慢,不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后,NMOS的功率消耗还是太大了于是由P- MOS及 N_MOS组合而成速度更高,电力消耗更少的互补式金氧半导体(CMOS,Complementary MOS)遂成为主流。
  112 MPY(MULTI PROBE YIELD) 多功能侦测良率 针测出符合电路特性要求的芯片,以便送刀封包工厂制成内存成品;此测试时得到的良品率称之。每片晶圆上并不是每一个芯片都能符合电路特性的要求,因此须要多功能针测以找出符合要求的芯片。
   113 MTBF(MEAN TIME BETWEEN FAILURE) MTBF为设备可靠度的评估标准之一,其意指设备前后发生故障的平均时间。MTBF时间愈短表示设备的可靠度愈佳,另外MTTR为Mean Time to Repair为评估设备修复的能力。
  114 N2,NITROGEN 氮气 定义:空气中约4/5是氮气。氮气势一安定之惰性气体,由于取得不难且安定,故Fib内常用以当作Purge 管路,除去脏污、保护气氛、传送气体(Carrier Gas)、及稀释(Dilute)用途。另外,氮气在零下196℃(77F)以下即以液态存在,故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用之氮气为厂务提供99.999﹪纯度者,生产线路所用之氮气为瓶装更高纯度者。因氮气之用量可局部反应生产成本,故应节约使用以降低成本。
  115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半导体 1. 定义:一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-㎝以下),因此称之为良导体,而氧化物阻值高至105Ω-㎝以上,称之非导体或绝缘体。若阻值在10- 2~105Ω-㎝之间,则名为半导体。IC工业使用的硅芯片,阻值就是在半导体的范围,但由于Si(硅)是四价键结(共价键)的结构,若参杂有如砷 (As)磷(P)等五价元素,且占据硅原子的地位(Substitutional Sites),则多出一个电子,可用来导电,使导电性增加,称之为N型半导体。若参杂硼(B)等三价元素,且仍占据硅原子的地位,则键结少了一个电子,因 此其它键结电子在足够的热激发下,可以过来填补,如此连续的电子填补,称之为电洞传导,亦使硅之导电性增加,称之为P型半导体。因此N型半导体中,其主要 带电粒子为带负电的电子,而在P型半导体中,则为带正电的电洞。在平衡状况下(室温)不管N型或P型半导体,其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度 增加,另一方即相对减少。
  116 NSG(NONDOPED SILICATE GLASS) 无参入杂质硅酸盐玻璃 NSG为半导体集成电路中之绝缘层材料,通常以化学气相沉积的方式声称,具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。主要应用于闸极与金属或金属与金属间 高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘,并且有助于后绩平坦化制程薄膜的生成。
  117 NUMERICAL APERTURE(N.A.) 数值孔径 1. 定义:NA是投影式对准机,其光学系统之解析力(Resolution)好坏的一项指针。NA值越大,则其解析力也越佳。依照定义,数值孔径 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f换算成照相机光圈值f-number(f/#)可得f/#=f/d=1/2NA(D:镜面直径。f:镜 头焦距。n:镜头折射率。f/#即我们在照相机镜头之光圈值上常见的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是)亦即,镜片越大,焦距越短者,解析 力就越佳,但镜片的制作也就越困难,因为易产生色差(Chromatic Aberration)及像畸变(Distorsion),以CANON Stepper为例,其NA=0.42,换算成照相机光圈,Stepper镜片之昂贵也就不足为奇了。
  118 OEB(OXIDE ETCH BACK ) 氧化层平坦化蚀刻 将Poly-1上之多余氧化层(Filling OX)除去,以达到平坦化之目的。
   119 OHMIC CONTACT 欧姆接触 1. 定义:欧姆接触试纸金属与半导体之接触,而其接触面之电阻值远小于半导体本身之电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。欲形成好的欧姆接触,有两个先决条件:A.金属与半导体间有低的接口能障(Barrier Height)B.半导体有高浓度的杂质渗入(ND>=1018 ㎝-3)前者可使接口电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使接口空乏区变窄,电子有更多的机会直接穿透(Tunneling),而同时Rc阻值降低。若半导体不是硅晶,而是其它能 量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs),则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用),必须于半导体表面参杂高浓度杂质,形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等结构。
  120 ONO(OXIDE NITRIDE OXIDE) 氧化层-氮化层-氧化层 半导体组件,常以ONO三层结构做为介电质(类似电容器),以储存电荷,使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构,其中氧化层与基晶的结合较氮化层好,而氮化层居中,则可阻挡缺陷(如 pinhole)的延展,故此三层结构可互补所缺。
   121 OPL (OP LIFE)(OPERATION LIFE TEST) 使用期限(寿命) 任何对象从开始使用到失效所花时间为失败时间(Time of Failure: TF),对产品而言,针对其工作使用环境(Operation),所找出的TF,即为其使用期限(Operation Life Time)。其方法为:AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
  122 OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在-183℃液化成浅蓝色的液体,在218℃固化。在海平面上,空气中约占20﹪体积的氧,溶于水和乙 醚,不可燃,可以助燃。在电浆光阻去除中,氧气主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中,氧混入CF4气体中,可增加CF4 气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于电浆光阻去除;利用氧气在电浆中产生氧的自由基(RADICAL)与光阻中的有机物反应,产生二氧化碳和水气体蒸 发,达到去除光阻的效果。
  123 P31 磷 ·自然界元素之一。由15个质子及16个中子所组成。·离子植入的磷离子,是由气体PH3经灯丝加热分解得到的3 L P+离子,借着Extraction 抽出气源室经加速管加速后,布植在芯片上。·是一种N-type离子,用做磷植入,S/D植入等。
   124 PARTICLE CONTAMINATION 尘粒污染 尘粒污染:由于芯片制造过程甚为漫长,经过的机器、人为处理操作过程甚为繁杂,但因机器、人为均获多或少会产生一些尘粒,这些尘粒一但沾附到芯片上,集会 造成污染影响,而伤害到产品品质与良率,此即『尘粒污染』,我们在操作过程中应时时防着各项尘粒污染来源。
  125 PARTICLE COUNTER 尘粒计数器 1.定义:快捷方式市之等即是以每立方呎内之为例数为分类标准,而计算微粒数的仪器即称尘粒计数器。
   126 PASSIVATION OXIDE(P/O) 护层 1. 定义:为IC最后的制程,用以隔绝Device和大气2. 目的:因与大气接触,故着重在Corrosion(铝腐蚀)、Crack(龟裂)、Pin Hole(针孔)之防治。除了防止组件为大气中污染之隔绝外,护层也可当作 Metal层之保护,避免Metal被刮伤。3. 方法:护层可分两种材料: A.大部分产品以PSG当护层(P Content 2-4﹪)。 B.少部份以PECVD沉积之氮化硅为之。
   127 P/D(PARTICLE DEFECT) 尘粒缺陷 Particle Defect颗粒缺陷为当今影响4M DRAM制程良率的最大主因,一般而言,particle size如大于design rule的二分之一,足以造成组件的损坏。故在clean room的洁净度要求,操作人员的洁净纪律、设备本身的结构以及制程的条件和设备维修的能力,无一不为了降低particle和提升良率而做最大的努力。
  128 PECVD 电浆CVD 1.定义:CVD化学反应所须知能量可以是热能、光能或电浆。以电浆催化之CVD称作PECVD。PECVD的好处是反应速度快、较低的基版温度及 Step Coverage;缺点是产生较大的应力,现Fib内仅利用PECVD做氮化硅护层。PECVD英文全名为 Plasma Enhancement CVD。
  129 PELLICLE 光罩护膜 一般在光罩过程中,易有微尘掉落光罩上,而使chip有重复性缺陷,故在光罩上下面包围一层膜,称之为 Pellicle。好处如下:1. 微层仅只掉落在膜上,光绕射结果对于此微尘影响图按程度将降至最低。2. 无须经清洗过程而只须用空气枪吹去膜上异物即可将异物(微层)去除。
   130 PELLICLE 光罩保护膜 顾名思义,光罩保护膜之最大功能,即在保护光罩,使之不受外来赃污物之污染,而保持光罩之洁净;一般使用之材料为硝化织微素,而厚度较常用的有 0.28U,0.86U两种。一般而言,可将PELLICLE分为两部分:(I)FRAME:骨架部分,支持其薄膜之支架,其高度称为STAND- OFF,一般而言,愈高其能忍受PARTICLE之能力愈高,但须配合机台之设计使用,(II)FILM:透明之薄膜,其厚度之均匀度,透光率是使用时重 要之参数。PELLICLE之寿命,除了人为损伤外,一般均可曝光数十万次,透光率衰减后才停用并更换。光罩PELLICLE 膜 PARTICLE LENS SYSTEMWAFERPELLICLE面之成像
  131 PH3 氢化磷 1.定义:一种半导体工业之气体,经灯丝加热供给能量后,可分解成P4,PH4、PH2(及H4)。通常31P4最大。可由质谱谱场分析出来,做N-type离子布植用
   132 PHOTORESIST 光阻 光阻为有机材料,系利用光线照射始有机物质进行光化学反应而产生分子结构变化,在使用溶剂使之显像。目前一般商用光阻主要含有二部分(1)高分子树酯 (2)光活性物质,一工作原理不同可分为正,负两类:(1)正型:光活性物质为 DIAZOQUINOUE类,照光前难溶 于碱液中,有抑制溶解树酯功能, 照光后产生羧酸,反有利于碱液 溶解,因此可区分曝光区与非曝光区。(2)负型:光活性物质为DIAZIDE 类, 照后生成及不安定之双电子自由 基,能与高分子树酯键结,而增加 分子量,选择适当溶剂便可区分曝 光区与非曝光区。目前SMIC使用之正、负光阻,皆为适用于G-LINE(436NM)制程之光阻。
  133 PILOT WAFER 试作芯片 Pilot Wafer为试作芯片,并非生产芯片(Prime Wafer)。在操作机器前,为了确定机器是否正常所作的试片,或机器作完维修、保养后所作的测试用芯片均称为Pilot Wafer。由于Pilot Wafer所做出来的结果将决定该批的制程条件。故处理Pilot Wafer时,所抱持的态度必须和处理Prime Wafere一样慎重。
   134 PINHOLE 针孔 在光阻制程所谓的针孔,就是在光阻覆盖时,光阻薄膜无法完全盖住芯片表面,而刘有细小如针孔般的缺陷,再蚀刻制程时,很可能就被蚀刻制程穿透而致芯片的报 废。在以往使用负光阻制程时,由于负光阻粘稠性较大,覆盖较薄,因此容易出现针孔,固有些层次(如CONTACT)必须覆盖两次,才能避免针孔的发生。目 前制程大多使用正光阻,覆盖较厚,已无针孔的问题存在,QC亦不作针孔测试。
  135 PIRANHA CLEAN 过氧硫酸清洗 过氧硫酸(peroxymonosulfuric acid)又称为CARO’s acid,主要由硫酸加双氧水反应声称,反应式如下:H2SO4 + H2O2 ﹤=﹥H2SO5 + H2OH2SO5为一强氧化剂,可将有机物氧化分解为CO2 + H2O,因此在IC制程中常用来去除残留之光阻,另外对金属污染及微尘污染也有相当好的清洗效果。Piranha原意为食人鱼,在这里则是用来形容过氧硫 酸与光阻之间的剧烈反应。
  136 PIX 聚醯胺膜 PIX作用为缓冲护层,可保护CELL于封装时缓冲封装所造成之应力,且可隔绝α – Particle,PIX本身为一负光阻。
   137 PLASMA ETCHING 电将蚀刻 1.定义:在干蚀刻技术中,一班多采用电浆蚀刻与活性离子蚀刻,通常电浆蚀刻使用较高之压力(大于 200mT)及较小之RF功率,当芯片浸在电浆之中,暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻, 此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子及中性基(Radical)等,在纯化学反应中,吾人取中性 基为蚀刻因子,在R.I.E时,取活性离子作为中性因子。
  138 PM(PREVENTIVE MAINTENANCE) 定期保养 设备正常运转期间停机,实施定期(每天、每周、每月或每季等)的设备保养。例如:检修,上油,润滑,更换消耗材等。有良好的PM才能发挥高的设备运转效率,发挥设备最高的使用率。
   139 POCL3 三氯氧化磷 1.定义:一种用作N4扩散之化合物。通常以N2为“载气”(Carrier Gas),带着POCl3和O2(氧气)一起进入高温炉管,然后产生下列反应:4POCl3+3O2 2P2 O5+6Cl25 P2 O5+5Si 4P+5SiO2在反应过程中,磷沉淀于硅表面,同时硅表面亦行成一氧化层。
  140 POLY SILICON 复晶硅 SILICON是IC制造的主要原料之一。通常其结构都是单晶(单一方向的晶体)。而本名词也是 SILICON,只是其结构是复晶结构。及其结晶的结构是多方向的,而非单一方向。POLY SILICON通常用低压化学气相沉积的方法沉积而得。其主要用途在作MOS的闸极极单元的接连。
  141 POX 聚醯胺膜含光罩功能 POX为PIX / PO Reticle Combine之略写,即PIX除具缓冲护层之作用外,同时可做PO Pattern用之光阻。PIX本身为一负光阻。
   142 PREHEAT 预热 1.定义:在3190作金属溅镀时,第一个Station适用来预热芯片。2.目的:2-1使芯片在大气中吸附的气体,藉加热加速其在真空中之排除,溅镀 时可以有较干净之接口。2-2芯片温度高,溅镀之金属原子可以有较高之移动率,而使表面扩散较完全,有较好的表面覆盖性。※但预热的温度有其限制,高的建 度温度使得金属与硅之接触电阻升高,也使得金属突起(Hillock)变的严重,而让表面反射率变差,在金属闸产品,也发现温度不同会造成其临界电压的改 变。
  143 PRESSURE 压力 1. .定义:气体分子撞击反应室之器璧所产生之力量。气体分子越少、压力越低。反之气体分子越多、压力越高。·如压力<大气压力时,表示真空,其压力单 位即为真空度。1大气压=1atm=760mmHg水银柱压力1Torr(扥)=1/760atm= 1mmHg·如压力>大气压力时,即用单位面积所受的重量表示,如㎏/㎝2 或psi(1b(磅)/in2(吋))。一般电浆蚀刻机之压力为 50millitorr~0.5Torr。一般使用之气瓶之压力约为500psi~2000PSI。
  144 REACTIVE ION ETCHING(R.I.E.) 活性离子蚀刻 1. 定义:在电浆蚀刻时,电浆里包含了活性原子、活性离子(正离子)及电子,当压力较低(小于100mT)且气体两端所加之电压购高时,活性离子即被迅速加速 冲向电极上之芯片,而撞击晶面上暴露在电浆中的表层,将表层之原子击出,再与活性原子反应因而造成蚀刻,此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。目前我们已有的 R.I.E蚀刻机台为8110、8130、8330等。
  145 RECIPE 程序 PECIPE在字典的解释是医生的处方、厨师的食谱。在IC制程中则意指制程的程序。IC制造中各个步骤都有不同的要求:如温度要多少?某气体流量多少?反应室的压力多少?等等甚多的参数都是PECIPE内容的一部份。
   146 REFLOW 回流 回流是IC制造中医种特殊技术。做法是将磷或硼或两者合一,参入二氧化硅中(常用CVD方式)。之后将芯片推入高温炉管一段时间,该二氧化硅层(PSG BPSG或BSG)即会『流动』,使芯片表面变得较平坦。此即回流平坦化技术。回流取该氧化层『重新流动』之意。
  147 REGISTRATION ERROR 注记差 1. 定义:IC芯片的两个层次之间,必须要正确地叠在一起,此二层次图案完全正确对准之差距,即称为Registration Error。
   148 RELIABILITY 可靠性 可靠性实在有很多方法来描述,但我们指针对两个观点来讨论。一般来说,可靠性就是客户对我们SMIC的产品,再他们使用一段很长的时间之后,仍能符合他们 的信赖与期待。更精确的描述就是我们SMIC的产品在我们所要求的特殊环境的测试,经过一段很长的时间之后,仍能确保IC功能、函数的正常操作及称为可靠 性合格产品。测试的项目很多,半总离不开电压、温度、湿度、机械应力及压力等。
  149 REPEAT DEFECT 重复性缺点 1. 定义:重复性缺点系指同一芯片内每一个曝光区的相同位置均出现相同之缺点。重复性缺点仅发生于Stepper曝光之产品。重复性缺点所产生的现象可分为两 种:A.光罩图案缺失:造成芯片图案缺失。B.光罩表面或Pellicle表面污染:造成重复性显影不良。重复性缺点对产品良率有很大的杀伤力,例如一个 曝光区内有八个晶方,若有一个晶方图案有缺失,就会造成产品良率1/8之损失。因此重复性缺点是VLSI的头号杀手
  150 RESISTIVITY 阻值 1. 定义:物理学上定义阻值(Ω,即欧姆)为R=△V/I在物体两截面上通以定电流V,量得电压降△V,则 △V/I即为这物体的阻值。但在半导体工业上,这样地易阻值并无太大实用价值。我们只关心芯片表面薄薄一层“动作区”的阻值。于是另外定义一“薄层阻 值”,以四点针测的方法量取△V及I。Rs=△V/I(Ω/□)定义为芯片的阻值。
  151 RESOLUTION 解析力 1. 定义:解析力在IC制程的对准及印刷(Align & Print)过程中站着相当重要的地位,尤其演进到VLSI后,解析力的要求就更高了。它是对光学系统(如对准机、显微镜、望远镜等)好坏的评估标准之 一,现今多以法国人雷莱(Rayleigh)所制定的标准遵循之。物面上两光点经光学系统头于成像面上不会模糊到只被看成一点时,物面上两点间之最短距 离。若此距离越小,则解析力越大。(通常镜面大者,即NA大者,其解析力也越大)解析力不佳时,例如对准机对焦不清时,就会造成CD控制不良,Metal 桥接,Contact瞎窗或开窗过大等。
  152 RETICLE 光罩 为使IC各个线路在芯片上成形(PATTERN),则必须有规范露光及遮光区域(规范曝光成形)的赵子,此称为光罩。
   153 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过 修改:分ADI修改,AEI修改ADI修改:将光阻去除,重新上新光阻,已定义新的或精确的图形。AEI修改:将已沉积或氧化的厚厚或薄层去除,重新沉积 或氧化。报废:芯片受污染或流程不合规范上之规定,造成芯片有无良率之可能,则停止流程不继续生产谓之。签过:当芯片流程至某步骤时,发现图形或规格不合 于规范内之规定,但其影响不致使芯片达报废之程度,可由工程师签署,继续流程。
  154 RUN IN/OUT 挤进/挤出 1. 定义:对准不良的一种;挤进(Run in):不管是在水平或垂直方向,芯片中央附近对准良好,而两边图案向中央挤进。挤出(Run out):不管是在水平或垂直方向,芯片中央附近对准良好, 而两边图案向中央挤出。
  155 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面,此种P/D可刷洗去除,避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质,及机台的特性不同,通常我们有下列5种不同刷洗方式:- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗
  156 SAD(SOFTWARE DEFECT ANALYSIS) 缺陷分析软件 将每片晶圆及芯片上的缺陷送入计算机中,利用缺陷分析软件,将缺陷分类,一便利统计及分析的工作。目前89%微缩型产品分类如下: SBIT PSG PBTL CLTT OTHTPROW HROW SROW FROW 2ROWNROW OCL1 OCL2 QCL1 QCL2HCL1 HCL2 OTCO WCL1 WCL2YSEL NCOL LCIO BLK1 BLK2BLK3 OTHR APEO RWCL 目前HYDRA产品分类如下: SBIT PBCT PBTL CLTT OTHTPRW1 PRW2 PRW3 FROW 2RW12RW2 NRW1 NRW2 OCL1 OCL2QCL1 QCL2 HCL1 HCL2 WCL1WCL2 YSEL NCOL APED RWCLBLK1 BLY2 BLK3 OTHR (以上均为分类时使用之表示名称)
  157 SEM(SCANNING ELECTRON MICROSCOPE) 电子显微镜 EM最常用之运作方式为发射电子束方式(EMISSIVE MODE),电子油灯丝放出,而由5~30KV之电压加速,再经过电磁透镜使电子束聚集照射至试片表面。一般使通过扫描线圈之电流同时通过相对应之阴极射 线管偏折电子束,而在萤光幕上产生相似而较大之扫描动作,达到放大之作用。扫描式电子显微镜的解像能介于光学显微镜与穿透式电子显微镜之间,可用于检验固 体试片,由于视野纵深长,可显示清晰三度空间像。
  158 SELECTIVITY 选择性 1. 定义:两种材料,分别以相同的酸液或电浆作蚀刻,其两种蚀刻率之比值谓之。例如复晶电浆蚀刻:对复晶之蚀刻率为2000?/min对氧化层之蚀刻率为 200 ?/min则复晶对氧化层之选择性:SS=2000?/min/200 ?/min=10选择性越高表示蚀刻特性越好。一般干事实刻选择性较化学湿蚀刻为差,吾人取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层,而 不会商道上层光阻或下层氧化层,以确保蚀刻之完整性。
  159 SILICIDE 硅化物 一般称为硅化物(Silicide),指耐火金属(Refratory Metal)之硅化物,如钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)等与元素硅(Si)结合而成之化合物(TiSi2、Wsi2、MoSi2)。硅化物应用在组件 之目的,主要为降低金属与硅接口]、闸极或晶体管串联之阻抗,以增加组件之性能。以钛之硅化物为例。
  160 SILICIDE 金属硅化物 1. 定义:Silicide通常指金属硅化物,为金属与硅之化合物。2. 目的:在微电子工业硅晶集成电路中主要用为2-1导体接触(Ohmic Contact)2-2单向能阻接触(Schottky Barrier Contact)2-3低阻闸极(Gate Electrode)2-4组件间通路(Interconnect)在VLSI(超大规模集成电路)时代中,接面深度及接口接触面积分别降至次微米及 1~2平方毫米,以往广泛应用为金属接触的Al,由于严重的川入半导体问题,在VLSI中不再适用。再加上其它技术及应用上的需求,金属硅化物在集成电路 工业上日亦受到重视。由于集成电路中之金属硅化物限于近贵重(Pt,Pd、Co、Ni、…)及高温金属(Ti、W、Mo、Ta)硅化物。
   161 SILICON 硅 硅-SI(全文SILICON)为自然界元素之一种,意即我们所使用的硅芯片组成元素,再元素周期表中排行14,原子量 28.09,以结晶状态存在(重复性单位细胞组成),每一单位细胞为由一个硅原子在中心与其它4个等为硅原子所组成之四面体(称为钻石结构)如图标中心原 子以其4个外围共价电子与邻近之原子其原型或其价件之结合。硅元素之电子传导特性介于金属导体与绝缘体材料之间(故称为半导体材料),人类可经由温度之变 化、能量之激发及杂质参入后改变其传导特性,再配合了适当的制程步骤,便产生许多重要的电子组件,运用在人类的日常生活中。
  162 SILICON NITRIDE 氯化硅 氮化硅是SixNY的学名。这种材料跟二氧化硅有甚多相似处。氮化硅通常用低压化学气相沉积法或电浆化学气相沉积法所生成。前者所得之薄膜品质较佳,通常 作IC隔离氧化技术中的阻隔层,而后者品质较差,但因其沉积时温度甚低可以作IC完成主结构后的保护层。
  163 SMS (SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS) 半导体制造系统 此SMS – 半导体制造系统为德州仪器公司(TI)为辅助半导体的生产制造而发展出的——计算机软件系统,其主要功能包含有:1) 制程变更控制2) 制程数据搜集与统计图表3) 制程与操作规格制定4) 机台维护追踪5) 生产计划制定6) 线上统计报表7) 在制品操作与追踪8) 自动化系统接口
  164 SOFT WARE, HARD WARE 软件 ,硬件 1. 定义:大略而言,所谓硬件可泛指像PC-BOARD,机台外壳等一些零组件;而软件一般指运用程序,指令一套完整之控制系统,可经由程序、指令之修改而修 改,以人为例子,软件就好比脑中之记忆、思想,可控制整个身体各部分之动作,而硬件就好比人的手、足、眼、耳等器官;由以上之比喻,可知道软件、硬件是相 辅相成,缺一不可。近来尚有一种介于Software、Hardware 之间,称为Firm-Ware,他的功用,,就相当于把软件写入硬件(比如PROM),以加快速度,因此软、硬件间的区分也变得较不明显了。
   165 S.O.G.(SPIN ON GLASS) 旋制氧化硅 旋制氧化硅(Spin on Glass)是利用旋制芯片,将含有硅化物之溶液均匀地平涂与芯片上,在利用加热方式与溶剂驱离,并将固体硅化物硬化程稳定之非晶相氧化硅。其简单流程如 下:旋转平涂→加热烧烤→高温硬化(~450℃)旋制氧化硅是应用在组件制造中,金属层间之平坦化(Planization)。以增加层与层之间的结合特 性,避免空洞之形成及膜之剥裂。
  166 S.O.J.(SMALL OUTLINE J-LEAD PACKAGE) 缩小型J形脚包装IC 因外脚弯成“J”字形,且外伸长度较一般I.C.为小儿得名。是记忆I.C.的普遍化包装形态,为配合表面粘着技术的高集积度要求而诞生。
   167 SOLVENT 溶剂 1. 两种物质相互溶解成一种均匀的物质时,较少的物质被称为溶质,较多的物质被称为溶剂。例如:堂溶解于水中,变成糖水,则糖为溶质,水为溶剂,缓和的结果称 为溶液。2. 溶剂分有机溶剂与无机溶剂两种: 2-1有机溶剂:分子内含有碳原子的称为有机溶剂,例如丙酮 (CH3COCH3)、IPA(CH3CHOHCH3)。2-2无机溶剂:分子内不含有碳原子的称为无机溶剂,例如硫酸(H2SO4),氢氟酸(HF) 3. 在FIB内所通称的溶剂,一般是只有机溶液而言。
  168 SPECIFICATION(SPEC) 规范 规范是公司标准化最重要的项目之一,它规定了与生产有关事项的一切细节,包括机台操作、洁净室、设备、保养、材料、工具及配件、品管、可靠性、测试…等 等。IC制造流程复杂。唯有把所有事项钜细靡遗的规范清楚并确实遵照规范执行,检讨规范是否合理可行,相关规范是否有冲突,已达自主管理及全员参与标准化 之目的。
  169 SPICE PARAMETER SPIC参数 1. 定义:SPICE是一个分析非线性DC、非线性瞬间AC和线性AC行为的电路仿真程序。其由各种不同的半导体组件模式计算之,有DIODES、 BJT’S、JFET’S、MOSFET’S等,利用此种模式计算仿真实际半导体电路的工作情形。而使用于这些模型上的计算参数统称「SPICE参数」。 目前由于公司使用之模式为HSPICE Level 2,故一般常说之SPICE参数,即指 Design Rules所提供之HSPICE Level 2中MOSFET所用到的参数。
  170 S.R.A(SPREADING RESISTENCE ANALYSIS) 展布电阻分析 在下列一些情况,可利用S.R.A.方法来得到其Resisitivity:(1) n on n+ layer, p on p+ layer(2) n on p layer, p on n layer(3) depth profiling(4) lateral profiling(5) very small areas 在测量Resistivity的方式有很多,但若要降低校正,则一定要使用到Point-Contact Probe的展布电阻。
  171 SPUTTERING 溅镀 溅镀乃是带能量的离子撞击物体,致使表面的原子飞散出来,附着于基板上形成薄膜之现象。当所加电流为直流时,称为直流溅镀(D.C SPUTTERING):所加电流为射频时,称为射频贱镀(RADIO FREQUENCY SPUTTERING)。基于经济及效率观点,氩气为最常使用之气体。当氩气被快速电子碰撞时产生氩离子,此时电子数目增加并且同时受电场再加速,以便再 次进行游离反应,如此不去如同雪崩(AVALANCHE)一样产生辉光放电(GLOW DIS CHARGE),氩气离子受阴极(靶材)吸引,加速碰撞靶材,将表面原子打出而吸附在基本上。由于溅镀有薄膜厚度容易控制、组织均匀、表面相当平滑等优 点,因此被电子工业广泛地使用。
  172 SSER(SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST) 系统暂时性失效比率测试 Soft Error为所有发挥性组件之共有特性。对DRAM而言,每记忆细胞(Memory Cell)所存电荷(charge-to-sense)存在一刻开关的接面(junction),以空乏(depleted)的状态存在。当该细胞有高能 粒子源(e.g. α-particle From molding compound),使所存电荷消失或减少到无法侦测时,该细胞便暂时消失。
   173 STEP COVERAGE 阶梯覆盖 STEP COVERAGE』系冷指芯片上各层次间各项薄膜、沉积材料等,当覆盖、跨越过底下层次时,由于底下层次高低起伏不一及有线条粗细变化,会造成此薄膜、沉 积材料在产品部分区域(如高低起伏交界处)覆盖度会变差,此变差的程度,即为『STEP COVERAGE』一般系以厚度变化比表示: STEP COVERAGE =厚度最薄处/厚度 最厚处此比例越接近1越佳,反之越差,正常言均应达50﹪以上。
  174 STEPPER 步进式对准机 1. 定义:Stepper(步进式对准机)系Stepprojection aligner 之简称。 Stepper与Project aligner原理类似,只是将每片芯片分为20~60次曝光完成。Stepper使用自动对准,不但迅速、精确,且可使用计算机计算、补偿。对准方式可 分为Global、Die by Die、Advanced Global Alignment,此三种方式均可补偿因芯片形变造成之对准不良(如Run in/Run out)。Stepper亦可按缩影比例,分为1X、5X、10X三种。以最常见之5X为例,光罩上一条5u之直线,曝在芯片上,仅1μ而已。
   175 SURFACE STATES 表面状态 1.定义:表面状态是介在Si-SiO2接口的政电荷,也叫做Interface States。形成表面状态的原因,是作氧化步骤时Si会从表面移去而与O2反应。当氧化停止时,有些离子Si会留在靠近接口处。这些为完全键结的Si离 子会沿着表面形成一条正电荷QSS。电荷大小决定于下列因素:氧化速度、后续热处理步骤及Crystal Orientation。在{111}表面,良好的氧化步骤下,其表面状态密度约为5×10 10 charges/㎝2(i.e.Qs s=5×1010q)。而对于{100}的表面状态密度约为{111}表面的1/3。
  176 SWR(SPECIAL WORK REQUEST) SWR为特殊工作要求单。生产线为了区划正常流程芯片和工程实验芯片,将工程师依规定申请实验的芯片批称为SWR Lot,通常SWR Lot是用来解决制程问题,或评估新机器、制程而试作的芯片。
  177 TARGET 靶 一般用在金属溅镀(SPUTTERING)也就是以某种材料致造成各种形状,因此『靶』当作金属薄膜溅镀之来源。
   178 TDDB(TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN) 介电质层崩贵的时间依存性 利用介电质崩溃时间(Time to Breakdown)TBD与外加电场(电压)的线性模型,作加速测试(Accelerated Test),对产品(介电质)寿命(Life Time)作一估算。TBD α e – β Eox ……….(1)AF = e – β (Eext – Eop) ……(2) Life Time = T-50 * AF …(3)
  179 TECN(TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE) 临时性制程变更通知 随时工程变更通知(ECN)为工程师为了广泛收集资料,或暂时解决制程问题,而做的制程变更,此一临时性的变更将注明有效期限,以利生产作业。
   180 TEOS(TETRAETHYLOR THOSILICATE) 四乙基氧化硅 1. 化学式:Si (OC2 H5)4,与常温下伟业体态。2. 用途:与经化学反应后,可生成一层二氧化硅,在IC里通常被当作绝缘层使用。3. 反应方式:- 高温低压分解反应- 高温加入触某媒分解反应 - 电浆促进分解反应
  181 THRESHOLD VILTAGE 临界电压 定义:当我们在MOS晶体管之源极(Source)和汲极(Drain)加一个固定偏压后,再开始调整闸极(Gate)对基质(Substrate)的电 压,当闸极电压超过某一个值之后,源极和汲极就会产生电流而导通,则我们就称此时的闸极电压称为临界电压(Threshold Voltage)。NMOS晶体管的临界电压相对于基质为正。PMOS晶体管的临界电压相对于基质为负。一般在制程上我们会影响临界电压的因素主要有二: A闸极氧化层厚度:Gate Oxide越厚,则VT(绝对值)越高。B基质渗杂的浓度:VT值入Dose越高,则 VT越高。
  182 THROUGH PUT 产量 1. 定义:Through Put为单位工时之产出量,例如某机器每小时生产100片,则称其 Through Put为100片/每小时。如果每天运作21小时,则每天的Through Put为2100片/天。IC工业系许多昂贵且精密的设备投资,故必须充分利用,维持生产的顺畅,发挥其最大的效能。故高的Through Put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥其最大产能外,必须要配合人为的力量:如流程安排、故障排除、…等,亦即必须“人机一 体”才能发挥生产的整体效益,达到最高的生产力。
  183 TMP(TI MEMORY PROTOTYPE,TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT) TI 记忆产品样品(原型),TI内存标准产品 在TI的产品出货控制(Productor Outgoing Control)中,以Qualification(资格审定)为期里程碑:(1) Qual以前:均为TMP产品。(2) Qual以后:分为TMS-A,TMS-B,TMS-C及Special,其可靠度保证。
  184 TOX 氧化层厚度 TOX系THICKNESS OF OXIDE之缩写,即一般所谓氧化层厚度。通常于氮化硅蚀刻、复晶及接触窗蚀刻完,均需作TOX之测量。藉以确认该层次蚀刻完是否有过蚀刻或蚀刻不足之现象。
   185 TROUBLE SHOOTING 故障排除 1. 定义:在生产过程,因为4M ,即设备、材料、人为、方法等,造成之一切问题而阻碍生产,例如:机器当机、制程异常…等。工程人员解决以上发生的问题,使这些“障碍”消弭于无形谓之 Trouble Shooting,故障排除。
  186 UNDERCUT 底切度 1. 定义:所谓“底切度”(Undercut),乃是蚀刻时的专用术语,简单的说,Undercut便是原来所定义出来的图形间偏离度的大小。对于等向性蚀刻 (Isotropic Etching)Undercut较大,而对于完全非等向性蚀刻(Full Anisotropic Etching),其Undercut等于零,亦即能忠实地将原图形复制出来。
  187 UNIFORMITY 均匀度 1. 定义:均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在IC制程中,常用以表示薄膜 厚度,线宽(C.D)在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下:如测量芯片内上中下左右与5点数据,5点平均值。X=X1+X2+X3+X4+ X5/5均匀度Uniformity=X m a x-X m 1m/2X×100﹪例如测量T0x厚度共五点分布如下:510、525、540、515、520?则均匀度=540-510/2×522(平均值)× 100﹪=2.8﹪均匀度越小,表示各点变化越小。亦即表示芯片制程品质较佳,也是制程能力越好的表现
  188 VACUUM 真空 1. 定义:真空系针对大气而言一特定空间内的部分气体被排出,其大气小于一大气压。表示真空的单位相当多,在大气的情况下,通称为一大气压,也可表示为 760torr或760mmHg或14.7psi。真空技术中将真空一压力大小分为四个区域:A粗略真空(Rough Vacuum)B中度真空(Medium Vacuum)C高真空(High Vacuum)D超高真空(Ultra- High Vacuum)2. 方法:在不同真空,气体流动的形式与传导性等均有所差异,,简略而言:在粗略真空气体的流动称之为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁,且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围,气体流动称为分子流(Molecular Flow),其气体分子间碰撞较少,且少于气体与管壁碰撞的次数,气体分子运动为随意方向,不受抽气方向影响。在热导性方面:中度真空之压力范围其与压力 成正比关系,粗略真空与高真空区域则无此关系。
  189 VACUUM PUMP 真空帮浦 凡能将特定空间内的气体去除以减低气体分子数目,造成某种程度只真空状态的机件,通称为真空帮浦。目前生产机台所使用的真空帮浦可分为抽吸式:旋片帮浦 (ROTARY PUMP)、鲁是帮浦(ROOTS PUMP),活塞帮浦(PISTON PUMP)、扩散帮浦(DIFFUSION PUMP)。储气式:冷冻帮浦(CRYO PUMP)、离子帮浦(ION PUMP)。
  190 VERNIER 游标尺 1. 定义:用来读取曝光制程中,本层次与前面层次之对准情形是否良好。目前公司所用之游标尺,在读取之分辨率上可分为每格0.2μ及每格0.1μ者。目前只用 在步进式对准机中以得到更佳之分辨率。游标尺之设计因人而异,因此在读取时是否方便、容易,端赖设计上之是否周详。
  191 VIA CONTACT 连接窗 『VIA CONTACT』连接窗,系指相同两层材质之间,如POLY(一)与POLY(二)之间, METAL(一)与METAL(二)之间欲直接相联系时,必须在制程上挖出下层(如POLY(一),METAL(一)),窗来,让上层(如POLY (二),METAL(二)能与下层相通)此窗即为连接窗,一般此做法系为节省晶方面积而设计,但因多了一层的关系,制程上会较复杂,我们 DOUBLE METAL或DOUBLE POLY 制程即为一例。
  192 VISCOSITY 黏度 『粘度』一词专用于液体,意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直),液体就会产生变形,所以便定义『粘度』来表示液体产生变形程度的大 小。粘度是可以调整的,因为液体受切应力而变形是巨观行为的表现,所以在液体完全兼容前提下,可以加入不同粘度的溶剂来调整粘度。
  193 VLF(VERTICAL LAMINAR FLOW) 垂直流层 在流体的流动状态中,可分为层流(Laminar Flow)及齐流(Turbulent Flow)两种。一名叫Osborne Reynold的人利用一简易的实验将其界定,而雷诺数即为层流及齐流的界定值。一般流体流速较快者其流线(streamiline)分子易受干扰,且雷 诺数大易形成齐流 ,反之,则易形成层流。(雷诺数 = 惯性力 / 粘滞力)在无尘室芯片制造场所内,其气流为稳定之层流,如此可将人员、机台等所产生之微尘带离。若为齐流,则微尘将滞留不去。因此在无尘室内机台的布置及 人员的动作都以尽量不使空气流线产生齐流为原则。
  194 WELL/TANK 井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体管),常作两型(N及P)相接的方式,即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET,就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。
   195 WLRC(WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL) 晶圆层次(厂内)可靠度控制 WLRC是取代“End-of -line-reliability”的一种全新的可靠度监控方式,主要分为物性(In-line Scrap),如厚度、材料、应力、接触窗覆盖率;另有电性(成品Scrap),如TDDB,CHC EM Stress等。兹比较如下: Charactoristic 1. 回馈(Feedback)时间2. 真正原因的回馈性3. Wafer Level Qual与Design-in-Reliability的应用4. 产品报废5. 加速系数及准确性WLRC1. 快,使产品损失减到最低2. 良好,能马上找出问题所在3. 卓越4. 较多5. 高,较差End-OF-Line- Reliability1. 慢,出问题时已大量产品被影响2. 困难,因包装后产品的Data Association(资料联结性)已破坏,不易找出真正原因。3. 困难4. 少5. 低,高
  196 WLQC(WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ) 晶圆层次(厂内)品质控制 先定义:客户眼中的品质:产品有问题,就是品质不良我们眼中的品质:出厂前看得到,量得到的问题,才是品质(Quality)我们眼中的可靠度:出厂前看 不到,又不能直接量得到的问题,在客户手中欲发生问题,是可靠度(Reliability)所以,WLQC是针对一切厂内可直接测之(time-zero measurement),对品质有所影响的参数进行筛选及分类。对外,使出货品质分布集中、均匀(假设某可靠特性不变)。对内,回馈厂内,增进制造品 质。
  197 X-RAY LITHOGRAPHY X光微影技术 1. 定义:在次微米微影成像技术中,X-射线微影技术备受瞩目。由于X-射线之波长甚短(约4~10?),故可得甚佳之解析力,同时亦无干涉及绕射现象,因此 可制作次微米线宽之IC图案。这种以X-射线为曝光光源之微影技术目前仍在开发中。由于X-射线穿透力甚强,,其光照图案不再是铬膜,而是一般大都为 “金”。
  198 YELLOW ROOM 黄光室 黄光室(Yellow Room)就是所有光源(照明用)均为黄色光波波长者之区域。由于IC晶方内之图案均有赖光阻剂(Photo resist)覆盖在芯片上,再经曝光,显影而定型;而此光阻剂遇光线照射,尤其是紫外线(UV)即有曝光之效果,因此在显影完毕以前之生产,均宜远离此 类光源。黄光之光波较长,使光阻剂曝光之效果很低,因此乃作为显影前之照明光源。
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轉述:
计算附加链杆中产生的反力时,从图8-8(d)、(e)、(c)中取横梁ABC部分为隔离体,受力见图8-9(d)、(e)、(f)。用投影方程,可求得相应的系数和自由项:

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