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金属硅(Si)是工业提纯的单质硅,主要用于生产有机硅、制取高纯度的半导体材料以及配制有特殊用途的合金等。

(1)生产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅
硅橡胶弹性好,耐高温,用于制作医疗用品、耐高温垫圈等。

硅树脂用于生产绝缘漆、高温涂料等。

硅油是一种油状物,其粘度受温度的影响很小,用于生产高级润滑剂、上光剂、流体弹簧、介电液体等,还可加工成无色透明的液体,作为高级防水剂喷涂在建筑物表面。

(2)制造高纯半导体
现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的,而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料,可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。

(3)配制合金
硅 铝合金是用量最大的硅合金。硅铝合金是一种强复合脱氧剂,在炼钢过程中代替纯铝可提高脱氧剂利用率,并可净化钢液,提高钢材质量。硅铝合金密度小,热膨 胀系数低,铸造性能和抗磨性能好,用其铸造的合金铸件具有很高的抗击冲击能力和很好的高压致密性,可大大提高使用寿命,常用其生产航天飞行器和汽车零部 件。

硅铜合金具有良好的焊接性能,且在受到冲击时不易产生火花,具有防爆功能,可用于制作储罐。

钢中加入硅制成硅钢片,能大大改善钢的导磁性,降低磁滞和涡流损失,可用其制造变压器和电机的铁芯,提高变压器和电机的性能。

随着科学技术的发展,金属硅的应用领域还将进一步扩大。




结晶型的硅是暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应。

硅的用途:

①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。

② 金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点, 又弥补了两者的先天缺陷。可应用于军事武器的制造第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成 的外壳。

③光导纤维通信,最新的现代通信手段。用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传 输,代替了笨重的电 缆。光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变。

④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一 劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外 表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化。天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清 新。

发现

1822年,瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅,得到了单质硅。

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名称由来

源自英文silica,意为“硅石”。

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分布

硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中,约占地表岩石的四分之一,广泛存在于硅酸盐和硅石中。

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制备

工业上,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得。

化学反应方程式:

SiO2 + 2C → Si + 2CO

这 样制得的硅纯度为97~98%,叫做金属硅。再将它融化后重结晶,用酸除去杂质,得到纯度为99.7~99.8%的金属硅。如要将它做成半导体 用硅,还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式,再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅,则需要进行进一步的提纯处理。

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同位素

已发现的硅的同位素共有12种,包括硅25至硅36,其中只有硅28,硅29,硅30是稳定的,其他同位素都带有放射性。

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用途

硅是一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路。还可以合金的形式使用(如硅铁合金),用于汽车和机械配件。也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中。还可用于制造玻璃、混凝土、砖、耐火材料、硅氧烷、硅烷。

硅的特性 铝 - 硅 - 磷







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元素周期表

总体特性

名称, 符号, 序号 硅、Si、14

系列 类金属

族, 周期, 元素分区 14族(IVA), 3, p

密度、硬度 2330 kg/m3、6.5

颜色和外表 深灰色、带蓝色调

地壳含量 25.7%

原子属性

原子量 28.0855 原子量单位

原子半径(计算值) 110(111)pm

共价半径 111 pm

范德华半径 210 pm

价电子排布 [氖]3s23p2

电子在每能级的排布 2,8,4

氧化价(氧化物) 4(两性的)

晶体结构 面心立方

物理属性

物质状态 固态

熔点 1687 K(1414 °C)

沸点 3173 K(2900 °C)

摩尔体积 12.06×10-6m3/mol

汽化热 384.22 kJ/mol

熔化热 50.55 kJ/mol

蒸气压 4.77 帕(1683K)

声速 无数据

其他性质

电负性 1.90(鲍林标度)

比热 700 J/(kg·K)

电导率 2.52×10-4 /(米欧姆)

热导率 148 W/(m·K)

第一电离能 786.5 kJ/mol

第二电离能 1577.1 kJ/mol

第三电离能 3231.6 kJ/mol

第四电离能 4355.5 kJ/mol

第五电离能 16091 kJ/mol

第六电离能 19805 kJ/mol

第七电离能 23780 kJ/mol

第八电离能 29287 kJ/mol

第九电离能 33878 kJ/mol

第十电离能 38726 kJ/mol

最稳定的同位素

同位素 丰度 半衰期 衰变模式 衰变能量

MeV 衰变产物

28Si 92.23 % 稳定

29Si 4.67 % 稳定

30Si 3.1 % 稳定

32Si 人造 276年 β衰变 0.224 32P

核磁公振特性

29Si

核自旋 1/2

元素名称:硅

元素原子量:28.09

元素类型:非金属

发现人:贝采利乌斯 发现年代:1823年

发现过程:

1823年,瑞典的贝采利乌斯,用氟化硅或氟硅酸钾与钾共热,得到粉状硅。

元素描述:

由 无定型和晶体两种同素异形体。具有明显的金属光泽,呈灰色,密度2.32-2.34克/厘米3,熔点1410℃,沸点2355℃,具有金刚石的 晶体结构,电离能8.151电子伏特。加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一 般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。硅在自然界分布很广,在地壳中的原子百分含 量为 16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素,以石英砂和硅酸盐出现。

元素来源:

用镁还原二氧化硅可得无定形硅。用碳在电炉中还原二氧化硅可得晶体硅。电子工业中用的高纯硅则是用氢气还原三氯氢硅或四氯化硅而制得。

元素用途:

用于制造高硅铸铁、硅钢等合金,有机硅化合物和四氯化硅等,是一种重要的半导体材料,掺有微量杂质得硅单晶可用来制造大功率的晶体管,整流器和太阳能电池等。

元素辅助资料:

硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成一切有机生命的基础,那么硅对于地壳来说,占有同样的位置,因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的。这些岩石几乎全部是由硅石和各种硅酸盐组成。

长石、云母、黏土、橄榄石、角闪石等等都是硅酸盐类;水晶、玛瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。但是,硅与氧、碳不同,在自然界中没有单质状态存在。这就注定它的发现比碳和氧晚。

拉瓦锡曾把硅土当成不可分割的物质——元素。

1823年,贝齐里乌斯将氟硅酸钾(K2SiF6)与过量金属钾共热制得无定形硅。尽管之前也有不少科学家也制得过无定形硅,但直到贝齐里乌斯将制得的硅在氧气中燃烧,生成二氧化硅——硅土,硅才被确定为一种元素。硅被命名为silicium,元素符号是Si。

【gui】



silicon;



guī

〈名〉

一 种四价的非金属元素,以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得的,主要以合金的形式使 用(如硅铁合金),也与陶瓷材料一起用于金属陶瓷中,或用作半导体材料(如在晶体管中)和光生电池的元件 [silicon]――元素符号Si

硅谷

guīgǔ

[Silicon Valley] 美国的高技术密集型新兴城市,位于旧金山南边的圣克拉拉县圣克拉拉谷,以从事半导体-电子工业生产闻名,故称。后泛称新兴专业性科学城区

硅酸盐

guīsuānyán

[silicate] 具有硅酸根的盐,是构成地壳的主要成分。有稳定的化学性质,其硬度大、耐火,可用于制造耐火材料、玻璃、陶瓷、水泥等



guī ㄍㄨㄟˉ

一种非金属元素,是一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路。旧称“矽”。

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一、选择题
1、精车45钢轴应选用( )牌号的硬质合金车刀。
(A) YG3 (B) YG8 (C)YT5 (D)YT15
2、图样中所标注的尺寸,为零件的( )完工尺寸。
(A)第一道工序; (B)最后一道工序; (C)第二道工序; (D)不确定。
3、切削平面、基面和主截面三者的关系总是( )的。
(A) 相互垂直 (B) 相交 (C)相互平行 (D)相互倾斜
4、( )指令主要用于机床加工操作时的工艺性指令。
(A)、控制 (B)、准备 (C)、辅助 (D)、插补
5、可转位刀片法后角代号N表示法后角为( )。
(A) 0o (B) 10o (C) 7o (D)15o
6、车削用量的选择原则是:粗车时,一般( ),最后确定一个合适的切削速度v。
(A)应首先选择尽可能大的吃刀量ap,其次选择较大的进给量f
(B)应首先选择尽可能小的吃刀量ap,其次选择较大的进给量f
(C)应首先选择尽可能大的吃刀量ap,其次选择较小的进给量f
(D)应首先选择尽可能小的吃刀量ap,其次选择较小的进给量f
7、精车时的切削用量,一般是以( )为主。
(A) 提高生产率 (B) 降低切削功率 (C) 保证加工质量 (D)提高表面质量
8、传动螺纹一般采用( )。
(A)普通螺纹 (B)管螺纹 (C)梯形螺纹 (D)矩形螺纹
9、采用机械加工方法,直接改变毛坯的形状、尺寸、相对位置和性质等,使之成为成品或半成品的过程为( )。
(A)生产过程 (B) 机械加工工艺过程 (C) 机械加工工艺规程 (D)粗车
10、 以下不属于齿轮传动特点的是( )。
(A)传动比稳定 (B)结构紧凑 (C)传动效率高 (D)噪声小
11、一个或一组工人,在一个工作地对同一个或同时对几个工件所连续完成的那一部分工艺过程称为( )。
(A) 工序 (B) 工位 (C)工步 (D)安装
12、工件外圆形状许可的条件下,粗车刀最好选( )。
(A)45° (B)75° (C)60° (D)90°
13、在加工中用作定位的基准称为( )。
(A) 设计基准 (B) 定位基准 (C) 测量基准 (D)安装基准
14、在特定的条件下抑制切削时的震动可采用较小的( )。
(A)前角 (B)后角 (C)主偏角 (D)刃倾角
15、使用数控机床一般采用( )。
(A) 工序分散 (B) 工序集中 (C) 工序分散和工序集中混合使用
16、CNC是指( )的缩写。
(A)自动化工厂 (B)计算机数控系统(C)柔性制造系统(D)数控加工中心
17、调质一般安排在( )进行。
(A) 粗加工之后,半精加工之前 (B) 半精加工之后,精加工之前 (C) 精加工之后
18、工艺基准除了测量基准、定位基准以外,还包括( )。
(A)装配基准 (B)粗基准 (C)精基准 (D)设计基准
19、尺寸链中,能人为地控制或直接获得的环,称为( )。
(A) 增环 (B) 减环 (C) 组成环 (D)封闭环
20、切断实心工件时,切断刀主刀刃必须装得( )工件轴线。
(A)高于 (B)低于 (C)等高于 (D)以上都可以
21、在满足加工要求的前提下,少于六个支撑点的定位,称为( )。
(A) 完全定位 (B) 不完全定位 (C) 欠定位 (D)过定位
22、加工细长轴时,使用弹性顶尖,可以( )工件热变形伸长。
(A)减少 (B)补偿 (C)抵消 (D)延续
23、数控机床的特点是( )。
(A) 精度高 (B) 经济 (C) 美观
24、螺纹加工中加工精度主要由机床精度保证的几何参数为( )。
(A)大径 (B)中径 (C)小径 (D)导程
25、数控车床执行机构的驱动部件为( ),它包括主轴电机、进给伺服电机等。
(A) 主机 (B) 数控装置 (C) 驱动装置 (D)反馈装置
26、精基准是用( )作为定位基准面。
(A)未加工表面 (B)复杂表面
(C)切削量小的 (D)加工后的表面
27、在G功能代码中,( )是一次性G代码。
(A)G00 (B) G04 (C) G03 (D)G99
28、用一夹一顶装夹工件时,若后顶尖轴线不在车床主轴轴线上,会产生( )。
(A)振动 (B)锥度 (C)表面粗糙度不高 (D)同轴度差
29、在G功能代码中,( )取消刀尖圆弧补偿指令。
(A) G40 (B) G41 (C) G42 (DG00
30、机械零件的真实大小是以图样上的( )为依据。
(A)比例 (B)公差范围 (C)技术要求 (D)尺寸数值
31、在G功能代码中,( )是坐标系设定指令。
(A) G70 (B) G71 (C) G50 (D)G90
32、采用固定循环编程,可以( )。
(A)加快切削速度,提高加工质量 (B)缩短程序的长度,减少程序所占内存
(C)减少换刀次数,提高切削速度 (D)减少吃刀深度,保证加工质量
33、在辅助功能指令中,( )是无条件程序暂停指令。
(A)M00 (B) M01 (C) M02 (D)M03
34、影响数控车床加工精度的因素很多,提高工件的质量有很多措施,但( )不能提高加工精度。
(A)将绝对编程改变为增量编程 (B)正确选择车刀类型
(C)控制刀尖中心高误差 (D)减小刀尖圆弧半径对加工的影响
35、在辅助功能指令中,( )表示切削液开指令。
(A) M07 (B) M08 (C)M09 (D)M05
36、退火、正火一般安排在( )之后。
(A)毛坯制造 (B)粗加工 (C)半精加工 (D)精加工
37、数控零件加工程序的输入必须在( )工作方式下进行。
(A) 手动方式 (B) 回零方式 (C) 编辑方式 (D)手轮方式
38、机床照明灯应选( )V供电。
(A)220 (B)110 (C)36 (D)80
39、取消主轴恒线速度功能的指令是( )。
(A)G99 (B) G98 (C) G97 (D)G96
40、数控机床操作面板上的AUTO是指( )。
(A)快进 (B)点动 (C)自动 (D)暂停
41、FANUC 0系列数控系统操作面板上显示当前位置的功能健为( )。
(A) DNOS/PAPAM (B) POS (C) PRGRM (D)OFSET
42、螺纹的综合测量使用( )量具。
(A)钢尺 (B)游标尺 (C)螺纹千分尺 (D)螺纹量规
43、在程序设计时,辅助机能是选用:( )
(A)G (B)M (C)S (D)T机能
44、在M20×2-7g6g-40中,7g表示( )公差带代号,6g表示大径公差带代号。
(A)大径 (B)小径 (C)中径 (D)多线螺纹
45、FANUC 0系列数控系统操作面板上用来显示报警号的功能键为( )。
(A) POS (B) OPR/ALARM (C) OFSET (D)PRGRM
46、在程序设计时,辅助机能是选用:( )
(A) G (B) M (C) S (D) T机能
47、在M20×2-7g6g-40中,7g表示( )公差带代号,6g表示大径公差带代号。
(A)大径 (B)小径 (C)中径 (D)多线螺纹
48、CAD的应用软件是在( )下开发的。
(A) 操作系统 (B) 支撑环境 (C) 管理系统
49、千分尺的分度值是( )。
(A)0.1mm (B)0.01mm (C)0.001mm (D)0.0001mm
50、数控机床的“回零”操作是指回到( )。
(A) 对刀点 (B) 换刀点 (C) 机床的零点 (D) 编程原点
51、( )是信息技术和生产技术的综合应用,旨在提高制造型企业的生产率和响应能力。
(A) MIS (B) CIM (C) TIS (D)MAS
52、机械制造中常用的优先配合的基准孔是:( )
(A)H7 (B)H2 (C) D2 (D) D7
53、机械零件的真实大小是以图样上的( )为依据。
(A)比例 (B)公差范围 (C)技术要求 (D)尺寸数值
54、数控编程时,应首先设定( )。
(A)机床原点 (B)固定参考点 (C)机床坐标系 (D)工件坐标系
55、精车时选择切削用量时,应选择( )。
(A)较大的v,f (B)较小的v,f(C)较大的v,较小的f(D)较大的v,较小的f
56、逆圆弧插补指令为( )。
(A) G04 (B) G03 (C) G02 (D) G01
57、通过传感器检测某一部位(如伺服电机等)运动并进行反馈,间接控制目标运动的系统为( )系统。
(A) 全闭环 (B) 半闭环 (C) 开环
58、机械制造中常用的优先配合的基准孔是:( )
(A) H7 (B)H2 (C) D2 (D) D7
59、螺纹切削循环可用( )指令。
(A) G90 (B) G91 (C) G92 (D) G93
60、数控机床程序加工中程序编辑、修改( )。
(A) AUTO (B) INSERT (C) EDIT (D) ALTER
61、车床数控系统中,以下哪组指令是正确的( )。
(A) G0 S_ (B) G41 X_ Z__ (C) G40 G0 Z__(D) G42 G00 X_Z__
62、用1:2的比例画30°的楔块时,应将该角度画成( )。
(A) 15° (B) 30° (C) 60° (D) 45°
63、数控车床与普通车床相比在结构上差别最大的部件是( )。
(A)主轴箱 (B) 床身 (C)进给传动 (D)刀架
64、如图所示,尺寸φ26的公差等于( )。
(A) 0.02 (B) -0.02 (C)0 (D)0.01
65、卧式数控车床的主轴中心高度与尾架中心高度之间关系( )。
(A)主轴中心高于尾架中心 (B)尾架中心高于主轴中心 (C)只要在误差范围内即可
66、精加工脆性材料应选用( )车刀。
(A) YG3 (B) YG6 (C) YG8 (D) YG5
67、车削不可以加工:( )
(A) 螺纹 (B)键槽 (C) 外圆柱面 (D) 端面
68、QT200是( )铸铁的牌号,牌号中的数字是指最低抗拉强度。
(A)灰 (B)球墨 (C)可锻 (D)石墨
69、在未装夹工件前,空运行一次程序是为了检查( )。
(A)程序 (B)刀具、夹具选取与安装的合理性 (C)工件坐标系 (D)机床的加工范围
70、用碳的质量分数为0.2﹪的钢制作短轴,为了获得良好的切削加工性能,选择热处理的方法为( )。
(A)退火 (B)回火 (C)正火 (D)淬火
71、车床数控系统中,用哪一组指令进行恒线速控制( )。
(A)G0 S_ (B)G96 S_ (C)G01 F (D)G98 S_
72、液压泵的最大工作压力应( )其公称压力。
(A)大于 (B)小于 (C)小于或等于 (D)等于
73、在"机床锁定"(FEED HOLD)方式下,进行自动运行,( )功能被锁定。
(A)进给 (B) 刀架转位 (C) 主轴 (D) 冷却
74、硬质合金的耐热温度为( )°C。
(A)300~400 (B)500~600 (C)800~1000 (D)1200°C以上
75、从理论上讲,闭环系统的精度主要取决于( )的精度。
(A) 伺服电机 (B) 滚珠丝杠 (C) CNC装置 (D) 检测装置
76、加大前角能使车刀锋利,减少切屑变形,减轻切屑与前刀面的摩擦,从而( )切削力。
(A)降低 (B)改变 (C)增大 (D)升高
77、脉冲当量是指( )
(A)每发一个脉冲信号,机床相应移动部件产生的位移量
(B)每发一个脉冲信号,伺服电机转过角度
(C)每发一个脉冲信号,进给速度大小
(D)每发一个脉冲信号,相应丝杠产生转角大小
78、粗车时应选择合理的切削用量,首先选较大的( )
(A)背吃刀量 (B)进给量 (C)切削速度 (D)主轴转速
79、数控编程时,应首先设定( )。
(A)机床原点 (B)固定参考点 (C)机床坐标系 (D)工件坐标系
80、在轴的两端用两短V形块进行定位,限制了工件的( )自由度。
(A)3个 (B)4个 (C)5个 (D)2个
81、间隙补偿不能用来改善( )间隙而产生的误差
(A)进给滚珠丝杠副(B)进给导轨副 (C)刀架定位端齿盘 (D)丝杠联轴器
82、工件的( )个自由度都得到限制,工件在夹具中只有唯一的位置,这种定位称为完全定位。
(A)4个 (B)5个 (C)6个 (D)7个
83、零件的加工程序存在( )中
(A)EPROM (B)CMOSRAM (C)CPU (D)PLC
84、球头支承钉适用于( )平面的定位。
(A)未加工 (B)已加工 (C)未加工的侧面; (D)以上都可以。
85、轴在两顶尖装夹属于( )定位。
(A)完全 (B)部分 (C)重复 (D)欠定位
86、对于加工精度比较高的工件,在加工过程中应采用( )。
(A)将某一部分全部加工完成后,再加工其他表面
(B)将所有面粗加工后再进行精加工
(C)必须一把刀使用完成后,再换另一把刀具
87、车螺纹时,螺纹刀应装的( )工件轴线。
(A)高于 (B)低于 (C)等高于 (D)不确定
88、以下不属于三爪卡盘装夹特点的是( )。
(A)找正方便 (B)夹紧力大(C)装夹效率高 (D)通用性强
89、自动编程的后处理可生成( )。
(A)刀具加工顺序设置(B)零件加工时间(C)刀具进给速度(D)数控加工程序
90、数控车床的开机操作步骤应该是 ( )。
(A)开电源,开急停开关,开CNC系统电源
(B)开电源,开CNC系统电源,开急停开关
(C)开CNC系统电源,开电源,开急停开关
(D)以上都不对
91、在其他切削正常的情况下,螺纹切削时螺距不正常,主要原因是( )。
(A)机床进给倍率不当 (B)主轴编码器故障
(C)主轴转速设定错误 (D)机床处于空运行状态
92、 数控加工中刀具上能代表刀具位置的基准点是指( )。
(A)对刀点 (B)刀位点 (C)换刀点 (D)退刀点
93、零件上用以标定加工表面位置的基准( )。
(A)设计基准 (B)工艺基准 (C)定位基准 (D)制造基准
94、过定位是指定位时工件的同一( )被两个定位元件重复限制的定位状态。
(A)平面 (B)自由度 (C) 圆柱面 (D) 方向
95、一个削边定位销(短)定位时可限制( )自由度。
(A)5 个 (B)2个 (C)7个 (D)1个
96、用FANUC系统的指令编程,程序段G02 X Z I K ; 中的G02表示( ),I和K 表示( )。
(A)顺时针插补,圆心相对起点的位置
(B)逆时针插补,圆心的绝对位置
(C)顺时针插补,圆心相对的终点的位置
(D)逆时针插补,起点相对圆心的位置
97、 G00速度是由( )确定的。
(A)机床内参数设定 (B)程序 (C)操作者输入 (D)进给速度
98、 程序校验与试切削试验的目的是( )。
(A)检查机床是否正常 (B)检验参数是否正确 (C)提高加工质量
(D)检验程序是否正确及零件的加工精度是否满足图纸要求
99、数控机床上假想刀尖位置有( )个。
(A)8 (B)10 (C)6 (D)4
100、若程序中主轴转速为S1000,当主轴转速修调开关打在80时,主轴实际转速为( )。
(A)S800 (B)S8000 (C)S80 (D)S1000
101、数控机床切削精度检验是指( )。
(A) 静态精度 ( B ) 动态精度 (C) 几何精度 (D) 粗糙度
102、G指令中准备功能指令用于刀具半径补偿注销的指令是( )
(A) G40 (B) G41 (C) G42 (D) G43
103、将急停按钮按下,则表示( )。
(A)伺服系统断电 (B)主电机断电 (C)机床断电
104、圆弧插补指令G03 X_ Y_ R_ 中,XY 后的值表示圆弧的( )。
(A)圆弧终点坐标 (B)圆弧起点坐标
(C)圆心坐标相对于起点的值 (D)圆心坐标值
105、下列形位公差符号中( )表示同轴度位置公差。
106、可用( )代码调用子程序。
(A) M (B) T (C) C (D) G
107、数控机床诞生于( )。
(A) 美国 (B)日本 (C)英国 (D)德国
108、( )是指定位时工件的同一自由度被二个定位元件重复限制的定位状态。
(A) 过定位 (B)欠定位 (C)完全定位 (D)不完全定位
109、在液压系统中,起限定作用的压力阀( )。
(A) 减压阀 (B) 节流阀 (C)调速阀 (D) 溢流阀
110、绕Y轴旋转的回转运动坐标轴是( )。
(A) A轴 (B) B轴 (C) C轴 (D) D轴
111、下列哪种格式限定主轴最高转速( )。
(A)G96 S200 (B)G50 S1800 (C)G50 X100. Z100. (D) G60 S500
112、CAD是( )的缩写。
(A)计算机虚拟设计 (B)计算机辅助制造 (C)计算机辅助设计 (D)计算机数控系统
113、确定加工路径时必须考虑( )。
(A)路径最短 (B)路径短且同方向 (C)同方向进给 (D)路径最长
114、精基准是用( )作为定位基准面。
(A)未加工表面 (B)复杂表面
(C)切削量小的 (D)加工后的表面
115、数控机床相对于不同机床相比对于刀具的要求:( )
(A)相同 (B)较高 (C)较低 (D)不同
116、数控机床操作面板上的AUTO是指( )
(A) 快进 (B) 点动 (C)自动 (D)暂停。
117、数控机床替代传统机床的主要原因是( )。
(A)替代人的加工操作 (B)替代人的加工方法
(C)替代人的加工重复劳动 (D)加工精度
118、数控车床X轴对刀时,若工件车一刀后,测得直径为20.030mm,应通过面板输入X值为( )。
(A)X=20.030 (B)X=2.003 (C)X=10.015 (D)X=1.0035
119、下列哪种格式表示撤消补偿( )。
(A) T0202 (B)T0230 (C) T0216 (D)T0200
120、评定表面粗糙度普遍采用( )参数。
(A)Ra (B)Rz (C)R y (D)Rc
121、画螺纹联接图时,剖切面通过螺栓、螺母、垫圈等轴线时,这些零件均按( )绘制。
(A)不剖 (B)半剖 (C)全剖 (D)剖面
122、硬质合金的耐热温度为( )度。
(A)200~300 (B) 500~600
(C)800~1000 (D) 1000~1500
123、公差代号H7和代号( )的轴组成过度配合。
(A)f6 (B)g6 (C)m6 (D)u6
124、判断数控车床(只有X、Z轴)圆弧插补的顺逆时,观察者沿圆弧所在平面的垂直坐标轴(Y轴)的负方向看去,顺时针方向为G02, 逆时针方向为G03。通常,圆弧的顺逆方向判别与车床刀架位置有关,如图1所示,正确的说法如下( )。
(A)图1a表示刀架在机床内侧时的情况(B)图1b表示刀架在机床外侧时的情况
(C)图1b表示刀架在机床内侧时的情况(D)以上说法均不正确
(a) (b)

125、螺纹代号M10-6g6h-S中,6h是指( )。
(A)大径的公差 (B)中径公差 (C)小径公差 (D)底径公差
126、粗车45钢光轴应选用( )牌号的硬质合金车刀。
(A) YG3 (B) YG8 (C) YT5 (D) YT15
127、在数控车床中,主要的启停属于( )功能。
(A)控制 (B)准备 (C)插补 (D)辅助
128、通过切削刃上选定点垂直于主运动方向的平面称为( )。
(A)基面 (B)切削平面 (C)主剖面
129、含碳量大于( )钢称为高碳钢。
(A)0.25﹪ (B)0。15﹪ (C)0。6﹪ (D)2。11﹪
130、车端面时,车刀装得高于工件中心,工作前角( )刃磨前角。
(A)小于 (B)等于 (C)大于
131、一对标准直齿圆柱外齿轮的模数为4mm,齿数为Z1=18,Z2=36( )。
(A)216mm (B)210mm (C)110mm (D)108mm
132、切削塑性金属时,刀具前角越大,进给量越小,切削速度越高 ,易得到( )。
(A)粒状切屑 (B)节状切屑 (C)带状切屑 (D)螺旋状切屑
133、工艺基准除了测量基准、装配基准以外,还包括( )。
(A)定位基准 (B)粗基准 (C)精基准 (D)设计基准
134、在进给量和背吃刀量选定以后( )增大,切屑易折断。
(A)前角 (B)主偏角 (C)副偏角 (D)刃倾角
135、车孔刀为了防止震动,主偏角一般为( )。
(A)30° (B)45° (C)60-75°(D)90°
136、切削用量中,对断屑影响最大的是( )。
(A)背吃刀量 (B)进给量 (C)切削速度
137、切削时走刀次数决定于( )。
(A)切削深度 (B)进给量 (C)进给速度 (D)主轴转速
138、不消耗功率,但影响工件形状精度的切削力是( )。
(A)主切削力 (B)背向力 (C)进给力 (D)重力
139、数控车床中,目前数控装置的脉冲当量一般为( )。
(A)0.01 (B)0.001 (C)0.0001 (D)0.1
140、车外圆时切削热大部分由( )传散出去。
(A)刀具 (B)工件 (C)切屑 (D)周围介质
141、采用夹具后,工件上有关表面的( )由夹具保证。
(A)表面粗糙度 (B)几何要素 (C)大轮廓尺寸 (D)相互位置精度
142、一把新刃磨的刀具,从开始切削至磨损量达到磨钝标准为止所使用的切削时间称为( )。
(A)刀具磨损限度 (B)刀具寿命 (C)刀具总寿命
143、平头支承钉适用于( )平面的定位。
(A)未加工 (B)已加工 (C)未加工的侧面; (D)以上都可以。
144、精加工时,应取( )的前角。
(A)较小 (B)零度 (C)较大
145、螺纹加工中加工精度主要由机床精度保证的几何参数为( )。
(A)大径 (B)中径 (C)小径 (D)导程
146、加工台阶轴时,主偏角应选( )。
(A)45° (B)60° (C)90° (D)75°
147、使用高速钢车刀粗加工钢件时,应选用以( )为主的切削液。
(A)冷却 (B)润滑 (C)清洗 (D)防锈
148、在加工表面和加工工具不变的情况下,所连续完成的那一部分工序称为( )。
(A)工序 (B)工位(C)工步 (D)安装
149、数控加工中刀具上能代表刀具位置的基准点是( )。
(A)对刀点 (B)刀位点 (C)换刀点 (D)退刀点
150、数控程序加工中,刀具相对于工件的起始点是( )。
(A)对刀点 (B)刀位点(C)换刀点 (D)退刀点
151、在机床夹具上布置6个支承点,限制的自由度数为( )。
(A)6个 (B)5个 (C)不确定 (D)4个
152、CA6140型卧式车床床身上最大工件回转直径( )。
(A)140mm (B)210mm (C)400mm (D)4000mm
153、自动加工过程中,出现紧急情况,可按( )键中断加工。
(A)复位 (B)急停 (C)进给保持 (D)以上都可
154、数控车床的主要机械部件被称为( )它包括底座床身、主轴箱、进给箱、刀架、尾座等。
(A)主机 (B)数控装置 (C)驱动装置
155、机床空运行是检查( )。
(A)主轴是否转动 (B)冷却液能否开启
(C)车刀与卡爪是否发生碰撞 (D)以上都是
156、数控系统为了检测刀盘上的工位,可在检测轴上装( )。
(A)角度编码器 (B)光栅 (C)磁尺
157、刀具轨迹模拟时,必须在( )方式下进行。
(A)手摇脉冲 (B)点动 (C)自动 (D)MDI
158、数控车床又称( )车床,就是用电子计算机数字化指令控制车床各运动部件的动作,从而实现车床加工过程的自动化。
(A)CNC (B)CPU (C)RAM (D)ROM
159、机床“快动”方式下,机床移动速度应由( )确定。
(A)程序指定 (B)面板上速度修调按钮
(C)机床系统内定 (D)以上都不是
160、零件加工程序可通过输入设备存储于数控装置内的( )。
(A)中央处理器 (B)存储器 (C)接口电路
161、机械效率值永远是( )。
(A)大于1 (B)小于1 (C)等于1 (D)负数
162、车床数控装置一般都是( ),就是对刀具相对于工件运动的轨迹进行控制的系统。
(A)轮廓控制系统 (B)三坐标控制系统 (C)四坐标控制系统
163、一般钻头的材质是:( )
(A) 高碳钢 (B) 高速钢 (C) 高锰钢 (D) 碳化物
164、在G功能代码中,( )是螺纹切削指令。
(A)G32 (B)G40 (C)G96 (D)G02
165、( )是指机床上一个固定不变的极限点。
(A) 机床原点 ( B) 工件原点  (C) 换刀点 ( D)对刀点
166、在G功能代码中,( )是螺纹切削指令。
(A)G90 (B) G92 (C) G91 (D) G94
167、辅助功能M03代码表示( )。
(A)程序停止 ( B) 切削液开
(C)主轴停止 (D)主轴顺时转动
168、在G功能代码中, ( )是主轴恒线速度控制。
(A)G96 (B)G97 (C)G98 (D) G99
169、在G功能代码中, ( )是每分钟进给量控制。
(A)G96 (B)G97 (C)G98 (D) G99
170、数控车床回零时,应先回 ( )轴。
(A)X (B)Z (C)任意
171、在G99有效时,进给功能宇F后的数字表示( )。
(A) 每分钟进给量(mm/min) (B) 每秒钟进给量(mm/s)
(C)每转进给量(mm/r) (D)螺纹螺距
172、下列G代码中( )指令为非模态G代码。
(A)GO1 (B) G02 (C) G03 (D) G28
173、顺圆弧插补指令为( )。
(A) G04 (B) G03 (C) G02 (D) G00
174、在辅助功能指令中,( )是无条件暂停指令。
(A)M02 (B)M01 (C)M00 (D)M30
175、用于机床刀具功能的指令代码是( )。
(A) F代码 (B) T 代码 (C) M代码 (D) S代码
176、“CNC”的含义是( )。
(A) 数字控制 (B) 计算机数字控制 (C)网络控制 (D)机床控制
177、绕Z轴旋转的回转运动坐标轴是( )。
(A) A轴 (B) B轴 (C) Z轴 (D) D轴
178、AutoCAD、UG是( )。
(A) 绘图软件 (B)支撑软件 (C)CAD应用软件
179、机械制造中常用的优先配合的基准轴是:( )
(A)h7 (B)h2 (C) d2 (D) d7
180、FANUC-0I-TB编程中精车循环用( )指令。
(A) G70 (B) G71 (C) G72 (D) G73
181、使用数控车床比普通车床可提高生产率( )倍。
(A) 0.5~1 (B) 1~2 (C) 2~3 (D) 3~5
182、( )是数控车床切削工作的动力部分,主要实现主运动和进给运动。
(A) 主机 (B) 数控装置 (C)伺服驱动系统 (D)辅助装置
183、( )是指数控车床加工过程中,刀具相对于工件的运动轨迹。
(A)程序编程 (B)加工路径 (C)切削用量 (D)_工艺规程
184、编程时,数值计算的主要任务是求出各点的( )。
(A) 运动速度 (B)刀补量 (C)坐标 (D)长度
185、数控车床的坐标系分为机床坐标系和( )坐标系两种。
(A) 工件 (B) 刀架 (C)编程 (D)辅助
186、( )坐标系是机床固有的坐标系,是固定不变的。
(A) 机床 (B) 工件 (C) 刀架 (D)编程
187、数控车床以主轴线方向为( )轴方向,刀具远离工件的方向为正防线。
(A) X (B)Y (C)Z (D)YZ
188、( )坐标系是以机床为坐标原点,建立一个Z轴与X轴的直角坐标系。
(A) 机床 (B)工件 (C) 刀架 (D)编程
189、采用逐点比较法圆弧插补时,若P点在圆弧或圆弧外侧,应向( )方向一 个脉冲,使刀具向圆弧内前进一步。
(A)+X (B)+Y (C)+Z (D)+X
190、( )组的G代码属于非模态式G代码。
(A)00 (B)01 (C)02 (D)05
191、( )代码的功能是直线插补。
(A) G00 (B)G01 (C)G02 (D)G05
192、( )功能指令主要用于指定数控机床的运用方式,为数控系统的插补运算做好准备。
(A) 准备 (B)辅助 (C)控制 (D)插补
193、( )是指令刀具以快速度方式加工到目标位置的指令。
(A)G00 (B)G01 (C)G02 (D)G03
194、( )为顺时针圆弧代码。
(A)G02 (B)G03 (C)G04 (D)G10
195、( )是螺纹切削循环的代码。
(A)G90 (B)G92 (C)G94 (D)G96
196是满足新产品开发和多种及小批量生产自动化要求的机床是( )机床
(A)通用 (B)专用 (C)组合 (D)数控
197、( )功能是表示进给速度的功能。
(A)N (B)F (C)T (D)S
198、( )代码具有两种功能:一种是设定坐标系。另一种是设定主轴最高转速。
(A)G50 (B)G96 (C)G97 (D)G98
199、( )指令在车槽和钻、镗孔时使用,也可用于拐角轨迹的控制。
(A)G02 (B)G03 (C)G04 (D)G10
200、( )指令可以进行外圆及内孔直线加工和锥面加工循环。
(A)G90 (B)G92 (C)94 (D)G96

weijieiii 2007-05-12 19:00
二、判断题
( )1、闭环控制的优点是精度高、速度快,适用于大型或高精度的数控机床。
( )2、零件图上没有必要注出生产过程的技术要求。
( )3、数控机床拥有普通机床所不具备的许多优点,它完全可以代替其他类型的机床。
( )4、刀具材料必须有较好的耐磨性。
( )5、减小副偏角比减小主偏角可使被车削工件的表面粗糙度值小,且效果更好。
( )6、粗基准是粗加工阶段采用的基准。
( )7、在实际生产中,任何工件定位时均需要限制6个自由度。
( )8、在机械加工中,采用设计基准作为定位基准符合基准统一原则。
( )9、硬质合金刀具一般不用切削液。
( )10、因CNC机床一般精度较高,故可对工件进行一次性加工,不需粗精加工。
( )11、过定位绝不允许在加工中使用。
( )12、6个自由度是工件在空间位置不确定的最高程度。
( )13、数控车床的回转刀架刀位的检测采用角度编码器。
( )14、低碳钢的含碳量为≤0.025%。
( )15、当编程时,如果起点与目标点有一个坐标值没有变化时,此坐标值可以省略。
( )16、伺服系统的执行机构常采用直流或交流伺服电动机。
( )17、CAM的含义是计算机辅助设计和加工。
( )18、小锥度心轴定心精度高,轴向定位好。
( )19、PLC内部元素的触点和线圈的连接是由程序来实现的。
( )20、齿轮传动中,只能采用外啮合的方式。
( )21、数控机床开机"回零"的目的是为了建立工件坐标系。
( )22、粗基准因牢固可靠,故可多次使用。
( )23、开环无反馈,半闭环的反馈源在丝杠位置,闭环的反馈源在最终执行元件位置。
( )24、刀具的耐用度取决于刀具本身的材料和刀具的角度。
( )25、刀具位置偏置补偿可分为刀具形状补偿和刀具磨损补偿两种。
( )26、硬质合金焊接式车刀具有结构简单,刚性好等特点。
( )27、车削螺纹时用恒线速度切削功能加工精度较高。
( )28、工件在夹具中定位时,欠定位和过定位都是不允许的。
( )29、为了提高生产效率,螺纹加工时主轴转速越高越好。
( )30、不完全定位和欠定位所限制的自由度数都少于6个,所以在本质上是相同的。
( )31、主轴编码器的作用是保证车削螺纹时不乱扣。
( )32、过定位是绝不允许的。
( )33、车削工件端面只允许凸,不允许凹。
( )34、对刀点可以选择在零件上某一点,也可以选择零件外某一点。
( )35、天气太热应打开电器箱,让电器箱内部快速散热。
( )36、车刀的刀位点是指主切削刃上的选定点。
( )37、切削塑性材料时,前角、后角应越小越好。
( )38、为保证工件质量车刀后角应取大些。
( )39、任何一台数控机床开机后必须回机床零点。
( )40、YG8刀具牌号中的数字代表含钴量为80%。
( )41、机械制图图样上所用的单位为mm。
( )42、表达零件内形的方法采用剖视图,剖视图有全剖、半剖、局部剖三种。
( )43、尺寸公差可正可负,一般都取正值。
( )44、数控程序由程序号、程序段和程序结束符组成。
( )45、车细长轴时,为减少热变形伸长,应加充分的冷却液。
( )46、数控车床的机床坐标系和工件坐标系零点相重合。
( )47、一般以靠近零线的上偏差(或下偏差)为基本偏差。
( )48、数控车床传动系统的进给运动有纵向进给运动和横向进给运动。
( )49、加工单件时,为保证较高形位精度,在一次装夹中完成全部加工为宜。
( )50、数控车床由主机、数控装置、驱动装置和辅助装置组成。
( )51、不能用额定电流大的熔断丝保护小电流电路。
( )52、目前驱动装置的电机有步进电机、直流伺服电机和交流伺服电机等。
( )53、在夹具中对工件进行定位,就是限制工件的自由度。
( )54、半闭环数控系统的测量装置一般为光栅、磁尺等。
( )55、方形螺纹是国家标准螺纹。
( )56、驱动装置是数控车床的核心。
( )57、加工同轴度要求高的轴工件时,用双顶尖的装夹方法。
( )58、数控机床的参考点是机床上的一个固定位置。
( )59、米制(公制)圆锥的号数就是指大端直径。
( )60、工件在夹具中定位,不允许欠定位。
( )61、数控车床具有程序控制自动加工功能,加工过程中需要停车转换刀架。
( )62、数控车床的进给系统与普通车床基本相同。
( )63、在数控车床上装夹工件时,应尽量选用专用夹具。
( )64、进给伺服电动机是数控车床执行机构的驱动部件。
( )65、数控车床刀具的刚度和寿命应高于普通车床的刀具。
( )66、确定机床参考点,就是确定刀具与机床零点的相对位置。
( )67、在编程时,规定刀具远离工件的方向作为坐标的正方向。
( )68、工件原点为机床上的一个固定点,是主轴旋转中心线与车头端面的交点。
( )69、当设定为直径编程时,与X轴有关的各项尺寸一定要用直径编程。
( )70、采用逐点比较法直线插补时,若P点在直线上或其上方,应向+X方向发一 个脉冲,使刀具向+X方向移动一步。
( )71、非模态式G代码只限定在被指定的程序段中有效。
( )72、不同组的模态式G代码在同一个程序段中可指定多个。
( )73、具有自保持功能的指令为非模态式指令。
( )74、在编程中可以任意改变坐标系的程序零点。
( )75、G96 S800表示主轴转速为800r/min.
( )76、数控车床中的机床坐标系与工件坐标系是不重合的。
( )77、用圆弧半径R编程只适于整圆的圆弧插补,不适于非整圆加工。
( )78、一个较为复杂的程序可以由主程序和字程序组成。
( )79、编程时,重复出现的程序可单独编成子程序。
( )80、被主程序调用的子程序不可以再调用其他子程序。
( )81、00组的G代码属于准备功能。
( )82、在数控车床中,主轴的启停属于准备功能。
( )83、辅助功能指令刀具以快速方式加工操作时的工艺性指令。
( )84、G01是指令刀具以快速方式加工到目标位置的指令。
( )85、在圆弧插补中,当圆心角α≤180·时,圆弧半径R取正值。
( )86、主程序可以重复调用字程序多用。
( )87、在执行刀具半径补偿命令时,刀具会自动偏移一个刀具半径。
( )88、建立补偿和撤销 补偿程序段也可以是圆弧指令程序段。
( )89、数控车床一般采用机内对刀,需要用对刀测量仪进行。
( )90、换刀点应设在工件的外部,避免换刀时碰伤工件。
( )91、采用液压高速动力卡盘可以使数控车床主轴转速达到高速。
( )92、数控顶尖顶持零件的顶持力不能过大或过小。
( )93、使用数控自定心中心架可提高细长轴零件的加工精度。
( )94、数控车床刀架的结构直接影响机床的切削性能和工作效率。
( )95、转塔式刀架可以实现数控车床的自动换刀。
( )96、数控车床多重复合循环指令主要用于铸、锻造毛坯和棒料车台阶较大的轴及螺纹的加工。
( )97、使用多重复合循环指令,只要指定精加工路径和粗加工的背吃刀量,机床就会计算出精加工路径和加工次数。
( )98、G75指令可以达到自动螺纹加工循环,工作效率高。
( )99、G70指令用于切除棒料毛坯的大部分余量。
( )100、G73指令适用于铸造或锻造成型工件的高效率加工。
( )101、用G71指令指定精加工循环,切除粗加工留下的余量。
( )102、G75指令可以用于间断纵向加工,以便断屑与排屑。
( )103、用多重复合循环指令编程,nf指定精加工循环的第一个程序段顺序号。
( )104、螺纹符合加工循环循环G76指令较G32、G92指令简捷,可节省程序设计与程序计算时间。
( )105、液压系统各电磁阀的电磁铁动作由数控系统控制。
( )106、液压泵是机械能转化为压力能的能量转换装置,是液压系统的动力源。
( )107、活塞式液压缸以曲线运动方式输出动力。
( )108、如果供油压力和流量不变,则活塞往复运动时其两个方向的作用力和速度都相等。
( )109、数控机床加工时,零件的粗、精加工通常是在机床上一次装夹后自动完成整个加工过程的。
( )110、多重复合循环的代码均属于模态代码。
( )111、在零件图上画有法向齿形的局部放大图,并标注了法向齿厚尺寸,该尺寸在车削时可直接测量出来。
( )112、轴测投影面平行于一个坐标平面,投影方向倾斜于轴测投影面时,既可得正等测轴测图。
( )113、主轴箱的展开图基本上是按传动轴运动顺序,沿垂直于轴线剖切面展开而绘制的平面装配图。
( )114、CA6140卧式车床主轴箱内空套齿轮与传动轴之间可装轴承,而一般不装铜套。
( )115、在花盘的角铁上找正相互垂直孔工件时,按划线只找正外圆即可。
( )116、工艺规程应在保证质量的基础上,力求获得较高的生产效率和较好的经济效益。
( )117、根据被加工工件的形状和技术要求,利用组合夹具元件可较快地组装成专用夹具。
( )118、由于专用夹具本身精度较高,所以工件装夹后不需调整即可进行加工。
( )119、工件以外圆定位时,常采用的定位元件是心轴。
( )120、铰削圆柱孔时,造成孔口扩大的主要原因是尾座便移。
( )121、具有刀库并能调动换刀的数控机床既为加工中心。
( )122、采用刀具对刀仪测量法可以测量出刀具伸出的长度和刀具半径。
( )123、确定机床参考点,就是确定刀具与机床零点的相对位置。
( )124、M代码可以编在单独的一个程序段中。
( )125、在数控车床上加工单件工件时主要花费在机动时间上。
( )126、数控机床所加工的轮廓,只与所采用程序有关,而与所选用的刀具无关。
( )127、车端面时的切削速度是变化的。
( )128、机床的操练、调整和修理应由有经验或受过专门训练的人员进行。
( )129、刀具运动位置是相对于前一点位置给出的坐标值称为相对坐标。
( )130、检测装置是数控机床必不可少的装置。
( )131、切削液的主要作用是冷却和润滑。
( )132、粗车时的切削抗力小于精车时的切削抗力。
( )133、G00指令的移动速度受S字段值的控制。
( )134、刃倾角是主切削刃与基面之间的夹角。
( )135、切断刀的前角大,则切断工件时容易产生扎刀现象。
( )136、数控机床伺服系统将数控装置的脉冲信号转换成机床移动部件的运动。
( )137、尺寸链封闭环的基本尺寸,是其它各组成环基本尺寸的代数差。
( )138、示教编程功能实质为模拟编程。
( )139、工件坐标系上确定工件轮廓而进行编程计算的原点为工件坐标系原点。
( )140、数控加工的夹具应尽量采用机械、电动、气动方式。
( )141、逆时针圆弧插补指令是G02。
( )142、数控车床的刀具大多数采用焊接式刀片。
( )143、在同一条螺线上,中径上的螺纹升角小于大径上的螺纹升角。
( )144、调质的目的是提高材料的硬度和耐磨性。
( )145、所谓前刀面磨损就是形成月牙洼的磨损,一般在切削速度较高,切削厚度较大的情况下,加工塑性金属材料时引起的。
( )146、数控加工程序是由若干程序段组成,而且一般常采用可变程序进行编程。
( )147、只需根据零件图样进行编程,而不必考虑是刀具运动还是工件运动。
( )148、两轴联动坐标数控机床只能加工平面零件轮廓,曲面轮廓零件必须是三轴坐标联动的数控机床。
( )149、进给路线的确定一是要考虑加工精度,二是要实现最短的进给路线。
( )150、刀位点是刀具上代表刀具在工件坐标系的一个点,对刀时,应使刀位点与对刀点重合。
( )151、机床的进给路线就是刀具的刀尖或刀具中心相对机床的运动轨迹和方向。
( )152、机床的进给路线不但是作为编程轨迹计算的依据,而且还会影响工件的加工精度和表面粗糙度。
( )153、机床的原点就是机械零点,编制程序时必须考虑机床的原点。
( )154、所谓节点计算就是指计算逼近直线或圆弧段与非圆曲线的交点或切点计算。
( )155、机械零点是机床调试和加工时十分重要的基准点,由操作者设置。
( )156、绝对值方式是指控制位置的坐标值均以机床某一固定点为原点来计算计数长度。
( )157、增量值方式是指控制位置的坐标是以上一个控制点为原点的坐标值。
( )158、无论是尖头车刀还是圆弧车刀都需要进行刀具半径补偿。
( )159、数控机床只适用于零件的批量小、形状复杂、经常改型且精度高的场合。
( )160、数控机床与其它机床一样,当被加工的工件改变时,需要重新调整机床。
( )161、对于点位控制,进给运动从某一位置到另一个给定位置的进程进行加工。
( )162、一个程序中每个程序段的长短不一样称为可变程序段。
( )163、每一指令脉冲信号使机床移动部件产生的位移量称脉冲当量。
( )164、数控机床坐标轴一般采用右手定则来确定。
( )165、检测装置是数控机床必不可少的装置。
( )166、对于任何曲线,可以按实际轮廓编程,应用刀具补偿加工出所需要的廓形。
( )167、数控机床既可以自动加工,也可以手动加工。
( )168、数控车床的进给方式分每分钟进给量和每转进给量两种,一般可用G94和G95来区分。
( )169、所谓尺寸基准是标准尺寸的起点。
( )170、数控机床加工的加工精度比普通机床高,是因为数控机床的传动链较普通机床的传动链长。
( )171、在开环控制系统中,数控装置发出的指令脉冲频率越高,则工作台的位移速度越慢。
( )172、点位控制的数控机床只要控制起点和终点位置,对加工过程中的轨迹没有严格要求。
( )173、滚珠丝杠虽然传动效率高,精度高,但不能自锁。
( )174、加工多线螺纹时,加工完一条螺纹后,加工第二条螺纹的起点应与第一条螺纹的起点相隔一个导程。
( )175、不带有位移检测反馈的伺服系统称半闭环控制系统。
( )176、进给功能一般是用来指令机床主轴的转速。
( )177、编程坐标是编程人员在编程过程中所采用的坐标系,其坐标的建立就与所使用机床的坐标系相一致。
( )178、数控机床伺服系统的作用是把来自数控装置的脉冲信号转换成机床移动部件的运动。
( )179、在金属坯料均匀热透的前提下,加热时间选得越短越好。
( )180、半闭环控制系统的精度高于开环系统,但低于闭环系统。
( )181、数控车床的定位精度和重复定位精度是一个概念。
( )182、M00指令属于准备功能字指令,含义是主轴停转。
( )183、编制数控程序时一般以机床坐标系作为编程依据。
( )184、数控车床自动刀架的刀位数与其数控系统所允许的刀具数总是一致的。
( )185、利用G33指令既可以加工英制螺纹,又可以加工米制螺纹。
( )186、锻造只能改变金属坯料形状而不能改变其力学性能。
( )187、刃倾角能控制切屑流向,也能影响切削。
( )188、划线是机械加工的重要工序,广泛地应用于成批生产和大量生产。
( )189、大批量生产时基本时间所占的比重比较大。
( )190、车削、铣削、铸造、锻压等均属切削加工范围。
( )191、砂轮可以磨车刀,车刀也可以车削砂轮。
( )192、各种号码的莫氏圆锥锥度值不相等。
( )193、电火花机床上可以加工钢、铝、铜、塑料等材料的工件。
( )194、过定位决不允许在加工中使用。
( )195、数控车床的反向间隙是不能补偿的。
( )196、FANUC系统中,在同一个程序段中,既可以用绝对坐标,又可以用增量坐标。
( )197、成组工艺是一种按光学原理进行生产的工艺方法。
( )198、每当数控装置发出一个指令脉冲信号,就使步进电机的转子旋转一个固定角度,该角度称为步距角。
( )199、开环控制系统中,工作台位移量与进给指令脉冲的数量成反比。
( )200、伺服机构的性能决定了数控机床的精度和快速性。
答案
一、选择题
1、D 2、B 3、A 4、C 5、A
6、A 7、C 8、C 9、B 10、D
11、A 12、B 13、B 14、B 15、B
16、B 17、B 18、A 19、C 20、C
21、B 22、C 23、A 24、D 25、C
26、A 27、B 28、B 29、A 30、D
31、C 32、B 33、A 34、A 35、B
36、A 37、C 38、C 39、C 40、C
41、B 42、D 43、B 44、C 45、B
46、B 47、C 48、B 49、B 50、C
51、B 52、A 53、D 54、D 55、D
56、B 57、B 58、A 59、C 60、C
61、C 62、B 63、C 64、D 65、C
66、A 67、B 68、A 69、A 70、B
71、B 72、C 73、A 74、C 75、D
76、A 77、A 78、A 79、D 80、B
81、C 82、C 83、B 84、A 85、B
86、B 87、C 88、B 89、D 90、B
91、B 92、B 93、B 94、B 95、D
96、A 97、A 98、D 99、B 100、B
101、B 102、A 103、A 104、A 105、B
106、A 107、A 108、A 109、D 110、B
111、B 112、C 113、B 114、D 115、B
116、C 117、C 118、A 119、D 120、A
121、A 122、C 123、C 124、C 125、A
126、C 127、D 128、A 129、C 130、C
131、D 132、C 133、A 134、B 135、C
136、B 137、A 138、B 139、B 140、C
141、D 142、B 143、B 144、C 145、D
146、C 147、A 148、C 149、B 150、A
151、A 152、C 153、D 154、A 155、C
156、A 157、C 158、A 159、C 160、B
161、B 162、A 163、B 164、A 165、A
166、B 167、D 168、A 169、C 170、A
171、C 172、D 173、C 174、C 175、B
176、B 177、C 178、C 179、A 180、A
181、D 182、C 183、B 184、C 185、A
186、A 187、C 188、A 189、D 190、A
191、B 192、A 193、A 194、A 195、B
196、D 197、B 198、A 199、C 200、A



二、判断题
1、√ 2、× 3、× 4、√ 5、√
6、√ 7、× 8、× 9、√ 10、×
11、× 12、√ 13、√ 14、× 15、√
16、√ 17、× 18、× 19、√ 20、×
21、× 22、× 23、√ 24、√ 25、√
26、√ 27、× 28、× 29、× 30、×
31、√ 32、× 33、× 34、√ 35、×
36、× 37、× 38、√ 39、× 40、×
41、√ 42、√ 43、× 44、√ 45、√
46、× 47、√ 48、√ 49、√ 50、√
51、√ 52、√ 53、√ 54、× 55、×
56、× 57、√ 58、√ 59、√ 60、√
61、× 62、× 63、× 64、√ 65、√
66、√ 67、√ 68、× 69、√ 70、√
71、√ 72、√ 73、× 74、√ 75、×
76、√ 77、× 78、√ 79、√ 80、×
81、× 82、× 83、× 84、× 85、√
86、√ 87、√ 88、× 89、√ 90、√
91、√ 92、√ 93、√ 94、√ 95、√
96、√ 97、× 98、× 99、× 100、√
101、× 102、× 103、× 104、√ 105、√
106、√ 107、× 108、√ 109、√ 110、×
111、√ 112、× 113、× 114、× 115、×
116、√ 117、√ 118、× 119、× 120、√
121、√ 122、√ 123、√ 124、√ 125、×
126、× 127、√ 128、√ 129、√ 130、×
131、√ 132、× 133、× 134、√ 135、√
136、√ 137、× 138、√ 139、√ 140、×
141、× 142、× 143、× 144、× 145、√
146、√ 147、√ 148、× 149、√ 150、√
151、× 152、√ 153、× 154、√ 155、×
156、√ 157、√ 158、× 159、× 160、×
161、× 162、√ 163、√ 164、√ 165、×
166、× 167、√ 168、√ 169、√ 170、×
171、× 172、√ 173、√ 174、× 175、×
176、× 177、× 178、√ 179、√ 180、√
181、× 182、× 183、× 184、× 185、×
186、× 187、√ 188、× 189√ 190、×
191、√ 192、√ 193、× 194、× 195、×
196、√ 197、× 198、√ 199、× 200、√

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Nanotechnológie skúmajú aj materiály ako fullerény či uhlíkové nanorúrky.

Nanotechnológie skúmajú aj materiály ako fullerény či uhlíkové nanorúrky.

Nanotechnológia (gr. νάννος [nános] = trpaslík) je všeobecné označenie (častí) vedných odborov, ktoré sa zaoberajú tvorbou a využívaním technológií v meradle rádovo nanometrov (spravidla cca. 1–100 nm).

Nanotechnológia slúži/by mala slúžiť na priamu manipuláciu hmoty na nanoúrovni, na ktorú dnes nemáme dostatočnú techniku. Nanotechnológia by teda mohla dovoliť znížiť výrobné náklady až takmer na cenu materiálu[chýba citácia]. Okrem toho by mohla mať nanotechnológia samoreplikujúce vlastnosti, takže tieto systémy by mali byť schopné ako výroby užitočných produktov tak replikácie samých seba[chýba citácia]. Ďalším veľkým plus nanotechnológie je, že pri výrobe touto technológiou vzniká minimum odpadu.

Základnými stavebnými prvkami nanozariadení sú v súčasnosti objekty na báze uhlíka a jeho zlúčenín, ide všetko o štruktúry a molekuly, ktoré obsahujú rádovo jednotky až desiatky atómov. Prínos nanotechnológií je najmä v medicínskych a biotechnicky zameraných oboroch.

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弊社の製品の供給調達機能は:

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BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт www.tool-tool.com для получения большей информации.

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Nanotechnology refers broadly to a field of applied science and technology whose theme is the control of matter on the atomic and molecular scale, generally 100 nanometers or smaller, and the development of devices with critical dimensions that lie within that size range.

[change] Overview

Nanotechnology is a highly multidisciplinary field, drawing from areas such as applied physics, materials science, interface and colloid science, device physics, supramolecular chemistry (which refers to the area of chemistry that focuses on the noncovalent bonding interactions of molecules), self-replicating machines and robotics, chemical engineering, mechanical engineering, biological engineering, and electrical engineering.

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弊社は専門なエンドミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ

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弊社の製品の供給調達機能は:

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弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт www.tool-tool.com для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web www.tool-tool.com for more info.

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Наношестерни из одной молекулы

Наношестерни из одной молекулы

Нанотехноло́гия — междисциплинарная область фундаментальной и прикладной науки и техники, имеющая дело с совокупностью теоретического обоснования, практических методов исследования, анализа и синтеза, а также методов производства и применения продуктов с заданной атомарной структурой путём контролируемого манипулирования атомами и молекулами.

[править] Определения и терминология

Часто употребляемое определение нанотехнологии как комплекса методов работы с объектами размером менее 100 нанометров недостаточно точно описывает как объект, так и отличие нанотехнологии от традиционных технологий и научных дисциплин. Объекты нанотехнологий, с одной стороны, могут иметь характеристические размеры указанного диапазона:

  • наночастицы, нанопорошки (объекты, у которых три характеристических размера находятся в диапазоне до 100 нм)
  • нанотрубки, нановолокна (объекты, у которых два характеристических размера находятся в диапазоне до 100 нм)
  • наноплёнки (объекты, у которых один характеристический размер находится в диапазоне до 100 нм).

С другой стороны, объектом нанотехнологий могут быть макроскопические объекты, атомарная структура которых контролируемо создаётся с разрешением на уровне отдельных атомов.

Нанотехнологии качественно отличаются от традиционных дисциплин, поскольку на таких масштабах привычные, макроскопические, технологии обращения с материей часто неприменимы, а микроскопические явления, пренебрежительно слабые на привычных масштабах, становятся намного значительнее: свойства и взаимодействия отдельных атомов и молекул или агрегатов молекул, квантовые эффекты.

В практическом аспекте это технологии производства устройств и их компонентов, необходимых для создания, обработки и манипуляции атомами, молекулами и частицами, размеры которых находятся в пределах от 1 до 100 нанометров [1]. Однако, нанотехнология сейчас находится в начальной стадии развития, поскольку основные открытия, предсказываемые в этой области, пока не сделаны. Тем не менее проводимые исследования уже дают практические результаты. Использование в нанотехнологии передовых научных результатов позволяет относить её к высоким технологиям.

При работе с такими малыми размерами проявляются квантовые эффекты и эффекты межмолекулярных взаимодействий, такие как Ван-дер-Ваальсовы взаимодействия. Нанотехнология и, в особенности, молекулярная технология — новые области, очень мало исследованные. Развитие современной электроники идёт по пути уменьшения размеров устройств. С другой стороны, классические методы производства подходят к своему естественному экономическому и технологическому барьеру, когда размер устройства уменьшается не намного, зато экономические затраты возрастают экспоненциально. Нанотехнология — следующий логический шаг развития электроники и других наукоёмких производств.

[править] История

Многие источники, в первую очередь англоязычные, первое упоминание методов, которые впоследствии будут названы нанотехнологией, связывают с известным выступлением Ричарда Фейнмана «Там внизу много места» (англ. «There’s Plenty of Room at the Bottom»), сделанным им в 1959 году в Калифорнийском технологическом институте на ежегодной встрече Американского физического общества. Ричард Фейнман предположил, что возможно механически перемещать одиночные атомы, при помощи манипулятора соответствующего размера, по крайней мере, такой процесс не противоречил бы известным на сегодняшний день физическим законам.

Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходимо построить механизм, создававший бы свою копию, только на порядок меньшую. Созданный меньший механизм должен опять создать свою копию, опять на порядок меньшую и так до тех пор, пока размеры механизма не будут соизмеримы с размерами порядка одного атома. При этом необходимо будет делать изменения в устройстве этого механизма, так как силы гравитации, действующие в макромире будут оказывать все меньшее влияние, а силы межмолекулярных взаимодействий и Ван-дер-Ваальсовы силы будут все больше влиять на работу механизма. Последний этап — полученный механизм соберёт свою копию из отдельных атомов. Принципиально число таких копий неограниченно, можно будет за короткое время создать любое число таких машин. Эти машины смогут таким же способом, поатомной сборкой собирать макровещи. Это позволит сделать вещи на порядок дешевле — таким роботам (нанороботам) нужно будет дать только необходимое количество молекул и энергию, и написать программу для сборки необходимых предметов. До сих пор никто не смог опровергнуть эту возможность, но и никому пока не удалось создать такие механизмы. Принципиальный недостаток такого робота - принципиальная невозможность создания механизма из одного атома.

Изложенные Фейнманом в лекции идеи о способах создания и применения таких манипуляторов совпадают практически текстуально с фантастическим рассказом известного советского писателя Бориса Житкова «Микроруки», опубликованным в 1931.

В широко известном произведении русского писателя Н. Лескова «Левша» есть любопытный фрагмент:

Если бы, — говорит, — был лучше мелкоскоп, который в пять миллионов увеличивает, так вы изволили бы, — говорит, — увидать, что на каждой подковинке мастерово имя выставлено: какой русский мастер ту подковку делал

Увеличение в 5000000 раз обеспечивают современные электронные и атомно-силовые микроскопы, считающиеся основными инструментами нанотехнологий, таким образом, литературного героя Левшу можно считать первым в истории нанотехнологом.

Впервые термин «нанотехнология» употребил Норио Танигути в 1974 году. Он назвал этим термином производство изделий размером несколько нанометров. В 1980-х годах этот термин использовал Эрик К. Дрекслер в своих книгах: «Машины создания: грядёт эра нанотехнологии» («Engines of Creation: The Coming Era of Nanotechnology») и «Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and Computation». Центральное место в его исследованиях играли математические расчёты, с помощью которых можно было проанализировать работу устройства размерами в несколько нанометров.

В принципе, создание наноманипуляторов может привести к сценарию «серой жижи».

[править] Достижения нанотехнологии

[править] Атомно-силовая микроскопия

Одним из методов, используемых для изучения нанообъектов, является атомно-силовая микроскопия. С помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) можно не только увидеть отдельные атомы, но также избирательно воздействовать на них, в частности, перемещать атомы по поверхности. Учёным уже удалось создать двумерные наноструктуры на поверхности, используя данный метод. Например, в исследовательском центре компании IBM, последовательно перемещая атомы ксенонa на поверхности монокристалла никеля, сотрудники смогли выложить три буквы логотипа компании, используя 35 атомов ксенонa (D. M. Eigler, E. K. Schweizer, Nature, vol. 344, p.524, 1990).

При выполнении подобных манипуляций возникает ряд технических трудностей. В частности, требуется создание условий сверхвысокого вакуума (10−11 тор), необходимо охлаждать подложку и микроскоп до сверхнизких температур (4-10 К), поверхность подложки должна быть атомарно чистой и атомарно гладкой для чего применяются специальные методы её приготовления. Охлаждение подложки производится с целью уменьшения поверхностной диффузии осаждаемых атомов.

[править] Наночастицы

Современная тенденция к миниатюризации показала, что вещество может иметь совершенно новые свойства, если взять очень маленькую частицу этого вещества. Частицы, размерами от 1 до 1000(свыше 100 нанометров наночастицами можно назвать их условно) нанометров обычно называют «наночастицами». Так, например, оказалось, что наночастицы некоторых материалов имеют очень хорошие каталитические и адсорбционные свойства. Другие материалы показывают удивительные оптические свойства, например, сверхтонкие пленки органических материалов применяют для производства солнечных батарей. Такие батареи, хоть и обладают сравнительно низкой квантовой эффективностью, зато более дешевы и могут быть механически гибкими. Удается добиться взаимодействия искусственных наночастиц с природными объектами наноразмеров — белками, нуклеиновыми кислотами и др. Тщательно очищенные, наночастицы могут самовыстраиваться в определенные структуры. Такая структура содержит строго упорядоченные наночастицы и также зачастую проявляет необычные свойства.


Нанообъекты делятся на 3 основных класса: трёхмерные частицы получаемые взрывом проводников, плазменным синтезом, восстановлением тонких плёнок итд, двумерные объекты - плёнки, получаемые методами молекулярного наслаивания, CVD, ALD, методом ионного наслаивания итд, одномерные объекты - вискеры, эти объекты получаются методом молекулярного наслаивания, введением веществ в цилиндрические микропоры и т.д. Также существуют нанокомпозиты - материалы полученные введением наночастиц в какие либо матрицы. На данный момент обширное применение получил только метод микролитографии, позволяющий получать на поверхности матриц плоские островковые объекты размером от 50 нм, применяется он в электронике. метод CVD и ALD в основном применяется для создания микронных плёнок. Прочие методы в основном используются в научных целях. В особенности следует отметить методы ионного и молекулярного наслаивания, поскольку с их помощью возможно создание реальных монослоёв.

[править] Самоорганизация наночастиц

Одним из важнейших вопросов, стоящих перед нанотехнологией — как заставить молекулы группироваться определенным способом, самоорганизовываться, чтобы в итоге получить новые материалы или устройства. Этой проблемой занимается раздел химиисупрамолекулярная химия. Она изучает не отдельные молекулы, а взаимодействия между молекулами, которые, организовываясь определенным способом, могут дать новые вещества. Обнадеживает то, что в природе действительно существуют подобные системы и осуществляются подобные процессы. Так, известны биополимеры, способные организовываться в особые структуры. Один из примеров — белки, которые не только могут сворачиваться в глобулярную форму, но и образовывать комплексы — структуры, включающие несколько молекул протеинов (белков). Уже сейчас существует метод синтеза, использующий специфические свойства молекулы ДНК. Берется комплементарная ДНК, к одному из концов подсоединяется молекула А или Б. Имеем 2 вещества: ----А и ----Б, где ---- — условное изображение одинарной молекулы ДНК. Теперь, если смешать эти 2 вещества, между двумя одинарными цепочками ДНК образуются водородные связи, которые притянут молекулы А и Б друг к другу. Условно изобразим полученное соединение: ====АБ. Молекула ДНК может быть легко удалена после окончания процесса.

[править] Проблема образования агломератов

Частицы размерами порядка нанометров или наночастицы, как их называют в научных кругах, имеют одно свойство, которое очень мешает их использованию. Они могут образовывать агломераты, то есть слипаться друг с другом. Так как наночастицы многообещающи в отраслях производства керамики, металлургии, эту проблему необходимо решать. Одно из возможных решений — использование веществ — дисперсантов, таких как цитрат аммония (водный раствор), имидазолин, олеиновый спирт (нерастворимых в воде). Их можно добавлять в среду, содержащую наночастицы. Подробнее это рассмотрено в источнике "Organic Additives And Ceramic Processing, ", D. J. Shanefield, Kluwer Academic Publ., Boston (англ.).

[править] Новейшие достижения

[править] Графен

Основная статья: Графен

В октябре 2004 года в Манчестерском университете (The University Of Manchester) было получено небольшое количество материала, названного графенмонослой атомов углерода. Графен можно использовать, как детектор молекул (NO2), позволяющий детектировать приход и уход единичных молекул. Графен обладает высокой подвижностью при комнатной температуре, благодаря чему как только решат проблему формирования запрещённой зоны в этом полуметалле, обсуждают графен как перспективный материал, который заменит кремний в интегральных микросхемах.

[править] Современные центральные процессоры

1 марта 2005 года сайт news.com сообщил, что компания Intel создала прототип процессора, содержащего наименьший структурный элемент размерами примерно 65 нм. В дальнейшем компания намерена достичь размеров структурных элементов до 5 нм.

Основной конкурент Intel, компания AMD, также давно использует для производства своих процессоров нанотехнологические процессы, разработанные совместно с компанией IBM, характерным отличием от разработок Intel является применение дополнительного изолирующего слоя SOI, препятствующего утечке тока за счет дополнительной изоляции структур, формирующих транзистор.

Уже существуют рабочие образцы процессоров с транзисторами размером 45 нм и опытные образцы на 32 нм.

[править] Плазмон

Основная статья: Плазмон

На сайте PhysOrg.com сообщается о перспективах использования плазмонов. Плазмоны — коллективные колебания свободных электронов в металле. Характерной особенностью возбуждения плазмонов можно считать так называемый плазмонный резонанс, впервые предсказанный Ми в начале XX века. Длина волны плазмонного резонанса, например, для сферической частицы серебра диаметром 50 нм составляет примерно 400 нм, что указывает на возможность регистрации наночастиц далеко за границами дифракционного предела (длина волны излучения много больше размеров частицы). В начале 2000-го года, благодаря быстрому прогрессу в технологии изготовления частиц наноразмеров, был дан толчок к развитию новой области нанотехнологии — наноплазмонике. Оказалось возможным передавать электромагнитное излучение вдоль цепочки металлических наночастиц с помощью возбуждения плазмонных колебаний.

[править] Антенна-осциллятор

Дальнейшие исследования направлены на создание осцилляторов для телекоммуникаций. 9 февраля 2005 года сообщается, что в лаборатории Бостонского университета была получена антенна-осциллятор размерами порядка 1 мкм. Это устройство насчитывает 5000 миллионов атомов и способно осциллировать с частотой 1,49 гигагерц. Это позволит передавать с ее помощью большие объемы информации.[источник?]

[править] Наноаккумулятор

Основная статья: Наноаккумулятор

В начале 2005 года компания Altair Nanotechnologies (США) объявила о создании инновационного материала для электродов литий-ионных аккумуляторов. Аккумуляторы с Li4Ti5O12 электродами имеют время зарядки 10-15 минут.

В феврале 2006 года компания начала производство аккумуляторов на своём заводе в Индиане. В марте 2006 Altairnano и компания Boshart Engineering заключили соглашение о совместном создании электромобиля. В мае 2006 успешно завершились испытания автомобильных наноаккумуляторов. В июле 2006 Altair Nanotechnologies получила первый заказ на поставку литий-ионных аккумуляторов для электромобилей. Заказ поступил от компании Phoenix Motorcars (США). Phoenix Motorcars Phoenix планирует произвести 10 электромобилей в 2006 , 500 штук — в 2007, 5000 — в 2008, 20000 — в 2009, 50000 — в 2010 и 100000 — в 2011 году[источник?]…«»

В то же время существуют обоснованные опасения в том, что эта информация недостоверна [2]

[править] Бронежилет

Австралийские ученые предложили изготавливать жилеты из материалов на основе углеродных нанотрубок. Последние обладают пулеотталкивающим свойством – под воздействием пули тоненькие трубки прогибаются, а затем восстанавливают форму с отдачей энергии.

[править] Индустрия нанотехнологий

В 2004 году мировые инвестиции в сферу разработки нанотехнологий почти удвоились по сравнению с 2003 годом и достигли $10 млрд. На долю частных доноров — корпораций и фондов — пришлось примерно $6.6 млрд. инвестиций, на долю государственных структур — около $3.3 млрд. Мировыми лидерами по общему объему капиталовложений в этой сфере стали Япония и США. Япония увеличила затраты на разработку новых нанотехнологий на 126 % по сравнению с 2003 годом (общий объем инвестиций составил $4 млрд.), США — на 122 % ($3.4 млрд.). В настоящее время (2008 год) финансирование России на развитие нанотехнологий достигло уровня США.

[править] Центры нанотехнологий

[править] Германия

  • Creavis - исследовательское подразделение корпорации Degussa.

[править] США

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焼結体はcBN粒子同志が骨格を構成し、更に特殊なバインダー相がcBN粒子と強固に結合しています。

用途は鉄系高硬度材、難削材の切削及び耐磨耗材としてご使用いただけます。

材種はKT10、KT10C、KT20C、KT25、KT30、KT30N、KT30Xの7材種を取り揃えてありますので、各種被削材、用途に適用できます。



材種

KT05Y: 鉄系焼結合金及び鋳鉄切削用材種です。
KT10: 高速度鋼、及び高硬度鋳鉄に向く材種です。
KT10C: 鉄系焼結合金切削用材種です。
KT20C: 鉄系焼結合金及びダグタイル鋳鉄切削用材種です。
KT25: 焼入鋼及び鋳鉄用に耐磨耗性と耐欠損性を併せ持つ汎用材種です。
KT30: 焼入鋼及び鋳鉄の仕上切削用材種です。
KT30N: 焼入鋼の仕上切削用材種です。
KT30X: 焼入鋼の中及び強断続切削用材種です。

物性


KT
05Y
KT
10
KT
10C
KT
20C
KT
25
KT
30
KT
30N
KT
30X
ビッカーズ硬度
(GPa)
35 32 32 30 29 29 28 28
抗折力
(MPa)
1100 1000 1000 950 950 850 850 1300

組織


KT-10 SEM写真
KT-25 SEM写真

切削性能

被削材: SUJ-2
硬度: HRC 58-60
工具:
v: 110m/min
f: 0.1mm/rev
d: 0.5mm
dry







推奨切削条件

(下記結果は代表値であり保証値ではありません)

被削材 推奨材料

KT
05Y
KT
10
KT
10C
KT
20C
KT
25
KT
30
KT
30N
KT
30X
構造用合金鋼(SUJ,SK)



ダイス鋼(SKD)



浸炭焼入鋼(SCM,SCr)




ハイス鋼(SKH)






高硬度鋳鉄(チルド鋳鉄)




鋳鉄(FC,FCD)




鉄系焼結合金




被削材 切削条件

Vm/min fmm/rev dmm 加工液Wet/Dry
構造用合金鋼(SUJ,SK) 100 ~ 150 ~ 0.2 ~ 0.5 W 又は D
ダイス鋼(SKD) 70 ~ 120 ~ 0.1 ~ 0.5 W 又は D
浸炭焼入鋼(SCM,SCr) 100 ~ 150 ~ 0.2 ~ 0.5 W 又は D
ハイス鋼(SKH) 70 ~ 120 ~ 0.1 ~ 0.5 W 又は D
高硬度鋳鉄(チルド鋳鉄) 100 ~ 200 ~ 0.5 ~ 2 W 又は D
鋳鉄(FC,FCD) 200 ~ 500 ~ 0.5 ~ 2 W 又は D
鉄系焼結合金 70 ~ 120 ~ 0.1 ~ 0.5 W 又は D

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王恩澤  鄭燕青  邢建東  鮑崇高
(西安交通大學機械工程學院, 西安 710049)


摘 要 研制了適合陶瓷顆粒表面涂層處理的化學氣相沉積裝置,并探索了在氧化鋁顆粒表面獲得TiN涂層的工藝﹔所獲得的TiN涂層能提高耐熱鋼在氧化鋁顆粒間的鑄滲深度,并使顆粒得到基體的牢固支撐。氧化鋁顆粒體積分數在23%~57%可調。
關鍵詞 化學氣相沉積, TiN涂層, 氧化鋁顆粒, 耐熱鋼基體, 復合材料
中圖分類號 TB331, TQ174.758

   在冶金、電力、建材等許多工業部門都存在著高溫磨料磨損工況,這些工況常用的材料是抗氧化性與熱強性較好但抗磨性很差的耐熱鋼,由此帶來的損失是巨大 的。文獻﹝1﹞的研究表明,在抗氧化性與熱強性好的基體上分布有高溫穩定性好、硬度高的硬質相材料具有優良的高溫磨料磨損抗力,因此擬將氧化鋁顆粒分散在 耐熱鋼基體中獲得復合材料來解決這一問題。要將氧化鋁顆粒均勻分布在密度與它差別較大且熔點高的耐熱鋼中并非易事,通過分析現有顆粒增強金屬基復合材料液 相成型技朮,發現鑄滲法可較好解決顆粒均勻分散問題,獲得表面耐磨的復合材料。然而,氧化鋁與耐熱鋼在短時間接觸時是不濕潤的﹝2﹞,而無法實現鑄滲,因此必需對氧化鋁顆粒進行改善濕潤性的表面涂層處理。
  顆粒的表面涂層處理能有效地控制顆粒增強金屬基復合材料的界面,這也是改善復合材料性能的關鍵環節,可現有的適合顆粒表面涂層處理的手段很少,從方法上看有溶膠-凝膠法與化學鍍法,從可得到的涂層看僅有SiO2、 Al2O3、 Ni、 Cu﹝3~5﹞等很少几種,遠遠滿足不了界面控制的要求。化學氣相沉積技朮可獲得多種涂層(達七十多種)﹝6﹞,且撓鍍性好,可獲得顆粒表面均勻涂層,因此開發化學氣相沉積技朮在顆粒表面處理方面的應用意義重大。TiN是通過化學氣相沉積獲得的在刀具方面用得最多的耐磨涂層,它也能顯著改善氧化鋁與金屬間的濕潤性﹝7﹞,因此本文作者研制了適合顆粒表面涂層處理的化學氣相沉積工裝,并在氧化鋁顆粒表面獲得了TiN涂層,探討了該涂層對鑄滲的影響。

1 實驗條件與方法
1.1 化學氣相沉積裝置與工藝

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1─氣體流量計 2─氣體混合罐 3─沉積室 4─沸騰床
5─氧化鋁顆粒 6─篩網 7─加熱碳硅棒 8─TiCl4氣化熱源
9─加熱爐控制系統 10─爐體
圖1 化學氣相沉積裝置示意圖
Fig.1 The sketch of installation for CVD

   化學氣相沉積的本質是靠高溫提供混合氣體的激活能,使之發生化學反應生成固相而沉積在一定基底上。要實現顆粒的表面涂覆,需要滿足如下基本條件:(1) 混合氣體的組成與比例能調節與控制﹔(2) 反應室的溫度能調節與控制﹔(3) 反應室的氣氛能控制﹔(4)對于非氣體源物質(液體或固體),必須轉化為氣體﹔(5) 氣體應穿過顆粒間間隙,使顆粒表面都能有涂層,且應有使顆粒能懸浮的高壓氣體,以改變顆粒間的相對位置而得到均勻涂層﹔(6) 反應后的廢氣能即時排除。為了滿足這些條件,設計制造了如圖1所示的裝置。
  經過探索,得到了如下較合適的化學氣相沉積工藝:原料配比為,氮氣 流量130升/小時,氫氣流量530升/小時,四氯化鈦加熱溫度50℃±5℃,在氣 體中所占體積比例為10%左右。過程為,陶瓷顆粒裝于沸騰床中后一起放于反應室中密封,抽真空到負0.85大氣壓,通入氬氣,如此反復三次后通電加熱,溫 度達1100℃時通上述氣體2小時結束,最終溫度控制在1180℃,2小時中每10分鐘通高壓(4大氣壓)氬氣沸騰一次,沉積的化學反應是 2TiCl4+4H2+N2=2TiN(固)+8HCl
1.2 負壓鑄滲實驗
   為了模擬實際生產工況,設計制造了圖2(見文獻﹝8﹞中圖2)所示的負壓鑄滲裝置。其工作原理是:石英管2(內徑10mm)中的金屬試樣用高頻電源熔 化并達到一定溫度后,將吸有陶瓷顆粒的石英管1(外徑8mm)插入熔融金屬中,金屬液在負壓吸力下滲入陶瓷顆粒間凝固而得復合材料。
1.3 實驗用材料
1.3.1 氧化鋁顆粒
  選用粒度為70~100目、 50~70目及28~50目三種氧化鋁。
1.3.2 耐熱鋼

表1 耐熱鋼化學成分
Table 1 The composition of heat-resistant steel

C Si Mn P S Cr Ni Mo
0.37 1.78 0.74 0.04 0.02 24.5 18.3 0.13


  選用牌號為ZG40Cr25Ni20耐熱鋼,其化學成分如表1。

2 實驗結果與分析
2.1 表面涂層及其分析
2.1.1 涂層形貌分析
  將已進行涂層處理的氧化鋁顆粒用牙脫粉鑲嵌后磨顆粒切面,然后在掃描電鏡下觀察其形貌,得到如圖3所示的結果,由此看出:在氧化鋁顆粒表面得到了呈白 亮色的涂層,其厚度大部分為4μm,但也存在厚度大到4.5μm 、 小到2.5μm 的局部涂層,因此可以說,所得涂層的厚度在2.5~4.5μm之間,其均勻性較好。因為通過分析購置的鎳包氧化鋁顆粒表面的涂層形貌發現,其厚度差很大, 涂層在顆粒表面呈團狀分布,甚至有的局部無涂層,其形貌如圖4所示。

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圖3 氧化鋁顆粒表面的涂層形貌     圖4 外購包鎳氧化鋁顆粒表面的涂層形貌×400

Fig.3 Micrography of coating made by the authors 
Fig.4 Micrography of coating on Al2O3 particles purchased 



2.1.2 涂層組成分析
   為了鑒定所得涂層,首先用掃描電鏡對高倍下的涂層進行了能譜分析,以鑒定其成分。原子序數較高的主要元素相對比例是: Al, 1.49%﹔ Si, 1.08%﹔ Ti, 97.44%。 由此可見,涂層中含有很高的Ti,為了証實Ti是以TiN的形式存在的,又將涂覆后的顆粒裝在靶上后進一步作X射線衍射分析,以鑒定其結構,得到如圖5所 示的結果,由此可見,顆粒中確實有TiN存在,與能普分析結合起來,確定表面涂層為TiN。

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圖5 有涂層的氧化鋁顆粒X射線衍射結果
Fig.5 The chart of X-ray diffraction to Al2O3 particles with coating

2.2 鑄滲特性及其分析
   為了考察TiN涂層對鑄滲的影響,用包TiN涂層的氧化鋁顆粒與不同粒度的氧化鋁顆粒進行了鑄滲深度的對比實驗,同時考慮到不同高溫磨料磨損工況對材 料韌性的不同要求,進行了調節氧化鋁顆粒體積分數的可行性實驗,顯然,氧化鋁顆粒體積分數的降低會提高復合材料的韌性。下面從鑄滲深度與微觀組織兩個方面 來闡述TiN涂層對鑄滲的影響及控制氧化鋁顆粒體積分數的可行性。
2.2.1 鑄滲深度特性
  選擇了70~100目包覆TiN的氧化鋁及粒度分別為70~100目、 50~70目、 28~50目的未包TiN氧化鋁進行負壓鑄滲實驗,選擇了70~100目的低碳鉻鐵粉與同粒度的包TiN氧化鋁混合進行了調節體積分數的實驗,得到了不同 狀態下的鑄滲深度,結果如表2所示。


表2 不同氧化鋁負壓鑄滲深度
Table 2 The infiltration depth of metal liquid between different Al2O3 particles

名  稱 TA A A A TA:DL=1:1 TA:DL=1:2
粒度/目 70~100 70~100 50~70 28~50 70~100 70~100
鑄滲深度/mm 7 0 0 4 7.5 7.3
      說明: 1 TA──包TiN氧化鋁顆粒, A──氧化鋁顆粒, DL──低碳鉻鐵顆粒﹔
         2 DL主要成分: 0.17%C, 65%Cr﹔ 3 TA:DL為重量比。


  由此可見,TiN涂層能明顯改善鑄滲效果,比粒度大得多的氧化鋁所得到的鑄滲深度還大得多,但在包TiN涂層氧化鋁顆粒中加入低碳鉻鐵粉后鑄滲深度几乎無變化。為何會呈現這樣的變化呢?資料﹝8﹞表明,鑄滲深度由下式決定:

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式中:R為顆粒間毛細孔半徑,σ為液體金屬表面張力,θ為濕潤角,τ為金屬保持液態的時間,η為金屬液粘度,P1為 真空度。由此可見,降低金屬液與顆粒間濕潤角θ、增大粒度以增加顆粒間毛細孔半徑R都可使鑄滲深度提高,資料﹝7﹞表明:TiN涂層可使氧化鋁與高速鋼的 濕潤角從92°下降到33°,即可使上式中的2σ cosθ/R項發生從負值向正值的轉變,對提高H極為有利,因此有TiN涂層的較小粒度氧化鋁顆粒可獲得較大的鑄滲層,而無涂層的較小粒度氧化鋁不能實現 鑄滲,但隨著粒度的增加,R增大的同時,2σ cosθ/R的絕對值減小,這都有使H增加的趨勢,因此當粒度提高到28~50目時,即使沒有涂層也有鑄滲層形成。然而,低碳鉻鐵是合金,與耐熱鋼的濕潤 性顯然比TiN涂層好,為何其加入后卻對鑄滲深度無影響呢?對此仍可用上式來解釋。在上式中,降低金屬保持液態時間τ或提高金屬液粘度η都會降低鑄滲深 度,在本實驗中,雖然存在低碳鉻鐵與耐熱鋼液濕潤性好使鑄滲深度增加的因素,但也存在低碳鉻鐵比陶瓷顆粒導熱性好、蓄熱量大,使τ降低η升高而使鑄滲深度 降低的因素,因此加入低碳鉻鐵粉后對鑄滲深度几乎無影響。
2.2.2 鑄滲組織特征
  有涂層的小顆粒與無涂層的大顆粒都通過鑄滲獲 得了復合材料,其微觀組織特征有何差別呢?由圖5、圖6看出,雖然小顆粒間間隙很小,但顆粒周圍都充滿了 耐熱鋼的基體,得到了基體的有力支撐,而大顆粒間即使空間間隔與小顆粒相比大得多,卻存在不少金屬液未充填到留下的孔洞,而使顆粒部分失去了基體的支撐, 這對其使用性能極為不利。因此可以說,要通過鑄滲獲得復合材料,必需改善顆粒與金屬液間的濕潤性。從而進一步顯示了表面涂層處理的重要性。

表3 氧化鋁顆粒的體積分數
Table 3 The fraction of Al2O3 particles

名  稱 TA TA:DL=1:1 TA:DL=1:2
體積分數/% 57 39 23
   耐熱鋼顆粒加入比例不同時的氧化鋁顆粒體積分數通過定量金相分析得到如表3所示的結果,由此可見,氧化鋁顆粒體積分數名稱在23%到57%之間可調。氧 化鋁顆粒與低碳鉻鐵粉重量比為1:1、 1:2時的復合材料組織分別如圖8、9所示(無DL時的組織見圖6)。由此可以看出,氧化鋁顆粒表面包覆TiN后,通過鑄滲可以得到氧化鋁顆粒體積分數不 同、 組織致密的復合材料。

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  圖6 70~100目氧化鋁包覆TiN后制得的復合材料(×50)
圖7 28~50目氧化鋁無TiN涂層時制得的復合材料(×50)  
Fig.6 The micrography of composite with TiN-coated 70~100M Al2O3 particles
Fig.7 The micrography of composite with 28~50M Al2O3 particles  

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圖8 TA:DL=1:1時復合材料組織(×50)   圖9 TA:DL=1:2時復合材料組織(×50)
Fig.8 The micrography of the composite at TA:DL=1:1
Fig.9 The micrography of the composite at TA:DL=1:2




3 結  論
  本文中探索了在氧化鋁顆粒表面獲得TiN涂層的工藝及該涂層對鑄滲的影響,得到如下認識:
  (1) 采用130升/小時N2、 530升/小時H2(同時用作TiCl4的運載氣體)、 50℃±5℃氣化TiCl4的工藝參數,在1100~1180℃的溫度下及有氬氣懸浮的條件下,使氧化鋁顆粒表面獲得了較均勻的TiN涂層。
  (2) TiN涂層可在小粒度氧化鋁顆粒的條件下獲得較大的鑄滲復合材料層。
  (3) 氧化鋁顆粒表面TiN涂層的存在,即使很小的顆粒間隙中也能充滿耐熱鋼液,而使顆粒能得到基體的牢固支撐,改善復合材料的使用性能。
  (4) 包TiN涂層氧化鋁顆粒中加入不同數量的低碳鉻鐵顆粒可使氧化鋁顆粒體積分數在23%~57%之間可調。

參 考 文 獻

1 Xing J D, Zhou Q D. AFS Transactions,1992, 100(2):17
2 杜鍵, 王恩澤, 邢建東. 復合材料學報, 1998,15(1):24~29
3 Teng Y H, Boyd J D. Fabrication of particulates reinforced metal composites. In: Proc of an Int Conf Canada, 1990.125
4 Levi C G, Abbaschian G J. Met Trans, 1978,9A:697
5 張坤. C/Mg復合材料纖維涂層及液相浸滲研究: ﹝博士學位論文﹞. 西安: 西北工業大學,1995.16
6 王福貞, 聞立時編著. 表面沉積技朮. 北京: 機械工業出版社,1989. 100
7 Jouanny C, Tresy, Vardavoulias M, et al. Journal of Materials Science,1993,28:6147
8 王恩澤, 鄭燕青, 邢建東,等. 鑄滲法制備顆粒增強鋼基復合材料的研究. 復合材料學報, 1998,15(2):12~17

OBTAINING OF TiN COATING ON CERAMIC PARTICLES AND ITS USE


Wang Enze
  Zheng Yanqing  Xing Jiandong  Bao Chonggao

(Mechanical Engineering School, Xi
an Jiaotong University, Xian 710049)

Abstract  The CVD installation to obtain coating on ceramic particles was designed and made. The process of obtaining TiN coating on Al2O3 particles was investigated. The results show that the TiN coating can improve the infiltrating depth of the heat-resistant steel liquid between Al2O3 particles, and the particles can be firmly sustained by the matrix. The fraction of Al2O3 particles in composite may be adjusted between 23%57%.
Key words
  chemical vapor deposition, TiN coating, Al2O3 particles, heat-resistant steel matrix, composite

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