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LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。

1、 晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关, 但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完 成数层电路及元件加工与制作。

2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但 也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗 单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。

3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片 基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连 接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那 些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。

4、测试工序:芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速 度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数,从相近参数规格、品种中拿出部分芯片,做有针对 性的专门测试,看是否能满足客户的特殊需求,以决定是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即 可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。

LED芯片的制造工艺流程:

外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD 介绍:金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD),1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、 化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、 绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片 后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片 (以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成芯片后,在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。

1、 主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。

2、 晶圆切割成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、 接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、 最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒, 芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同,确保芯片排列整齐和质量 合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。

在LED芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片或毛片等。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做LED方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。

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氮 化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片 制造的普及,钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出,但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上,MOCVD 沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。

  MOCVD沉积氮化钛应用和工艺概述

图1MOCVD在Logic和Memory应用


   MOCVD技术作为化合物半导体材料研究和生产的手段,它的高质量、稳定性、重复性及规模化为业界所看重。在超大规模集成电路的制造中,它主要用来沉 积氮化钛,用做钨填充拴的阻挡层和粘合层,如图1所示,随着PVD(Physical Vapor Deposition)沉积的氮化钛已经不能满足低线宽的阶梯覆盖率的要求,线宽在0.18mm及以下Logic和Memory产品上,MOCVD 沉积氮化钛作为钨栓的阻挡层和粘合层,得到了广泛的应用。因为钛薄膜本身能吸附一些杂志形成钛合物从而降低接触电


阻,所以业内普遍都将MOCVD 沉积氮化钛和PVD沉积钛作为一个整体工艺来应用,工艺顺序如图2所示。

图2MOCVD工艺制造的流程图

MOCVD 工艺相对比较成熟, 它是利用金属耦合有机物作为先驱反应物,在一定的温度下热分解,形成所需要的化合物和一些有机的附产品,而这些附产品比较易于被排出去。该反应最重要的参 数是反应物,温度和流量,它们会影响薄膜的沉积率,阶梯覆盖率和薄膜本身的性能。表1所示的是两种不同的金属有机物来沉积氮化钛的参数比较,不难看出,反 应物为TDMAT的工艺一相对工艺二而言,有着很大的优势,也是业内应用最主流的工艺。


  MOCVD 沉积氮化钛工艺的浅释

  相对于单一先驱反应物的TDMAT,TDEAT+NH3本身有着致命的缺陷,双反应物会导致不容易控制二者的比例,而双反应物的气相反应成核会导致微尘和电阻率的不稳定。

表1两种MOCVD沉积氮化钛工艺的参数比较


  TDMAT主导的MOCVD 沉积氮化钛一般会有两步,单独的热反应生成的氮化钛是无定形结构的,同时含有大量的碳和氢元素,电阻高达3000uohm-cm, 这样的薄膜必须经过H2-N2的等离子体处理来排除杂志,把无定形转变成非晶状,从而降低电阻,具体反应如下所述:
1. 沉积(Film Deposition):
  TDMAT经化学反应生成Ti(C)N+(CH3)2 NH+Hydrocarbons,其中Ti(C)N和(CH3)2NH会沉积在晶圆表面,而Hydrocarbons会被泵抽出反应腔。
  Ti[N(CH3)2]4 ->TiN(C,H)+HN(CH3)+ 有机附产品

  2. 沉积层的净化处理(N2/H2 Plasma Treatment)

  在这步工艺过程中,氢气和氮气(H2&N2)会进入反应腔;同时400KHz变频电源会输入反应腔。在此条件下,H2→H2+, N2→N2+, H2+和沉积膜发生化学反应把碳(C)和氮(N)从沉积膜反应出来,而N2+则把膜中的N2用N替换出来并最终形成氮化钛(TiN)。该步骤中生成的附属产品CxHy+HNR2 会被泵抽走。在工艺步骤2中,原工艺步骤1沉积膜厚度会减少30~50%。经过等离子体反应的薄膜应该是小的氮化钛的单晶包在无定形的氮化钛当中,放在空气中不会有时效效应。

  同时,H2-N2等 离子体的穿透性限于100A左右,按产品需要的氮化钛(TiN)的厚 度,可重复进行沉积和沉积层的净化处理,在高端上常用的工艺应用有1X50,即一次沉积加一次净化处理,最后厚度为50A,2X25,即两次沉积加两次净 化处理,最后厚度为100仭?业内通常沉积氮化钛的方法有PVD,LPCVD TiCl相对于别的工艺沉积氮化钛, MOCVD沉积的氮化钛有以下的特点:

  1. 相对于LPCVD TiCl工艺而言, MOCVD的沉积温度低,热预算低,这对于高端制程的整合非常重要。另外,MOCVD整个工艺都没有卤素,这对杂质的控制很关键。
  2. 随着关键尺寸的进一步缩小,传统的PVD工艺在阶梯覆盖率上有着明显的缺陷,而MOCVD可以很好的满足阶梯覆盖率的需要。
  3. MOCVD沉积的氮化钛薄膜的电阻相对较高,薄膜比较疏松,另外阶梯覆盖率在更高端制程上也面临新的挑战,改进工艺也是势在必行。

 MOCVD沉积氮化钛的应用总结和展望

  随着逻辑器件功能扩大、容量扩大和关键尺寸的逐渐减小,MOCVD 沉积氮化钛在接替覆盖率以及工艺整 合问题上面临着很大的挑战,而通过控制表面扩散来实现的低温MOCVD制程工艺则可在一定程度上改善这一问题。目前而言,它主要集中在逻辑和闪存的应用 上;而在DRAM应用中制备氮化钛的主流技术是TiCl,但是这一技术在热预算和成本控制上不足之处很明显,经过改进的MOCVD沉积氮化钛有望成为这一 应用的有力竞争者。
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划片机维护与保养

划片机是一种高精密设备,精度的稳定性、使用的安全性及可靠性都与工作的环境、维护保养息息相关。
1. 环境与外围要求
  划片机必须安装在无振动源,室内温度为20~25摄氏度的净化间内,并配有气源、水源、电源、排污口、抽雾装置等。
  气源要求是经过过滤、冷凝、干燥洁净的压缩空气,压力不低于0.5MPa,过滤精度大于0.01μm,露点-15℃、除去油分99.5%。
  主轴冷却水建议用去离子水,压力不低于0.2MPa,流量大于1.5L/min,温度保证在20℃±1℃,应保证主轴热稳定性好。
  刀片冷却水建议压力不低于0.2MPa,流量大于2.0L/min。
  电源电压380V±10%,50/60Hz,电压波动不能超出该范围,若超出会给主轴变压器工作带来困难。
  设备必须安全可靠接地。
2. 注意事项
  使用操作设备前仔细阅读使用说明书。
  维护与保养的人员必须是受过相关培训合格的人员。
  维修之前必须断开电源,在电源关断5min后方可打开设备。等主轴完全停止后,再关气源、水源,切忌无气时用手转动主轴。
  不要把东西遗忘放在运动部件或设备中。
  未经制造商授权或确认不要改动原有结构及功能。
3. 定期保养
3.1 天检查
  检查供给气源、水源压力传感器。
  主轴手拨转动情况。
  夹刀法兰是否有划痕和污物。
  吸盘有无划痕或损伤。
  急停开关的好坏。
  切割区防水罩有无破损以及密封处有无渗漏。
  清洁主轴头部划切带上的粉尘。
  清洁切割区污物,并用气枪吹干吸盘及周围水分。
3.2 月检查
  夹刀法兰情况。
  吸盘的平整度。
3.3 半年检查
  x向、y向、z向导轨润滑情况并加润滑脂。
  刀架的紧固情况。
  主轴冷却水路。
3.4 每年检查
  检查x向水平、垂直方向的直线性。
  检查主轴刀架端面与x轴的平行度。
  检查主轴径向、轴向跳动。
  Z轴同步齿形带的调整。
  清洁真空发生器。
  清洁非接触测高传感器。
  清洁刀体破损检测器。
  检查光源灯箱中的卤素灯,建议更换。
  检查空气过滤器和微雾分离器的滤芯,建议更换。
  检查主轴碳刷,建议更换。
  检查切割区导轨防水罩,建议更换。
  流量计调节灵活准确性。
  更换操作键盘面膜。
  更换对准照明用的发光二极管。
  上述只是就维护与保养浅谈了一些建设性建议,还需不同的用户根据具体使用情况在总结。维护保养做得好,设备就可以长期健康高效的为用户提供生产保证。切忌不对设备定期保养和维护,只等有了问题解决,这反而会影响紧张的生产,更可能增加维护保养的难度和成本。

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1、BGA(ball grid array)
球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以
代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸
点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚
BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不
用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可
能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有
一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,
由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC 和GPAC)。


2、BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以
防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用
此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。


3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)
表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。


4、C-(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。


5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有
玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心
距2.54mm,引脚数从8 到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。


6、Cerquad
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗
口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1.5~
2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3~5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、
0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。


7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为
QFJ、QFJ-G(见QFJ)。


8、COB(chip on board)
板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基
板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆
盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和倒片
焊技术。


9、DFP(dual flat package)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。


10、DIC(dual in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).


11、DIL(dual in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。


12、DIP(dual in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm
和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,
只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。


13、DSO(dual small out-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。


14、DICP(dual tape carrier package)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利
用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。
另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工
业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。


15、DIP(dual tape carrier package)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。


16、FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采
用此名称。


17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点
与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技
术中体积最小、最薄的一种。
但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠
性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。


18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采
用此名称。


19、CPAC(globe top pad array carrier)
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。


20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。
在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装
在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。


21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。


22、pin grid array(surface mount type)
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的
底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称
为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不
怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶
瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。


23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半
导体厂家采用的名称。


24、LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高
速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN-C(见QFN)。


25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已
实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑
LSI 电路。
LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗
小,对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计
今后对其需求会有所增加。


26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的
中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的
结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。


27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
外形规格所用的名称。


28、L-QUAD
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8 倍,具有较好的散热性。
封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装,
在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm
中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。


29、MCM(multi-chip module)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分
为MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大类。
MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。
MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使
用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。
MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。
布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。


30、MFP(mini flat package)
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。


31、MQFP(metric quad flat package)

按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为
0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm 的标准QFP(见QFP)。


32、MQUAD(metal quad)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷
条件下可容许2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。


33、MSP(mini square package)
QFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。


34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见
BGA)。


35、P-(plastic)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。


36、PAC(pad array carrier)
凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。


37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。


38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。


39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采
用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模逻辑
LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。
了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64~256 引脚的塑料PGA。
另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装
型PGA)。

40、piggy back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设
备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制
品,市场上不怎么流通。


41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,
是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经普
及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。
J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。
PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现
在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P
-LCC 等),已经无法分辨。为此,日本电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出J 形引
脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。


42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用P-LCC 表示无引线封装,以示区别。


43、QFH(quad flat high package)
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封装本体断裂,QFP 本体制作得
较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。


44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字。
也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面积小
于QFP。
日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC
也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。


45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形。
是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、
DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及
带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。


46、QFN(quad flat non-leaded package)
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业
会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度比QFP
低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点
难于作到QFP 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。
材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外,
还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。


47、QFP(quad flat package)
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶
瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多数情
况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI 电路,而且也用于VTR
信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、
0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP
的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为
QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。
但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱。
QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已
出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂保护
环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹
具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。
在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为
0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqad)。


48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、
0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。


49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。


50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。


51、QTCP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用
TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。


52、QTP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的
名称(见TCP)。


53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的别称(见QUIP)。


54、QUIP(quad in-line package)
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中
心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是
比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些
种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。


55、SDIP (shrink dual in-line package)
收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm),
因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。


56、SH-DIP(shrink dual in-line package)
同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。


57、SIL(single in-line)
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。


58、SIMM(single in-line memory module)
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座
的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。
在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人
计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30~40%的DRAM 都装配在SIMM 里。


59、SIP(single in-line package)
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封
装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形状各
异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。


60、SK-DIP(skinny dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见
DIP)。


61、SL-DIP(slim dual in-line package)
DIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。


62、SMD(surface mount devices)
表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。


63、SO(small out-line)
SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。


64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心距
1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数
26。


65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。


66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此得名。
通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SOJ
封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM)。


67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。


68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意
增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。

69、SOF(small Out-Line package)
小外形封装。表面贴装型封装之一,引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料
和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存储器LSI 外,也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不
超过10~40 的领域,SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm,引脚数从8~44。
另外,引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP;装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为
TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。


70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。

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1.工艺:
 a) 清洗:采用超声波清洗PCBLED支架,并烘干。

  b) 装架:在LED管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCBLED支架相应的焊盘上,随后进行烧结使银胶固化。

   c)压焊:用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上,以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的,一般采用铝丝焊机。(制作白光TOP-LED需要金线焊机)

   d)封装:通过点胶,用环氧将LED管芯和焊线保护起来。在PCB板上点胶,对固化后胶体形状有严格要求,这直接关系到背光源成品的出光亮度。这道工序还将承担点荧光粉(白光LED)的任务。

  e)焊接:如果背光源是采用SMD-LED或其它已封装的LED,则在装配工艺之前,需要将LED焊接到PCB板上。

   f)切膜:用冲床模切背光源所需的各种扩散膜、反光膜等。

  g)装配:根据图纸要求,将背光源的各种材料手工安装正确的位置。

  h)测试:检查背光源光电参数及出光均匀性是否良好。

  包装:将成品按要求包装、入库。

二、封装工艺

  1. LED的封装的任务
  是将外引线连接到LED芯片的电极上,同时保护好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。

  2. LED封装形式
  LED封装形式可以说是五花八门,主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸,散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LEDTOP-LEDSide-LEDSMD-LEDHigh-Power-LED等。

  3. LED封装工艺流程

  4.封装工艺说明

  1.芯片检验

  镜检:材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑(lockhill
  芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求

  电极图案是否完整

  2.扩片

  由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm),不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张,是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。

  3.点胶

  在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于GaAsSiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片,采用绝缘胶来固定芯片。)

  工艺难点在于点胶量的控制,在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。
由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求,银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。

  4.备胶

  和点胶相反,备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上,然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶,但不是所有产品均适用备胶工艺。

  5.手工刺片

  将扩张后LED芯片(备胶或未备胶)安置在刺片台的夹具上,LED支架放在夹具底下,在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处,便于随时更换不同的芯片,适用于需要安装多种芯片的产品.

  6.自动装架

  自动装架其实是结合了沾胶(点胶)和安装芯片两大步骤,先在LED支架上点上银胶(绝缘胶),然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置,再安置在相应的支架位置上。

  自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程,同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴,防止对LED芯片表面的损伤,特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。

  7.烧结

  烧结的目的是使银胶固化,烧结要求对温度进行监控,防止批次性不良。
  银胶烧结的温度一般控制在150℃,烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃1小时。

  绝缘胶一般150℃1小时。
  银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时(或1小时)打开更换烧结的产品,中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途,防止污染。

  8.压焊

  压焊的目的将电极引到LED芯片上,完成产品内外引线的连接工作。

  LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程,先在LED芯片电极上压上第一点,再将铝丝拉到相应的支架上方,压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球,其余过程类似。

  压焊是LED封装技术中的关键环节,工艺上主要需要监控的是压焊金丝(铝丝)拱丝形状,焊点形状,拉力。

  对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题,如金(铝)丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀(钢嘴)选用、劈刀(钢嘴)运动轨迹等等。(下图是同等条件下,两种不同的劈刀压出的焊点微观照片,两者在微观结构上存在差别,从而影响着产品质量。)我们在这里不再累述。

  9.点胶封装

  LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型,选用结合良好的环氧和支架。(一般的LED无法通过气密性试验) 如右图所示的TOP-LEDSide-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高(特别是白光LED),主要难点是对点胶量的控制,因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。

  10.灌胶封装
  Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧,然后插入压焊好的LED支架,放入烘箱让环氧固化后,将LED从模腔中脱出即成型。

  11.模压封装

  将压焊好的LED支架放入模具中,将上下两副模具用液压机合模并抽真空,将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中,环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。

  12.固化与后固化

  固化是指封装环氧的固化,一般环氧固化条件在135℃1小时。模压封装一般在150℃4分钟。

  13.后固化

  后固化是为了让环氧充分固化,同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架(PCB)的粘接强度非常重要。一般条件为120℃4小时。

  14.切筋和划片

  由于LED在生产中是连在一起的(不是单个),Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上,需要划片机来完成分离工作。

  15.测试

  测试LED的光电参数、检验外形尺寸,同时根据客户要求对LED产品进行分选。

  16.包装

  将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。
http://hi.baidu.com/unionwin/blog/item/adad2b08b5e4fe970b7b82f6.html

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I、BGA球栅阵列封装

随 着集成电路技术的发展,对集成电路的封装要求更加严格。这是因为封装技术关系到产品的功能性,当IC的频率超过100MHz时,传统封装方式可能会产生 所谓的“CrossTalk”现象,而且当IC的管脚数大于208 Pin时,传统的封装方式有其困难度。因此,除使用QFP封装方式外,现今大多数的高脚数芯片(如图形芯片与芯片组等)皆转而使用BGA(Ball Grid Array Package)封装技术。BGA一出现便成为CPU、主板上南/北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。

BGA封装技术又可详分为五大类:

1.PBGA(Plasric BGA)基板:一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中,Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。

2.CBGA(CeramicBGA┗ 澹杭刺沾苫 澹 酒 牖 寮涞牡缙 油ǔ2捎玫棺靶酒 ‵lipChip,简称FC)的安装方式。Intel系列CPU中,Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。

3.FCBGA(FilpChipBGA)基板:硬质多层基板。

4.TBGA(TapeBGA)基板:基板为带状软质的1-2层PCB电路板。

5.CDPBGA(Carity Down PBGA)基板:指封装中央有方型低陷的芯片区(又称空腔区)。

BGA封装具有以下特点:

1.I/O引脚数虽然增多,但引脚之间的距离远大于QFP封装方式,提高了成品率。
2.虽然BGA的功耗增加,但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善电热性能。
3.信号传输延迟小,适应频率大大提高。
4.组装可用共面焊接,可靠性大大提高。

BGA 封装方式经过十多年的发展已经进入实用化阶段。1987年,日本西铁城(Citizen)公司开始着手研制塑封球栅面阵列封装的芯片(即BGA)。 而后,摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行列。1993年,摩托罗拉率先将BGA应用于移动电话。同年,康柏公司也在工作站、PC电脑上加以 应用。直到五六年前,Intel公司在电脑CPU中(即奔腾II、奔腾III、奔腾IV等),以及芯片组(如i850)中开始使用BGA,这对BGA应用 领域扩展发挥了推波助澜的作用。目前,BGA已成为极其热门的IC封装技术,其全球市场规模在2000年为12亿块,预计2005年市场需求将比2000 年有70%以上幅度的增长。

II、CSP芯片尺寸封装

随着全球电子产品个性化、轻巧化的需求蔚为风潮,封装技术已进步到 CSP(Chip Size Package)。它减小了芯片封装外形的尺寸,做到裸芯片尺寸有多大,封装尺寸就有多大。即封装后的IC尺寸边长不大于芯片的1.2倍,IC面积只比晶 粒(Die)大不超过1.4倍。

CSP封装又可分为四类:

1.Lead Frame Type(传统导线架形式),代表厂商有富士通、日立、Rohm、高士达(Goldstar)等等。
2.Rigid Interposer Type(硬质内插板型),代表厂商有摩托罗拉、索尼、东芝、松下等等。
3.Flexible Interposer Type(软质内插板型),其中最有名的是Tessera公司的microBGA,CTS的sim-BGA也采用相同的原理。其他代表厂商包括通用电气(GE)和NEC。
4.Wafer Level Package(晶圆尺寸封装):有别于传统的单一芯片封装方式,WLCSP是将整片晶圆切割为一颗颗的单一芯片,它号称是封装技术的未来主流,已投入研发的厂商包括FCT、Aptos、卡西欧、EPIC、富士通、三菱电子等。

CSP封装具有以下特点:

1.满足了芯片I/O引脚不断增加的需要。
2.芯片面积与封装面积之间的比值很小。
3.极大地缩短延迟时间。

CSP封装适用于脚数少的IC,如内存条和便携电子产品。未来则将大量应用在信息家电(IA)、数字电视(DTV)、电子书(E-Book)、无线网络WLAN/GigabitEthemet、ADSL/手机芯片、蓝芽(Bluetooth)等新兴产品中。



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(8)自動車部品&材料加工向けエンドミル設計

弊社の製品の供給調達機能は:

(1)生活産業~ハイテク工業までのエンドミル設計

(2)ミクロエンドミル~大型エンドミル供給

(3)小Lot生産~大量発注対応供給

(4)オートメーション整備調達

(5)スポット対応~流れ生産対応

弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт www.tool-tool.com для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web www.tool-tool.com for more info.

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BGA 球栅阵列封装
2.CSP 芯片缩放式封装
3.COB 板上芯片贴装
4.COC 瓷质基板上芯片贴装
5.MCM 多芯片模型贴装
6.LCC 无引线片式载体
7.CFP 陶瓷扁平封装
8.PQFP 塑料四边引线封装
9.SOJ 塑料J形线封装
10.SOP 小外形外壳封装
11.TQFP 扁平簿片方形封装
12.TSOP 微型簿片式封装
13.CBGA 陶瓷焊球阵列封装
14.CPGA 陶瓷针栅阵列封装
15.CQFP 陶瓷四边引线扁平
16.CERDIP 陶瓷熔封双列
17.PBGA 塑料焊球阵列封装
18.SSOP 窄间距小外型塑封
19.WLCSP 晶圆片级芯片规模封装
20.FCOB 板上倒装片
零 件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装,同种元件也可有不同的零件封装。像 电阻,有传统的针插式,这种元件体积较大,电路板必须钻孔才能安置元件,完成钻孔后,插入元件,再过锡炉或喷锡(也可手焊),成本较高,较新的设计都是采 用体积小的表面贴片式元件(SMD)这种元件不必钻孔,用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板,再把SMD元件放上,即可焊接在电路板上了。

电阻 AXIAL
无极性电容 RAD
电解电容 RB-
电位器 VR
二极管 DIODE
三极管 TO
电源稳压块78和79系列 TO-126H和TO-126V
场效应管 和三极管一样
整流桥 D-44 D-37 D-46
单排多针插座 CON SIP
双列直插元件 DIP
晶振 XTAL1
电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为axial系列
无极性电容:cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4
电解电容:electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0
电位器:pot1,pot2;封装属性为vr-1到vr-5
二极管:封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率)
三极管:常见的封装属性为to-18(普通三极管)to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林
顿管)
电源稳压块有78和79系列;78系列如7805,7812,7820等
79系列有7905,7912,7920等
常见的封装属性有to126h和to126v
整流桥:BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列(D-44,D-37,D-46)
电阻: AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度,一般用AXIAL0.4
瓷片电容:RAD0.1-RAD0.3。 其中0.1-0.3指电容大小,一般用RAD0.1
电解电容:RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用
RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6
二极管: DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短,一般用DIODE0.4
发光二极管:RB.1/.2
集成块: DIP8-DIP40, 其中8-40指有多少脚,8脚的就是DIP8
贴片电阻
0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系

但封装尺寸与功率有关 通常来说

0201 1/20W

0402 1/16W

0603 1/10W

0805 1/8W

1206 1/4W


电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5


关于零件封装我们在前面说过,除了DEVICE。LIB库中的元件外,其它库的元件都已经有了

固定的元件封装,这是因为这个库中的元件都有多种形式:以晶体管为例说明一下:

晶体管是我们常用的的元件之一,在DEVICE。LIB库中,简简单单的只有NPN与PNP之分,但

实际上,如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3,如果它是NPN的2N3054,则有

可能是铁壳的TO-66或TO-5,而学用的CS9013,有TO-92A,TO-92B,还有TO-5,TO-46,TO-5

2等等,千变万化。

还有一个就是电阻,在DEVICE库中,它也是简单地把它们称为RES1和RES2,不管它是100Ω

还是470KΩ都一样,对电路板而言,它与欧姆数根本不相关,完全是按该电阻的功率数来决

定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻,都可以用AXIAL0.3元件封装,而功率数大一点的话

,可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下:

电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容 RAD0.1-RAD0.4


有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7

石英晶体振荡器 XTAL1

晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5)

可变电阻(POT1、POT2) VR1-VR5

当然,我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封

装。

这些常用的元件封装,大家最好能把它背下来,这些元件封装,大家可以把它拆分成两部分

来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3,AXIAL翻译成中文就是轴状的,0.3则是该电阻在印

刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil(因为在电机领域里,是以英制单位为主的。同样

的,对于无极性的电容,RAD0.1-RAD0.4也是一样;对有极性的电容如电解电容,其封装为R

B.2/.4,RB.3/.6等,其中“.2”为焊盘间距,“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管,那就直接看它的外形及功率,大功率的晶体管,就用TO—3,中功率的晶体管

,如果是扁平的,就用TO-220,如果是金属壳的,就用TO-66,小功率的晶体管,就用TO-5

,TO-46,TO-92A等都可以,反正它的管脚也长,弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路,有DIPxx,就是双列直插的元件封装,DIP8就是双排,每排有4个引

脚,两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx就是单排的封装。等等。

值得我们注意的是晶体管与可变电阻,它们的包装才是最令人头痛的,同样的包装,其管脚

可不一定一样。例如,对于TO-92B之类的包装,通常是1脚为E(发射极),而2脚有可能是

B极(基极),也可能是C(集电极);同样的,3脚有可能是C,也有可能是B,具体是那个

,只有拿到了元件才能确定。因此,电路软件不敢硬性定义焊盘名称(管脚名称),同样的

,场效应管,MOS管也可以用跟晶体管一样的封装,它可以通用于三个引脚的元件。


Q1-B,在PCB里,加载这种网络表的时候,就会找不到节点(对不上)。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题;在原理图中,可变电阻的管脚分别为1、W、及2,

所产生的网络表,就是1、2和W,在PCB电路板中,焊盘就是1,2,3。当电路中有这两种元

件时,就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后,直接在网络表中,将晶

体管管脚改为1,2,3;将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1,2,3即可。
CDIP-----Ceramic Dual In-Line Package
CLCC-----Ceramic Leaded Chip Carrier
CQFP-----Ceramic Quad Flat Pack
DIP-----Dual In-Line Package
LQFP-----Low-Profile Quad Flat Pack
MAPBGA------Mold Array Process Ball Grid Array
PBGA-----Plastic Ball Grid Array
PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier
PQFP-----Plastic Quad Flat Pack
QFP-----Quad Flat Pack
SDIP-----Shrink Dual In-Line Package
SOIC-----Small Outline Integrated Package
SSOP-----Shrink Small Outline Package
DIP-----Dual In-Line Package-----双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier-----PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技 术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
PQFP-----Plastic Quad Flat Package-----PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上。
SOP-----Small Outline Package------1968~1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP)。以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小 外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电 路)等。
常见的封装材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金属等,现在基本采用塑料封装。

  按封装形式分:普通双列直插式,普通单列直插式,小型双列扁平,小型四列扁平,圆形金属,体积较大的厚膜电路等。

  按封装体积大小排列分:最大为厚膜电路,其次分别为双列直插式,单列直插式,金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。

   两引脚之间的间距分:普通标准型塑料封装,双列、单列直插式一般多为2.54±0.25 mm,其次有2mm(多见于单列直插式)、1.778±0.25mm(多见于缩型双列直插式)、1.5±0.25mm,或1.27±0.25mm(多见于 单列附散热片或单列V型)、1.27±0.25mm(多见于双列扁平封装)、1±0.15mm(多见于双列或四列扁平封装)、0.8± 0.05~0.15mm(多见于四列扁平封装)、0.65±0.03mm(多见于四列扁平封装)。

  双列直插式两列引脚之间的宽度分:一般有7.4~7.62mm、10.16mm、12.7mm、15.24mm等数种。

  双列扁平封装两列之间的宽度分(包括引线长度:一般有6~6.5±mm、7.6mm、10.5~10.65mm等。

   四列扁平封装40引脚以上的长×宽一般有:10×10mm(不计引线长度)、13.6×13.6±0.4mm(包括引线长度)、20.6× 20.6±0.4mm(包括引线长度)、8.45×8.45±0.5mm(不计引线长度)、14×14±0.15mm(不计引线长度)等。
插入式封装
引 脚插入式封装(Through-Hole Mount)。此封装形式有引脚出来,并将引脚直接插入印刷电路板(PWB)中,再由浸锡法进行波峰焊接,以实现电路连接和机械固定。由于引脚直径和间距 都不能太细,故印刷电路板上的通孔直径,间距乃至布线都不能太细,而且它只用到印刷电路板的一面,从而难以实现高密度封装。它又可分为引脚在一端的封装 (Single ended),引脚在两端的封装(Double ended)禾口弓I胜9矩正封装(Pin Grid Array)。
引脚在一端的封装(Single ended)又可分为三极管封装和单列直插式封装(Single In-line Package)。
引脚在两端的封装(Double ended)又可分为双列直插式封装,Z形双列直插式封装和收缩型双列直插式封装等。
双 列直插式封装(DIP:Dual In-line Package)。它是20世纪70年代的封装形式,首先是陶瓷多层板作载体的封装问世,后来Motorola和Fairchild开发出塑料封装。绝大 多数中小规模集成电路均采用这种封装形式,其引脚数一般不超过100。DIP封装的芯片有两排引脚,分布于两侧,且成直线平行布置,引脚直径和间距为2. 54 mm(100 mil),需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然,也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。此封装的芯片在从芯片插座上插拔时应 特别小心,以免损坏管脚。此封装具有以下特点:(1)适合在印刷电路板(PCB)上穿孔焊接,操作方便;(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大,故体积 也较大;(3)除其外形尺寸及引脚数之外,并无其它特殊要求,但由于引脚直径和间距都不能太细,故:PWB上通孔直径、间距以及布线间距都不能太细,故此 种PKG难以实现高密度封装,且每年都在衰退。

.:Zigzag In-line Package)与DIP并无实质上的区别,只是引脚呈Z状排列,其目的是为了增加引脚的数量,而引脚的间距仍为2.54 mm。陶瓷Z形双列直插式封装CZIP(Ceramic Zag-Zag Package)它与ZIP外形一样,只是用陶瓷材料封装。
收缩型双列直插式封装(SKDIP:Shrink Dual In-line Package)形状与DIP相同,但引脚中心距为1.778 mm(70 mil)小于DIP(2.54mm),引脚数一般不超过100,材料有陶瓷和塑料两种。
引 脚矩正封装(Pin Grid Array)。它是在DIP的基础上,为适应高速度,多引脚化(提高组装密度)而出现的。此封装的引脚不是单排或双排,而是在整个平面呈矩正排布,如图1 所示。在芯片的内外有多个方阵形的插针,每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列,与DIP相比,在不增加引脚间距的情况下,可以按近似平方的关系提 高引脚数。根据引脚数目的多少,可以围成2~5圈,其引脚的间距为2.54 mm,引脚数量从几十到几百个。PGA封装具有以下特点:(1)插拔操作更方便,可靠性高;(2)可适应更高的频率;(3)如采用导热性良好的陶瓷基板, 还可适应高速度.大功率器件要求;(4)由于此封装具有向外伸出的引脚,一般采用插入式安装而不宜采用表面安装;(5)如用陶瓷基板,价格又相对较高,因 此多用于较为特殊的用途。它又分为陈列引脚型和表面贴装型两种。


有机管引脚矩正式封装OPGA(Organic pin grid Array)这种封装的基底使用的是玻璃纤维,类似印刷电路板上的材料。此种封装方式可以降低阻抗和封装成本。OPGA封装拉近了外部电容和处理器内核的距离,可以更好地改善内核供电和过滤电流杂波。
尺寸贴片封装(SOP)
表 面贴片封装(Surface Mount)。它是从引脚直插式封装发展而来的,主要优点是降低了PCB电路板设计的难度,同时它也大大降低了其本身的尺寸。我们需要将引脚插片封装的集 成电路插入PCB中,故需要在PCB中根据集成电路的引脚尺寸(FootPrint)做出专对应的小孔,这样就可将集成电路主体部分放置在.PCB板的一 面,同时在PCB的另一面将集成电路的引脚焊接到PCB上以形成电路的连接,所以这就消耗了PCB板两面的空间,而对多层的PCB板而言,需要在设计时在 每一层将需要专孔的地方腾出。而表面贴片封装的集成电路只须将它放置在PCB板的一面,并在它的同一面进行焊接,不需要专孔,这样就降低了PCB电路板设 计的难度。表面贴片封装的主要优点是降低其本身的尺寸,从而加大了:PCB上IC的密集度。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 表面贴片封装根据引脚所处的位置可分为:Single-ended(引脚在一面)、Dual(引脚在两边)、Quad(引脚在四边)、Bottom(引脚 在下面)、BGA(引脚排成矩正结构)及其它。
Single-ended(引脚在一面):此封装型式的特点是引脚全部在一边,而且引脚的数量通常 比较少,如图2所示。它又可分为:导热型 (Therinal-enhanced),象常用的功率三极管,只有三个引脚排成一排,其上面有一个大的散热片;COF(Chip on Film)是将芯片直接联贴在柔性线路板上(现有的用Flip—chip技术),再经过颦料包封而成,它的特点是轻而且很薄,所以当前被广泛用在液晶显示 器(LCD)上以满足LCD分辨率增加的需要。其缺点是Film的价格很贵,其二是贴片机的价格也很贵。


Dual(引脚在两 边),如图3所示。此封装型式的特点是引脚全部在两边,而且引脚的数量不算多。它的封装型式比较多,义可细分为:SOT (Smalloutline Transistor)、 SOP(Small Outline Package)、SOJ(Small 0utline Package J-bent lea(1)、SS()P(Shrink Small 0utline Package)、HSOP(Heat-sink Small Outline Package)及其它。


SOT系列主要有SOT-23、SOT-223、SOT-25、SOT-26、 SOt323、SOT-89等。当电子产品尺寸不断缩小时,其内部使用的半 导体器件也必须变小。所以更小的半导体器件使得电子产品能够更小、更轻、更便携,相同尺寸包含的功能更多。对于半导体器件,其价值最好的体现在:PCB占 用空间和封装总高度上,优化了这些参数才能在更小的:PCB上更紧凑地布局。SOT封装既大大降低了高度,又显著减小了PCB占用空间。如SOT883被 广泛应用在比较小型的日常消费电器中如手机、照相机和MP3等等。
小尺寸贴片封装(SOP:Small 0utline Package)。荷兰皇家飞利浦公司在上世纪70年代就开发出小尺寸贴片封装SOP,以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形 封装)、VSOP(甚小外形封装)、SS()P(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路) 等。SOP典型引线间距是1.27 mm,引脚数在几十之内。
薄型小尺寸封装(TSOP:Thin Small Out-Line Package)是在20世纪80年代出现的TSOP封装,它与SOP的最大区别在于其厚度很薄只有1 mm,是SOJ的1/3;由于外观上轻薄且小的封装,适合高频使用,以较强的可操作性和较高的可靠性征服了业界。大部分的SDRAM内存芯片都是采用此封 装方式。TSOP内存封装的外形呈长方形,且封装芯片的周围都有I/O引脚。在TSOP封装方式中,内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板上的,焊点和 PCB板的接触面积较小,使得芯片向PCB板传热相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后,会有很大的信号干
表面贴片BGA封装
球 型矩正封装(BGA:Ball Grid Array),见图5。日本西铁城(CitiZell)公司于1987年着手研制塑料球型矩正封装,而后摩托罗拉、康柏等公司也随即加入到开发BGA的行 列。其后摩托罗拉率先将球型矩正封装应用于移动电话,同年康柏公司也在工作站、个人计算机上加以应用,接着Intel公司在计算机CPU中开始使用 BGA。虽然日本公司首先研发球型矩正封装,但当时日本的一些半导体公司想依靠其高超的操作技能固守QFP不放而对BGA的兴趣不大,而美国公司对: BGA应用领域的扩展,对BGA的发展起到了推波助澜的作用。BGA封装经过十几年的发展已经进入实用化阶段,目前BGA已成为最热门封装。


随 着集成电路技术的发展,对其封装要求越来越严格。这是因为封装关系到产品的性能,当IC的频率超过100 MHz时,传统封装方式可能会产生所谓的交调噪声“Cross-Talk Noise”现象,而且当IC的管脚数大于208脚时,传统的封装方式有其困难。因此,除使用QFP封装方式外,现今大多数的高脚数芯片皆转而使用BGA 封装。BGA一出现便成为CPU,高引脚数封装的最佳选择。BGA封装的器件绝大多数用于手机、网络及通讯设备、数码相机、微机、笔记本计算机、PAD和 各类平板显示器等高档消费市场。
BGA封装的优点有:(1)输入输出引脚数大大增加,而且引脚间距远大于QFP,加上它有与电路图形的自动对准功 能,从而提高了组装成品率;(2)虽然它 的功耗增加,但能用可控塌陷芯片法焊接,它的电热性能从而得到了改善;对集成度很高和功耗很大的芯片,采用陶瓷基板,并在外壳上安装微型排风扇散热,从而 达到电路的稳定可靠工作;(3)封装本体厚度比普通QFP减少1/2以上,重量减轻3/4以上;(4)寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高; (5)组装可用共面焊接,可靠性高。
BGA封装的不足之处:BGA封装仍与QFP、PGA一样,占用基板面积过大;塑料BGA封装的翘曲问题是其 主要缺陷,即锡球的共面性问题。共面性的标准 是为了减小翘曲,提高BGA封装的特性,应研究塑料、粘片胶和基板材料,并使这些材料最佳化。同时由于基板的成本高,致使其价格很高。
BGA封装 按基板所用材料可分有机材料基板PBGA(Plastic BGA)、陶瓷基板CBGA(CeramicB-GA)和基板为带状软质的TBGA(TapeBGA),另外还有倒装芯片的FCBGA (FilpChipBGA)和中央有方型低陷的芯片区的CDPBGA(Cavity Down PBGA)。PBGA基板:一般为2~4层有机材料构成的多层板,Intel系列CPU中,Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。CBGA基板是陶瓷基板,芯片与基板问的电气连接通常采用倒装芯片(Flip Chip)的安装方式,又可称为FCBGA;Intel系列CPU中,Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。TBGA基板为带状软质的1~2层PCB电路板。
小型球型矩正封装Tinv-BGA(Tinv Ball Grid Array)。它与BGA封装的区别在于它减少了芯片的面积,可以看成是超小型的BGA封装,但它与BGA封装比却有三大进步:(1)由于封装本体减小, 可以提高印刷电路板的组装密集度;(2)囚为芯片与基板连接的路径更短,减小了电磁干扰的噪音,能适合更高的工作频率;(3)更好的散热性能。
微 型球型矩正封装mBGA(micro Ball Grid Array)。它是。BGA的改进版,封装本体呈正方形,占用面积更小、连接短、电气性能好、也不易受干扰,所以这种封装会带来更好的散热及超频性能,尤 其适合工作于高频状态下的Direct RDRAM,但制造成本极高。



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