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當一固體表面承受高能量離子或原子的撞擊時，就會有物質因動量傳送而從物 體表面放射出來，此現象稱為濺射，濺射率(sputtering yield)為每一入射離子可濺出的靶原子數，影響濺射率的重要因素有靶材的表面結構，入射離子的質量與能量等，濺射程序對溫度不敏感。而入射離子的能量 需大於界限能量(thresholdenergy)才有能力將靶材原子濺出，金屬靶材的界限能量約在 10~30eV，當入射離子的能量超過界限能量後，濺射率會急速增加，當入射離子能量超過 100eV 後，濺射率幾乎隨入射離子的能量呈線性的增加，而此時的濺射率才有實用的價值。若繼續提高離子的能量，濺射率增加的趨勢變緩，濺射率達到最大值，會再緩緩 的下降，此時濺射率隨著入射離子能量的增加而下降是因為離子較深入靶材內部，而內部原子即時被濺離其晶格位置，也未必可到達表面脫離成為被濺出的物質。由 以上的敘述我們可以解到濺鍍的基本原理。但基本上濺鍍不是一個能量效率使用很好的物理現象，在離子轟擊靶材表面後，約有 70%的能量轉換成熱，約25%的能量用在產生二次電子，而只有約 2.2%的能量是用在濺射的步驟上，這就是為什麼濺射的靶材必須有足夠的冷卻裝置的原因，以避免表面的溫度過高，而使的蒸鍍的現象發生在濺鍍上。在濺射的 過程中，因為產生的電子數量並不多，再加上電子可以迅速的經由其它接地區域(如 chamber wall)而從電漿中移出，如何使得電子在電漿內的數量得以維持，便成為一個重要的課題，因此便有磁控濺鍍法(Magnetron sputtering)的產生。電子是一種帶負電荷的粒子，藉著被電漿與電極板間的電場所加速，電子將可以獲得足夠的能量，以產生並維持電漿的電中性，假 如我們在電漿中加入一磁埸，電子將會螺旋式的運動，且其運動的圓周半徑可以寫為:

其中 m e 及 Ve 分別為電子的質量及運動速度， B 為磁埸強度，而 q 為電荷的電量，等於1.6*10 −19 庫侖(Coulomb) 。雖然電子與其它粒子之間的碰撞頻率，在某 一特定壓力下是固定的，但是經磁埸的介入之後，電子往其它接地的區域的移 動將不再是以直線的方式前進，螺旋式的運動，使得電子從電漿裏消失前所經 的距離拉長，因此增加了電子與氣體分子間的碰撞次數，這使得磁控濺鍍可維持在更低的壓力下，電漿也不會熄滅。一般在濺鍍的過程中，除了工作氣體(惰性氣 體)外，若再通入反應所需的氣體(如氧氣)，以生成所需的化合物鍍層，即稱為反應濺鍍(Reactive sputteringdeposition)，而此反應氣體有可能會與靶材發生反應，因此在反應濺鍍的過程中，由靶材濺鍍出來粒子除了，中性原子、離子、 二次電子外，尚有化合物分子團會被濺射出來。

圖六、(a)傳統濺鍍系統結構(b)磁控濺鍍系統結構
參考文獻：
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器, 化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000

歡迎來到Bewise Inc.的世界，首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力， 我們是提供專業刀具製造商，應對客戶高品質的刀具需求，我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求，我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質，這是現有相關技 術無法比擬的，我們成功的滿足了各行各業的要求，包括：精密HSS DIN切削刀具、協助客戶設計刀具流程、DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航太刀具設計、超高硬度的切削刀具、醫療配件刀具設計、複合式再研磨機、PCD地板專用企口鑽石組合刀 具、粉末造粒成型機、主機版專用頂級電桿、PCD V-Cut刀、捨棄式圓鋸片組、粉末成型機、主機版專用頂級電感、’汽車業刀具設計、電子產業鑽石刀具、木工產業鑽石刀具、銑刀與切斷複合再研磨機、銑刀與鑽頭複合再研磨機、銑刀與螺絲攻複合再研磨機等等。我們的產品涵蓋了從民生 刀具到工業級的刀具設計；從微細刀具到大型刀具；從小型生產到大型量產；全自動整合；我們的技術可提供您連續生產的效能，我們整體的服務及卓越的技術，恭 迎您親自體驗！！

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Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS  DIN Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end mill、disc milling cutter,Aerospace cutting tool、hss drill’Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Compound Sharpener’Milling cutter、INDUCTORS FOR PCD’CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool. INDUCTORS FOR PCD . POWDER FORMING MACHINE ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’POWDER FORMING MACHINE’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、Staple Cutter’PCD diamond cutter specialized in grooving floors’V-Cut PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert’ PCD Diamond Tool’ Saw Blade with Indexable Insert’NAS tool、DIN or JIS tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills’end mill grinder’drill grinder’sharpener、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.

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弊社は各領域に供給できる内容は：

（１）精密ＨＳＳエンド・ミルのＲ＆Ｄ

（２）Carbide Cutting tools設計

（３）鎢鋼エンド・ミル設計

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（６）ダイヤモンド・エンド・ミ ル

（７）医療用品エン ド・ミル設計

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Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт  www.tool-tool.com  для получения большей информации.

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半導體製程上的應用a.氮化矽膜 SiN Si3N4 在半導體製程中是很好的擴散阻擋層(Diffusion Barrier Layer)，具高機械強度、耐氧化性、致密性，通常作為絕緣層及保護層。以前利用 Thermal CVD 法製備 Si3N4，以 SiH4+NH3+N2 在 700~1000oC 下反應得到。利用 PECVD 以 SiH4+NH3 為進料可在低溫下得到含 Si、N 的薄膜。因為電漿的複雜性，PECVD 薄膜受到裝置及條件的嚴重影響，不能簡單決定。其參數就有 1.基板溫度、2.進料比、3. 壓力、4.RF 功率、5.電極結構、6.反應器結構、7.抽氣速率、8.產生電漿的方式 等。其鍍膜的物理性質與傳統 Thermal CVD 法的 Si3N4 比較具有下列特性：

表四、Thermal CVD 與 PECVD 鍍 Si3N4 膜性質比較PECVD 法的 SiN 膜主要性質有：1.具良好階梯覆蓋(Step Coverage)性2.緻密性高，可防止水分滲透3.機械強度大4.無裂縫、針孔等缺陷，可製成厚膜5.附著性佳6.含有氫原子b.氧化矽膜 SiO用來作為電絕緣體及熱絕緣層。製程基本上同 P-SiN，進料換成 SiH4+N2O，其 與傳統薄膜比較如下：

表五、Thermal CVD 與 PECVD 鍍 SiO2 膜性質比較2.反應性濺鍍 (Reactive Sputtering)濺鍍系統的原理是利用電漿中的離子，一般是氬原子，經電場加速撞擊濺鍍靶材 打出其表面原子，鍍到對面的基材上，一般將其歸類為 PVD 製程。利用電漿有活化反應物及促進反應發生的功用，通入反應性氣體經電漿解離，再與濺鍍原子產生反應，在表面形成薄膜。這種方式使的高熔點的固體也可以作 為反應原料， 大大拓寬應用的範圍，稱之為反應性濺鍍法。典型的例子如氮化鈦(TiN)的合成，以鈦為靶材，將氮氣(反應性氣體)混合氬氣(濺鍍離子源)通入電漿製成。 要注意的是靶材也會吸引反應性粒子，造成其表面的污染，通常在鍍膜前先將基材覆蓋以檔板，先利用電漿中的氬離子清除靶材表面數層原子層以後再行鍍膜。3. 電漿聚合法 (Plasma Polymerization) 加高分子單體以蒸汽的方式通入反應器中可獲的電漿聚合高分子薄膜。這種鍍膜 方式可獲得異於傳統聚合法的高分子，其主要特徵是：1.分子結構異於一般聚合方式，是過去不存在的。2.可利用一般聚合方式無法利用的單體。例如甲烷、乙 純等。3.屬高度架橋(Cross Linking)的結構，具高耐熱性、高絕緣性、化學惰性，沒有 針孔缺陷。其反應器如圖七示，電漿聚合的生成機制為 1.單體活化、2.活化粒子擴散至基 材、3.聚合反應 單體進入電漿形成許多自由基，再進行聚合反應，聚合反應是在氣相或表面或兩 者同時發生，膜的型態隨壓力、進料流量和電漿功率而變。其可能的機構如下：

圖八、電漿聚合可能的反應機構，其中 Mi 表示起始單(initial monomer)，經電漿反應成(Mi*)或(*Mk*)自由基，這些自由基再和其他氣體分子(M)或自由基(Mi*)、(*Mk*)鍵結反應，生成各種 大分子或大自由基，這些粒子能會被電漿分解成小自由基或再經過另一個循環形成更大的分子或自由基。
參考文獻：
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器, 化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000

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對一個低氣壓的反應器內氣體施加一個外部電場，其電壓對電場的關係如圖 一所示：

圖一、低壓電漿反應器內電壓電流關係
電壓由零開始增加，已可偵測到飽和電流，這是因為宇宙中充 斥著一種高能的γ-Ray，在地球上大氣層的保護下只允許極少部份的γ-Ray 進入，不過這些少數的γ-Ray 已可造成氣體的部份解離(可以想見宇宙其他地方沒有大氣層之類的保護情形下，解離程度非常可觀)，所以小電壓即產生小的飽和電流，這個區域叫 Townsend Discharge。電壓繼續增加到約 600V，利用上述γ-Ray 產生的電子在電場中被加速，對原子或分子碰撞解離，電子大量增加造成前面提到的崩潰解離，這區域叫 Avalanche Discharge。並需藉特殊的電源供應器維持住電漿，此時進入正常輝光放電(Normal Glow Discharge)。我們可以將電漿想像成河流，電流密度是水平面，當開出一條往下遊走的通道後，所有水都會沿著這條通道走，流量固定時液面是等高度 的，當流量增加後才慢慢往兩邊拓寬，維持液面等高。電漿此時會保持電極板上的電流密度固定(所以電壓固定)，而電流增加是來自於放電面 積的增加。這個區域電漿有集中的現象。當放電面積擴大到整個電極板時，要提高電流則需再提高電壓而進入異常輝光放電(Abnormal Glow Discharge)的區域。一般製程都操作在此區域，因為此區域放電面積最大、電漿均勻，且電壓電流的關係接近線性，易於控制，所以電漿也有人稱呼為輝 光放電(Glow Discharge)。 再繼續增加電流密度，陰極溫度提高，當足以發射熱電子(Thermal Emission Electron, 像燈泡燈絲經加熱，金屬表面的電子很容易獲得足夠的能量脫離束縛，此稱熱電子)時，電流提高。這是一個惡性循環，當電流提高造成陰極溫度上昇而發射熱電 子，再造成電流的提高增加陰極溫度．．．．，維持的電壓反而下降；所以這個區域呈現負電阻的現象。此區域叫電弧放電(Arc Discharge)。
參 考文獻：
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器, 化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000

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鍍膜首要考慮到均勻度與大面積，所以我們有興趣的地方在輝光放電的區域。 利用電漿來鍍膜依靠的主要是電漿態中的離子和自由基。離子可能是反應物或惰性氣體，如果是反應離子，藉由在基板施加偏壓加速撞擊基材；如果是工作離子，例 如氬離子，也是靠著偏壓加速撞擊靶材，撞出靶材的原子飛行至基材， 沉積，這是濺鍍的原理。自由基無法受到電場加速，是利用擴散方式鍍膜，然而 薄膜的應力也較小，另有其重要性。這裡先從電漿反應器裝置開始，再談到一些利用電漿的應用。電漿反應器裝置電漿反應器裝置是由電源供應器、抽氣系統、反應 器、進料系統、壓力量測系統及監控系統組成。
1.電源供應器引發電漿的電源供應器一般分為直流(DC, Direct Current)電源、射頻(RF, Radio Frequency)電源及微波(MW, Microwave)電源，一般 RF 的頻率 13.56MHz， MW 在 2.45GHz，這是法令與許工廠使用的頻率，現在還有介於中間範圍的電源。 直流輝光放電的方式，電極需裝置在反應器內部，對於要求高純度組成的製程有 污染之虞，而且這種方式容易在電極或反應器上某些地方，因人為或機械製程上的問題造成導電度不好或表面的小突起，容易形成電荷累積產生小電弧。而且直流輝 光放電不能用在鍍絕緣膜或者不導電基板，例如塑膠基材。RF 是目前應用最普遍的電源，電極可以如 DC 放電裝置般置入反應器中，或者放到反應器外以耦合(coupled)的方式供給能量。將電極置於反應器內不會造 成上述 DC 放電電荷累積的問題，而且 RF 及 MW 可以用來鍍不導電的基板或絕 緣膜。電極置於反應器外的耦合裝置則如圖二。由於電漿負載阻抗大，使用 RF 需設置匹配電路。目前為避免 DC 的缺點而又不想有 RF 匹配的問題，廠商有脈 衝式電源可供選擇。MW 具有增加解離率的特性，但放電體積較小，而且導引 MW 需利用導波管傳遞為其缺點。目前開發出 ECR 等技術採 MW 配合磁場造成電子的迴旋共振，可使放電大面積化，在高密度電漿會提到。磁場在電漿方面的應用極廣，使電子沿著磁力線迴旋進而增加電子的壽命及極低氣壓下與 中性原子或分子碰撞的機率以提高解離率。配合適當大小和方向的磁場，可使高頻能源傳遞進入電漿的效率提高，現在正熱門的高密度電漿，如 Helicon、ECR 即採此原理，在高真空度下產生高解離率的電漿。磁場垂直於基板還可以減少電漿傷害基材(Wafer Damage)的機會。
2. 抽氣系統 真空技術是一門獨立的學問，不同真空度要選擇不同抽氣系統和反應器材料。PECVD 因利用到化學反應，所以真空度不高，只需使用到機械幫浦配合魯式幫浦提高抽氣量就足夠，但一般認為最好用擴散幫浦或渦輪分子幫浦將反應器 抽至高真空再通氣鍍膜，以減少污染源。取出試片前也先將壓力抽至高真空度，再採用氮氣清洗系統，因為進料氣體一般具有腐蝕性、可燃性、爆炸性及劇毒，這種 程序對安全上的考量是必須的。有時，排氣中混有粉末、顆粒等物質，會造成幫浦的傷害，所以通常排氣在送入幫浦前會先以過濾器移走大顆粒。幫浦油的選擇也很 重要，多氟類的機械幫浦油較穩定，操作溫度也較高，這樣好趕走經幫浦壓縮過程造成蒸氣的凝結。由於 CVD 大都使用具腐蝕性及毒性的反應物，排氣處理要特別注意。一般排氣先通過冷卻擷取裝置(Cold Trap)吸收排出的氣體或將排氣經水稀釋、中和後排出。 另外，如果遭遇突然停電。幫浦油容易擴散到反應器造成污染，所以需在反應器與幫浦之間裝置斷電自動關閉的保護閥。

圖二、RF 耦合感應裝置

電容式耦合裝置 電感式耦合裝置
3.反應器
圖 二、RF 耦合感應裝置反應器的設計主要符合放電的形式，內部材料的選擇應考慮加熱溫度、耐腐 蝕、表面光滑平整不易包覆氣體等。基材的加熱裝置一般採電阻式或紅外線式加熱器，大型反應器為使鍍膜均勻，多採基板旋轉裝置。因為反應器表面能促使電子離 子的結合，所以在設計時應使電極與反應器壁盡量離開。
4.進料系統 鍍膜的原料可以是氣體、液體或固體。氣體原料儲存在高壓鋼瓶，利用管路輸送至反應器，中間經過流量計控制流量，最為簡便。液體進料則裝入蒸發容器中，利用 恆溫槽等工具保持在固定的溫度下，液體在恆溫環境蒸發出一定量的蒸汽，通常會經由惰性氣體載體將液體進料帶出。氣體載體可通入液體液面上或液體下方經氣泡 方式將原料帶出。固體進料是將反應固體置於蒸發容器然後加熱使 其熔化蒸發或昇華，再送入反應器。固體及液體進料在通過管路時，會因為溫度的下降而造成凝結現象，不但影響流量的穩定甚至可能塞住管路。這種情形下管路一 定要加熱，保持溫度高於蒸發容器的溫度則可避免。原料為固體、液體時，供給反應器的流量是由蒸發溫度及氣體載體流量控制，數種氣體的混合比則由各個流量計 或控制針閥來決定。
5.壓力量測系統由於背壓(Base Pressure)在高真空度(~10-5torr)而工作壓力在數 torr 到 0.1 torr 之間，壓力計要分別設置。一般高真空度下壓力量測用離子真空壓力計(Ion Gauge) 或 Pirani Gauge，而工作壓力下常用薄膜電容式真空壓力計(Baratron)及熱電偶式壓力計(Convectron)，後者可以量測極廣的範圍，從常壓到工 作壓力，但其讀值受到氣體種類的影響，只能作為參考用。電容式壓力計雖然範圍較窄，但讀值與氣體種類無關，量得的是絕對壓力、精確度高。一般系統會採配合 兩者的壓力量 測系統。電漿反應器的壓力測量很重要，不但影響到電漿的均勻度、反應速率，還影 響了薄膜性質等，例如利用電漿聚合鍍高分子薄膜，壓力決定了成長為顆粒狀還 是長成薄膜。
6.監控系統 操作中需監控薄膜成長時的厚度及組成，當到達特定指標後停止反應，如此可對薄膜品質做精確的控制。膜厚的偵測主要是使用紅外光，利用薄膜與基材產生的光干 涉波形來量測厚度，當然先決條件是反應器的材料可穿透紅外光，如圖 三。組成的偵測是比較困難的，通常採紅外光吸收、質量分析、氣相層析法等分析反應氣體。薄膜組成的監控如下，膜厚的監控除上述的紅外線干涉法外，另有利用 膜厚計的方式。這是置入一片石英與基材同時鍍膜，然後量測石英震盪頻率的改變來監控薄膜厚度。電漿內參數的監控採 Langmuir Probe 量測電子、離子的動能(溫度)、解離率等，使用 OES(Optical Emission Spectroscopy)量測中間產物。 這些數據有利於瞭解電漿內的反應。

圖三 膜後監控裝置
參考文獻：
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 1980
2. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 1991
3. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and
Materials Processing, John Wiley & Sons, 1994
4. M. Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器, 化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000

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電子迴旋加速器為日本於1982年開發出來，係利用電子在磁場中迴旋的頻 率和微波的頻率2.45GHz一致時，會合微波產生共振現象，而在低壓下吸收高強度的微波功率形成高密度電漿。當電子受一磁場作用時，電子會繞著磁力線作 螺旋軌跡圓週運動，其所受的向心力來自於與磁場的作用，由公式計算得知當B=875G時，電子的迴旋頻率和微波的2.45GHz一樣，因而可共振吸收微 波。 圖十一：典型ECR系統(a)系統結構(b)軸向磁場變化，顯示有一或多個共振區，視磁場數目而定。HeliconHelicon反應器係利用天線配合磁 場產生helicon wave以形成極高密度電漿。典型Helicon反應器及天線設計如圖十二所示：利用天線產生電磁波與軸向的磁場形成helicon wave，此波即可傳遞藉由碰撞振動(Collision damping)及非碰撞蘭道振動(Collisionless Laudau damping)將本身能量傳遞給電漿。Helicon Wave其傳遞沿著軸向，而在徑向形成駐波，其截面形成波形圖案如圖十三所示，實際Helicon反應器如圖十四、圖十五所示。

(圖十一、典型ECR系統 (a)系統結構(b)軸向磁場變化)

(圖十二、上圖為 Helicon 右手螺旋天線；下圖為左手螺旋天線設計)

(圖十三、Helicon 反應器截面波形分佈，其中實線為磁力等位線，虛線為電力等位線)

(圖十四、由 Lucas Signaton 公司出產 Vortex Helicon Etcher)

(圖十五、Helicon 反應器結構圖(MØRITM Helicon Reactor))

參 考文獻：
1. B. N. Chapman, Glow Discharge Processes, John Wiley & Sons, 19802. J. L. Vossen, W. Kern, Thin Film Processes II, Academic Press, 19913. M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, John Wiley & Sons, 19944. M. Konuma, Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-Verlag, 19925. 洪昭南, 電漿反應器, 化工技術, 19956. 洪昭南, 郭有斌, 以化學氣相沉積法成長半導體薄膜, 化工技術, 2000

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人類對物質第四態──電 漿的認識比對其他三態要晚得多，主要是因為在地球表面的自然環境中，電漿出現的機會不是很多。但是，隨著科學技術的發展和社會的進步，人類與電漿 接觸的機會越來越多，人造電漿在實驗室和工業界大量出現，人類對電漿的依賴也越來越大。電漿研究對基本物理發展很重要，同時也因被廣泛地應用而呈現出更為 廣闊的前景。
氣體放電：實驗是電漿研究始於1830年代，法 拉第(Michael Faraday,1791-1867)研究氣體的光輝放電效應。對大氣流真空管的需求打開了電漿應用的大門，從此電漿開始在工業生產中得到應用。最常見的 有日光燈、霓虹燈、電漿顯示器，以及其他各種的電漿光源。此外，在電漿焊接、汞整流器，引燃管、火花隙等也會用到電漿。
電磁波源：帶電粒子在磁場 中要在垂直於磁場的平面上做圓周運動，它的加速度方向是垂直於本身的速度方向。有加速度的帶電粒子會輻射電磁波，只是非單一頻率，強度也弱。若將一電子束 射入磁場中，因為迴旋運動有固有頻率，而且電漿強耦合產生集體效應，所以可以產生很強的單頻集體電磁輻射，成為電磁波源。
值得特別一提的是，愛因 斯坦的相 對論指出電子質量和其能量狀態有關。電子束中的電子在和電磁波作用時能量變化，造成迴旋頻率會隨之變化而產生群聚效應增進輻射效能，這個效應稱為 迴旋梅射。當外加磁場配置改變成垂直於原來電子束的行進方向而且磁場方向交錯地改變時，電子束運動也會有另一種相似的固定頻率的週期運動，而產生單頻集體 輻射效應，這就是自由電子雷射的工作原理。這樣的電磁波源具有功率高、頻率高、定向性好的特點，在科學研究和工業生產中被廣泛應用。例如，在磁約束受控核 融合研究中，不同頻率的這種電磁波可用來加熱電漿，以提升溫度，從而增加核融合反應的速率。
資料轉貼：http://www.nsc.gov.tw/_NewFiles/popular_science.asp?add_year=2003&popsc_aid=45

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Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS  DIN Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end mill、disc milling cutter,Aerospace cutting tool、hss drill’Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Compound Sharpener’Milling cutter、INDUCTORS FOR PCD’CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool. INDUCTORS FOR PCD . POWDER FORMING MACHINE ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’POWDER FORMING MACHINE’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、Staple Cutter’PCD diamond cutter specialized in grooving floors’V-Cut PCD Circular Diamond Tipped Saw Blade with Indexable Insert’ PCD Diamond Tool’ Saw Blade with Indexable Insert’NAS tool、DIN or JIS tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills’end mill grinder’drill grinder’sharpener、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.

Bewise Inc. www.tool-tool.com

よ うこそＢｅｗｉｓｅ　Ｉｎｃ.の 世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな

情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。

弊 社は専門なエンド・ミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ、

豊富な パリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は：

（１）精密ＨＳＳエンド・ミルのＲ＆Ｄ

（２）Carbide Cutting tools設計

（３）鎢鋼エンド・ミル設計

（４）航空エンド・ミル設計

（５）超高硬度エンド・ミル

（６）ダイヤモンド・エンド・ミ ル

（７）医療用品エン ド・ミル設計

（８）自動車部品＆材料加工向けエンド・ミル設計

弊社の製品の供給調達機能は：

（１）生活産業～ハイテク工業までのエンド・ミル設計

（２）ミクロ・エ ンド・ミル～大型エンド・ミル供給

（３）小Ｌｏｔ生産～大量発注対応供給

（４）オートメーション整備調達

（５）スポット対応～流れ生産対応

弊社の 全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

Bewise Inc. talaşlı imalat sanayinde en fazla kullanılan ve üç eksende (x,y,z) talaş kaldırabilen freze takımlarından olan Parmak Freze imalatçısıdır. Çok geniş ürün yelpazesine sahip olan firmanın başlıca ürünlerini Karbür Parmak Frezeler, Kalıpçı Frezeleri, Kaba Talaş Frezeleri, Konik Alın Frezeler, Köşe Radyüs Frezeler, İki Ağızlı Kısa ve Uzun Küresel Frezeler, İç Bükey Frezeler vb. şeklinde sıralayabiliriz.

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт  www.tool-tool.com  для получения большей информации.

BW is specialized in R&D and sourcing the most advanced carbide material with high-tech coating to supply cutting / milling tool for mould & die, aero space and electronic industry. Our main products include solid carbide / HSS end mills, micro electronic drill, IC card cutter, engraving cutter, shell end mills, cutting saw, reamer, thread reamer, leading drill, involute gear cutter for spur wheel, rack and worm milling cutter, thread milling cutter, form cutters for spline shaft/roller chain sprocket, and special tool, with nano grade. Please visit our web  www.tool-tool.com  for more info.

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我們從最近工具機展覽會看出，工具機已進步到高速化階段，特別是主軸的旋 轉速度，一萬轉以上已經算是很普遍了。為了要活用這種高速主軸，高速加工刀具系統的要求是必須的，因而有二面拘束刀柄的發展，另一方面德國HSK刀柄也因 應此趨勢所發展出的刀桿之一

工作母機對刀具系統的要求

所謂刀具並不單只限於切削工具，而是在加工某工件 時，做為補助工具機的功能。所謂刀具系統就是除了切削刀具外，還包括切削工具、工作物夾持系統、量測系統。

以使用者而言對於工具機的要求 不外乎表1所示，為達此目的，除機台本身結構外，刀具選用配合也會影響到整體表現。

表1  刀具系統應有的特色

工 具機的性能須求

刀具系統應有的特性

高精度

高精度、高靜動態剛性、耐環境性、耐久 性、經年變化

高靜態剛性

高靜態剛性、耐離心力特性、耐久性、耐環境性

高動態剛性

高靜動 態剛性

高速性能

耐離心力特性、非平衡自由度、小型輕量

重切削性能

高靜動態剛性、耐久性

覆合加工功能

高靜動態剛性、彈性

因應無人化功能

耐環境性、耐摩耗、感測功能

高 速加工用刀柄現況

兩面拘束刀柄，KM、Capto大多是用於複合機，幾乎多是短錐度。而BIG、 HMC、BTW等，是由原來的7/24長錐柄，做成二面拘束刀柄。因現場長時間使用BT刀柄，要變換為1/10短錐度刀柄，除工具機本身主軸無法配合外， 也須很多的刀具費用，因此很困難。但今後主軸想要更高速化，則必須是短錐度及兩面拘束為條件，因主軸構造除了能做到非常小型外，還可以使其對前軸承的影響 降到最小，且因為是短錐度所以柄部本身很輕，換刀的行程可以做得很小，適用於高速自動刀具更換

                     BT刀柄                                  HSK刀柄                                       Capot刀柄

高速加工用刀柄技術

在高速化方面，刀柄要求以下的特性：

1. 非平衡質量小。

2. 安裝到主軸的精度高

3. 不可降低主軸在高速時的結合特性

4. 高速更換性能

5. 切削刀具的夾持精度要高

6. 在高速時，不可降低切削刀具的夾持力

為了達到1的要求，首先刀柄完全做成對稱，且容易提高平衡精度。關於2的要求，利用兩面拘束就可以解 決。關於3的要求HSK刀柄可克服此問題。關於4除了減少刀具的換刀行程外，使用短錐度可以說對刀柄輕量化是有利的。

熱縮式夾頭的 切削刀具夾持特性

由於刀柄做成二面拘束，故刀柄安裝到主軸的精度可以提高很多，但因最後還是表現在夾持後切削刀具精度，切削刀 具夾持方式有側固夾持、筒夾夾持、熱縮式夾緊，其中熱縮式夾緊對於主軸旋轉造成夾持力降低的情況較少，且因構造較簡單，安裝刀具的精度也是上面所提夾持方 式中最高，而其缺點為，每支刀桿只有一種使用尺寸，無法如筒夾鎖緊刀柄共用性高及刀具拆裝須有特殊儀器才能拆卸安裝。

熱 縮式刀柄 熱縮式刀柄拆除儀器

結論

工具機的性能愈高，刀具系統的角色愈來愈重要。身為工具機製造廠必須把 刀具系統當作工作母機一部份，而進一步努力開發，這樣一來可由當初開發工作母機的進展而意識到刀具系統的重要性，進而出現更高性能的高速加工用工作母機。

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