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关于提高AlTiN涂层中铝的含量及其效果的争议一直持续不断。但有一点可以肯定：那就是提高AlTiN涂层的铝含量后，有利于改善刀具的性能。当然，用户应区分真实效果和夸大宣传的差别，并且应该懂得，最佳的涂层随使用条件而异，就象刀具的几何角度和基体一样。}

工业界的专家认为，AlTiN涂层适用于在高速和干式切削(或近似干式切削)的条件下，加工不锈钢、钛、高温超级合金的淬硬材料。

歡迎來到Bewise Inc.的世界，首先恭喜您來到這接受新的資訊讓產業更有競爭力，我們是提供專業刀具製造商，應對客戶高品質的刀具需求，我們可以協助客戶滿足您對產業的不同要求，我們有能力達到非常卓越的客戶需求品質，這是現有相關技術無法比擬的，我們成功的滿足了各行各業的要求，包括：精密HSS DIN切削刀具、協助客戶設計刀具流程、DIN or JIS 鎢鋼切削刀具設計、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 航太切削刀具,NAS航 太刀具設計、超高硬度的切削刀具、醫療配件刀具設計、汽車業刀具設計、電子產業鑽石刀具、木工產業鑽石刀具等等。我們的產品涵蓋了從民生刀具到工業級的刀 具設計；從微細刀具到大型刀具；從小型生產到大型量產；全自動整合；我們的技術可提供您連續生產的效能，我們整體的服務及卓越的技術，恭迎您親自體驗！！

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Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS DIN Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end mill、disc milling cutter,Aerospace cutting tool、Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Milling cutter、CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、NAS tool、DIN or JIS tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.

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弊社は専門なエンド・ミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ、

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（１）精密ＨＳＳエンド・ミルのＲ＆Ｄ

（２）Carbide Cutting tools設計

（３）鎢鋼エンド・ミル設計

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（６）ダイヤモンド・エンド・ミル

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The Molecular Beam Epitaxy System in the William R. Wiley Environmental Molecular Sciences Laboratory is used to grow and characterize thin crystalline films of oxides and ceramics to understand in detail the chemistry that occurs on oxides and ceramic surfaces.

Molecular beam epitaxy (MBE), is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho.

[edit] Method

Molecular beam epitaxy takes place in high vacuum or ultra high vacuum (10⁻⁸ Pa). The most important aspect of MBE is the slow deposition rate (1 to 300 nm per minute), which allows the films to grow epitaxially. However, the slow deposition rates require proportionally better vacuum in order to achieve the same impurity levels as other deposition techniques.

In solid-source MBE, ultra-pure elements such as gallium and arsenic are heated in separate quasi-knudsen effusion cells until they begin to slowly sublimate. The gaseous elements then condense on the wafer, where they may react with each other. In the example of gallium and arsenic, single-crystal gallium arsenide is formed. The term "beam" simply means that evaporated atoms do not interact with each other or any other vacuum chamber gases until they reach the wafer, due to the long mean free paths of the beams.

During operation, RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) is often used for monitoring the growth of the crystal layers. A computer controls shutters in front of each furnace, allowing precise control of the thickness of each layer, down to a single layer of atoms. Intricate structures of layers of different materials may be fabricated this way. Such control has allowed the development of structures where the electrons can be confined in space, giving quantum wells or even quantum dots. Such layers are now a critical part of many modern semiconductor devices, including semiconductor lasers and light-emitting diodes.

In systems where the substrate needs to be cooled, the ultra-high vacuum environment within the growth chamber is maintained by a system of cryopumps, and cryopanels, chilled using liquid nitrogen or cold nitrogen gas to a temperature close to 77 kelvins (−196 degrees Celsius). However, cryogenic temperatures act as a sink for impurities in the vacuum, and so vacuum levels need to be several orders of magnitude better to deposit films under these conditions. In other systems, the wafers on which the crystals are grown may be mounted on a rotating platter which can be heated to several hundred degrees Celsius during operation.

Molecular beam epitaxy is also used for the deposition of some types of organic semiconductors. In this case, molecules, rather than atoms, are evaporated and deposited onto the wafer. Other variations include gas-source MBE, which resembles chemical vapor deposition.

[edit] ATG instability

ATG (Asaro-Tiller-Grinfeld) instability, formerly known as Grinfeld instability, is an elastic instability often encountered during molecular beam epitaxy. If there is a mismatch between the lattice sizes of the growing film and the supporting crystal, elastic energy will be accumulated in the growing film. At some critical height, the free energy of the film can be lowered if the film breaks into isolated islands, where the tension can be relaxed latterally. The critical height depends on Young moduli, mismatch size, and surface tensions.

Some applications for this instability have been searched, such as the self assembly of quantum dots. This community uses the name of Stranski-Krastanov for ATG.

[edit] References

1. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures

J. Stangl, V. Holý & G. Bauer, Rev. Mod. Phys.76, 725 (2004) (59 pages).

1. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces, Vitaliy A. Shchukin and Dieter Bimberg,

Rev. Mod. Phys. 71, 001125 (1999) (47 pages)

1. Jaeger, Richard C. (2002). "Film Deposition", Introduction to Microelectronic Fabrication. Upper Saddle River: Prentice Hall. ISBN 0-201-44494-7.
   

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Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD-Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen.

Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie GaAs, InP, GaInNAs, GaSb auf einem Substrat zu erzeugen.

Grundlagen [Bearbeiten]

Epitaxie bedeutet, dass die Kristallstruktur der aufwachsenden Schicht sich der des Substrates anpasst, solange die physikalischen Eigenschaften (insbesondere die Gitterparameter) der beiden Substanzen nicht zu stark voneinander abweichen. Man spricht von Homoepitaxie, wenn Substrat und Schicht aus der gleichen Verbindung bestehen, ansonsten von Heteroepitaxie. Bei der Heteroepitaxie kommt es wegen der im Allgemeinen unterschiedlichen Gitterparameter bis zu einer kritischen Schichtdicke zu Verspannungen in der aufgewachsenen Schicht. Wird die kritische Schichtdicke überschritten, entspannt sich die aufgewachsene Schicht durch die Bildung von Versetzungen (Defekte).

MBE setzt Ultrahochvakuum voraus, um Verunreinigungen durch Restgasatome zu vermeiden. Während des Wachstumsprozesses steigt der Druck aber bedingt durch die Effusion in den Hochvakuumbereich. Die Stoffe, aus denen die Schicht bestehen soll, werden in Evaporationstiegeln (Effusionszellen) erhitzt und gelangen als gerichteter Molekularstrahl (ohne Stöße mit dem Hintergrundgas) zum Substrat. Dieses wird ebenfalls geheizt und erlaubt so ein geordnetes Anwachsen der Schicht.

Durch Steuerung der Tiegeltemperaturen und kontrolliertem Öffnen und Blockieren des Molekularstrahls einzelner Quellen können komplizierte Mehrschichtstrukturen mit wechselnden Zusammensetzungen und Dotierungen hergestellt werden. Die Schichtdicken können wenige Atomlagen (also weniger als ein Nanometer) bis Mikrometer betragen.

Der MBE-Prozess kann durch geeignete in-situ Verfahren (RHEED, Ellipsometrie), welche den Wachstumsprozess nicht beeinflussen, kontrolliert und gesteuert werden.

Anwendungen [Bearbeiten]

Die Molekularstrahlepitaxie findet vor allem bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente Verwendung:

• Laserdioden
• dielektrische Spiegel
• Quantenkaskadenlaser

Durch die genaue Schichtdickenkontrolle lassen sich außerdem Strukturen mit sehr kleinen räumlichen Abmessungen verwirklichen. Diese haben neuartige Eigenschaften, die auf Quantenphänomenen basieren. Dabei werden häufig natürliche Rauhigkeiten oder Selbstorganisation innerhalb der Grenzschichten bei Heteroepitaxie ausgenutzt. Besonders die Verspannung epitaktisch gewachsener Heterostrukturen führt zu:

• Quantenpunkte
• Quantendrähte
• Quantentöpfe

In der Grundlagenforschung wird MBE deshalb auch zum Wachstum von verspanntem Si/SiGe eingesetzt. Mit dieser Technologie sollte es in Zukunft möglich sein, sog. HEMTS in Si/SiGe-Technologie (MODFETS genannt) zu realisieren und Kosten durch die Verwendung von Materialien wie z.B. GaAs einzusparen.

Ein spezielles MBE-Verfahren ist die Allotaxie, mit deren Hilfe sich zum Beispiel vergrabene Cobaltdisilizid-Schichten in monokristallinem Silicium herstellen lassen.

Durch Verdampfen können auch wohlgeordnete Schichten organischer Moleküle auf atomar ebenen anorganischen Oberflächen hergestellt werden. Dieses Verfahren wird auch als OMBE (organic molecular beam epitaxy) bezeichnet.

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分子線エピタキシー法（ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy ）は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。 高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。

[編集] 原理と特徴

原理自体は単純で、高真空中において、原料を蒸発させるなどして基板表面に照射して堆積させ、薄膜の形で成長させる。

特長としては、

1. 超高真空(10^-8Pa(10^-10Torr)程度)下で成長を行うため、MOCVD法に比べて成長速度を遅くできる。また製膜温度も低くできる場合がある
2. 各セルのシャッターにより、成長方向、組成分布を厳密にコントロールできる
3. RHEEDにより、成長しながらのその場観察が行える
4. 数Å(10^-1nm)オーダーの、単原子層レベルでの成長が可能であり、条件に気をつければ、1原子層ごとに異なる原子を面方位関係を保ったまま堆積させ(エピタキシャル成長)、単結晶の人工格子を作成することができる。
5. 複数の原料を独立に制御することで、原子比のよく制御された合金膜を作成することもできる。

などが挙げられる。

また短所としては、超高真空状態の維持が難しいなどの理由で、量産向きの蒸着法ではないことが挙げられる。

[編集] 歴史

MBEという名称は、1970年にベル研究所のArthurとChoがGaAsの結晶成長法として命名したのが始まりとされる。当時広く普及していたLPE（液相成長法）とは異なる特長を有する新たな結晶成長手法として発展し、超格子構造の作製や結晶の成長過程そのものの研究、ドーピングなどに応用されるようになった。製膜速度が遅いぶん量産には向かず、主に研究開発用途に用いられているが、AlGaAs系半導体レーザやHEMT素子などの量産に用いられた実例も知られている。

[編集] 装置の構成

[編集] 概要

MBE装置は下記のような要素から構成される。用途や原料によって詳細は異なる。

• 原料供給機構
• 製膜用真空チャンバー
• 試料交換用チャンバー
• 超高真空排気機構（真空ポンプ類および残留ガス吸着機構（液体窒素シュラウドなど））
• 真空計
• 分子線量のモニタリング機構
• 試料のモニタリング機構

[編集] 原料供給機構

[編集] 要件

MBE法が他の真空蒸着法と異なるのは、求められる種類の分子だけを、正確に、しかも長時間（数分～数週間）に亘って安定して供給できることである。このためMBE法に於ける原料の供給機構は、下記のような要件を満たすことが求められる。

• 真空度を著しく損なわないこと。圧力が上がりすぎれば蒸発した分子の平均自由行程が短くなりすぎ、「分子線」ではなくなる。
• 結晶成長を阻害するような不純物の混入を極力抑えること。
• 供給する分子線を時間的・空間的に安定して制御できること。
• 供給機構自体が破損しにくいこと。破損すると真空を破るメンテナンスが必要になり、チャンバの清浄度がその分損なわれる。

MBE法をMBE法たらしめるのは、このような原料供給機構を備えているかどうかで決まるとも言える。

[編集] 形式

上記の要件を満たすために、様々な原料供給機構が用いられている。

• 抵抗加熱

最も基本的な方式である。タンタルなどの高温に耐えるヒーター線によって原料を入れたるつぼを加熱・蒸発させるものである。分子線量の調節は、るつぼの温度を制御することで行われる。るつぼは高温に耐えて原料を汚染しにくいものが選ばれ、原料や用途によって焼結窒化硼素(PBN)やアルミナ、カーボン、石英、各種金属の単体や合金、などが用いられる。

• 電子衝撃加熱

真空容器内での原料の加熱は、金属原料が融解するほどの高温になるため、セル自体が溶けて蒸着してしまわない様に、よく絞った電子ビームを原料表面に当て、金属原料に電流が流れるジュール熱によって加熱する。セルは容器外側から冷却されているので、これにより電子ビームの当たる位置だけが融解し、液体状態の外側は同一の物質であるため、不純物の混入を防止できる。

• ガスソース

単体では固体の原料を、有機化合物の形にするなどの方法で装置外部にて気体とし、流量で制御したものを送り込む方式もある。原料によっては分子線の制御性を大きく向上させる一方、化合物にすることで不要な元素が結晶に混入する危険性もある。このような方式はMOMBE(Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy; 有機金属分子線エピタキシー)やガスソースMBE(Gas-source Molecular-)、CBE(Chemical-)等と呼ばれるが、厳密な分類ははっきりしない(言う人によって違ったりする)。

• クラッキング

熱やプラズマによって原料分子をある程度分解したり、エネルギーを持たせてから照射するものである。上記のいずれかの方式と組み合わせることが多い。

[編集] 分子線量のモニタリング法

分子線の量は供給源の制御だけでなく、実際の分子線量をモニタリングし、フィードバック制御をかける場合もある。このようなモニタリングには、下記のような手法が用いられる。

• 膜厚計

結晶膜厚計を用いて測定する。これは、容器内の原料のビームが当たる位置に設置された結晶に膜が付着することで結晶の共振振動数が変わるのを利用した方式である。これにより10^-2nmオーダの膜厚を測定することができる。

• 光学的測定

製膜中の薄膜に光を当て、膜厚干渉等によって膜厚を測定する方法である。方式や測定条件にもよるが、数nm～数百nm単位での測定が可能である。

• ビームフラックスモニタ

イオンゲージなどを製膜位置近辺に配置し、分子線量を「圧力」として測定する方式である。イオン化収率を考慮する必要がある。

• 原子吸光

蒸発した原子や分子の吸収スペクトルに合わせた光を分子線に照射し、通過した光の強度変化から分子線量を測定する方法である。

[編集] 超高真空の維持機構

MBE装置の製膜チャンバー内は、所定の清浄度を得るために場合によっては1×10^-10Torr以下にまで減圧する場合も珍しくない。このような超高真空を実現するために、下記のような手法が用いられる。

[編集] 真空ポンプ

チャンバー内部の気体を外部に排出するための超高真空ポンプとしては、下記のようなものが用いられる。

• 油拡散ポンプ

特殊な合成油をポンプ内部で超音速で噴射し、周囲の気体分子を巻き込んで移動させるものである。構造が簡単で機械的可動部が無く、大きな排気速度が得られる。反面、油の逆流によってチャンバーを汚染するおそれがあり、液体窒素トラップなどと併用されることが多い。

• クライオポンプ
• イオンポンプ
• ターボ分子ポンプ

多くの羽を有する回転翼と固定翼を積層し、回転翼を高速で駆動することで、飛び交う残留ガス分子の移動確率を片方向に偏らせるものである。振動に弱い欠点がある。また、一般に水素等の軽い分子に対しては排気速度は著しく低下する。ポンプの背圧と圧縮比によってポンプ自体の到達真空度が決まる。

• ソープションポンプ

残留ガス分子を吸着剤や低温バッフルを用いて吸着するものである。溜め込んだ分子は加熱するなどで定期的に排出させる。

• メカニカルブースターポンプ
• ゲッタリングポンプ

チタンなどの化学的に活性な金属を蒸発させ、内壁に蒸着する。そこに飛び込んできた分子は金属と反応して安定になるために真空度がよくなる。不活性ガスは排気ができないものの、活性ガスに対しては非常に大きな排気速度を持つ。また、完全にオイルフリーなポンプである。

ゲッタリングポンプを除き、これら超高真空ポンプは通常、さらに油回転ポンプやドライポンプなどの低真空ポンプと組み合わせて用いられる。

[編集] 液体窒素シュラウド

真空容器内で原料を蒸発させると、当然ながら真空度が悪化するため、通常真空容器の側壁面にシュラウドを設けてそこに液体窒素を満たす。これにより容器内部にある気体分子は側壁と衝突した際に壁面に吸着され、高い真空度を維持することができる。なお、蒸着終了後に液体窒素をシュラウドから抜くと容器内の真空度が一時的ではあるが急激に悪化するため注意が必要である。

[編集] ベーキング機構

メンテナンスなどで真空を破った場合、チャンバー内壁に大気中の気体や水分などが吸着する。このため、ポンプである程度の真空にした後、さらにチャンバー全体を加熱することでこれらの吸着分子を追い出す作業が行われる。これをベーキングと呼び、このためにヒーター線を外部に巻き付けたり、内部に加熱用のランプヒーターを配したりする場合が多い。

[編集] 参考資料

• 「真空技術」堀越源一、東京大学出版会、ISBN 4-13-063044-X
• 「分子線エピタキシー」権田俊一、陪風館、ISBN 4-563-03610-2

[編集] 関連項目

• MOCVD
• 半導体
• RHEED
• 真空ポンプ
• シュラウド
• クヌーセンセル
• 成長室
• ベーキング
• エピタキシャル成長
• 物性物理
• 半導体
• 半導体レーザ
• ガスケット

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BW Bewise Inc. Willy Chen willy@tool-tool.com bw@tool-tool.com www.tool-tool.com skype:willy_chen_bw mobile:0937-618-190 Head &Administration Office No.13,Shiang Shang 2nd St., West Chiu Taichung,Taiwan 40356 http://www.tool-tool..com / FAX:+886 4 2471 4839 N.Branch 5F,No.460,Fu Shin North Rd.,Taipei,Taiwan S.Branch No.24,Sec.1,Chia Pu East Rd.,Taipao City,Chiayi Hsien,Taiwan

Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS DIN Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、NAS986 NAS965 NAS897 NAS937orNAS907 Cutting Tools,Carbide end mill、disc milling cutter,Aerospace cutting tool、Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Milling cutter、CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、NAS tool、DIN or JIS tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.

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ようこそＢｅｗｉｓｅ　Ｉｎｃ.の世界へお越し下さいませ、先ず御目出度たいのは新たな

情報を受け取って頂き、もっと各産業に競争力プラス展開。

弊社は専門なエンド・ミルの製造メーカーで、客先に色んな分野のニーズ、

豊富なパリエーションを満足させ、特にハイテク品質要求にサポート致します。

弊社は各領域に供給できる内容は：

（１）精密ＨＳＳエンド・ミルのＲ＆Ｄ

（２）Carbide Cutting tools設計

（３）鎢鋼エンド・ミル設計

（４）航空エンド・ミル設計

（５）超高硬度エンド・ミル

（６）ダイヤモンド・エンド・ミル

（７）医療用品エンド・ミル設計

（８）自動車部品＆材料加工向けエンド・ミル設計

弊社の製品の供給調達機能は：

（１）生活産業～ハイテク工業までのエンド・ミル設計

（２）ミクロ・エンド・ミル～大型エンド・ミル供給

（３）小Ｌｏｔ生産～大量発注対応供給

（４）オートメーション整備調達

（５）スポット対応～流れ生産対応

弊社の全般供給体制及び技術自慢の総合専門製造メーカーに貴方のご体験を御待ちしております。

BW специализируется в научных исследованиях и разработках, и снабжаем самым высокотехнологичным карбидовым материалом для поставки режущих / фрезеровочных инструментов для почвы, воздушного пространства и электронной индустрии. В нашу основную продукцию входит твердый карбид / быстрорежущая сталь, а также двигатели, микроэлектрические дрели, IC картонорезальные машины, фрезы для гравирования, режущие пилы, фрезеры-расширители, фрезеры-расширители с резцом, дрели, резаки форм для шлицевого вала / звездочки роликовой цепи, и специальные нано инструменты. Пожалуйста, посетите сайт www.tool-tool.com для получения большей информации.

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Ytbehandling innebär att antingen genom målning eller genom kemisk behandling, exempelvis elektrokemi eller eloxering förse ett föremål med ett skyddande ytskikt. Även varmförzinkning och andra former av doppbehandling i flytande metallbad räknas som ytbehandling.

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Een oppervlaktebehandeling of coating is een handeling waarbij een deklaag op een ondergrond wordt aangebracht. Het doel van een oppervlaktebehandeling is het verfraaien van het uiterlijk, het beschermen van het oppervak tegen (schadelijke) externe invloeden (corrosie) of het verbeteren van de hechting bij het verf- of lijmproces. Ook kunnen oppervlaktebehandelingen worden toegepast om materiaaleigenschappen te veranderen of om functies te realiseren (schakelingen). Bij metalen kan de oppervlaktebehandeling door een chemische behandeling worden gerealiseerd. Omdat hierbij materiaal wordt omgezet, wordt dit ook wel het opbouwen van een conversielaag genoemd.

Toegepaste oppervlaktebehandelingsprocessen zijn;

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Un traitement de surface est une opération mécanique, chimique, électrochimique ou physique qui a pour conséquence de modifier l'aspect ou la fonction de la surface des matériaux afin de l'adapter à des conditions d'utilisation données. Les traitements de surface jouent un rôle éminent dans le domaine de la tribologie (voir traitements anti-usure).

Traitements mécaniques [modifier]

• Ébavurage
• Brunissage
• Galetage
• Grenaillage
• Sablage
• Polissage

Revêtements métalliques [modifier]

Dépôt par voie humide [modifier]

• Dépôt électrolytique (argenture,dorure,nickelage,cuivrage,chromage,cadmiage,rhodiage...)
• Dépôt chimique statique (argenture,nickelage,cuivrage...)
• Dépôt chimique dynamique (procédé JetMetal)

Dépôt par voie sèche [modifier]

• Projection thermique
• Phase vapeur
• Faisceaux énergétiques
• Rechargement métallique
• Application de feuilles métalliques: Dorure, argenture,cuivrage à la feuille.

Dépôt par voie thermique [modifier]

• Etamage
• Dorure et argenture au mercure
• Immersion en métal fondu

Traitements de conversion [modifier]

• Électrolytique (anodisation, sulfuration)
• Chimique (phosphatation, chromatation)
• Mécanique (Soféisation)

Traitements thermochimiques de diffusion [modifier]

• Diffusion d'éléments non métalliques carbonitruration (dont la cémentation et la nitruration sont des cas particuliers), boruration, sulfurations, bleuissage.
• Diffusion d'éléments métalliques (chromisation, aluminisation)

Traitements par transformation structurale [modifier]

• Voie thermique (fusion, trempe superficielles, recuit, revenu)
• Voie mécanique (grenaillage, galetage)

Traitements organiques et organo-mineraux [modifier]

• Peinture

Divers [modifier]

• Anodisation dure
• Sulfinuzation
• Zingage

Contexte industriel [modifier]

Les opérations de traitements de surfaces sont effectuées de nos jours par un multitude de petites entreprises sous-traitantes pour le compte de grands groupes industriels dans les domaines de l'automobile, des « produits blancs », de l'aérospatiale…

Ce contexte induit des conditions de travail généralement pénibles et des salaires très modestes. L'exposition aux vapeurs de différents acides utilisés (acides sulfurique, chlorhydrique, cyanhydrique, fluorhydrique…) présente de graves dangers pour la santé, et les mesures de sécurité en œuvre dans les petites entreprises du secteur sont généralement insuffisantes (cf. Inspection du travail).

Les donneurs d'ordres se défaussent ainsi, entre autres, des responsabilités qui seraient les leurs en cas d'accident du travail ou de pollution accidentelle.

Il existe un syndicat professionnel du traitements de surface (D.Thery, délégué général du SATS [1]).

Les ateliers de traitements de surface sont en accord avec la legislation du travail au meme titre que toutes les entreprises industrielles. Ils utilisent des procédés qui sont presents dans les ateliers des grands donneurs d'ordre. Le syndicat du traitements de surface a signé avec la CRAM des accords d'amelioration constante qui depassent la legislation du travail. L'accidentologie, selon les sources officielles ministérielles, dans les ateliers de traitements de surface n'est pas liée à l'utilisation des produits chimiques mais principalement à la manipulation des pièces.

Voir aussi [modifier]

• Revêtement anti-usure
• Traitement anti-usure
• Galvanoplastie
• Appareil de mesure d'épaisseur de revêtement
• HEF Groupe, leader européen de l'ingénierie des surfaces

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