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BW切削刀具~我們的願景
碳化鎢特性檢測法 (硬度計)

 


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碳化鎢特性檢測法 (金相顯微鏡)


 


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碳化鎢特性檢測法 (3D CAD System)

 


 


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碳化鎢特性檢測法 (超音波探傷儀)


 


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演講人:汪大永 副教授
單 位:明道管理學院
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轉述:
一.離子束材料表面改質技術發展概述
*60年代離子植入技術首先在半導體元件上得到了應用,進而使用離子植入技術替代了傳統的熱擴散方法形成了微細加工技術,推動和促進了大規模積體電路的發展。
*70年代非半導體材料離子植入技術開始發展,首先英國哈威爾原子能研究中心發展了強流氮離子源,使氮離子束材料表面改質技術在各國得以很快的發展,幾十個氮離子注入中心在世界各地相繼建成。
*80年代以來,強流金屬離子源-MEVVA離子源、電漿沉浸式離子植入技術(PIII)等分別開始得到發展,進而促進和推動離子束材料表面改質技術應用和發展。
二.離子束材料表面改質系統之特性
(1).半導體離子植入技術

 


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a.設備:離子源(主要產生B、P、As離子)、分析系統(主要為磁分析器)、加速系統(通常為200kV)、掃描系統(電掃描、機械掃描或混合掃描) 和注入靶室如圖所示。
b.特點:植入量和深度精確可控、純度高、大面積均勻植入、植入濃度範圍廣、植入離子種類多以及適合淺層改質、典型滲雜濃度為(1013~1015)ion/mm2。
(2).非半導體離子植入技術


 


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a.設備:強束流離子注入機(主要為氮離子植入和金屬離子植入) 。主要部件:離子源和靶室真空系統。
b.特點:大劑量1017ion/cm2和大面積植入、離子種類多、植入對象廣泛、工具、模具和零件,基材包括金屬、陶瓷、聚合物等。
(3).其他離子束技術

 


 


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a.離子束混合技術(IBM):基材(或樣品)表面鍍上一層或多層薄膜(約幾百埃),然後用幾百keV的惰性氣體(如Ar、Kr、Xe等)轟擊下,薄膜和基體界面上的原子間發生級聯碰撞和原子間輻射增強擴散。從而導致不同原子間相互混合和滲透,形成新的化合物和合金相。
b.離子束增強沉積技術(IBED):再鍍膜過程中輔助離子束轟擊(見圖), 達到沉積的膜緻密化、增強了膜與基體之間的黏附特性,可獲得較厚的(幾--幾十微米)改性層。
三.Beam-line vs. PBII
(1). Beam-line 系統


 


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轉述:
(2). 植入離子與工件之關係

 


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*注入劑量均勻性受植入量與濺射效應所控制。
*於Beam-line製程中控制 <20~30°,可提升植入均勻性。
*MEVVA束斑大均勻性差異可達<1% 。
*PIII 利用電漿鞘層(plasma sheath)加速離子植入,均勻性最佳,唯工件尺寸需>電漿鞘層之寬度。
(3).傳統Beam-line與PBII特性
Beam-line PIII MEVVA
束流方向性 Line-of-sight Non light-of-sight Line-of-sight
束斑大小 小
大系統複雜性提高 無束斑大小之問題 束斑大且系統間單
製程時間 受工件表面積影響 劑量控制 劑量控制
製程溫度 高 低 低(<200℃ )
組裝經費 高 低 低
離子通量(ion flux) 低 中 高
離子電荷態
(charge state) 單一 多重 多重
四.電漿沉浸式離子植入技術 PIII (Plasma Immersed Ion Implantation)
(1). 工作原理與特性
* 工作原理:利用熱燈絲、DC 、 RF 或 ECR方式使氣體在真空腔中解離產生均勻的電漿,欲處理的樣品沉浸於該電漿中,再於樣品上施加一脈衝負高壓(-1~100kV),電漿中的離子在樣品表面 高壓電場的作用下,加速入射到樣品各個表面並注入到材料晶格中,形成PIII技術的改質層。
*特點:與傳統離子植入技術相比具有無方向性的植入即在樣品表面全方位植入之優點。
(2). PIII 系統

 


 


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UC Berkeley PIII系統


 


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(3). 鞘層模型(Sheath model)


 


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鞘層厚度隨偏壓變化
(4). 抑制X-ray產生量

 


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(5). 各種離子源之離化率


 


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(6). 植入密度對工件品質之影響

 


 


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(7). 離子能量vs.植入量


 


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不同偏壓下之劑量分佈與應用範圍


(8). 離子能量vs.離化率


 


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(9). 製程電壓vs.鞘層厚度

 


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(10). 入射角度vs.植入劑量


 


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(11). 非導體工件於PIII 系統之電位關係


 


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(12). 金屬網裝置(Metal grid)解決處理非導體工件之問題


 


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五.金屬蒸氣真空弧離子源 MEVVA ( Metal Vapor Vacuum Arc)
(1). 工作原理與特性
*工作原理:利用陰極真空弧放電,由陰極表面直接產生高密度金屬電漿,經多孔三電極系統引出,形成強流金屬離子束。 MEVVA源由金屬電漿形成區和離子束引出區二部分組成。前者包括陰極、陽極和觸發極組成,後者由多孔三電極引出系統組成。
*特點: MEVVA離子源是在脈衝狀態下工作的一種強流金屬離子源,具有束流強、金屬離子種類多、離子電荷態高、束流純度高、束斑面積大以及結構簡單、穩定、可靠等獨特的優點。

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(2). MEVVA源離子植入系統

 


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北京低能核物理所 MEVVA系統


 


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(3). MEVVA源結構

 


 


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MEVVA離子源細部結構示意圖


 


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大尺寸引出電極可獲得寬離子束


(4). 主要性能及製程參數
參 數 數 值
弧電流(A)
80~250
弧電壓(V) 0~300
重複頻率(Hz) 0~25
引出電壓(kV) 20~80
陰極工作壽命(h) ≧8
束斑直徑(cm) Φ25
引出束流(mA) 0~5
(5).MEVVA源於材料改質技術的應用
改性效果 注入離子 基體材料 用途
抗磨損 Ti,Mn,Cu,Ni 型鋼、軟鋼 機械零件
W,Mo,V,Co,Cr 工具鋼 工具
Ti+C, Ti+N 同上 同上,汽車零件,機械零件
Ti+B, Cr+N 不鏽鋼 表 ,模具
Al,Sn,In,Ag 軸承鋼,型鋼 精密機械零件
耐腐蝕 Cr,Ni,Pd,Pt,Al 型鋼,碳鋼,M50鋼 海軍飛機零件,機械零件
抗氧化 Cr+Mo, Ta, Cr+P 52100鋼,M50鋼 機械零件
稀土 型鋼,不鏽鋼 機械零件
抗衝擊 Nb,Ta,Mo,W 模具鋼 模具
耐熱 Al,Mo,W,Nb,Ta,Cr 耐熱鋼,型鋼 飛機和汽車發動機


 



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(6)植入劑量與改質效果

 


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Pt植入對Si 電阻值之影響


 


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Co植入對工件機械性質提昇之影響

 


(7)植入元素與改質效果


 


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(8)工件溫度與尺寸變化


 


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植入時間對基材溫度之影響


 



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