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Reference source from the internet.金庆华 冯少新 郭振亚 李宝会 丁大同
基于以前通过经验参数化途径得到的碱土氟化物电子壳模型参数和离子间互作用势参数,计算了CaF2,SrF2和BaF2晶体中点缺陷形成能.计算并对比了SrF2和BaF2的声子色散曲线与非弹性中子散射实验数据,再一次复验了经验参数集的质量.
PACC:6000;6170B
CALCULATIONS OF THE FORMATION ENERGIES OF POINT
DEFECTS IN ALKALINE EARTH FLUORIDES*
JIN QING-HUA FENG SHAO-XIN GUO ZHEN-YA LI BAO-HUI DING DA-TONG
(Department of Physics, Nankai University, Tianjin 300071)
ABSTRACT The formation energies of point defects in CaF2,SrF2 and BaF2 were calculated in terms of the shell model parameters and potential parameters of the interaction between the ions in these alkaline earth fluorides, which had been determined by empirical parameterization. Moreover, the calculated phonon dispersion relations for SrF2 and BaF2 were compared with the data of inelastic neutron scattering as a retest for the quality of these parameters.
PACC:6000; 6170B
1 引言
虽然与晶体全局相比,点缺陷数量仅占极少份额,但却对晶体的许多与技术应用有关的性能起重大影响,为材料研究者所关注.
对于离子晶体的讨论若以离子为体系的最小组构单元,则由坐标分别为r1,r2,…,rN的N个离子所构成体系的势能E可表示成
其中φij为两体互作用项,它们均只依赖于两个互作用离子之间的距离,是所谓中心力形式.Born模型在分析离子晶体结合能等问题的成功,引发了早期对点缺陷在原子尺度上的理论计算.
Mott和Littleton对碱卤族物质的研究[1]标志着离子晶体缺陷理论的重大进展.他们除了在模型中引入对离子本身的极化考虑之外(后人称之为极化点离子模型:PPI——polarizable point ion[2]),还对围绕缺陷周围离散晶格所发生的极化和位移场进行了连续近似处理.这种理论途径在应用上所受局限大体上来自用增加讨论中涉及离子数目来精化讨论结果时所面临的冗长计算.
后来Boswarva和Lidiard发展了一种处理缺陷晶格的计算办法[3].首先他们注意到缺陷引起周围晶格畸变(弛豫)是随与缺陷距离增加而迅速衰减的.根据这样的特征,在讨论中可以将缺陷晶格划分成两个区域加以不同性质的处理.
内域Ⅰ 包括以点缺陷为中心以及若干包层上的离子,按它们的弛豫位形以离散方式直接进行计算.
外域Ⅱ 除Ⅰ区以外的其余部分,在与缺陷相距足够远的情况下,离散的畸变可基于某种近似而以连续方式描述,采用简谐处理.
如果基于某种合理假设而对Ⅱ区平衡畸变可以另行计算,则剩下的问题就集中于如何确定使体系能量极小化的Ⅰ区弛豫位形.一般而言假设的合理性是随Ⅱ区远离缺陷而增加的,但随Ⅰ区的扩展,直接计算要卷入更多的离子,所以如何提高数值运算的效率就很重要.
根据“力平衡”(force-balance)要求以及对于两体势模型有获取一、二阶导数的便利.Norgett等人在叠代计算途径上选取Fletcher-Powell的变尺度(variable-metric)方法[4]建立了HADES程序[5].HADES是功能很强的程序,因其高效率而大大节省了数值计算工作量.在实际应用时Ⅰ区离子数量可超过102;对于电子壳模型(shell model),描述离子状态的独立变量倍增,意味着数值计算要涉及约103个变量的优化.Catlow和Norgett用HADES计算了包括碱土氟化物[6,7]在内的许多晶体缺陷问题.本文对碱土氟化物CaF2,SrF2和BaF2离子晶体中点缺陷形成能是用自建的FLUOR-1程序计算的.由于FLUOR-1程序原理与HADES一致,引用Catlow和Norgett有关碱土氟离子晶体势参数[6],FLUOR-1高精度地复现了他们所报道的计算结果.
本文对CaF2,SrF2和BaF2晶体点缺陷形成能的计算工作,与Catlow和Norgett工作不同之处是本文尽量地引用了近期实验数据,并为了电子壳电荷必须为负值的物理模型要求,全面调整了碱土氟离子晶体势模型所涉及的参数.据此计算的完善晶体物性参量理论值与实验数据有令人满意的符合[8].同时也将本文据此进一步计算的缺陷形成能结果建立在与模型自洽的合理基础之上.
2 模型
Dick和Overhauser建议的电子壳模型[9]将晶体中每个离子视为由离子实心(电荷X,,质量M)和电子壳(电量Y,质量m→0)构成,它们之间以用各向同性弹性系数K表征的简谐恢复力相耦合.离子的净电荷Q=X+Y.于是讨论离子晶体时所涉及的组构单元较原先增加了一倍,组构单元之间的互作用有三类:
(1)如果一个离子自身的电子壳和实心发生相对位移rij=|ri-rj|,则用
(i——电子壳;j——实心)
表示因位移而导致的势能变化.但规定同属于一个离子自身的电子壳和实心之间不计Coulomb作用.
(2)不同离子的电子壳、实心之间的Coulomb作用,取决于二者的电荷和距离;
φij(r)=XiXj/rij 或 XiYj/rij 或 YiYj/rij (i≠j).
(3)对于碱土氟化物离子晶体的正离子-负离子最近邻非Coulomb作用(描述分属正、负离子的电子壳之间的短程排斥)仍沿用Born-Mayer形式
φij(r)=A1exp(-r/ρ1)
描述,其中r为最近邻正、负离子电子壳中心之间的距离.次近邻F-离子—F-离子之间的非Coulomb作用,则统一用Backinham函数
φij(r)=A2exp(-r/ρ2)-C2/r6
描述,其中r为次近邻F-离子电子壳中心之间的距离.
3 计算方案简介
3.1 点缺陷形成能
首先对体系中的粒子(在本文的讨论中“粒子”是离子实心、电子壳的总称)进行标码,然后设完整晶格的势能为
(1)
其中Rk,R1为粒子在晶格中所处的理想位置.设缺陷晶格的势能为
(2)
其中rk,r1为由于缺陷存在使晶格发生畸变后粒子的实际位置,则缺陷形成能E可简单地表示成二者的差异:
E=ED-EL. (3)
在讨论Ri位出现空位缺陷时,形式上将i位粒子移向无穷,ri→∞,使i位粒子在ED求和中不再有贡献,但须保留Ri在EL中求和项的贡献.讨论ri位上出现填隙缺陷时在ED求和中要计入它与其他粒子的互作用,但形式上认为它是由无穷远(Ri~∞)移入该间隙位的,所以这个粒子在EL求和中没有贡献.根据以上这两种基本的约定,很容易将讨论逻辑式地延伸到置换式(或其他形式)点缺陷问题.
3.2 分区战略
按前节所述的分区战略,可不失普适地将E的求和人为地划分成三部分:
E=E1+E′2+E′3, (4)
其中E1只涉及内域(Ⅰ区)粒子之间的相互作用,
(5)
E′3只涉及外域(Ⅱ区)粒子之间的相互作用,
(6)
E′2为Ⅰ区与Ⅱ区粒子之间的跨区相互作用,
(7)
将Ⅱ区粒子相对理想位置的偏离写成ζj(ζj=rj-Rj).注意到|ζj|《|Rj|的事实,对φjj′作展开,略去二阶以上的高阶项,消去零阶项后,可将E′3近似写成
(8)
为了将后续计算纳入二次型,引入一辅助函数F
(9)
将E的表达式(4)改写成
E=E1+E2+E3, (10)
其中
E2=E′2-F; E3=E′3+F. (11)
把E′3中的两个线性成分合写成
之后,再与F中的线性项合并起来,得到
(12)
因为rj位粒子与自身之外晶格其他粒子间的作用能ej为
所以j粒子受力为
在平衡条件下,体系中粒子受力为零,就意味着E′3+F将没有线性成分,说明如此构建的E3消去了对Ⅱ区变量的线性依赖,成为单纯的二次型.
在平衡条件下,因为E1对Ⅱ区变量无直接依赖,所以有
据此可用表示E3,这是因为
(13)
这样就将E3从以前的表达式中消去而将缺陷形成能写成便于进行实际数值计算的形式:
(14)
其中已按本领域多数文献的习惯,改用x表示Ⅰ区变量rⅠ.其中远离缺陷的Ⅱ区中发生的平衡畸变{ζe}可按Mott-Littleton建议的近似方法加以确定[10].所以构建(14)式的意义在于将缺陷形成能归结为只涉及Ⅰ区中有限数目独立变量{x}的问题.
这样就将问题纳入数值计算途径:按能量极小原则,通过优化途径选取一组实现E为最低值的变量集{x},并用其作为Ⅰ区弛豫位形的详尽描述.
3.3 变尺度法
根据(14)式可直接推演E对x的一阶导数和二阶导数的显式:
(15)
这样,基于某与真实相近的起始估计位形x′便可根据(14)式计算相应的E(x′)以及根据(15)式计算对应的g和w,然后建立进一步计算E(x)的公式:
(16)
可将(16)式看成E在x′附近展开,即δ=x-x′.进而如果改变量δ是由关系
δ=-w-1g
确定(w为正定矩阵),就会使变更后位形x=x′+δ所对应的能量有所降低;E(x′+δ)=E(x)<E(x′).重复这样的手续,可一步一步使能量递降,获取最低的能量优化值.但当Ⅰ区变量数目很大的情况下,若每一步都涉及求解逆矩阵w-1的冗长计算,将是很费时间的.所以本文也引用Fletcher和Norgett建议的所谓变尺度法(variable-metric method)[5],其核心思想是建立一与w-1相近的矩阵H-w-1,然后一次次对其进行修改.具体的步骤是
(1) 根据初始的x1确定g1以及与w-1相近的矩阵H1;
(2) 计算δ1=-H1.g1;
(3) 根据x2=x1+δ1确定g2;
(4) 以下列方式修正H1,获取H2:
这种对H进行修改的手续一次一次地进行下去,由于在叠代逼近中每次均只对H进行即时调变,避免了求解逆矩阵手续,从而大大地提高了计算效率.
4 碱土氟化物离子晶体中的点缺陷形成能计算
4.1 势参数和模型参数的确定
在经验参数化的研究中,晶体中种种两体互作用所涉及的参数(如Backinham函数中的A,ρ,C;电子壳模型中的Y,k;离子净电荷Q等等)是根据晶体的种种实验观测数据通过尝试误差法拟合确定的[8,11].
Catlow和Norgett曾报道有关CaF2,SrF2和BaF2晶体的势参数和电子壳模型参数,并论证基于这些参数所计算的一系列晶体性质与实验观测值之间有高精度的符合.但在他们报道的模型参数中,Ca和Sr离子的电子壳电荷为正值[6,7],是有悖电子壳模型初衷的.在我们重新讨论这一问题时,首先将电子壳电荷必须一律为负值作为经验参数化研究的先决条件,其次在拟合势参数和模型参数时尽量引用近期报道的实验数据.当将F-离子的净电荷调整到0.97电子电量时,得到表1所列CaF2,SrF2和BaF2晶体势参数和模型参数,根据这组参数计算的晶体性质与实验观测有良好的符合[8].
表1 CaF2,SrF2和BaF2晶体的势参数和电子壳模型参数
CaF2 | SrF2 | BaF2 | |
A+-/eV | 4737.1 | 5263.3 | 3694.4 |
ρ+-/nm | 0.02465 | 0.02591 | 0.02898 |
A--/eV | 1127.7 | 1127.7 | 1127.7 |
ρ--/nm | 0.02753 | 0.02753 | 0.02753 |
C/10-6eV.nm6 | 15.83 | 15.83 | 15.83 |
Y+(|e|) | -14.17 | -17.60 | -16.27 |
Y-(|e|) | -2.13 | -2.13 | -2.13 |
k+/102eV.nm-2 | 3770.7 | 3403.9 | 1708.0 |
k-/102eV.nm-2 | 72.9 | 70.5 | 72.8 |
注:Y+,Y-:正、负离子电子壳电荷,k+,k-:正、负离子实心与电子壳间弹性耦合系数.
此后,为了对表1所列参数进行更为严格的检验,我们进一步计算了上述三种晶体的声子谱.图1和图2示出这些理论计算曲线与SrF2和BaF2的中子散射实验数据[12]的对比.可以认为表1所列的参数集为进一步计算晶体的点缺陷形成能奠定了可靠的基础. |
图1 SrF2的声子色散曲线在三个特征方向的测量值(用不同符号表示)
与计算值(用实线表示)对照图 每条线用群表示符号标志
图2 BaF2的声子色散曲线在三个特征方向的测量值(用不同符号表示)
与计算值(用实线表示)对照图 每条线用群表示符号标志
4.2 CaF2,SrF2和BaF2离子晶体的点缺陷形成能 我们自建计算离子晶体点缺陷形成能程序,FLUOR-1的计算方案见第3节.对于Ⅰ和Ⅱ区粒子间的长程Coulomb作用的数值计算引用了Ewald方法以及Epstein公式[13], 从而得到快速收敛的效果.有关程序原理的细节可参看AERE Harwell Report R 7650(1974).我们曾引用Catlow和Norgett的势参数和模型参数作为输入,改用FLUOR-1程序计算,高精度地复现了他们用 HADES程序计算的结果,以此作为FLUOR-1程序运行质量的检验. 表2所列CaF2,SrF2和BaF2点缺陷形成能是基于表1所列参数通过FLUOR-1程序计算的.为了与Catlow和Norgett以前的工作相对照,表2也列出他们报道的计算结果[7].可以看出,虽然二者所依据的势参数和模型参数有相当大的差别,但所得计算结果却十分接近. 表2 本文和Catlow等人对CaF2,SrF2和BaF2点缺陷形成能的计算值 |
形成能/eV | CaF2 | SrF2 | BaF2 | |||
本文 计算值 |
Catlow 计算值 |
本文 计算值 |
Catlow 计算值 |
本文 计算值 |
Catlow 计算值 |
|
正离子空穴 | 22.77 | 23.17 | 21.50 | 22.09 | 19.82 | 20.98 |
负离子空穴 | 4.75 | 4.85 | 4.58 | 4.80 | 4.11 | 4.52 |
正离子间隙位 | -14.79 | -14.84 | -13.53 | -14.20 | -12.41 | -13.46 |
负离子间隙位 | -1.87 | -2.10 | -1.96 | -2.42 | -1.92 | -2.54 |
正离子Frenkel对 | 7.98 | 8.00 | 7.97 | 7.57 | 7.41 | 7.22 |
负离子Frenkel对 | 2.88 | 2.75 | 2.62 | 2.38 | 2.19 | 1.98 |
Schottky | 6.00 | 5.75 | 6.04 | 5.92 | 5.35 | 5.64 |
*国家高技术研究发展计划(批准号:715-001-0102)资助的课题.
*Project supported by the Foundation of High Technology Research and Development Plan of China (Grant No.715-001-0102).
作者简介:丁大同:通讯联系人.
作者单位:南开大学物理系,天津 300071
[1]N.F.Mott,M.J.Littleton,Trans.Faraday Soc.,34(1938),485.
[2] A.B.Lidiard,M.J.Norgett,In ‘Computational Solid State Physics’, ed.F.Herman,N.W.Dalton,T.R.Koehler(Plenum Press,New York,1972),p.385.
[3]I.M.Boswarva,A.B.Lidiard,Phil.Mag.,16(1967),805.
[4]R.Fletcher,M.J.D.Powell,Comput.J.,6(1963),163.
[5]M.J.Norgett,UKAEA Report,AERE-R7650(1974).
[6]C.R.A.Catlow,M.J.Norgett,J.Phys.C:Solid Stat.Phys.,6(1973),1325.
[7]C.R.A.Catlow,M.J.Norgett,T.A.Ross,J.Phys.C:Solid Stat.Phys.,10(1977),1627.
[8] 冯少新、金庆华、郭振亚等,物理学报,47(1998),1811,[Feng Shao-xin,Jin Qing-hau,Guo Zhen-ya et al.,Acta Physica Sinica,47(1998),1811(in Chinese)].
[9]B.G.Dick,A.W.Overhauser,Phys.Rev.,112(1958),90.
[10]C.R.A.Catlow,R.James,W.C.Mackrodt et al.,Phys.Rev.,B25(1982),1006.
[11] C.R.A.Catlow,W.C.Mackrodt,In ‘Computer Simulation of Solids’,ed.C.R.A.Catlow,W.C.Mackrodt,Lecture Notes in Physics, Vol.166(Springer,Berlin,1982),p.3.
[12]H.Bilz,W.Kress,in ‘Phonon Dispersion Relations in Insulators’, Spring Series in Solid-State Sciences, Vol.10(1979).
[13]M.P.Tosi,Solid State Physics,16(1964),1.