Silicio estas kemia elemento en la perioda tabelo kies simbolo estas Si kaj kies atoma numero estas 14. Trivalenta metaloido, silicio estas malpli reakcia ol sia kemia analogo karbono.
La nomo "silicio" venas de la latina vorto silex, speco de ŝtono (Siliko). Laŭ pezo, 25,7% de la terkrusto estas silicio. En la forma de siliko, aŭ silicia dioksido, (SiO2), ĝi troviĝas en la krusto de la tero kiel sablo kaj kvarzo. Opaloj, ametistoj, kaj jaspoj estas formoj de kvarzo. Granito, asbesto, feldspato, argilo, kaj glimo estas silikataj mineraloj. Siliko fortigas plantajn trunketojn, birdajn plumojn, kaj iujn spongojn. Silikono estas alia silicia kombinaĵo, uzata por fari oleojn, grasojn, farbojn, kaj kaŭĉukojn.
En la moderna industrio, oni uzas silicion aŭ silician kombinaĵojn por fari vitron, ŝtalon, emajlojn, ceramikaĵojn, abrazilojn, kaj laserilojn. Hodiaŭ, silicio estas grava elemento en la faro de transistoroj, sunenergiaj piloj, kaj en icizita tekniko, kiel en la komputila industrio.
[redaktu] Ecoj
- Atompezo: 28,086
- Kemia Serio: aliaj metaloj
- Kemia Grupo: 14(IVA)
- Kemia periodo: 3
- Masa denseco: 2328 kg/m3
- Atoma denseco: 5,0x1028 atomoj/m3
- Dureco: 6,5
- VAN-DER-WAAL-a radiuso: 210 pm
- Elektrona konfigurado: [ Ne ]3s2 3p2
- Kristala strukturo: diamanta aŭ fac-centre kuba
- Stato de materio: solidaĵo
- Bolpunkto: 2355oC
- Fandpunkto: 1410oC
- Unumola volumeno: 12,06x10-6 m3/mol
- Vaporiga hejto: 384,22 kJ/mol
- Glaciiga hejto: 50,55 kJ/mol
- Vapora premo: 4,77 Pa ĉe 1683 K
- Elektronegativeco: 1,90 (skalo de Pauling)
- Unumasa varmkapacito: 700 J/(kg*K)
- Elektra konduktiveco: 2,52x10-4 /mohm
- Termika konduktiveco: 148 W/(m*k)
- 1-a joniga potencialo: 786,5 kJ/mol
- 2-a joniga potencialo: 1577,1 kJ/mol
- 3-a joniga potencialo: 3231,6 kJ/mol
- 4-a joniga potencialo: 4355,5 kJ/mol
- Rompiĝa elektra kampo: ~3x105 V/m
- Dielektra konstanto: 11,9
- Efektiva denseco de statoj en kondukta bendo: 2,8x1025
- Efektiva denseco de statoj en valenta bendo: 1,04x1025
- Elektrona afineco: 4,05 V
- Energia bendbreĉo: 1,12 eV
- Esenca koncentreco de portantoj 1,45x1016 m-3
- Esenca Debye-a longo: 2,4x10-5 m
- Esenca rezistiveco: 2,3x107 ohm m
- Latisa konstanto: 5,43095
- Koeficio de lineara termika pligrandiĝo: 2,6x10-6 K-1
- Driva movebleco de elektronoj: 0,15 m2/V s
- Driva movebleco de truoj: 0,045 m2/V s
- Pligrandiĝo ĉe glaciiĝo: ~9%
- Eltrovintoj: Antoine Lavoisier 1787, kaj Gay Lussac 1811
Pura kristala silicio havas grizan koloron, sed en la naturo, la elemento silicio troviĝas nur en kombinaĵoj. Silicio havas naŭ izotopojn.
En ĝia kristala formo, silicio havas metalan glaceon kaj grizan koloron. Ĝi estas frakasiĝema solidaĵo ĉe ĉambra temperaturo kiu fariĝas plasta ĉirkaŭ 900 o C. Elektre ĝi estas semikonduktaĵo, do povas esti foje izolaĵo, foje konduktaĵo. Ĝi bone konduktas hejton kaj sonon. Kaj ĝi flosas en sia propra likvaĵo.
Kvankam silicio estas relative inerta, silicio reakcias kun oksigeno, nitrogeno, la halogenoj kaj diluaj alkaloj, sed plej multaj (neoksidigaj) acidoj ne rekte efikas. Nitrata acido estas oksidiga al silicio.
Elementa silicio transmisias pli ol 95% da ĉia infraruĝa lumo. Sed malpuraĵoj en silicio, tiel kiel oksigeno, karbono, nitrogeno, boro, fosforo, kaj arseno, absorbas ĉe certaj fekvencoj en la infraruĝa. Silicio ne estas travidebla en ordinara videbla lumo.
[redaktu] Historio
Silicio (Latine silex, silicis signifata siliko) unue estis identigita de Antoine Lavoisier dum 1787 kaj estis poste mise identigita de Humphry Davy dum 1800 kiel kombinaĵo. Dum 1811 Gay Lussac kaj THENARD probable preparis malpuran amorfan silicion tra la hejtado de kalio kun silicia kvarflorido. Dum 1824 BERZELIUS preparis silicion uzante proksimume la saman metodon de Lussac. Berzelius ankaŭ purigis la produktaĵon per refoja lavado.
Ĉar silicio estas grava elemento en semikonduktaĵaj kaj alt-teknologiaj aparatoj, la alt-teknologia regiono Silicia Valo, Kalifornio nomiĝis laŭ tiu ĉi elemento.
[redaktu] Produktado
Silicio estas komerce produktata per hejtado de alte pura siliko en elektra forno per uzo de karbonaj elektrodoj. Ĉe temperaturoj super 1900o C, la karbono reduktas la silikon al silicio laŭ la kemia ekvacio:
- SiO2 + C → Si + CO2
Likva silicio kolektiĝas ĉe la malsupro de forno, kaj ĝi dreniĝas kaj malvarmiĝas. La silicio tiel produktita nomiĝas metalurgie grada silicio kaj estas 99% pura. Dum 1997 metalurie grada silicio kostis proksimume $0,50/g.
[redaktu] Purigado
La uzo de silicio en semikonduktaĵaj aparatoj postulas multe pli altan purecon ol atingeblan per metalurgia silico. Historie kelkaj metodoj uziĝis produkti alte puran silicion.
[redaktu] Fizikaj Metodoj
Fruaj teknikoj por purigado de silicio baziĝis sur tiu fakto ke kiam silicio fandiĝas kaj tiam re-solidiĝas, la lasta parto kiu re-solidiĝas entenas la plejparton de la malpuraĵoj. La plej frua metodo de silicia purigado, unue priskribita en 1919 kaj lime uzita por fari radarajn komponantojn dum la unua mondmilito, miksis rompadon de metalurgia silicio kaj tiam parte dissolvadon de la silicia pulvoro en acido. Kiam rompita, la silicio fendiĝis tiel ke la pli malfortikaj malpuraĵ-plenaj regionoj estis ekstere de la rezulta kerno de silico. Rezulte, la malpuraĵ-plena silicio estis unue solvita dum traktado kun acido, kio postlasis pli puran produktaĵon.
En zona fandado, la unua metodo por purigado de silicio larĝe uzata en industrio, stangoj de metalurgia silicio hejtiĝis ĉe unu ekstremaĵo. Tiam, la hejtilo malrapide moviĝis laŭ la longo de la stango, tenante malgrandan longon de la fandiĝinta stango, dum la silicio malvarmiĝis kaj re-solidiĝis malantaŭ la fandiĝinta parto. Ĉar plejparto da malpuraĵoj tendencas resti en la fanda regiono anstataŭ re-solidiĝi,procezofine plejmultaj malpuraĵoj de la stango moviĝis al la ekstremaĵo kiu estis laste fandita. Tiu ĉi finaĵo fortranĉiĝis kaj forĵetiĝis, kaj la procezo re-fariĝis se oni deziris pli altan purecon.
[redaktu] Kemiaj Metodoj
Hodiaŭ, silicio puriĝas per konvertado al silicia kombinaĵo kiu povas pli facile puriĝi ol silicio mem kaj poste denove okazas konvertado de tiu silicia kombinaĵo reen al pura silicio. Triklora silano estas la silicia kombinaĵo plej ofte uzita kiel mezaĵo, kvankam silicia kvarklorido kaj silano ankaŭ uziĝas. Kiam tiuj ĉi gasoj blovas super silicio ĉe alta temperaturo, ili diskomponas al altpureca silicio kaj kloro. La gasa silicio tiam deponas sur la solidan silicion.
Ĉe la procezo de Siemens, alte pure siliciaj stangoj elmetiĝas al triklora silano ĉe 1150 oC. La triklora silano dekomponiĝas kaj deponas plian silicion sur la stango, laŭ la kemia ekvacio
- 2 HSiCl3 → Si + 2 HCl + SiCl4
Silicio produktita de tiu kaj similaj procezoj nomiĝas polikristala silicio. Polikristala silicio tipe havas malpuraĵan nivelon de 1 parto el miliardo (pemd) aŭ malpli.
Iam, DuPont produktis ultrapuran silicion per reakciado de silicia kvarklorido kun alt-pureca zinka vaporo ĉe 950oC, produktante silicio laŭ la ekvacio:
- SiCl4 + 2 Zn → 2 ZnCl2.
Tamen, tiu ĉi procezo kaŭzis multajn praktikajn problemojn (ekz. solidiĝo de flankproduktita zinka klorido ŝtopis liniojn) kaj fine forlasiĝis favore al la procezo de Seimens.
[redaktu] Kristalizado
La procezo de Czochralski ofte uziĝas fari altpurecajn unuopajn kristalojn por uzo en solidŝtataj aŭ semikonduktaĵaj aparatoj.
[redaktu] Izotopoj
Silicio havas naŭ izotopojn, kun atomnumero de 25 ĝis 33. 28Si (la plej abunda izotopo ĉe 92.23%), 29Si (4.67%), kaj 30Si (3.1%)estas stabilaj, 32Si estas radioaktiva izotopo produktita per argona diseriĝo. Ĝia duonvivo, post multa disputado, determiniĝas esti proksimume 276 jaroj, kaj ĝi diseriĝas per beta elsendo al 32P (kiu havas duonvivon de 14,28 jaroj)kaj tiam al 32S.
[redaktu] Antaŭzorgoj
Grava pulma malsano konata kiel silikozo ofte okazis inter ministoj, ŝtontranĉistoj kaj inter aliaj, kiuj laboris en medio, kie grandkvante estiĝis, enspiriĝis silika pulvoro.
BW Bewise Inc.
Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、Carbide end mill、Aerospace cutting tool、Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Milling cutter、CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、NAS tool、DIN tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.
Bewise Inc. www.tool-tool.com
留言列表
