Na Galipedia, a wikipedia en galego.
| |||||||||||||||||||||||||||||||
| Xeneral | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Nome, símbolo, número | Silicio, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie química | Metaloide | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Grupo, período, bloque | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Densidade, dureza Mohs | 2330 kg/m³, 6,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Aparencia | Gris escuro cun ton azul
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| Propiedades atómicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Peso atómico | 28,0855 uma | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio medio† | 110 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio atómico calculado | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio covalente | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio de Van der Waals | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración electrónica | [[[neon|Ne]]]3s² 3p² | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estado de oxidación (óxido) | 4 (anfótero) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estrutura cristalina | cúbica centrada nas caras | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Propiedades físicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Estado da materia | sólido (non magnético) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Punto de fusión | 1687 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Punto de ebulición | 3173 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Entalpía de vaporización | 384,22 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Entalpía de fusión | 50,55 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Presión de vapor | 4,77 Pa a 1683 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Velocidade do son | __ m/s a __ K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Información diversa | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Electronegatividade | 1,90 (Pauling) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Calor específica | 700 J/(kg*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Condutividade eléctrica | 2,52 x 10-4 m-1·Ω-1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Condutividade térmica | 148 W/(m*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1° potencial de ionización | 786,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2° potencial de ionización | 1577,1 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3° potencial de ionización | 3231,6 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4° potencial de ionización | 4355,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 5° potencial de ionización | 16091 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 6° potencial de ionización | 19805 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7° potencial de ionización | 23780 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 8° potencial de ionización | 29287 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 9° potencial de ionización | 33878 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 10° potencial de ionización | 38726 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Isótopos máis estables | |||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||
| Valores no SI e condicións normais (0 ºC e 1 atm), agás indicación en contra. †Calculado a partir de distintas lonxitudes de enlace covalente, metálico ou iónico. | |||||||||||||||||||||||||||||||
O silicio é un elemento químico non metálico situado no grupo 14 da táboa periódica dos elementos formando parte da familia dos carbonoideos. É o segundo elemento máis abundante na codia terrestre (27,7% en peso) despois do osíxeno. Preséntase en forma amorfa e cristalizada; o primeiro é un po pardo, máis activo cá variante cristalina, que se presenta en octaedros de cor azul grisalla e brillo metálico.
[editar] Características principais
As súas propiedades son intermedias entre as do carbono e do xermanio. En forma cristalina é moi duro e pouco soluble e presenta un brillo metálico e cor grisalla. Aínda que é un elemento relativamente inerte e resiste a acción da maioría dos ácidos, reacciona cos halóxenos e álcalis diluídos. O silicio transmite máis do 95% das lonxitudes de onda da radiación infravermella.
[editar] Aplicacións
Utilízase en aliaxes, na preparación das siliconas, na industria da cerámica técnica e, debido a que é un material semicondutor moi abundante, ten un interese especial na industria electrónica e microelectrónica como material básico para a creación de obleas ou chips que se poden implantar en transistores, pilas solares e unha gran variedade de circuítos electrónicos.
O silicio é un elemento vital en numerosas industrias. O dióxido de silicio (area e arxila) é un importante constituínte do formigón e os ladrillos, e emprégase na produción de cemento portland. Polas súas propiedades semicondutoras úsase na fabricación de transistores, células solares e todo tipo de dispositivos semicondutores; por esta razón coñécese como Silicon Valley (Val do Silicio) á rexión de California en que se concentran numerosas empresas do sector da electrónica e a informática.
Outros importantes usos do silicio son:
- Como material refractario, úsase en cerámicas, vidrados e esmaltados. Como
- elemento de aliaxe en fundicións.
- Fabricación de vidro para fiestras e illantes.
- O carburo de silicio é un dos abrasivos máis importantes.
- Úsase en láseres para obter unha luz cunha lonxitude de onda de 456 nm.
- A silicona úsase en medicina en implantes de seo e lentes de contacto.
[editar] Historia
O silicio (do latín silex, sílice) foi identificado por primeira vez por Antoine Lavoisier en 1787, e posteriormente tomado como composto por Humphry Davy en 1800. En 1811 Gay-Lussac, e Louis Thenard probablemente, preparou silicio amorfo impuro quentando potasio con tetrafluoruro de silicio. En 1824 Berzelius preparou silicio amorfo empregando un método similar ao de Gay-Lussac, purificando despois o produto mediante lavados sucesivos ata illar o elemento.
[editar] Abundancia e obtención
O silicio é un dos compoñentes principais dos aerólitos, unha clase de meteoroides.
Medido en peso o silicio representa máis da cuarta parte da codia terrestre e é o segundo elemento máis abundante por detrás do osíxeno. O silicio non se atopa en estado nativo; area, seixo, ametista, ágata, pedernal, ópalo e xaspe son algunhas dos minerales en que aparece o óxido, mentres que formando silicatos atópase, entre outros, no granito, feldespato, arxila, hornblenda e mica.
O silicio comercial obtense a partir de sílice de alta pureza en forno de arco eléctrico reducindo o óxido con electrodos de carbono a temperatura superior a 1900 ºC:
- SiO2 + C → Si + CO2
O silicio líquido acumúlase no fondo do forno de onde se extrae e se arrefría. O silicio producido por este proceso denomínase metalúrxico e ten unha pureza superior ao 99%. Para a construción de dispositivos semiconductores é necesario un silicio de maior pureza, silicio ultrapuro, que pode obterse por métodos físicos ou químicos.
Os métodos físicos de purificación do silicio metalúrxico baséanse na maior solubilidade das impurezas no silicio líquido, de forma que este se concentra nas últimas zonas solidificadas. O primeiro método, usado de forma limitada para construír compoñentes de radar durante a Segunda Guerra Mundial, consiste en moer o silicio de forma que as impurezas se acumulen nas superficies dos grans; disolvendo estes parcialmente con ácido obtíñase un po máis puro. A fusión por zonas, o primeiro método usado a escala industrial, consiste en fundir un extremo da barra de silicio e trasladar lentamente o foco de calor ao longo da barra de modo que o silicio vai solidificando cunha pureza maior ao arrastrar a zona fundida gran parte das impurezas. O proceso pode repetirse as veces que sexa necesario ata lograr a pureza desexada bastando entón cortar o extremo final en que se acumularon as impurezas.
Os métodos químicos, usados actualmente, actúan sobre un composto de silicio que sexa máis doado de purificar descompoñéndoo trala purificación para obter o silicio. Os compostos comunmente usados son o triclorosilano (HSiCl3), o tetracloruro de silicio (SiCl4) e o silano (SiH4).
No proceso Siemens, as barras de silicio de alta pureza expóñense a 1150ºC ao triclorosilano, gas que se descompón depositando silicio adicional na barra segundo a seguinte reacción:
- 2 HSiCl3 → Si + 2 HCl + SiCl4
O silicio producido por este e outros métodos similares denomínase silicio policristalino e tipicamente ten unha fracción de impurezas de 0,001 ppm ou menor.
O método Dupont consiste en facer reaccionar tetracloruro de silicio a 950ºC con vapores de cinc moi puros:
- SiCl4 + 2 Zn → Si + 2 ZnCl2
Este método, así a todo, está inzado de dificultades (o cloruro de cinc, subproducto da reacción, solidifica e obstrúe as liñas) polo que eventualmente se abandonou en favor do proceso Siemens.
Unha vez obtido o silicio ultrapuro é necesario obter un monocristal, para o que se utiliza o proceso Czochralski.
[editar] Isótopos
O silicio ten nove isótopos, con número másico entre 25 a 33. O isótopo mais abundante é o Si 28 cunha abundancia do 92.23%, o Si 29 ten unha abundancia do 4.67% e o Si 30 que ten unha abundancia do 3.1 todos eles son estables. O Si 32 é radioactivo, provén do decaemento do argon. O seu tempo de semivida é aproximadamente duns 276 anos. Padece un decaemento beta que o transforma en P-32 (que ten un período de semivida de 14.28 anos).
[editar] Precaucións
A inhalación do po de sílice cristalina pode provocar silicose
[editar] Referencias exteriores
- Enciclopedia Libre
- Los Alamos National Laboratory - Silicio
- WebElements.com - Silicio
- EnvironmentalChemistry.com - Silicio
- Instituto Nacional de Seguridade e Higiene no Traballo de España: Ficha internacional de seguridade química do silicio.
BW Bewise Inc.
Welcome to BW tool world! We are an experienced tool maker specialized in cutting tools. We focus on what you need and endeavor to research the best cutter to satisfy users’ demand. Our customers involve wide range of industries, like mold & die, aerospace, electronic, machinery, etc. We are professional expert in cutting field. We would like to solve every problem from you. Please feel free to contact us, its our pleasure to serve for you. BW product including: cutting tool、aerospace tool .HSS Cutting tool、Carbide end mills、Carbide cutting tool、NAS Cutting tool、Carbide end mill、Aerospace cutting tool、Фрезеры’Carbide drill、High speed steel、Milling cutter、CVDD(Chemical Vapor Deposition Diamond )’PCBN (Polycrystalline Cubic Boron Nitride) ’Core drill、Tapered end mills、CVD Diamond Tools Inserts’PCD Edge-Beveling Cutter(Golden Finger’PCD V-Cutter’PCD Wood tools’PCD Cutting tools’PCD Circular Saw Blade’PVDD End Mills’diamond tool ‘Single Crystal Diamond ‘Metric end mills、Miniature end mills、Специальные режущие инструменты ‘Пустотелое сверло ‘Pilot reamer、Fraises’Fresas con mango’ PCD (Polycrystalline diamond) ‘Frese’Electronics cutter、Step drill、Metal cutting saw、Double margin drill、Gun barrel、Angle milling cutter、Carbide burrs、Carbide tipped cutter、Chamfering tool、IC card engraving cutter、Side cutter、NAS tool、DIN tool、Special tool、Metal slitting saws、Shell end mills、Side and face milling cutters、Side chip clearance saws、Long end mills、Stub roughing end mills、Dovetail milling cutters、Carbide slot drills、Carbide torus cutters、Angel carbide end mills、Carbide torus cutters、Carbide ball-nosed slot drills、Mould cutter、Tool manufacturer.
Bewise Inc. www.tool-tool.com
留言列表
