Silicio
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| General | |||||||||||||||||||||||||||||||
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| Nombre, símbolo, número | Silicio, Si, 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie química | Metaloide | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Grupo, periodo, bloque | 14, 3, p | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Densidad, dureza Mohs | 2330 kg/m³, 6,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Apariencia | Gris oscuro con un tono azul | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Propiedades atómicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Masa atómica | 28,0855 uma | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio medio† | 110 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio atómico calculado | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio covalente | 111 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Radio de Van der Waals | 210 pm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración electrónica | [Ne]3s² 3p² | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estado de oxidación (óxido) | 4 (anfótero) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estructura cristalina | cúbica centrada en las caras | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Propiedades físicas | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Estado de la materia | sólido (no magnético) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Punto de fusión | 1687 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Punto de ebullición | 3173 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Entalpía de vaporización | 384,22 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Entalpía de fusión | 50,55 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Presión de vapor | 4,77 Pa a 1683 K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Velocidad del sonido | __ m/s a __ K | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Información diversa | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Electronegatividad | 1,90 (Pauling) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Calor específico | 700 J/(kg*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Conductividad eléctrica | 2,52 x 10-4 m-1·Ω-1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Conductividad térmica | 148 W/(m*K) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1° potencial de ionización | 786,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2° potencial de ionización | 1577,1 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 3° potencial de ionización | 3231,6 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4° potencial de ionización | 4355,5 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 5° potencial de ionización | 16091 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 6° potencial de ionización | 19805 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 7° potencial de ionización | 23780 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 8° potencial de ionización | 29287 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 9° potencial de ionización | 33878 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 10° potencial de ionización | 38726 kJ/mol | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Isótopos más estables | |||||||||||||||||||||||||||||||
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| Valores en el SI y en condiciones normales (0 °C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. †Calculado a partir de distintas longitudes de enlace covalente, metálico o iónico. | |||||||||||||||||||||||||||||||
El silicio es un elemento químico no metálico situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos. Es el segundo elemento más abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso) después del oxígeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, más activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisáceo y brillo metálico.
Características principales [editar]
Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina es muy duro y poco soluble y presenta un brillo metálico y color grisáceo. Aunque es un elemento relativamente inerte y resiste la acción de la mayoría de los ácidos, reacciona con los halógenos y álcalis diluidos. El silicio transmite más del 95% de las longitudes de onda de la radiación infrarroja.
Aplicaciones [editar]
Se utiliza en aleaciones, en la preparación de las siliconas, en la industria de la cerámica técnica y, debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un interés especial en la industria electrónica y microelectrónica como material básico para la creación de obleas o chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrónicos.
El silicio es un elemento vital en numerosas industrias. El dióxido de silicio (arena y arcilla) es un importante constituyente del hormigón y los ladrillos, y se emplea en la producción de cemento portland. Por sus propiedades semiconductoras se usa en la fabricación de transistores, células solares y todo tipo de dispositivos semiconductores; por esta razón se conoce como Silicon Valley (Valle del Silicio) a la región de California en la que concentran numerosas empresas del sector de la electrónica y la informática.
Otros importantes usos del silicio son:
- Como material refractario, se usa en cerámicas, vidriados y esmaltados.
- Como elemento fertilizante en forma de mineral primario rico en silicio, para la agricultura.
- Como elemento de aleación en fundiciones.
- Fabricación de vidrio para ventanas y aislantes.
- El carburo de silicio es uno de los abrasivos más importantes.
- Se usa en láseres para obtener una luz con una longitud de onda de 456 nm.
- La silicona se usa en medicina en implantes de seno y lentes de contacto.
Historia [editar]
El silicio (del latín silex, sílice) fue identificado por primera vez por Antoine Lavoisier en 1787, y el elemento.
Abundancia y obtención [editar]
El silicio es uno de los componentes principales de los aerolitos, una clase de meteoroides.
Medido en peso el silicio representa más de la cuarta parte de la corteza terrestre y es el segundo elemento más abundante por detrás del oxígeno. El silicio no se encuentra en estado nativo; arena, cuarzo, amatista, ágata, pedernal, ópalo y jaspe son algunas de los minerales en los que aparece el óxido, mientras que formando silicatos se encuentra, entre otros, en el granito, feldespato, arcilla, hornblenda y mica.
El silicio comercial se obtiene a partir de sílice de alta pureza en horno de arco eléctrico reduciendo el óxido con electrodos de carbono a temperatura superior a 3000 °C:
- SiO2 + C → Si + CO2
El silicio líquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae y se enfría. El silicio producido por este proceso se denomina metalúrgico y tiene una pureza superior al 99%. Para la construcción de dispositivos semiconductores es necesario un silicio de mayor pureza, silicio ultrapuro, que puede obtenerse por métodos físicos o químicos.
Los métodos físicos de purificación del silicio metalúrgico se basan en la mayor solubilidad de las impurezas en el silicio líquido, de forma que éste se concentra en las últimas zonas solidificadas. El primer método, usado de forma limitada para construir componentes de radar durante la Segunda Guerra Mundial, consiste en moler el silicio de forma que las impurezas se acumulen en las superficies de los granos; disolviendo éstos parcialmente con ácido se obtenía un polvo más puro. La fusión por zonas, el primer método usado a escala industrial, consiste en fundir un extremo de la barra de silicio y trasladar lentamente el foco de calor a lo largo de la barra de modo que el silicio va solidificando con una pureza mayor al arrastrar la zona fundida gran parte de las impurezas. El proceso puede repetirse las veces que sea necesario hasta lograr la pureza deseada bastando entonces cortar el extremo final en el que se han acumulado las impurezas.
Los métodos químicos, usados actualmente, actúan sobre un compuesto de silicio que sea más fácil de purificar descomponiéndolo tras la purificación para obtener el silicio. Los compuestos comúnmente usados son el triclorosilano (HSiCl3), el tetracloruro de silicio (SiCl4) y el silano (SiH4).
En el proceso Siemens, las barras de silicio de alta pureza se exponen a 1150°C al triclorosilano, gas que se descompone depositando silicio adicional en la barra según la siguiente reacción:
- 2 HSiCl3 → Si + 2 HCl + SiCl4
El silicio producido por éste y otros métodos similares se denomina silicio policristalino y típicamente tiene una fracción de impurezas de 0,001 ppm o menor.
El método Dupont consiste en hacer reaccionar tetracloruro de silicio a 950°C con vapores de cinc muy puros:
- SiCl4 + 2 Zn → Si + 2 ZnCl2
Este método, sin embargo, está plagado de dificultades (el cloruro de cinc, subproducto de la reacción, solidifica y obstruye las líneas) por lo que eventualmente se ha abandonado en favor del proceso Siemens.
Una vez obtenido el silicio ultrapuro es necesario obtener uno monocristal, para lo que se utiliza el proceso Czochralski.
Isótopos [editar]
El silicio tiene nueve isótopos, con número másico entre 25 a 33. El isótopo más abundante es el Si 28 con una abundancia del 92.23%, el Si 29 tiene una abundancia del 4.67% y el Si 30 que tiene una abundancia del 3.1 todos ellos son estables. El Si 32 es radiactivo que proviene del decaimiento del argón. Su tiempo de semivida es aproximadamente de unos 132 años. Padece un decaimiento beta que lo transforma en P-32 (que tiene un periodo de semivida de 14.28 días).
Precauciones [editar]
La inhalación del polvo de sílice cristalina puede provocar silicosis
- Instituto Nacional de Seguridad e Higiene en el Trabajo de España: Ficha internacional de seguridad química del silicio.
La estirilidad puede ser generada en el cuerpo de la gente que consuma silicio.=edgar gomez
- Commons alberga contenido multimedia sobre Silicio.Commons
- Silicio en la agricultura
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