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矿物的形态：
矿 物的形态是指矿物的单体及同种矿物集合体的形状。在自然界，矿物多数成集合体出现，但是也出现具有集合多面体形态的单晶体。矿物的形态有单体形态和集合体 形态。 晶体形态是其成分和内部结构的外在反应。一定成分和内部结构的矿物，具有一定的晶体形态特征。另外，矿物的形态还受其生长时的外界环境的影响。所以有理想 晶体和实际晶体之分。
矿物单体形态：
矿物单体形态就是指矿物单晶体的形态。只有晶质矿物才能呈现单体。单体晶体习性有：
一向延长：
单体在三维空间只有一个方向特别发育。
电气石
二向延长：
单体在三维空间的发育有二个方向特别发育。
白云母
三向等长：
单体在三维空间的发育程度基本相同。
黄铁矿
矿物集合体形态：
同种矿物多个单体聚集在一起的整体叫矿物集合体。大多数矿物是以集合体形式出现的。矿物集合体形态取决于单体的形态和它们的集合方式。根据集合体中矿物颗粒大小可分为以下三种：
1.
显晶集合体形态：粒状、片状、板状、针状、毛发状、柱状、放射状、纤维状、晶簇状等集合体。
2.
隐晶和胶状集合体：葡萄状、结核体、肾状、鲕状、豆状、晶腺状、钟乳状、树枝状、皮壳状、块状等集合体。
晶体结构：
矿物晶体成分不同，形成条件不同，内部质点（原子、离子或分子）的排列形式各异，从而形成了各种各样的晶体结构。晶体的本质在于内部质点在三维空间作平 移周期重复，空间格子是表示这种重复规律的几何图形。连结三维空间的相当点（性质或环境及方位相同的质点）即获得空间格子。晶体长成理想晶体，它的内部结 构严格的服从空间格子规律，外形应为规则的几何多面体，面平、棱直，同一单形的晶面同形长大。当晶体生长不受外界任何因素的影响时，实际上晶体在生长过程 中，真正理想的晶体生长条件是不存在的，总会不同程度的受到复杂外界条件的影响，而不能严格地按照理想发育。而是晶体内部生长和外界条件影响的结合形成矿 物晶体的外形。
晶体的形成方式：
晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变成固相是形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。
1．由气相转变为固相：从气相转变为固相的条件是要有足够低的蒸气压。在火山口附近常由火山喷气直接生成硫、碘或氯化钠的晶体。雪花就是由于水蒸气冷却直接结晶而成的晶体。
硫单质
火山
2．由液相转变为固相：1).从熔体中结晶，即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体；2).从溶液中结晶，即溶液达到过饱和时，析出晶体；3).水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。
珍珠岩
天然盐湖卤水蒸发
3． 由固相变为固相：1).同质多象转变是某种晶体在热力学条件改变的时候，转变为另一种在新条件下稳定的晶体；2).原矿物晶粒逐渐变大，如由细粒方解石组 成的石灰岩与岩浆接触时，受热再结晶成为由粗粒方解石组成的大理岩；3). 固溶体分解，在一定温度下固溶体可以分离成为几种独立矿物；4).变晶，矿物在定向压力方向上溶解，而在垂直于压力方向上结晶，因而形成一向延长或二向延 展的变质矿物，如角闪石、云母晶体等；5).由固态非晶质结晶，火山喷发出的熔岩流迅速冷却，固结成为非晶质的火山玻璃，这种火山玻璃经过千百年以上的长 时间以后，可逐渐转变为结晶质。
细粒方解石
大理岩
晶体的成长：
晶体生长的一般过程是先生成晶核，而后再长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；③生长阶段。 关于晶体生长的有两个理论：1.层生长理论；2.螺旋生长理论。当晶体生长不受外界任何因素的影响时，晶体将长成理想晶体，它的内部结构严格的服从空间格 子规律，外形应为规则的几何多面体，面平、棱直，同一单形的晶面同形长大。实际上晶体在生长过程中，真正理想的晶体生长条件是不存在的，总会不同程度的受 到复杂外界条件的影响，而不能严格地按照理想发育。此外，晶体在形成之后，也还受到溶蚀和破坏。最终在自然界中存在的是实际晶体，实际晶体其内部构造并非 是严格按照空间格子规律所形成的均匀的整体。一个真实的单晶体，实质上是有许多个别的理想的均匀块段多组成，这些块段并非严格的互相平行，从而形成"镶嵌 构造"。在实际晶体结构中还会存在空位、错位等各种构造缺陷；有时还会有部分质点的代换以及各种包裹体等。
层生长理 论：是论述在晶核的光滑表面上生长一层原子面时，质点在界面上进入晶格"座位"的最佳位置是具有三面凹入角的位置。质点在此位置上与晶核结合成键放出的能 量最大。因为每一个来自环境相的新质点在环境相与新相界面的晶格上就位时，最可能结合的位置是能量上最有力的位置，即结合成键时应该是成键数目最多，是放 出能量最大的位置。所以晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。晶面是平行向外推移而生长的。 如图：K为曲折面，有三角面凹入角，是最有力的生长部位；S其次是阶梯面，具有二面凹入角的位置；A最不利于生长的部位是。
螺 旋生长理论：在晶体生长界面上螺旋位错露头点所出现的凹角及其延伸所形成的二面凹角可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。这样解释了层生长理论 所不能解释的现象，即晶体在很低温的过饱和度下能够生长的实际现象。位错的出现，在晶体的界面上提供了一个永不消失的台阶源。晶体将围绕螺旋位错露头点旋 转生长。螺旋式的台阶并不随着原子面网一层层生长而消失，从而使螺旋式生长持续下去。螺旋状生长与层状生长不同的是台阶并不直线式地等速前进扫过晶面，而 是围绕着螺旋位错的轴线螺旋状前进。随着晶体的不断长大，最终表现在晶面上形成能提供生长条件信息的各种各样的螺旋纹。
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