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轉述

離子束濺鍍沉積參數及調變範圍

圖示：

晶種層之沉積
金屬連線在深次微米製程中，via或trench的填充能力，是影響製程技術重要的關鍵，若是填充能力不良在via或trench中形成孔洞或是階梯覆蓋不均勻，會造成電阻率激增且性質不均。
通 常會影響via或trench填充能力的因素除了無電鍍銅的晶粒大小及其沉積速率之外，催化晶種層也扮演重要角色，催化層與擴散阻障層的附著力以及階梯覆 蓋率（step coverage），影響銅膜與擴散阻障層間的附著性。若是無電鍍銅晶粒過大將無法填入較小的via或trench，因此適當的晶粒大小有助於小洞的填 充。
而沉積速率太快則使得銅膜成長鬆散、不緻密，在較小的via或trench中容易形成void或不連續的膜，故控制適當的沉積速率才能獲得良好的鍍膜品質。

圖示：

(a)

圖示：

(b)

(a) 介電層經過圖案化再沉積阻障層之試片截面，將試片劈開後，利用FESEM觀察其橫截面，此via深1μm、寬0.5μm，深寬比約2：1。(b)相同的試 片經過離子束濺鍍沉積後，濺鍍沉積時間為30分鐘之試片截面，由圖上看到via最底層以及上層的壁上均附著較薄的銅晶種層。

圖示：

濺鍍沉積時間45分鐘之試片截面，一樣可看出有較薄的銅晶種層附著，此via深1μm、寬1μm，深寬比約1：1。

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國立勤益技術大學機械系
教授：張子欽博士

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